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L频段双通道高集成度变频SiP模块设计
1
作者 杜泽保 孔小雪 +1 位作者 王晓庆 张树鹏 《电子技术应用》 2026年第1期48-52,共5页
为了适应系统轻量化、小型化、集成化的需求,基于3D堆叠技术实现了一款高集成度L频段双通道变频SiP模块。该SiP模块采用多层有机复合基板堆叠,集成了两路变频通道、频率源和微控制器,采用陶瓷管壳气密封装,尺寸仅为21 mm×16 mm... 为了适应系统轻量化、小型化、集成化的需求,基于3D堆叠技术实现了一款高集成度L频段双通道变频SiP模块。该SiP模块采用多层有机复合基板堆叠,集成了两路变频通道、频率源和微控制器,采用陶瓷管壳气密封装,尺寸仅为21 mm×16 mm×4.3 mm。测试结果表明,该模块具有43.5 dB的典型变频增益,增益平坦度小于0.7 dB,带外杂散抑制大于60 dBc,通道间隔离度大于50 dB,满足系统使用要求。 展开更多
关键词 3D堆叠 SiP模块 变频 复合基板
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多芯片整体式Clip互连碳化硅功率模块反向耦合低感封装方法 被引量：1
2
作者 张彤宇 王来利 +2 位作者 苗昱 裴云庆 甘永梅 《电工技术学报》 北大核心 2025年第16期5106-5118,共13页
碳化硅功率器件凭借其优异的性能,成为传统硅器件有力的竞争者。然而,在封装过程中,因键合线以及引出端子等引入的额外寄生电感,致使封装后的碳化硅功率模块会产生较大的开关过冲与振荡,进而难以体现其理论上的优越性。为此,该文提出一... 碳化硅功率器件凭借其优异的性能,成为传统硅器件有力的竞争者。然而,在封装过程中,因键合线以及引出端子等引入的额外寄生电感,致使封装后的碳化硅功率模块会产生较大的开关过冲与振荡,进而难以体现其理论上的优越性。为此,该文提出一种具有极低电感的多芯片整体式Clip互连碳化硅功率模块封装方法,将功率模块内部键合铝线替换成Clip互连,并通过规划陶瓷基板布局,使Clip电流流向与陶瓷基板线路电流相反,利用电流反向耦合效应降低功率模块内部寄生电感。同时,利用电容直连结构消除外部回路寄生电感。经仿真得到的功率模块内部寄生电感为3.8 nH,功率回路电感为5.0 nH。实验测试得到1 200 V/600 A样机功率回路电感为4.53 nH,换流回路总电感5.87 nH,与传统布局功率模块相比电感降低了44.6%。 展开更多
关键词 碳化硅功率模块 寄生电感 整体式Clip互连 反向耦合 换流回路
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基于试验与仿真的CBGA焊点寿命预测技术 被引量：1
3
作者 李杰 曹世博 +6 位作者 余伟 李泽源 乔志壮 刘林杰 张召富 刘胜 郭宇铮 《电子与封装》 2025年第7期113-121,共9页
陶瓷球栅阵列(CBGA)封装技术以其高密度互连优势在电子封装领域占据着举足轻重的地位,焊点的可靠性是影响器件性能的关键因素。采用有限元法深入探究了焊点在热循环载荷下的寿命预测技术。通过板级温循试验,监控导通电阻以分析焊点的寿... 陶瓷球栅阵列(CBGA)封装技术以其高密度互连优势在电子封装领域占据着举足轻重的地位,焊点的可靠性是影响器件性能的关键因素。采用有限元法深入探究了焊点在热循环载荷下的寿命预测技术。通过板级温循试验,监控导通电阻以分析焊点的寿命数据。构建了CBGA焊点的有限元模型,并对比分析了仿真与试验数据,确定焊点应变能密度均值增量作为寿命表征因子,进而优化了模型的稳健性。将试验实测数据与仿真结果有机结合,集成到Darveaux寿命模型中,建立了焊点寿命预测方法。研究结果证实,该方法能有效预测CBGA焊点的寿命,为同类封装产品的可靠性设计提供了有力的技术支撑。 展开更多
关键词 CBGA焊点 有限元法 寿命预测 可靠性分析
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玻璃基板技术研究进展 被引量：1
4
作者 赵瑾 于大全 秦飞 《电子与封装》 2025年第7期104-112,共9页
随着高性能计算和人工智能等新兴应用的迅猛发展,先进封装技术正加速演进。作为其核心支撑,高端基板技术需同时应对高速高频信号传输、功耗管理、超细节距互连及系统级集成等多重性能需求。玻璃基板凭借其优异的热机械稳定性、极低的吸... 随着高性能计算和人工智能等新兴应用的迅猛发展,先进封装技术正加速演进。作为其核心支撑,高端基板技术需同时应对高速高频信号传输、功耗管理、超细节距互连及系统级集成等多重性能需求。玻璃基板凭借其优异的热机械稳定性、极低的吸湿性和卓越的电学特性,成为突破传统封装限制的关键方向。围绕玻璃基板的结构特性与关键制造工艺进行分析,重点探讨了其在可靠性方面存在的主要问题,并总结其所面临的技术机遇与挑战。 展开更多
关键词 先进封装 玻璃基板技术 高密度互连 翘曲
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强韧一体Cu/Sn/Ag致密三维网络状接头结构设计与制备
5
作者 张宏辉 徐红艳 +1 位作者 张炜 刘璇 《半导体技术》 北大核心 2025年第6期625-632,共8页
为满足大功率电力电子器件耐高温、高可靠性芯片焊接需求,解决Cu/Sn/Ag体系瞬态液相扩散焊接(TLPS)接头脆性大、韧性不足、孔隙率高等问题,通过电镀高纯度Cu@Sn核壳结构复合粉末和物理气相沉积镀覆Ag层,研究了Sn镀层厚度对接头强度和孔... 为满足大功率电力电子器件耐高温、高可靠性芯片焊接需求,解决Cu/Sn/Ag体系瞬态液相扩散焊接(TLPS)接头脆性大、韧性不足、孔隙率高等问题,通过电镀高纯度Cu@Sn核壳结构复合粉末和物理气相沉积镀覆Ag层,研究了Sn镀层厚度对接头强度和孔隙率的影响以及镀覆Ag层厚度对TLPS接头抗氧化性能和韧性的影响。结果表明,Sn镀层厚度为2~3μm时接头本体相孔隙率最低,抗拉强度达到86 MPa;Cu/Sn/Ag体系中Sn镀层厚度为2μm且镀覆Ag层厚度为1μm时,Cu_(3)Sn/Ag3Sn包覆Cu颗粒的三维网络状结构致密接头的弹性模量由Cu@Sn体系中的83 GPa降至Cu@Sn@Ag体系中的75 GPa;通过在Cu基板表面镀Sn和镀Ag等改性处理,提高了Cu/Sn/Ag预成型焊片与直接键合铜(DBC)基板的共面性,实现了焊接界面致密互连。以上结果为Cu/Sn/Ag系统TLPS制备耐高温接头技术提供了研究依据和应用基础。 展开更多
关键词 电力电子器件 瞬态液相扩散焊接(TLPS) Cu@Sn@Ag复合粉末 三维网络状结构 耐高温接头
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Nb_(2)O_(5)含量对柔性直流电阻浆料性能的影响
6
作者 王振 郑润民 +2 位作者 黄一钊 杨甜甜 赵夏尧 《电镀与涂饰》 北大核心 2025年第12期51-55,共5页
[目的]电阻浆料是柔性直流输电技术中的关键材料,其性能直接影响电力电子器件的稳定性。然而,当前关于五氧化二铌(Nb_(2)O_(5))含量对电阻浆料性能影响的研究尚不充分。[方法]制备了不同Nb_(2)O_(5)含量的电阻浆料,系统研究了其电性能... [目的]电阻浆料是柔性直流输电技术中的关键材料,其性能直接影响电力电子器件的稳定性。然而,当前关于五氧化二铌(Nb_(2)O_(5))含量对电阻浆料性能影响的研究尚不充分。[方法]制备了不同Nb_(2)O_(5)含量的电阻浆料,系统研究了其电性能、表面形貌、电阻温度系数(TCR)及与某成品电阻浆料的混浆行为。[结果]随着Nb_(2)O_(5)含量增加,浆料的TCR性能和膜层的致密性均有所提升。当Nb_(2)O_(5)的质量分数为1.0%时,电阻浆料综合性能达到最优,其TCR绝对值最低,仅为2.3×10^(-5)K^(-1)。[结论]本研究为高性能电阻元件的开发提供了理论依据和实验支持。 展开更多
关键词 柔性直流输电 电阻浆料 表面形貌 电阻温度系数 混浆曲线
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基于硅转接板的2.5D封装中电源地平面研究和优化
7
作者 陈龙 宋昌明 +3 位作者 周晟娟 章莱 王谦 蔡坚 《电子与封装》 2025年第11期34-40,共7页
针对基于硅转接板的2.5D封装中电源分配网络(PDN)阻抗大、系统电压噪声大的电源完整性问题,建立2.5D封装模型,研究和优化封装系统的电源完整性。采用三维电磁场与电路协同仿真的方法,对硅转接板上的电源地平面进行阻抗优化,并通过合理... 针对基于硅转接板的2.5D封装中电源分配网络(PDN)阻抗大、系统电压噪声大的电源完整性问题,建立2.5D封装模型,研究和优化封装系统的电源完整性。采用三维电磁场与电路协同仿真的方法,对硅转接板上的电源地平面进行阻抗优化,并通过合理选择与布局深槽电容(DTC)对系统进行阻抗优化和电压噪声改善。结果显示,提高电源地平面的布线密度能够有效降低PDN的阻抗。电源地平面线宽/线距存在优化下限,当线宽/线距小于片间互连信号线线宽的2倍时会对片间互连信号线产生阻抗不连续的不良影响。在所建立的模型中,根据PDN阻抗的高频谐振峰选择DTC,使得PDN阻抗降低约83%,电压噪声减小约42%。同时,DTC的集成会在中高频段引入新的谐振峰,对PDN产生阻抗增大的不利影响。 展开更多
关键词 2.5D封装 硅转接板 电源完整性 电源地平面 深槽电容
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IGBT相变冷板的设计和数值模拟
8
作者 潘子升 周俊屹 +1 位作者 余时帆 胡桂林 《半导体技术》 北大核心 2025年第5期506-513,531,共9页
针对绝缘栅双极晶体管(IGBT)模块散热中功率密度高且散热负荷随工况变化的问题,基于制冷剂对流散热和蒸发潜热的微通道沸腾相变散热技术可对IGBT芯片进行有效散热,建立了三维、伪瞬态算法稳态和流体体积(VOF)相变的综合数学模型。研究了... 针对绝缘栅双极晶体管(IGBT)模块散热中功率密度高且散热负荷随工况变化的问题,基于制冷剂对流散热和蒸发潜热的微通道沸腾相变散热技术可对IGBT芯片进行有效散热,建立了三维、伪瞬态算法稳态和流体体积(VOF)相变的综合数学模型。研究了R1233zd、R1234ze、R134a三种相变制冷剂在单片IGBT微通道沸腾相变散热器中的散热性能;在单片的基础上进行了多片IGBT串联、并联、串并联三种不同流道设计的微通道沸腾相变散热器性能的数值模拟研究。研究结果表明,R134a在6 L/min流速工况下,较其他两种相变制冷剂散热性能更优;串联流道比并联和串并联流道芯片温升低34.5%,其整体温升低于60℃。 展开更多
关键词 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 散热器 数值模拟 制冷剂 流体体积(VOF)模型
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三维晶圆级扇出型封装产品质量评价方法研究
9
作者 田欣 黄东巍 《信息技术与标准化》 2025年第7期31-36,共6页
为解决三维晶圆级扇出型封装产品缺乏质量评价方法的问题,开展其工艺质量可靠性和器件质量可靠性评价方法的研究。结合裸芯片重构圆片、晶圆级多层再布线、晶圆级微凸点制备和三维堆叠等新工艺特点,确定了关键工艺参数及测试方法。通过... 为解决三维晶圆级扇出型封装产品缺乏质量评价方法的问题,开展其工艺质量可靠性和器件质量可靠性评价方法的研究。结合裸芯片重构圆片、晶圆级多层再布线、晶圆级微凸点制备和三维堆叠等新工艺特点,确定了关键工艺参数及测试方法。通过与传统结构器件的差异性分析,提出了三维晶圆级扇出型封装器件的关键质量评价项目。选用典型国产器件开展了验证,验证了测试结果的准确性。 展开更多
关键词 扇出型封装 晶圆级 工艺质量 器件质量
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粘贴材料对芯片结温的影响
10
作者 徐标 刘培 《上海计量测试》 2025年第2期5-8,共4页
文章以大功率LED芯片制作了简易的高功率能量密度芯片模型,分析测试了导热材料在不同工作功率、不同导热率和不同厚度下对芯片结温的影响。
关键词 芯片 高温 导热率 散热
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织物基柔性电子器件的全印刷制造与应用
11
作者 吴伟 《纺织高校基础科学学报》 2025年第1期1-3,共3页
在科技创新引领产业变革的时代浪潮中,纺织行业正经历着深刻转型,纺织青年科学家作为推动行业进步的新生力量,其研究成果备受瞩目。2024年12月21日,本刊编辑部举办了以“智融纺织,绿动未来,共筑纺织科技新生态”为主题的第二届纺织青年... 在科技创新引领产业变革的时代浪潮中,纺织行业正经历着深刻转型,纺织青年科学家作为推动行业进步的新生力量,其研究成果备受瞩目。2024年12月21日,本刊编辑部举办了以“智融纺织,绿动未来,共筑纺织科技新生态”为主题的第二届纺织青年科学家论坛。我校校友,中国工程院院士,武汉纺织大学校长徐卫林教授受邀作视频报告。同时,来自浙江大学、西北工业大学、武汉大学、东华大学、江南大学、武汉纺织大学、浙江理工大学、青岛大学、深圳大学、大连工业大学、安徽农业大学以及本校的青年科学家为论坛做了精彩的报告。本次推出的第二届纺织青年科学家论坛观点精要,汇集了11位作者的最新科研成果,涵盖了纺织材料的创新研发、智能纤维及智能可穿戴纺织品制造技术的突破应用、可持续发展的绿色纺织工艺等诸多关键议题。每一项成果都展现了青年科学家们敏锐的洞察力和勇于创新的精神。这些研究不仅代表了纺织科研的新方向,也为行业解决实际问题、实现可持续发展提供了新思路。本刊将这些观点精要呈现给每一位读者,希望通过分享这些学术观点,来促进纺织领域的学术交流与合作,激发更多创新灵感,助力纺织行业迈向更高的发展台阶,共同书写纺织科技发展的新篇章。 展开更多
关键词 织物基柔性电子器件 全印刷电子技术 智能穿戴
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室温晶圆键合的金刚石基GaN HEMT制备与性能 被引量：1
12
作者 张栋曜 周幸叶 +3 位作者 郭红雨 余浩 吕元杰 冯志红 《半导体技术》 北大核心 2025年第5期468-472,共5页
GaN作为第三代宽禁带半导体材料,具有较大的自发极化系数和压电系数,可承受高功率密度,适用于高频、高温、大功率器件。随着GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)向小型化、大功率发展,散热问题已成为制约GaN功率器件性能提升的重要因素。高热导... GaN作为第三代宽禁带半导体材料,具有较大的自发极化系数和压电系数,可承受高功率密度,适用于高频、高温、大功率器件。随着GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)向小型化、大功率发展,散热问题已成为制约GaN功率器件性能提升的重要因素。高热导率(2000 W·m^(-1)·K^(-1))金刚石是一种极具竞争力的新型散热材料,在解决大功率器件的散热问题方面极具潜力。针对散热问题,采用室温晶圆键合工艺制备了金刚石基GaN HEMT,并对其进行了直流特性、微波功率特性和结温测试。与传统SiC基GaN HEMT相比,金刚石基GaN HEMT的漏源饱和输出电流增大了约5%,热阻从5.04 K·mm/W降低至3.78 K·mm/W,有利于提升器件性能、延长器件寿命。本文研究结果为突破GaN功率器件性能的发展瓶颈提供了实验基础。 展开更多
关键词 GAN 金刚石 微波功率 结温 散热能力
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面向高密度数字SiP应用的封装工艺研究 被引量：1
13
作者 柴昭尔 卢会湘 +6 位作者 徐亚新 李攀峰 王杰 田玉 王康 韩威 尹学全 《电子与封装》 2025年第1期24-28,共5页
面向高密度数字系统级封装(SiP)应用,采用多芯片一体化封装技术,在系统内部集成了数字信号处理器(DSP)以及外围的DDR3、SPI Flash、Nor Flash、Nand Flash、低压差稳压器(LDO)等多颗芯片,并基于高密度陶瓷封装基板及表面多层薄膜工艺实... 面向高密度数字系统级封装(SiP)应用,采用多芯片一体化封装技术,在系统内部集成了数字信号处理器(DSP)以及外围的DDR3、SPI Flash、Nor Flash、Nand Flash、低压差稳压器(LDO)等多颗芯片,并基于高密度陶瓷封装基板及表面多层薄膜工艺实现了各芯片之间的高速互连。此外,利用无硅通孔转接板工艺完成了DDR芯片从引线键合到倒装的封装形式的重构,在保证传输距离的同时也保证了芯片封装尺寸的最小化。在35 mm×40 mm的封装尺寸内实现了一个具备数字信号处理功能的最小系统。所涉及到的技术为通用基础技术,可广泛应用于其他高密度封装产品中。 展开更多
关键词 陶瓷基板 多层薄膜 封装重构
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先进铜填充硅通孔制备技术研究进展 被引量：2
14
作者 刘旭东 撒子成 +2 位作者 李浩喆 李嘉琦 田艳红 《电子与封装》 2025年第5期28-42,共15页
随着后摩尔时代的到来,硅通孔(TSV)技术通过填充铜作为垂直的导电通路实现了多层芯片之间的电气互连,提供了一种高性能、高可靠性的3D封装互连方案。综述了铜在TSV先进互连技术中的制备技术,总结并对比了溅射法、化学气相沉积、原子层... 随着后摩尔时代的到来,硅通孔(TSV)技术通过填充铜作为垂直的导电通路实现了多层芯片之间的电气互连,提供了一种高性能、高可靠性的3D封装互连方案。综述了铜在TSV先进互连技术中的制备技术,总结并对比了溅射法、化学气相沉积、原子层沉积、化学镀、电接枝技术5种不同的铜种子层制备工艺的沉积机理、性能优劣和改进方案。介绍了硅通孔填充铜的3种不同方案,包括电镀、化学镀和导电浆料填充技术。强调了电镀工艺、电流、添加剂和退火工艺对硅通孔内电镀铜的影响,对应用于硅通孔的铜先进互连技术的未来发展方向提出了展望。 展开更多
关键词 铜填充硅通孔 先进封装 电镀 种子层
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降低玻璃基板TGV应力的无机缓冲层方法与仿真分析 被引量：1
15
作者 赵泉露 赵静毅 +3 位作者 丁善军 王启东 陈钏 于中尧 《电子与封装》 2025年第7期85-92,共8页
玻璃基板凭借其优异的机械性能和较高的平整度等优势成为了先进封装的关键材料。提出了在玻璃基板TGV玻璃和铜之间烧结无机缓冲层的方案来降低玻璃芯板的应力,为了与后续化学镀金属化的工艺兼容,仿真分析了Zn O、TiO2、Zr O23种无机缓... 玻璃基板凭借其优异的机械性能和较高的平整度等优势成为了先进封装的关键材料。提出了在玻璃基板TGV玻璃和铜之间烧结无机缓冲层的方案来降低玻璃芯板的应力,为了与后续化学镀金属化的工艺兼容,仿真分析了Zn O、TiO2、Zr O23种无机缓冲层对玻璃芯板应力的影响,同时探究了缓冲层厚度、玻璃芯板厚度以及TGV孔径对玻璃芯板应力的影响。结果表明,该方案相比纯铜填充的TGV可以有效降低叠层升温过程中玻璃芯板的应力,其中烧结5μm的TiO2玻璃芯板应力降低了66.58%。同时缓冲层越厚、TGV孔径越小,玻璃基板TGV升温过程玻璃芯板的应力越小,此结果可为降低玻璃基板TGV的应力提供重要参考。 展开更多
关键词 无机缓冲层 TGV金属化 玻璃基板 热应力 有限元仿真
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基于Si_(3)N_(4)陶瓷层的SiC功率模块封装结构优化 被引量：1
16
作者 陈姣 郑亮 《机械研究与应用》 2025年第1期52-55,60,共5页
在第三代宽禁带半导体中,Si_(3)N_(4)陶瓷因兼具高强度和高热导率而成为最具潜力的绝缘性散热基底材料。该文根据多准则决策法(考虑结温、热阻、热膨胀系数CTE不匹配等),采用热-应力耦合仿真探究不同焊层和基底材料的替换对模块与Si_(3)... 在第三代宽禁带半导体中,Si_(3)N_(4)陶瓷因兼具高强度和高热导率而成为最具潜力的绝缘性散热基底材料。该文根据多准则决策法(考虑结温、热阻、热膨胀系数CTE不匹配等),采用热-应力耦合仿真探究不同焊层和基底材料的替换对模块与Si_(3)N_(4)陶瓷层组合热特性和可靠性的综合影响。结果表明,与Si_(3)N_(4)陶瓷层组合中热特性和可靠性结合效果最优的组合为纳米银焊层和CuW基底。然后采用温度循环仿真法验证优化后的模型,结果显示,优化后的模型的平均应力下降16.6%,平均第一主应变下降10.2%。此结论为Si_(3)N_(4)陶瓷基板与其它部件结合使用的可靠性评价提供一定的参考。 展开更多
关键词 功率模块 Si_(3)N_(4)陶瓷层 温度循环 可靠性
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面向高密度互连的混合键合技术研究进展 被引量：1
17
作者 白玉斐 戚晓芸 +3 位作者 牛帆帆 康秋实 杨佳 王晨曦 《电子与封装》 2025年第5期14-27,共14页
在数字经济时代,人工智能、高性能计算、大数据、物联网和自动驾驶等新兴产业的迅猛发展对计算能力提出了极高的需求。然而,随着先进制程逐渐逼近物理极限,摩尔定律的发展速度显著放缓,传统的引线键合技术已难以满足数字经济对高算力芯... 在数字经济时代,人工智能、高性能计算、大数据、物联网和自动驾驶等新兴产业的迅猛发展对计算能力提出了极高的需求。然而,随着先进制程逐渐逼近物理极限,摩尔定律的发展速度显著放缓,传统的引线键合技术已难以满足数字经济对高算力芯片的需求。在此背景下,三维集成技术作为一种革命性的解决方案应运而生。混合键合作为三维集成技术的基石,通过金属层和金属层、介电层和介电层的直接键合,实现了无凸点的高密度互连。与传统键合技术相比,混合键合不仅能够实现亚微米甚至纳米级的互连间距,还显著降低了信号延迟与功耗,提升了芯片的带宽与容量,为高性能芯片的实现提供了关键支持。在后摩尔时代,混合键合被视为先进封装的核心发展方向之一,可实现窄间距、高密度、小尺寸的互连结构,满足新兴应用场景对芯片性能的苛刻要求。系统介绍了面向高密度互连的混合键合技术,重点总结了其所采用的新型金属钝化层等关键材料以及核心工艺,深入论述了混合键合技术在高带宽内存领域的应用现状及发展趋势,旨在为先进封装技术的持续创新与发展提供参考与思路。 展开更多
关键词 混合键合 高密度互连 三维集成 高带宽内存
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128°YX-LN SAW低温温度传感器的原位封装技术
18
作者 张玮莉 崔永俊 +2 位作者 王红亮 张峰 郝焰莹 《压电与声光》 北大核心 2025年第5期828-833,共6页
为满足低温环境下对温度的测试需求,提出了一种针对声表面波(SAW)低温温度传感器的原位封装技术。采用微加工工艺将传感器元件与封装结构相结合,利用粘合剂在传感器衬底上直接进行封装,有效简化了传统封装的制备流程,缩小了SAW低温温度... 为满足低温环境下对温度的测试需求,提出了一种针对声表面波(SAW)低温温度传感器的原位封装技术。采用微加工工艺将传感器元件与封装结构相结合,利用粘合剂在传感器衬底上直接进行封装,有效简化了传统封装的制备流程,缩小了SAW低温温度传感器的封装尺寸,研制的传感器尺寸仅为11.5 mm×8 mm×0.9mm。拉伸测试表明,封装后传感器的键合强度达到7.49 MPa,抗压强度≥10 MPa。在液氮环境中进行低温测试,结果表明,在-196~25℃时传感器的性能依旧保持良好,封装未对传感器产生干扰,保证了传感器在极端条件下应用的可靠性和稳定性。 展开更多
关键词 声表面波 温度传感器 低温 封装 微机电系统
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硅基金刚石热沉在GaN功率放大器中的应用
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作者 黄鑫 梁宇 +3 位作者 刘佳奇 丁发柱 古宏伟 谢波玮 《半导体技术》 北大核心 2025年第6期612-618,共7页
GaN大功率器件高功率密度和不匹配的散热能力引起结温过高,导致其性能下降甚至失效,发展受限。采用硅基金刚石基板代替常规的钼铜基板作为热沉基板,研究其在器件热管理中的应用。通过COMSOL热场有限元仿真证明硅基金刚石热沉在金刚石薄... GaN大功率器件高功率密度和不匹配的散热能力引起结温过高,导致其性能下降甚至失效,发展受限。采用硅基金刚石基板代替常规的钼铜基板作为热沉基板,研究其在器件热管理中的应用。通过COMSOL热场有限元仿真证明硅基金刚石热沉在金刚石薄膜厚度为0.08 mm厚时,其散热效果与纯金刚石热沉相近。在相同小信号测试条件下,采用红外热像仪进行温度探测。结果显示钼铜热沉器件的最高分布温度为83.8℃,硅基金刚石热沉器件的最高分布温度为73.1℃,比钼铜热沉低10.7℃。随着功率器件热耗增加,硅基金刚石热沉散热能力更加突出,可代替钼铜基板,散热效果与价格昂贵的纯金刚石热沉相近。 展开更多
关键词 硅基金刚石 热沉 GAN 功率放大器 温度特性
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功率MOSFET器件热阻测试分析研究 被引量：3
20
作者 武立言 盖兆宇 赵玉佳 《微电子学》 北大核心 2025年第3期501-506,共6页
功率MOSFET器件以其高开关速度广泛应用于电源开关等领域,然而在开关过程中发热不可避免,因而其热阻更为重要,直接影响器件的可靠性。根据JEDEC JESD 51-1和JESD 51-14等标准进行了温度K系数校准,测试了稳态和瞬态下的结壳热阻和结环境... 功率MOSFET器件以其高开关速度广泛应用于电源开关等领域,然而在开关过程中发热不可避免,因而其热阻更为重要,直接影响器件的可靠性。根据JEDEC JESD 51-1和JESD 51-14等标准进行了温度K系数校准,测试了稳态和瞬态下的结壳热阻和结环境热阻,得到了动态电学法和瞬态双界面法下的稳态结壳热阻值,通过瞬态加热测试得到了器件的瞬态热阻抗曲线和微分、积分结构函数,并对器件内部的物理层进行了热结构分析,得到了4阶Cauer和Foster网络RC模型。 展开更多
关键词 功率MOSFET 热阻 K系数 瞬态热阻抗 结构函数 RC模型
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