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基于半导体制冷片的电子恒温器设计研究
1
作者 谢召军 《电子工业专用设备》 2026年第1期71-76,共6页
论述了半导体制冷片的电子恒温器在提供温度可控的化学药液系统供应模块中使用的优势。通过理论计算结合热仿真数据优化设计液腔来提高换热效率,同时结合控制器的PID算法对半导体制冷片功率输出做限定,实现对化学药液温度的精确控温。... 论述了半导体制冷片的电子恒温器在提供温度可控的化学药液系统供应模块中使用的优势。通过理论计算结合热仿真数据优化设计液腔来提高换热效率,同时结合控制器的PID算法对半导体制冷片功率输出做限定,实现对化学药液温度的精确控温。在搭建电子恒温器的实验测试平台上,验证了电子恒温器的升温和降温能力以及控温精度;对比分析了实验数据与目标要求,确定了电子恒温器性能可满足半导体清洗设备对药液控温精度的工艺要求。 展开更多
关键词 半导体制冷片 电子恒温器 控温精度 半导体清洗设备
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基于高速干冰喷射技术的复用医疗器械清洗效果验证
2
作者 毛媛 秦琴 +2 位作者 王应强 陈奥 陈志伟 《北京生物医学工程》 2026年第1期39-45,共7页
目的针对复用医疗器械清洗不彻底和清洗质量不达标所带来的院内感染风险增加问题,验证并分析高速干冰喷射技术的清洗效果,为其在医疗领域的广泛应用提供科学依据。方法选取手术刀、活检钳、手术剪等代表性的复用医疗器械作为实验对象,... 目的针对复用医疗器械清洗不彻底和清洗质量不达标所带来的院内感染风险增加问题,验证并分析高速干冰喷射技术的清洗效果,为其在医疗领域的广泛应用提供科学依据。方法选取手术刀、活检钳、手术剪等代表性的复用医疗器械作为实验对象,采用干式预清洗机和质谱分析仪作为实验验证工具。通过详细描述高速干冰喷射技术的清洗实验原理,并结合液滴与器械表面接触角和白色覆盖层质谱图两个关键指标,对比分析高速干冰喷射技术与其他传统清洗方法的清洗效果。结果采用高速干冰喷射技术后,液滴与器械表面的接触角达到5°,表明液滴能够完全铺展在器械表面,呈现出极高的清洁度。同时,质谱分析进一步证实,该技术显著提升了H_(2)O和CO_(2)的峰谱,其相对强度分别提升至7.9和2.0,说明覆盖层的主要成分为H_(2)O和CO_(2),从而验证了高速干冰喷射技术的显著清洗效果。结论相比传统清洗方法,高速干冰喷射技术在复用医疗器械清洗中展现出更为优异的性能。该技术能够有效去除器械表面的污垢和残留物,降低院内感染风险,具有重要的临床应用价值。 展开更多
关键词 高速干冰喷射 复用医疗器械 清洗效果 接触角 白色覆盖层 质谱图
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晶圆清洗工艺中气液两相流喷嘴的喷雾特性
3
作者 刘亚运 顾佳晨 +3 位作者 蒋超伟 贾繁硕 姜宁 蒋立伟 《半导体技术》 北大核心 2025年第6期641-647,共7页
随着气液两相流喷嘴清洗技术在晶圆清洗中的不断推广,气液两相流喷嘴在不同气液参数下对湿法清洗晶圆效果的影响变大,为此对气液两相流喷嘴进行喷雾特性实验和研究。基于单因素实验方法,将去离子水(DIW)和氮气(N_(2))作为喷嘴的两种工... 随着气液两相流喷嘴清洗技术在晶圆清洗中的不断推广,气液两相流喷嘴在不同气液参数下对湿法清洗晶圆效果的影响变大,为此对气液两相流喷嘴进行喷雾特性实验和研究。基于单因素实验方法,将去离子水(DIW)和氮气(N_(2))作为喷嘴的两种工作流体。实验结果表明,在去离子水体积流量一定的情况下,随着氮气体积流量的增加,去离子水液滴直径随之减小;冲击力随之增大,且基本不随液体体积流量变化而变化;雾化角随之减小。对气液两相流喷嘴的喷雾特性进行测试,为喷嘴清洗技术清洗晶圆的工艺参数提供数据支撑。 展开更多
关键词 气液两相流喷嘴 液滴直径 冲击力 雾化角 晶圆清洗
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超临界二氧化碳去除半导体制造中黏附颗粒研究
4
作者 杨自鹏 于鲲鹏 +3 位作者 李琳 孙海鑫 冯桐 银建中 《应用科技》 2025年第1期64-70,共7页
黏附颗粒的去除在半导体制造过程中至关重要。以超临界二氧化碳(supercritical carbon dioxide,scCO_(2))为清洗介质,能够去除小粒径和高纵横比结构中的黏附颗粒。本文通过建立黏附颗粒在scCO_(2)中的动力学模型,分析了其去除机制,并比... 黏附颗粒的去除在半导体制造过程中至关重要。以超临界二氧化碳(supercritical carbon dioxide,scCO_(2))为清洗介质,能够去除小粒径和高纵横比结构中的黏附颗粒。本文通过建立黏附颗粒在scCO_(2)中的动力学模型,分析了其去除机制,并比较了不同条件下颗粒的受力情况。结果表明,颗粒通过滚动方式被去除。在层流模式下,颗粒的去除由驱动力和提拉力共同作用;而在湍流模式下,提拉力起主导作用。对于Cu和Au等变形较小的颗粒,范德华力在小粒径时占主导地位,而在大粒径时变形附加力占优。对于聚苯乙烯乳胶等变形较大的颗粒,变形附加力始终强于范德华力。最后,通过分析温度与压力对颗粒去除的影响,发现当温度接近scCO_(2)的临界温度且压力大于15 MPa时,颗粒的去除效果更佳。 展开更多
关键词 超临界二氧化碳 黏附 颗粒 去除机制 清洗 半导体制造 范德华力 变形附加力
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超临界二氧化碳在晶圆清洗中的应用
5
作者 杨自鹏 于鲲鹏 +2 位作者 李琳 孙海鑫 银建中 《化工装备技术》 2025年第3期8-12,共5页
清洗是晶圆制造过程中不可或缺的工艺环节。随着晶圆微结构纵横比增大和复杂性提升,传统湿法清洗工艺面临多重技术挑战。超临界二氧化碳(scCO_(2))具有渗透性强、环境友好以及清洗干燥一体化等优势,使用scCO_(2)及其微乳液可以有效去除... 清洗是晶圆制造过程中不可或缺的工艺环节。随着晶圆微结构纵横比增大和复杂性提升,传统湿法清洗工艺面临多重技术挑战。超临界二氧化碳(scCO_(2))具有渗透性强、环境友好以及清洗干燥一体化等优势,使用scCO_(2)及其微乳液可以有效去除晶圆制造过程中残留的光刻胶及附着的金属颗粒。概述了传统湿法清洗的技术瓶颈与scCO_(2)清洗工艺的优势,并探讨了scCO_(2)去除光刻胶和附着金属颗粒的清洗机理。同时,综述了scCO_(2)在半导体清洗领域的研究进展,指出了当前scCO_(2)清洗技术存在的问题,并展望了其对半导体制造领域的影响。 展开更多
关键词 超临界二氧化碳 晶圆清洗 微乳液 清洗机制
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不同清洗方法对AMOLED相移掩模性能影响的研究
6
作者 魏晖 吕磊 熊启龙 《电子工业专用设备》 2025年第5期53-58,共6页
采用湿法(SC-1/SC-2+IPA干燥)、O_(2)/Ar等离子体、UV/O_(3)及超临界CO_(2)四种工艺对六代AMOLED用MoSi相移掩模进行人工污染后的清洗实验,以CD损失、相位误差、透过率衰减、表面粗糙度及缺陷密度为评价指标,系统研究了清洗方法对掩模... 采用湿法(SC-1/SC-2+IPA干燥)、O_(2)/Ar等离子体、UV/O_(3)及超临界CO_(2)四种工艺对六代AMOLED用MoSi相移掩模进行人工污染后的清洗实验,以CD损失、相位误差、透过率衰减、表面粗糙度及缺陷密度为评价指标,系统研究了清洗方法对掩模图形精度、光学性能及循环寿命的影响。结果表明:超临界CO_(2)在颗粒/有机残留去除率(97.8%)和光学性能保持(相位漂移0.7°、透过率下降0.3%)方面最优;等离子体法虽去除率略低(93.5%),但3次循环后CD损失仅为9 nm,综合寿命最佳;湿法与UV/O_(3)分别因MoSi氧化及臭氧侵蚀导致相位漂移>3°。TOPSIS多指标评价显示,超临界CO_(2)与等离子体法并列最优,推荐在量产中按污染类型交替使用。研究建立了面向AMOLED PSM的清洗—性能数据库,为高分辨率蒸镀良率提升提供了工艺依据。 展开更多
关键词 有源矩阵有机发光二极管 相移掩模 清洗工艺 超临界CO_(2) 等离子体 图形精度
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多层互连结构CMP后清洗中SiO_(2)颗粒去除的研究进展
7
作者 张力飞 路新春 +1 位作者 闫妹 赵德文 《半导体技术》 北大核心 2025年第2期101-116,共16页
SiO_(2)磨料因其化学性质稳定及抛光后良好的表面平整度,作为关键磨料被广泛应用于化学机械抛光(CMP)。CMP后晶圆表面残留的颗粒物易引发划伤、击穿及短路等缺陷问题,严重削弱芯片的可靠性。基于SiO_(2)颗粒在Cu、Co和介质材料表面的吸... SiO_(2)磨料因其化学性质稳定及抛光后良好的表面平整度,作为关键磨料被广泛应用于化学机械抛光(CMP)。CMP后晶圆表面残留的颗粒物易引发划伤、击穿及短路等缺陷问题,严重削弱芯片的可靠性。基于SiO_(2)颗粒在Cu、Co和介质材料表面的吸附特性,综述了互连结构CMP后清洗技术和清洗液体系的原理、特点及研究现状。从颗粒清洗效率、表面质量、环境影响控制等多个维度对比了干法清洗和湿法清洗技术,分析了各类清洗技术的优势与局限性。此外,系统地探讨了pH调节剂、络合剂和表面活性剂等关键清洗液组分对颗粒去除的影响,从理论机制层面揭示了SiO_(2)磨料颗粒清洗所面临的核心挑战与解决方案;同时对未来互连结构CMP后清洗工艺的发展方向进行了前瞻性展望,旨在为后续研究提供有力的理论支撑与指导方向。 展开更多
关键词 互连结构 化学机械抛光(CMP)后清洗 SiO_(2)颗粒 清洗技术 清洗液化学组分
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用含表面活性剂和螯合剂的清洗液清洗硅片的研究 被引量：16
8
作者 曹宝成 于新好 +2 位作者 马瑾 马洪磊 刘忠立 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第9期1226-1229,共4页
目前半导体工业生产中普遍采用的清洗技术是 RCA清洗技术 .文中介绍了一种含表面活性剂和螯合剂的新型半导体清洗剂和清洗技术 .并利用 X射线光电子谱和原子力显微镜等测试方法 ,分别比较了用两种清洗技术清洗过的硅片表面 .测试结果表... 目前半导体工业生产中普遍采用的清洗技术是 RCA清洗技术 .文中介绍了一种含表面活性剂和螯合剂的新型半导体清洗剂和清洗技术 .并利用 X射线光电子谱和原子力显微镜等测试方法 ,分别比较了用两种清洗技术清洗过的硅片表面 .测试结果表明 ,它们的去污效果基本相当 .但对硅片表面的粗糙化影响方面 ,新型半导体清洗技术优于标准 RCA清洗技术 . 展开更多
关键词 表面清洗 表面活性剂 螯合剂 清洗液 硅片
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HF／O_3在300mm硅片清洗中的应用 被引量：11
9
作者 闫志瑞 李俊峰 +2 位作者 刘红艳 张静 李莉 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期108-111,共4页
随着半导体技术的不断发展,集成电路的线宽在不断减小,对硅抛光片表面质量的要求也越来越高,传统的RAC清洗方法已不能满足其需求,因此,必须发展新的清洗方法。本文对传统的RCA清洗方法进行了简单的介绍,分析了其中的不足之处,在此基础上... 随着半导体技术的不断发展,集成电路的线宽在不断减小,对硅抛光片表面质量的要求也越来越高,传统的RAC清洗方法已不能满足其需求,因此,必须发展新的清洗方法。本文对传统的RCA清洗方法进行了简单的介绍,分析了其中的不足之处,在此基础上,对新发展的HF／O3槽式清洗法和HF／O3 单片清洗法进行了详细的说明,从而对300mm硅片清洗方法的未来发展方向进行了简单论述。 展开更多
关键词 硅片 RCA清洗 兆声波 HF/O3
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超临界二氧化碳(SCCO_2)无损伤清洗 被引量：13
10
作者 王磊 惠瑜 +1 位作者 高超群 景玉鹏 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2010年第2期65-70,79,共7页
简要回顾了传统RCA清洗工艺的历史背景和清洗原理,介绍了RCA清洗随着工艺节点减小存在的局限性。在此基础上,阐述了以超临界二氧化碳(SCCO2)为媒质的新型清洗工艺,该工艺流程可以同时实现超临界流体清洗和干燥。结合自主研发的绿色环保... 简要回顾了传统RCA清洗工艺的历史背景和清洗原理,介绍了RCA清洗随着工艺节点减小存在的局限性。在此基础上,阐述了以超临界二氧化碳(SCCO2)为媒质的新型清洗工艺,该工艺流程可以同时实现超临界流体清洗和干燥。结合自主研发的绿色环保二氧化碳超临界半导体清洗设备,论述了利用SCCO2对Si片进行无损伤清洗的工艺原理和工艺流程。分析了近年来国内外对SCCO2清洗的研究进展,展示了其在清洗方面的巨大潜力以及在微电子行业应用中的有效性和优越性,其研究成果有利于推动下一代清洗工艺的发展。 展开更多
关键词 RCA清洗 硅片清洗 无损伤清洗 超临界二氧化碳 超临界流体 干燥
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干冰微粒喷射清洗技术 被引量：19
11
作者 郭新贺 王磊 景玉鹏 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2012年第4期258-262,共5页
简要介绍了随着工艺节点的缩小,传统RCA清洗方法在硅片清洗工艺中的局限性和弊端,进而提出了以CO2为介质的新型干冰微粒喷射清洗方法。从CO2的物理特性出发,论述了CO2流经喷枪后形成干冰微粒的机理,并简要分析了干冰微粒喷射技术对颗粒... 简要介绍了随着工艺节点的缩小,传统RCA清洗方法在硅片清洗工艺中的局限性和弊端,进而提出了以CO2为介质的新型干冰微粒喷射清洗方法。从CO2的物理特性出发,论述了CO2流经喷枪后形成干冰微粒的机理,并简要分析了干冰微粒喷射技术对颗粒污染物和有机污染物的清洗机理。在此基础上,介绍了自主研发的一台基于干冰微粒喷射技术的半导体清洗设备,对该设备的结构和各部分的作用作了简要介绍,论述了使用该设备对硅片进行清洗的工艺流程。通过对比实验发现,采用压强为8 MPa、纯度为5N的CO2作为气源,喷嘴前压强设置为11 MPa,使用该设备可以达到很好的清洗效果。 展开更多
关键词 RCA清洗 硅片清洗 CO2 干冰微粒喷射 清洗设备
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ULSI衬底硅单晶片清洗技术现况与展望 被引量：8
12
作者 刘玉岭 古海云 +1 位作者 檀柏梅 桑建新 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期134-138,共5页
阐述了ULSI衬底硅单晶片清洗的重要性 ,详尽介绍了目前世界上采用的各种清洗方法 (湿法、干法、兆声、激光等 )的发展概况、应用价值及发展方向 ,并提出晶片清洗的发展趋势将向多元化、综合化和专用化方向发展。
关键词 ULSI 硅衬底 清洗方法 硅单晶 集成电路 半导体
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晶圆制备工艺用清洗洁净及环保新技术 被引量：4
13
作者 成立 李加元 +2 位作者 李岚 李华乐 王振宇 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第10期721-725,共5页
在简要介绍传统的湿法清洗与干法清洗技术的基础上,分析了几种晶圆制备工艺中的清洗洁净与环保新技术,包括HF与臭氧槽式清洗法、HF与臭氧单片清洗法以及无损伤和抑制腐蚀损伤的清洗方法等。分析结果表明,采用新技术清洗后的晶片表面可... 在简要介绍传统的湿法清洗与干法清洗技术的基础上,分析了几种晶圆制备工艺中的清洗洁净与环保新技术,包括HF与臭氧槽式清洗法、HF与臭氧单片清洗法以及无损伤和抑制腐蚀损伤的清洗方法等。分析结果表明,采用新技术清洗后的晶片表面可以满足更小线宽器件的要求,由于清洗工艺和步骤得到简化,所以使清洗设备小型化成为可能,同时新技术不仅节省了洁净间面积,而且有效地降低了环境污染。 展开更多
关键词 集成电路 晶圆级芯片 清洗洁净 环境保护 技术优势 应用前景
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LED用GaAs抛光片清洗技术研究 被引量：5
14
作者 王云彪 赵权 +2 位作者 牛沈军 吕菲 杨洪星 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第5期446-448,458,共4页
伴随着LED照明产业的迅猛发展,高质量的GaAs抛光片需求量日益增大。研究了一种有效的直径5.08cm低阻GaAs免洗抛光片的清洗技术,采用异丙醇低温超声去蜡结合兆声湿法清洗工艺,使晶片表面达到了低表面颗粒度、极低表面金属离子浓度,并形... 伴随着LED照明产业的迅猛发展,高质量的GaAs抛光片需求量日益增大。研究了一种有效的直径5.08cm低阻GaAs免洗抛光片的清洗技术,采用异丙醇低温超声去蜡结合兆声湿法清洗工艺,使晶片表面达到了低表面颗粒度、极低表面金属离子浓度,并形成了较薄的富As氧化层表面。表面颗粒度通过Tencor6220测试大于0.3μm的颗粒少于10个,通过TXRF测试表面金属离子个数均控制在9×1010/cm2以内;通过台阶仪测量表面粗糙度为0.8nm,通过偏振光椭圆率测量仪测得均一的2nm厚表面氧化层。 展开更多
关键词 发光二极管 表面颗粒度 金属离子浓度 表面粗糙度
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通过添加表面活性剂和螯合剂改进硅片化学清洗工艺的研究 被引量：7
15
作者 黄绍春 刘新 +1 位作者 叶嗣荣 刘小芹 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2014年第3期468-471,共4页
通过在传统RCA清洗法所用的SC-1液中,添加表面活性剂四甲基氢氧化铵(TMAH)和/或螯合剂乙二胺四乙酸(EDTA),实验比较了不同清洗方法对颗粒粘污、金属粘污的去除效率;并测试了其对硅片表面粗糙度的影响。用MOS电容结构的击穿电场强度Weib... 通过在传统RCA清洗法所用的SC-1液中,添加表面活性剂四甲基氢氧化铵(TMAH)和/或螯合剂乙二胺四乙酸(EDTA),实验比较了不同清洗方法对颗粒粘污、金属粘污的去除效率;并测试了其对硅片表面粗糙度的影响。用MOS电容结构的击穿电场强度Weibull分布,评价了不同清洗方法所得氧化层的质量。结果表明,上述改进能够显著提高对颗粒粘污和金属粘污的去除效果,同时能省去RCA的SC-2清洗步骤,具有节省工时、化学试剂消耗量小的优势。 展开更多
关键词 RCA清洗法 湿法化学清洗 四甲基氢氧化铵(TMAH) 乙二胺四乙酸(EDTA)
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新型半导体清洗剂的清洗工艺 被引量：6
16
作者 曹宝成 于新好 马洪磊 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第7期777-781,共5页
报道了利用红外吸收谱、X射线光电子谱和表面张力测试仪对新型半导体清洗工艺进行研究的结果 .采用DGQ系列清洗剂清洗硅片时 ,首先需用HF稀溶液浸泡硅片 ,以利于将包埋于氧化层内的金属和有机污染物去除 ;溶液的配比浓度由临界胶束浓度... 报道了利用红外吸收谱、X射线光电子谱和表面张力测试仪对新型半导体清洗工艺进行研究的结果 .采用DGQ系列清洗剂清洗硅片时 ,首先需用HF稀溶液浸泡硅片 ,以利于将包埋于氧化层内的金属和有机污染物去除 ;溶液的配比浓度由临界胶束浓度和硅片表面的污染程度确定 ,要确保清洗过程中溶液内部有足够的胶束存在 ,一般DGQ 1、DGQ 2的配比浓度在 90 %到 98%之间 ;当温度接近表面活性剂溶液的浊点温度时 ,增溶能力最强 ,因而清洗液的温度定在 6 0℃ . 展开更多
关键词 半导体 清洗剂 清洗工艺 红外吸收谱 X射线光电子谱
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用MatLab仿真高阶RC模型的互连线特性 被引量：5
17
作者 袁宝国 章文斌 +1 位作者 冯培昌 靳炜 《系统仿真学报》 CAS CSCD 2004年第6期1220-1221,1224,共3页
用MatLab软件,对超大规模集成电路互连线的高阶王氏RC梯形电路模型在时域和频域进行仿真。结果显示,①100阶模型与2000阶模型单位阶跃响应0.9的上升时间仅相差9.5‰,表明用100阶模型仿真已足够精确。②通过仿真,确定了一个来自实际的互... 用MatLab软件,对超大规模集成电路互连线的高阶王氏RC梯形电路模型在时域和频域进行仿真。结果显示,①100阶模型与2000阶模型单位阶跃响应0.9的上升时间仅相差9.5‰,表明用100阶模型仿真已足够精确。②通过仿真,确定了一个来自实际的互连线的通频带宽度。③测定了分布电阻和分布电容对互连线阶跃响应的上升时间及其通频带宽度的影响。④高阶仿真结果与1阶模型的理论结果相比,定性描述相同,定量描述差异较大,因此,用高阶模型对互连线的分布电路性质进行准确描述有一定的必要。 展开更多
关键词 计算机仿真 超大规模集成电路 互连线 分布电路 状态空间方程
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氢氟酸在新型清洗工艺中的作用 被引量：5
18
作者 曹宝成 于新好 +1 位作者 马洪磊 张庆坤 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第7期23-25,共3页
介绍了HF稀溶液在DGQ系列清洗工艺中对硅片表面的作用,无论是常规的酸碱清洗还是DGQ系列清洗剂的清洗,在没有HF稀溶液浸泡的情况下,1108波数处的吸收都是不同价态硅氧化物的复合吸收,用HF稀溶液浸泡后清洗的硅片,复合吸收变成仅有二氧... 介绍了HF稀溶液在DGQ系列清洗工艺中对硅片表面的作用,无论是常规的酸碱清洗还是DGQ系列清洗剂的清洗,在没有HF稀溶液浸泡的情况下,1108波数处的吸收都是不同价态硅氧化物的复合吸收,用HF稀溶液浸泡后清洗的硅片,复合吸收变成仅有二氧化硅的吸收。 展开更多
关键词 硅片清洗 氢氟酸 润湿性 二氧化硅吸收
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外延生长用磷化铟单晶片清洗技术 被引量：3
19
作者 武永超 林健 +2 位作者 刘春香 王云彪 赵权 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第8期620-624,共5页
根据磷化铟晶片的清洗机理,进行了三组磷化铟晶片清洗实验,并使用原子力显微镜（AFM）、表面分析仪和X射线光电子能谱（XPS）对晶片的化学成分、表面粗糙度及均匀性进行了表征,最终确定了氧化-酸剥离的磷化铟清洗工艺,并对清洗过程中晶... 根据磷化铟晶片的清洗机理,进行了三组磷化铟晶片清洗实验,并使用原子力显微镜（AFM）、表面分析仪和X射线光电子能谱（XPS）对晶片的化学成分、表面粗糙度及均匀性进行了表征,最终确定了氧化-酸剥离的磷化铟清洗工艺,并对清洗过程中晶片表面雾值变化进行研究。结果表明,清洗后的磷化铟晶片表面粗糙度达到0.12 nm,优于国外磷化铟晶片（0.15~0.17 nm）。XPS测试结果显示晶片表面形成了富铟层,富铟层降低了磷化铟晶片表面化学活性,起到了表面稳定作用,提高了外延生长质量。 展开更多
关键词 磷化铟单晶衬底 表面雾值 表面粗糙度 原子力显微镜(AFM) X射线光电子能谱(XPS)
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BDD电极电化学氧化清洗工艺氧化性研究 被引量：4
20
作者 高宝红 刘玉岭 +1 位作者 朱亚东 刘效岩 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第9期833-836,共4页
为了改进现有的RCA清洗法以及臭氧/过氧化氢湿式清洗技术,利用金刚石膜(BDD)电极的高级电化学氧化技术生成过氧化物氧化有机物,以实现简化清洗设备及节能环保。为研究金刚石膜电极的氧化能力,电解不同浓度的硫酸钾溶液,通过高锰酸钾滴... 为了改进现有的RCA清洗法以及臭氧/过氧化氢湿式清洗技术,利用金刚石膜(BDD)电极的高级电化学氧化技术生成过氧化物氧化有机物,以实现简化清洗设备及节能环保。为研究金刚石膜电极的氧化能力,电解不同浓度的硫酸钾溶液,通过高锰酸钾滴定法进行氧化性的测量,研究原料浓度对生成过氧硫酸盐浓度的影响;通过添加KOH调节pH值,研究pH值对电化学制备过氧化物的影响,用该电化学氧化方法与RCA清洗法进行清洗效果对比。实验结果显示,金刚石膜电化学氧化能力可以通过阳极电解液浓度以及pH值的调整得到控制,清洗效果在Si片表面粗糙度方面明显优于传统的RCA清洗法,而且更加节能环保。 展开更多
关键词 金刚石膜电极 电化学氧化 氧化性 掺硼金刚石膜
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