SOI高温压力传感器的研究 被引量：22

1

作者 张书玉 张维连 +3 位作者 索开南 牛新环 张生才 姚素英 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期984-987,共4页

介绍了SOI压力传感器的制作工艺,并且通过有限元软件对传感器输出特性进行模拟,模拟结果与实际测得结果是相符的。对SOI压力传感器测量结果表明,当温度增加到220℃传感器仍然能保持很好线性。另外对SOI压力传感器和多晶硅压力传感器进... 介绍了SOI压力传感器的制作工艺,并且通过有限元软件对传感器输出特性进行模拟,模拟结果与实际测得结果是相符的。对SOI压力传感器测量结果表明,当温度增加到220℃传感器仍然能保持很好线性。另外对SOI压力传感器和多晶硅压力传感器进行比较,发现单晶硅SOI高温压力传感器灵敏度比多晶硅高温压力传感器灵敏度有较大提高。 展开更多

关键词 压力传感器 SOI 灵敏度 有限元

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一种采用苯并环丁烯介质隔离的片上变压器工艺 被引量：4

2

作者 周国 罗和平 +2 位作者 廖龙忠 陈卓 张力江 《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第7期539-543,共5页

片上变压器是实现磁耦数字隔离器设计的核心元件,需要采用特殊的工艺流片技术,以实现数字隔离器芯片的小型化和3000 V以上的高压隔离能力。为了实现片上变压器的制备,开发了一种利用光敏型苯并环丁烯(BCB)介质隔离的工艺流程。该工艺可... 片上变压器是实现磁耦数字隔离器设计的核心元件,需要采用特殊的工艺流片技术,以实现数字隔离器芯片的小型化和3000 V以上的高压隔离能力。为了实现片上变压器的制备,开发了一种利用光敏型苯并环丁烯(BCB)介质隔离的工艺流程。该工艺可实现均匀的介质层厚度和良好的附着能力。通过对合金成分的种子层进行刻蚀实现片上变压器线圈线条的图形化,再采用电镀实现片上变压器线圈的制备。测试结果表明:变压器芯片的金属线圈厚度约为3μm,BCB隔离介质层厚度大于10μm,介质层平坦化效果良好,与金属线圈及硅表面附着紧密,变压器最高工作频率接近600 MHz。 展开更多

关键词 片上变压器 苯并环丁烯(BCB) 数字隔离器 电流隔离 电镀

原文传递

SIMOX材料顶层硅膜中残余氧的行为 被引量：1

3

作者 李映雪 张兴 +2 位作者 黄如 王阳元 罗晏 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第8期1007-1010,共4页

利用光致发光谱 (PL)和二次离子质谱 (SIMS)检测了不同退火条件下处理的 SIMOX材料的顶层硅膜 .实验结果显示 ,SIMOX顶层硅膜的 PL 谱有三个峰 :它们是能量为 1.10 e V的 a峰、能量为 0 .77e V的 b峰和能量为0 .75 e V的 c峰 .与 RBS谱... 利用光致发光谱 (PL)和二次离子质谱 (SIMS)检测了不同退火条件下处理的 SIMOX材料的顶层硅膜 .实验结果显示 ,SIMOX顶层硅膜的 PL 谱有三个峰 :它们是能量为 1.10 e V的 a峰、能量为 0 .77e V的 b峰和能量为0 .75 e V的 c峰 .与 RBS谱相比 ,发现 a峰峰高及 b/ a峰值比是衡量顶层硅膜单晶完整性的标度 .谱峰 b起源于SIMOX材料顶层硅膜中残余氧 ,起施主作用 .SIMS测试结果显示 ,谱峰 c来源于 SIMOX材料顶层硅膜中的碳和氮 . 展开更多

关键词 光致发光谱 残余氧 SIMOX材料 顶层硅膜

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提高玻璃封装二极管可靠性的研究 被引量：1

4

作者 韩文爵 王海风 +1 位作者 罗春炼 田海兵 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第11期961-964,1040,共5页

利用超细ZrO2在ZnO-B2O3-SiO2微晶玻璃中的同素异构转变带来的体积效应来增加二极管封装玻璃的韧性和二极管的可靠性。在ZnO-B2O3-SiO2微晶玻璃中添加一定量的超细ZrO2粉粒,弥散均匀,用烧结法制得ZnO-B2O3-SiO2微晶玻璃,使用AKASHI压痕... 利用超细ZrO2在ZnO-B2O3-SiO2微晶玻璃中的同素异构转变带来的体积效应来增加二极管封装玻璃的韧性和二极管的可靠性。在ZnO-B2O3-SiO2微晶玻璃中添加一定量的超细ZrO2粉粒,弥散均匀,用烧结法制得ZnO-B2O3-SiO2微晶玻璃,使用AKASHI压痕法,测试材料增韧前后的效果。使用XRD测试验证在玻璃封装二极管的工艺温度下能保持t-ZrO2和m-ZrO2晶型应具有的特征相。实验证明添加超细ZrO2后,ZnO-B2O3-SiO2微晶玻璃材料的韧性有很大的提高。经功率二极管玻璃封装工艺流程实验和二极管的理化性能考核,引人适当含量的超细ZrO2能提高玻璃封装二极管的抗热冲击性。 展开更多

关键词 二极管 超细氧化锆 ZnO-B2O3-SiO2 微晶玻璃 增韧 可靠性

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SOI全介质隔离与高频互补双极兼容工艺 被引量：2

5

作者 王界平 王清平 《微电子学》 CAS CSCD 1996年第3期150-152,共3页

ＳＯＩ材料的全介质隔离技术与高频互补双极工艺的结合是研制抗辐照能力强、频带宽、速度高的集成运算放大器的理想途径。从实验的角度提出了一种ＳＯＩ材料全介质隔离与高频互补双极工艺兼容的工艺途径。

关键词 SOI材料 全介质隔离 工艺 高频互补双极

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硅-硅键合晶片在减薄过程中产生的应力及影响 被引量：1

6

作者 杨国渝 冯建 吴建 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2002年第5期395-396,400,共3页

硅 -硅键合晶片在机械减薄过程中产生的应力使硅片产生弯曲变形 ,这种变形在其后的加工过程中会使图形发生扭曲或位移 ,导致硅片加工中途报废。经过应力消除处理后可以顺利完成加工。

关键词 硅-硅键合 介质隔离 辐射加固

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用于自对准Si MMIC的等平面深槽隔离工艺(英文)

7

作者 苏延芬 梁东升 +1 位作者 胡顺欣 邓建国 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2013年第8期528-533,共6页

研究了在自对准硅MMIC中等平面深槽隔离工艺的实现。该工艺包括如下过程:首先应用各向异性刻蚀的Bosch工艺刻蚀出用于隔离埋集电极的1.6μm宽、9μm深的隔离槽,接着对隔离槽通过热氧化二氧化硅、淀积氮化硅和多晶硅的形式进行填充,然后... 研究了在自对准硅MMIC中等平面深槽隔离工艺的实现。该工艺包括如下过程:首先应用各向异性刻蚀的Bosch工艺刻蚀出用于隔离埋集电极的1.6μm宽、9μm深的隔离槽,接着对隔离槽通过热氧化二氧化硅、淀积氮化硅和多晶硅的形式进行填充,然后再采用高密度等离子体刻蚀设备对多晶硅进行反刻,其刻蚀时间通过终点检测系统来控制,最后再刻蚀出0.8μm深的有源区硅台面和采用1.5～1.6μm厚的氧化层对场区进行填充,藉此来保证隔离槽和有源区处于同一个平面上。此深槽隔离工艺与目前的多层金金属化系统兼容,且该工艺不会造成明显的硅有源区台面缺陷,测试结果表明:在15 V下的集电极-集电极漏电流仅为10 nA,该值远低于全氧化填充隔离槽工艺的5μA。 展开更多

关键词 深槽隔离 各向异性刻蚀 等平面 自对准 微波单片集成电路(MMIC)

原文传递

新型集成电路隔离技术——STI隔离 被引量：3

8

作者 闻黎 王建华 《微纳电子技术》 CAS 2002年第9期39-43,共5页

集成电路器件的特征尺寸进入深亚微米时代后,由于微细化和性能方面的影响,一些传统的器件结构将不再适用。传统的本征氧化隔离技术由于漏电流、平坦化、高温再分布等方面的原因,将被浅沟隔离技术所取代。论述了集成电路进入深亚微米时... 集成电路器件的特征尺寸进入深亚微米时代后,由于微细化和性能方面的影响,一些传统的器件结构将不再适用。传统的本征氧化隔离技术由于漏电流、平坦化、高温再分布等方面的原因,将被浅沟隔离技术所取代。论述了集成电路进入深亚微米时代后的STI(浅沟隔离)技术,指出了STI隔离工艺的主要特点、关键工艺及工艺实现方法。 展开更多

关键词 集成电路 隔离技术 STI隔离 本征氧化隔离 浅沟隔离

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高压GaN隔离栅驱动技术设计考虑 被引量：2

9

作者 胡黎 冯旭东 +1 位作者 明鑫 张波 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 2019年第6期108-110,共3页

GaN晶体管相对于金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件有更小的导通电阻和栅电荷,在高速、高功率密度应用中独具优势。高速高能效电平转换器作为高侧栅极驱动的关键模块,主要决定高侧通道的传输延迟。但在高频应用中,电平转换器由... GaN晶体管相对于金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件有更小的导通电阻和栅电荷,在高速、高功率密度应用中独具优势。高速高能效电平转换器作为高侧栅极驱动的关键模块,主要决定高侧通道的传输延迟。但在高频应用中,电平转换器由于其传输延迟较大、功耗大及抗共模瞬态抑制(CMTI)能力弱等原因已不再适用。此处首先重点分析电平转换器存在的主要问题以及在高压应用下的不适用性,然后针对高压应用描述了几种替代电平转换器结构的隔离驱动结构并着重分析了数字隔离器的工作原理。数字隔离器由于其寄生电容小、传输延迟小以及抗共模噪声干扰能力强等优异的特性能够很好地满足高压的应用需求。 展开更多

关键词 数字隔离器 电平转换器 传输延迟

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PECVD工艺中氮化硅薄膜龟裂研究 被引量：2

10

作者 徐衡 林洪春 唐冬 《微处理机》 2014年第4期21-23,共3页

PE氮化硅薄膜优异的物理、化学性能使其在半导体分立器件、IC电路中常被用作绝缘层、钝化层而使用。然而,氮化硅龟裂问题是影响其作为钝化层使用的阻碍因素,因此,科学的氮化硅工艺条件对其薄膜质量的影响非常关键。给出了等离子体化学... PE氮化硅薄膜优异的物理、化学性能使其在半导体分立器件、IC电路中常被用作绝缘层、钝化层而使用。然而,氮化硅龟裂问题是影响其作为钝化层使用的阻碍因素,因此,科学的氮化硅工艺条件对其薄膜质量的影响非常关键。给出了等离子体化学气相淀积(PECVD)氮化硅薄膜技术的原理,通过实验验证,确定了诱发氮化硅龟裂现象的原因,优化工艺条件,确定了PECVD氮化硅的最佳工艺条件,杜绝了龟裂现象对氮化硅作为钝化层使用的影响。 展开更多

关键词 等离子体化学气相淀积 氮化硅薄膜 龟裂 钝化

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电气隔离在数控机床电气控制线路上的应用 被引量：6

11

作者 李传伟 《机床电器》 2012年第4期14-17,20,共5页

数控机床广泛应用于机械加工领域,通过对数控机床电气控制系统工作原理以及数控机床常见干扰的分析,探讨了相关的电气隔离技术,提出了数控机床抑制干扰而采取的电气隔离的技术措施。

关键词 数控机床 电气控制 电气隔离 抗干扰

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ICP体硅深刻蚀中侧壁形貌控制的研究 被引量：12

12

作者 陈兢 《中国机械工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z1期476-478,共3页

对影响电感耦合等离子(ICP)刻蚀侧壁形貌的工艺参数进行了分析,通过改变刻蚀/钝化周期、平板电极功率、钝化气体C4F8流量以及重叠周期等工艺参数,对侧壁的形貌进行调整.通过实验,得到了控制侧壁形貌正负的优化方案,并极大地减小了Bowin... 对影响电感耦合等离子(ICP)刻蚀侧壁形貌的工艺参数进行了分析,通过改变刻蚀/钝化周期、平板电极功率、钝化气体C4F8流量以及重叠周期等工艺参数,对侧壁的形貌进行调整.通过实验,得到了控制侧壁形貌正负的优化方案,并极大地减小了Bowing效应;提出一种消除Notching效应的新方法,并用于深槽隔离工艺,取得了很好的效果. 展开更多

关键词 微机电系统 电感耦合等离子(ICP)刻蚀 深反应离子刻蚀(DRIE) 侧壁形貌 Notching效应 Bowing效应

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低漏电常闭型光电隔离开关设计

13

作者 李祖安 张佳宁 +4 位作者 陈春霞 龙平 徐道润 李冰 王君 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2014年第3期398-401,共4页

研制了一种新型的低漏电常闭型光电隔离开关。介绍了该光电隔离开关的工作原理、参数设计。通过特别的结构设计实现了对微小漏电流的控制,并对其进行了工艺改进,提高了器件可靠性。器件测试结果显示,参数指标达到设计值,从而验证了设计... 研制了一种新型的低漏电常闭型光电隔离开关。介绍了该光电隔离开关的工作原理、参数设计。通过特别的结构设计实现了对微小漏电流的控制,并对其进行了工艺改进,提高了器件可靠性。器件测试结果显示,参数指标达到设计值,从而验证了设计的有效性。 展开更多

关键词 光电隔离器 低漏电 常闭型

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一种低压智能功率集成技术

14

作者 尹贤文 黄平 《微电子学》 CAS CSCD 1994年第3期19-22,26,共5页

本文介绍了一种以传统多晶硅栅ＶＤＭＯＳ工艺为主的新型自隔离智能功率集成工艺技术。该技术可以将ＶＤＭＯＳ、ＨＶ－ＣＭＯＳ、ＬＶ－ＣＭＯＳ、ｎｐｎ双极晶体管、齐纳二极管、电容等器件集成在同一单片电路中。整个工艺仅１０块掩... 本文介绍了一种以传统多晶硅栅ＶＤＭＯＳ工艺为主的新型自隔离智能功率集成工艺技术。该技术可以将ＶＤＭＯＳ、ＨＶ－ＣＭＯＳ、ＬＶ－ＣＭＯＳ、ｎｐｎ双极晶体管、齐纳二极管、电容等器件集成在同一单片电路中。整个工艺仅１０块掩模版。结合我们研制的高边智能功率开关电路，对器件结构、特性和工艺设计考虑进行了详细的分析。 展开更多

关键词 智能功率集成 低压 隔离 VDMOS

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深槽隔离技术中硅的反应离子刻蚀

15

作者 赵伟 李勇 《微电子学》 CAS CSCD 1994年第4期36-40,共5页

本文叙述了在反应离子刻蚀（ＲｅａｃｔｉｖｅＩｏｎＥｔｃｈｉｎｇ）系统中采用无碳含氟原子刻蚀气体（ＳＦ＿６，ＮＦ＿３）对硅的深槽刻蚀；分析了真空压力、射频功率、气体组合及其流量和电极温度对刻蚀速率、刻蚀剖面的影响；并根... 本文叙述了在反应离子刻蚀（ＲｅａｃｔｉｖｅＩｏｎＥｔｃｈｉｎｇ）系统中采用无碳含氟原子刻蚀气体（ＳＦ＿６，ＮＦ＿３）对硅的深槽刻蚀；分析了真空压力、射频功率、气体组合及其流量和电极温度对刻蚀速率、刻蚀剖面的影响；并根据实验结果，绘出了刻蚀速率与以上物理变量的函数关系曲线；得到刻蚀速率０．５～０．７μｍ／ｍｉｎ，糟宽≤５．０μｍ，深度大于６．０μｍ，横向腐蚀小于１．５μｍ的各向异性刻蚀剖面。本研究技术将应用于超高速ＥＣＬ分频器电路，双极高可靠抗辐射加固稳压器件和ＢｉＣＭＯＳ模拟电路的实际制作中。 展开更多

关键词 深槽隔离 反应离子刻蚀 硅

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聚丙烯酸对氧化铈抛光液稳定性能的影响研究 被引量：3

16

作者 张国林 王胜利 +2 位作者 罗翀 王辰伟 刘德正 《电子元件与材料》 CAS 北大核心 2023年第11期1355-1361,共7页

针对在浅沟槽隔离(STI)化学机械抛光(CMP)过程中,氧化铈抛光液稳定性差、易团聚等问题,研究了pH值和聚丙烯酸(PAA)对氧化铈磨料稳定性的影响。结果表明,在pH值为4.5的条件下,氧化铈磨料中加入质量分数0.1%的PAA后,Zeta电位值为-40.68 m... 针对在浅沟槽隔离(STI)化学机械抛光(CMP)过程中,氧化铈抛光液稳定性差、易团聚等问题,研究了pH值和聚丙烯酸(PAA)对氧化铈磨料稳定性的影响。结果表明,在pH值为4.5的条件下,氧化铈磨料中加入质量分数0.1%的PAA后,Zeta电位值为-40.68 mV。使用紫外可见分光光度计测试的吸光度值为0.448,验证了0.1%PAA对氧化铈磨料分散性最佳。其次,通过PAA与PVA、PVP对氧化铈磨料分散稳定性能和抛光结果的对比,发现氧化铈磨料中加入0.1%PAA稳定性可以维持到24 h,并通过扫描电子显微镜(SEM)观察氧化铈粒径分布均匀未发生团聚现象;使用添加PAA的氧化铈抛光液在CMP后可以明显提高SiO2/Si3N4的去除速率选择比。研究结果表明,一定浓度的PAA有助于在氧化铈颗粒之间形成空间位阻效应,提高了氧化铈抛光液的稳定性,对STI CMP抛光液的应用具有重要意义。 展开更多

关键词 氧化铈 化学机械抛光 聚丙烯酸 稳定性 去除速率

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新型集成隔离光耦模块原理及驱动设计 被引量：1

17

作者 陈幸琼 《变频器世界》 2013年第8期63-66,59,共5页

针对IGBT驱动电路的特点,本文分析了一种新型智能集成光电隔离驱动器ACPL332J的工作原理,并详细介绍了其保护控制逻辑和驱动设计中所注意的一些问题。相比较其他传统的隔离光耦驱动模块而言,ACPL332J具有独特的有源米勒箝位特性。实验... 针对IGBT驱动电路的特点,本文分析了一种新型智能集成光电隔离驱动器ACPL332J的工作原理,并详细介绍了其保护控制逻辑和驱动设计中所注意的一些问题。相比较其他传统的隔离光耦驱动模块而言,ACPL332J具有独特的有源米勒箝位特性。实验结果验证了原理分析的有效性,该设计电路已经在实际系统中得到应用。 展开更多

关键词 绝缘栅极双极性晶体管 驱动保护 光电隔离

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基于一种新沟槽设计的无缝隙沟槽隔离技术

18

作者 李光涛 田铭 +1 位作者 周思渊 李端松 《微纳电子技术》 北大核心 2016年第5期340-344,共5页

为了避免深沟槽隔离过程中出现缝隙,提出了一种有利于多晶硅回填的倒梯形沟槽。这种沟槽的开口处宽度比底部宽度大,使用了一种优化的微机械加工工艺,利用各向同性刻蚀形成了一种倒梯形沟槽。另一方面,对于填充效果而言,完全光滑过渡的... 为了避免深沟槽隔离过程中出现缝隙,提出了一种有利于多晶硅回填的倒梯形沟槽。这种沟槽的开口处宽度比底部宽度大,使用了一种优化的微机械加工工艺,利用各向同性刻蚀形成了一种倒梯形沟槽。另一方面,对于填充效果而言,完全光滑过渡的曲线型沟槽好于具有尖锐转角的曲线型沟槽。相比于直线型沟槽,完全光滑过渡的曲线型沟槽可以提高机械连接强度。通过使用新的沟槽设计以及优化的微机械工艺,可以获得无缝隙的深沟槽,最终实现了一种无缝隙的沟槽隔离,保证了两个可动结构之间或一个可动结构和一个固定结构之间的电绝缘。 展开更多

关键词 深沟槽 隔离 倒梯形 无缝隙 微机械加工工艺

原文传递

灯区熔再结晶SOI薄膜上制作的器件的电性能

19

作者 Michel Haond 陈育仁 《微电子学》 CAS CSCD 1989年第5期43-46,共4页

采用常规CMOS硅栅工艺的4英寸圆片又形成批量生产能力。它们的电参数 可用于研究与灯区熔再结晶( Lamp ZMR)技术相关的问题的影响,其结果令人满 意。有效沟道长度为1.7μ的沟增强型晶体管阈值电压分布集中,其平均值约为0.9V,标准偏差为6... 采用常规CMOS硅栅工艺的4英寸圆片又形成批量生产能力。它们的电参数 可用于研究与灯区熔再结晶( Lamp ZMR)技术相关的问题的影响,其结果令人满 意。有效沟道长度为1.7μ的沟增强型晶体管阈值电压分布集中,其平均值约为0.9V,标准偏差为61mV。 p沟和n沟晶体管的漏电流保持在0.1pA/μm沟宽以下。已制成有效沟长为1.7μm的249级环形振荡器,其传输延迟时间为0.5ns。 展开更多

关键词 SOI薄膜 器件 区熔再结晶 电性能

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Techni-Met平面化薄膜

20

《电子产品世界》 2005年第04B期45-45,共1页

Techni—Met公司推出一种平面化薄膜，适用于那些需要产品具有优异的水、氧气和光学特性的隔离应用。这种真空阻挡涂层技术针对航空航天、国防、汽车、医疗、电池和太阳能与燃料电池产品应用中的关键性隔挡需求而设计。该产品所采用的... Techni—Met公司推出一种平面化薄膜，适用于那些需要产品具有优异的水、氧气和光学特性的隔离应用。这种真空阻挡涂层技术针对航空航天、国防、汽车、医疗、电池和太阳能与燃料电池产品应用中的关键性隔挡需求而设计。该产品所采用的衬底有多种类型，包括PET、PC、PEN、PVC、聚酰亚氨等柔性塑料衬底，以及铜、不锈钢和铝箔等。 展开更多

关键词 Techni-Met公司 平面化薄膜 真空阻挡涂层技术 隔热特性 性能

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