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一种HTCC基板的微流道结构设计
1
作者 王宁 黄志刚 +5 位作者 吴桂青 党军杰 李斌 汪旭 程凡 何仓宝 《半导体技术》 北大核心 2026年第2期200-204,共5页
随着集成电路向小型化、高集成度、高密度、大功率等方向发展,散热问题已成为制约其技术突破的关键因素。微流道散热技术因具备低热阻、高效率及可集成化等优势,已成为近年来快速发展的散热技术之一。设计了高温共烧陶瓷(HTCC)基板微流... 随着集成电路向小型化、高集成度、高密度、大功率等方向发展,散热问题已成为制约其技术突破的关键因素。微流道散热技术因具备低热阻、高效率及可集成化等优势,已成为近年来快速发展的散热技术之一。设计了高温共烧陶瓷(HTCC)基板微流道的有限元仿真模型;仿真分析了不同材料、结构、微流道宽度及入口流量等参数对基板散热性能的影响;基于AlN HTCC基板工艺,同时考虑入水口驱动泵的功率约束,制备了换层微流道结构。实验结果显示,换层微流道基板的仿真最高温度为46.94°C,实测最高温度为50.8°C,误差约为8.22%,满足400 W功率芯片的散热要求。 展开更多
关键词 微流道 AlN HTCC基板 热仿真 散热 低热阻
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基于晶体塑性有限元的铜-铜键合结构热疲劳行为研究
2
作者 周聪林 雷鸣奇 姚尧 《电子与封装》 2026年第1期1-9,共9页
在后摩尔时代,先进三维封装是实现芯片计算能力和存储密度持续提升的重要出路。铜-铜(Cu-Cu)键合是三维封装的关键技术,一种常见的失效模式是材料间热膨胀系数失配引发的热应力问题。基于晶体塑性理论,建立了一个考虑温度效应的本构模型... 在后摩尔时代,先进三维封装是实现芯片计算能力和存储密度持续提升的重要出路。铜-铜(Cu-Cu)键合是三维封装的关键技术,一种常见的失效模式是材料间热膨胀系数失配引发的热应力问题。基于晶体塑性理论,建立了一个考虑温度效应的本构模型,并对参数进行校准。基于Voronoi算法,建立了Cu-Cu键合的三维代表性体积单元模型,引入累积塑性应变能密度作为疲劳指标参数,用于预测疲劳裂纹萌生。结果表明,几何不连续性与位错塞积效应都会造成应力集中,且两者存在协同增强作用。累积塑性应变能密度可以对Cu-Cu键合的4种破坏位置实现有效预测,键合界面中的杂质/缺陷会加速Cu-Cu键合失效。 展开更多
关键词 先进三维封装 铜-铜键合 晶体塑性 有限元分析 热疲劳
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高功率大面积AI芯片液冷技术进展
3
作者 邹启凡 刘洪 +1 位作者 罗海亮 杨荣贵 《制冷学报》 北大核心 2026年第1期20-36,共17页
随着人工智能(artificial intelligence,AI)技术的升级迭代,巨大的算力需求推动了AI芯片的发展,特别是近年来开发的芯粒(Chiplet)技术,为人工智能提供了高计算性能、高良品率、低成本的先进芯片封装集成方案,为AI发展提供了坚实的硬件... 随着人工智能(artificial intelligence,AI)技术的升级迭代,巨大的算力需求推动了AI芯片的发展,特别是近年来开发的芯粒(Chiplet)技术,为人工智能提供了高计算性能、高良品率、低成本的先进芯片封装集成方案,为AI发展提供了坚实的硬件支撑。Chiplet型芯片具有大面积、高发热功率的特征,其3D的芯片堆叠设计带来了热流分布不均匀、多层芯片导热路径长、填充热界面材料较厚等散热难题,成为了芯片性能提升的关键瓶颈,Chiplet型芯片的高效热管理成了人工智能发展的关键挑战。本文综述了芯片热管理的先进液冷技术进展,包括单相与两相液冷方案,基于冷却架构分为冷板式液冷、近结区液冷与浸没式液冷,并针对2.5D、3D Chiplet型芯片中的散热问题与冷却方案进行了总结,为高功率大面积AI芯片的液冷方案的应用与发展提供参考。 展开更多
关键词 人工智能 Chiplet技术 芯片热管理 单相液冷 两相液冷
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基于陶瓷基板的焊接润湿性及失效机理研究
4
作者 陈柱 《电子与封装》 2026年第1期10-16,共7页
焊接过程中焊料会在焊盘表面润湿、流散,其润湿效果与焊料的表面张力、焊盘的表面状态以及焊接条件息息相关。若焊料润湿不良,将直接影响焊接面积、焊接强度,并最终降低焊接产品的可靠性。某陶瓷基板焊接时出现润湿不良现象,采用扫描电... 焊接过程中焊料会在焊盘表面润湿、流散,其润湿效果与焊料的表面张力、焊盘的表面状态以及焊接条件息息相关。若焊料润湿不良,将直接影响焊接面积、焊接强度,并最终降低焊接产品的可靠性。某陶瓷基板焊接时出现润湿不良现象,采用扫描电子显微镜和能谱仪分析了剪切断面的形貌和成分,对焊接界面进行了切片分析,发现润湿不良是焊盘镍层过薄所致,并提出了相应的预防措施。 展开更多
关键词 陶瓷基板 SAC305 润湿性 脆性断裂 金脆 失效分析
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低温银烧结技术的可靠性研究进展
5
作者 王奔 朱志宏 +3 位作者 贾少博 汪宝华 丁苏 李万里 《电子与封装》 2026年第1期36-47,共12页
随着大功率电子技术的快速发展,芯片的工作温度不断升高。烧结微纳米银因其优异的导电性、导热性和机械强度,成为最具潜力的高温封装互连材料之一。然而,烧结银接头在长期高温环境和频繁开关条件下的可靠性尚未得到全面验证。通过综述... 随着大功率电子技术的快速发展,芯片的工作温度不断升高。烧结微纳米银因其优异的导电性、导热性和机械强度,成为最具潜力的高温封装互连材料之一。然而,烧结银接头在长期高温环境和频繁开关条件下的可靠性尚未得到全面验证。通过综述烧结银接头在高温老化、热循环、热冲击以及功率循环测试中的可靠性研究,系统梳理了低温银烧结技术的材料与工艺可靠性,并深入分析了导致接头劣化的两大关键机理:热驱动力和热应力的影响。通过分析,旨在总结当前面临的关键技术挑战,并探讨提升烧结银接头可靠性的有效策略。 展开更多
关键词 烧结银 金属化 老化 热应力 可靠性
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半导体先进封装领域专利技术综述
6
作者 余佳 马晓波 《电子与封装》 2026年第1期22-29,共8页
随着AI、高性能计算等产业的快速发展,先进封装技术成为延续摩尔定律的重要技术路径之一。聚焦2.5D与3D封装技术,系统梳理以封装结构、中介层、基板为核心的专利技术体系,剖析典型专利的创新点、技术优势及市场应用价值,揭示半导体封装... 随着AI、高性能计算等产业的快速发展,先进封装技术成为延续摩尔定律的重要技术路径之一。聚焦2.5D与3D封装技术,系统梳理以封装结构、中介层、基板为核心的专利技术体系,剖析典型专利的创新点、技术优势及市场应用价值,揭示半导体封装测试领域的专利布局策略与产业竞争态势,为相关企业的技术研发与专利布局提供参考。 展开更多
关键词 半导体封装测试 2.5D封装 3D封装 专利技术 异构集成
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L频段双通道高集成度变频SiP模块设计
7
作者 杜泽保 孔小雪 +1 位作者 王晓庆 张树鹏 《电子技术应用》 2026年第1期48-52,共5页
为了适应系统轻量化、小型化、集成化的需求,基于3D堆叠技术实现了一款高集成度L频段双通道变频SiP模块。该SiP模块采用多层有机复合基板堆叠,集成了两路变频通道、频率源和微控制器,采用陶瓷管壳气密封装,尺寸仅为21 mm×16 mm... 为了适应系统轻量化、小型化、集成化的需求,基于3D堆叠技术实现了一款高集成度L频段双通道变频SiP模块。该SiP模块采用多层有机复合基板堆叠,集成了两路变频通道、频率源和微控制器,采用陶瓷管壳气密封装,尺寸仅为21 mm×16 mm×4.3 mm。测试结果表明,该模块具有43.5 dB的典型变频增益,增益平坦度小于0.7 dB,带外杂散抑制大于60 dBc,通道间隔离度大于50 dB,满足系统使用要求。 展开更多
关键词 3D堆叠 SiP模块 变频 复合基板
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不同基材的金属封装盖帽对储能焊接工艺的影响
8
作者 宋义雄 《电子与封装》 2026年第1期30-35,共6页
储能焊接工艺是金属封装外壳中常用的密封技术。在电子制造行业中,封装盖帽的常用加工材料包括锌白铜、可伐合金和不锈钢等,其表面通常采用化学镀镍或电镀镍处理。不同基材的材料特性存在差异,这将直接影响储能焊接的密封良率。系统研... 储能焊接工艺是金属封装外壳中常用的密封技术。在电子制造行业中,封装盖帽的常用加工材料包括锌白铜、可伐合金和不锈钢等,其表面通常采用化学镀镍或电镀镍处理。不同基材的材料特性存在差异,这将直接影响储能焊接的密封良率。系统研究了锌白铜、可伐合金和不锈钢3种基材对储能焊接密封良率的影响,并根据3种基材的不同特性,提出了提升储能焊接密封良率的方法。试验结果表明,不锈钢基材因具有适配可伐合金底座的延展性和硬度,在焊接压强为0.5 MPa、电压为180 V、焊接端面平面度差值控制在0.1 mm以内时,可实现100%的密封良率;铁基可伐合金基材因硬度高、形变量小,将焊接端面平面度差值控制在0.04 mm以内,密封良率从65.6%提升至100%;锌白铜基材因强度低、易变形,不仅需将焊接端面平面度差值控制在0.04 mm以内,还需将焊接压强降低0.1 MPa,密封良率从76.6%提升至100%。 展开更多
关键词 密封工艺 储能焊接 封装基材 金属封装盖帽
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多芯片整体式Clip互连碳化硅功率模块反向耦合低感封装方法 被引量：1
9
作者 张彤宇 王来利 +2 位作者 苗昱 裴云庆 甘永梅 《电工技术学报》 北大核心 2025年第16期5106-5118,共13页
碳化硅功率器件凭借其优异的性能,成为传统硅器件有力的竞争者。然而,在封装过程中,因键合线以及引出端子等引入的额外寄生电感,致使封装后的碳化硅功率模块会产生较大的开关过冲与振荡,进而难以体现其理论上的优越性。为此,该文提出一... 碳化硅功率器件凭借其优异的性能,成为传统硅器件有力的竞争者。然而,在封装过程中,因键合线以及引出端子等引入的额外寄生电感,致使封装后的碳化硅功率模块会产生较大的开关过冲与振荡,进而难以体现其理论上的优越性。为此,该文提出一种具有极低电感的多芯片整体式Clip互连碳化硅功率模块封装方法,将功率模块内部键合铝线替换成Clip互连,并通过规划陶瓷基板布局,使Clip电流流向与陶瓷基板线路电流相反,利用电流反向耦合效应降低功率模块内部寄生电感。同时,利用电容直连结构消除外部回路寄生电感。经仿真得到的功率模块内部寄生电感为3.8 nH,功率回路电感为5.0 nH。实验测试得到1 200 V/600 A样机功率回路电感为4.53 nH,换流回路总电感5.87 nH,与传统布局功率模块相比电感降低了44.6%。 展开更多
关键词 碳化硅功率模块 寄生电感 整体式Clip互连 反向耦合 换流回路
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基于试验与仿真的CBGA焊点寿命预测技术 被引量：1
10
作者 李杰 曹世博 +6 位作者 余伟 李泽源 乔志壮 刘林杰 张召富 刘胜 郭宇铮 《电子与封装》 2025年第7期113-121,共9页
陶瓷球栅阵列(CBGA)封装技术以其高密度互连优势在电子封装领域占据着举足轻重的地位,焊点的可靠性是影响器件性能的关键因素。采用有限元法深入探究了焊点在热循环载荷下的寿命预测技术。通过板级温循试验,监控导通电阻以分析焊点的寿... 陶瓷球栅阵列(CBGA)封装技术以其高密度互连优势在电子封装领域占据着举足轻重的地位,焊点的可靠性是影响器件性能的关键因素。采用有限元法深入探究了焊点在热循环载荷下的寿命预测技术。通过板级温循试验,监控导通电阻以分析焊点的寿命数据。构建了CBGA焊点的有限元模型,并对比分析了仿真与试验数据,确定焊点应变能密度均值增量作为寿命表征因子,进而优化了模型的稳健性。将试验实测数据与仿真结果有机结合,集成到Darveaux寿命模型中,建立了焊点寿命预测方法。研究结果证实,该方法能有效预测CBGA焊点的寿命,为同类封装产品的可靠性设计提供了有力的技术支撑。 展开更多
关键词 CBGA焊点 有限元法 寿命预测 可靠性分析
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玻璃基板技术研究进展 被引量：1
11
作者 赵瑾 于大全 秦飞 《电子与封装》 2025年第7期104-112,共9页
随着高性能计算和人工智能等新兴应用的迅猛发展,先进封装技术正加速演进。作为其核心支撑,高端基板技术需同时应对高速高频信号传输、功耗管理、超细节距互连及系统级集成等多重性能需求。玻璃基板凭借其优异的热机械稳定性、极低的吸... 随着高性能计算和人工智能等新兴应用的迅猛发展,先进封装技术正加速演进。作为其核心支撑,高端基板技术需同时应对高速高频信号传输、功耗管理、超细节距互连及系统级集成等多重性能需求。玻璃基板凭借其优异的热机械稳定性、极低的吸湿性和卓越的电学特性,成为突破传统封装限制的关键方向。围绕玻璃基板的结构特性与关键制造工艺进行分析,重点探讨了其在可靠性方面存在的主要问题,并总结其所面临的技术机遇与挑战。 展开更多
关键词 先进封装 玻璃基板技术 高密度互连 翘曲
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强韧一体Cu/Sn/Ag致密三维网络状接头结构设计与制备
12
作者 张宏辉 徐红艳 +1 位作者 张炜 刘璇 《半导体技术》 北大核心 2025年第6期625-632,共8页
为满足大功率电力电子器件耐高温、高可靠性芯片焊接需求,解决Cu/Sn/Ag体系瞬态液相扩散焊接(TLPS)接头脆性大、韧性不足、孔隙率高等问题,通过电镀高纯度Cu@Sn核壳结构复合粉末和物理气相沉积镀覆Ag层,研究了Sn镀层厚度对接头强度和孔... 为满足大功率电力电子器件耐高温、高可靠性芯片焊接需求,解决Cu/Sn/Ag体系瞬态液相扩散焊接(TLPS)接头脆性大、韧性不足、孔隙率高等问题,通过电镀高纯度Cu@Sn核壳结构复合粉末和物理气相沉积镀覆Ag层,研究了Sn镀层厚度对接头强度和孔隙率的影响以及镀覆Ag层厚度对TLPS接头抗氧化性能和韧性的影响。结果表明,Sn镀层厚度为2~3μm时接头本体相孔隙率最低,抗拉强度达到86 MPa;Cu/Sn/Ag体系中Sn镀层厚度为2μm且镀覆Ag层厚度为1μm时,Cu_(3)Sn/Ag3Sn包覆Cu颗粒的三维网络状结构致密接头的弹性模量由Cu@Sn体系中的83 GPa降至Cu@Sn@Ag体系中的75 GPa;通过在Cu基板表面镀Sn和镀Ag等改性处理,提高了Cu/Sn/Ag预成型焊片与直接键合铜(DBC)基板的共面性,实现了焊接界面致密互连。以上结果为Cu/Sn/Ag系统TLPS制备耐高温接头技术提供了研究依据和应用基础。 展开更多
关键词 电力电子器件 瞬态液相扩散焊接(TLPS) Cu@Sn@Ag复合粉末 三维网络状结构 耐高温接头
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Nb_(2)O_(5)含量对柔性直流电阻浆料性能的影响
13
作者 王振 郑润民 +2 位作者 黄一钊 杨甜甜 赵夏尧 《电镀与涂饰》 北大核心 2025年第12期51-55,共5页
[目的]电阻浆料是柔性直流输电技术中的关键材料,其性能直接影响电力电子器件的稳定性。然而,当前关于五氧化二铌(Nb_(2)O_(5))含量对电阻浆料性能影响的研究尚不充分。[方法]制备了不同Nb_(2)O_(5)含量的电阻浆料,系统研究了其电性能... [目的]电阻浆料是柔性直流输电技术中的关键材料,其性能直接影响电力电子器件的稳定性。然而,当前关于五氧化二铌(Nb_(2)O_(5))含量对电阻浆料性能影响的研究尚不充分。[方法]制备了不同Nb_(2)O_(5)含量的电阻浆料,系统研究了其电性能、表面形貌、电阻温度系数(TCR)及与某成品电阻浆料的混浆行为。[结果]随着Nb_(2)O_(5)含量增加,浆料的TCR性能和膜层的致密性均有所提升。当Nb_(2)O_(5)的质量分数为1.0%时,电阻浆料综合性能达到最优,其TCR绝对值最低,仅为2.3×10^(-5)K^(-1)。[结论]本研究为高性能电阻元件的开发提供了理论依据和实验支持。 展开更多
关键词 柔性直流输电 电阻浆料 表面形貌 电阻温度系数 混浆曲线
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基于硅转接板的2.5D封装中电源地平面研究和优化
14
作者 陈龙 宋昌明 +3 位作者 周晟娟 章莱 王谦 蔡坚 《电子与封装》 2025年第11期34-40,共7页
针对基于硅转接板的2.5D封装中电源分配网络(PDN)阻抗大、系统电压噪声大的电源完整性问题,建立2.5D封装模型,研究和优化封装系统的电源完整性。采用三维电磁场与电路协同仿真的方法,对硅转接板上的电源地平面进行阻抗优化,并通过合理... 针对基于硅转接板的2.5D封装中电源分配网络(PDN)阻抗大、系统电压噪声大的电源完整性问题,建立2.5D封装模型,研究和优化封装系统的电源完整性。采用三维电磁场与电路协同仿真的方法,对硅转接板上的电源地平面进行阻抗优化,并通过合理选择与布局深槽电容(DTC)对系统进行阻抗优化和电压噪声改善。结果显示,提高电源地平面的布线密度能够有效降低PDN的阻抗。电源地平面线宽/线距存在优化下限,当线宽/线距小于片间互连信号线线宽的2倍时会对片间互连信号线产生阻抗不连续的不良影响。在所建立的模型中,根据PDN阻抗的高频谐振峰选择DTC,使得PDN阻抗降低约83%,电压噪声减小约42%。同时,DTC的集成会在中高频段引入新的谐振峰,对PDN产生阻抗增大的不利影响。 展开更多
关键词 2.5D封装 硅转接板 电源完整性 电源地平面 深槽电容
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IGBT相变冷板的设计和数值模拟
15
作者 潘子升 周俊屹 +1 位作者 余时帆 胡桂林 《半导体技术》 北大核心 2025年第5期506-513,531,共9页
针对绝缘栅双极晶体管(IGBT)模块散热中功率密度高且散热负荷随工况变化的问题,基于制冷剂对流散热和蒸发潜热的微通道沸腾相变散热技术可对IGBT芯片进行有效散热,建立了三维、伪瞬态算法稳态和流体体积(VOF)相变的综合数学模型。研究了... 针对绝缘栅双极晶体管(IGBT)模块散热中功率密度高且散热负荷随工况变化的问题,基于制冷剂对流散热和蒸发潜热的微通道沸腾相变散热技术可对IGBT芯片进行有效散热,建立了三维、伪瞬态算法稳态和流体体积(VOF)相变的综合数学模型。研究了R1233zd、R1234ze、R134a三种相变制冷剂在单片IGBT微通道沸腾相变散热器中的散热性能;在单片的基础上进行了多片IGBT串联、并联、串并联三种不同流道设计的微通道沸腾相变散热器性能的数值模拟研究。研究结果表明,R134a在6 L/min流速工况下,较其他两种相变制冷剂散热性能更优;串联流道比并联和串并联流道芯片温升低34.5%,其整体温升低于60℃。 展开更多
关键词 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 散热器 数值模拟 制冷剂 流体体积(VOF)模型
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三维晶圆级扇出型封装产品质量评价方法研究
16
作者 田欣 黄东巍 《信息技术与标准化》 2025年第7期31-36,共6页
为解决三维晶圆级扇出型封装产品缺乏质量评价方法的问题,开展其工艺质量可靠性和器件质量可靠性评价方法的研究。结合裸芯片重构圆片、晶圆级多层再布线、晶圆级微凸点制备和三维堆叠等新工艺特点,确定了关键工艺参数及测试方法。通过... 为解决三维晶圆级扇出型封装产品缺乏质量评价方法的问题,开展其工艺质量可靠性和器件质量可靠性评价方法的研究。结合裸芯片重构圆片、晶圆级多层再布线、晶圆级微凸点制备和三维堆叠等新工艺特点,确定了关键工艺参数及测试方法。通过与传统结构器件的差异性分析,提出了三维晶圆级扇出型封装器件的关键质量评价项目。选用典型国产器件开展了验证,验证了测试结果的准确性。 展开更多
关键词 扇出型封装 晶圆级 工艺质量 器件质量
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粘贴材料对芯片结温的影响
17
作者 徐标 刘培 《上海计量测试》 2025年第2期5-8,共4页
文章以大功率LED芯片制作了简易的高功率能量密度芯片模型,分析测试了导热材料在不同工作功率、不同导热率和不同厚度下对芯片结温的影响。
关键词 芯片 高温 导热率 散热
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织物基柔性电子器件的全印刷制造与应用
18
作者 吴伟 《纺织高校基础科学学报》 2025年第1期1-3,共3页
在科技创新引领产业变革的时代浪潮中,纺织行业正经历着深刻转型,纺织青年科学家作为推动行业进步的新生力量,其研究成果备受瞩目。2024年12月21日,本刊编辑部举办了以“智融纺织,绿动未来,共筑纺织科技新生态”为主题的第二届纺织青年... 在科技创新引领产业变革的时代浪潮中,纺织行业正经历着深刻转型,纺织青年科学家作为推动行业进步的新生力量,其研究成果备受瞩目。2024年12月21日,本刊编辑部举办了以“智融纺织,绿动未来,共筑纺织科技新生态”为主题的第二届纺织青年科学家论坛。我校校友,中国工程院院士,武汉纺织大学校长徐卫林教授受邀作视频报告。同时,来自浙江大学、西北工业大学、武汉大学、东华大学、江南大学、武汉纺织大学、浙江理工大学、青岛大学、深圳大学、大连工业大学、安徽农业大学以及本校的青年科学家为论坛做了精彩的报告。本次推出的第二届纺织青年科学家论坛观点精要,汇集了11位作者的最新科研成果,涵盖了纺织材料的创新研发、智能纤维及智能可穿戴纺织品制造技术的突破应用、可持续发展的绿色纺织工艺等诸多关键议题。每一项成果都展现了青年科学家们敏锐的洞察力和勇于创新的精神。这些研究不仅代表了纺织科研的新方向,也为行业解决实际问题、实现可持续发展提供了新思路。本刊将这些观点精要呈现给每一位读者,希望通过分享这些学术观点,来促进纺织领域的学术交流与合作,激发更多创新灵感,助力纺织行业迈向更高的发展台阶,共同书写纺织科技发展的新篇章。 展开更多
关键词 织物基柔性电子器件 全印刷电子技术 智能穿戴
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室温晶圆键合的金刚石基GaN HEMT制备与性能 被引量：1
19
作者 张栋曜 周幸叶 +3 位作者 郭红雨 余浩 吕元杰 冯志红 《半导体技术》 北大核心 2025年第5期468-472,共5页
GaN作为第三代宽禁带半导体材料,具有较大的自发极化系数和压电系数,可承受高功率密度,适用于高频、高温、大功率器件。随着GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)向小型化、大功率发展,散热问题已成为制约GaN功率器件性能提升的重要因素。高热导... GaN作为第三代宽禁带半导体材料,具有较大的自发极化系数和压电系数,可承受高功率密度,适用于高频、高温、大功率器件。随着GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)向小型化、大功率发展,散热问题已成为制约GaN功率器件性能提升的重要因素。高热导率(2000 W·m^(-1)·K^(-1))金刚石是一种极具竞争力的新型散热材料,在解决大功率器件的散热问题方面极具潜力。针对散热问题,采用室温晶圆键合工艺制备了金刚石基GaN HEMT,并对其进行了直流特性、微波功率特性和结温测试。与传统SiC基GaN HEMT相比,金刚石基GaN HEMT的漏源饱和输出电流增大了约5%,热阻从5.04 K·mm/W降低至3.78 K·mm/W,有利于提升器件性能、延长器件寿命。本文研究结果为突破GaN功率器件性能的发展瓶颈提供了实验基础。 展开更多
关键词 GAN 金刚石 微波功率 结温 散热能力
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IMC厚度对混装焊点热疲劳寿命的影响研究 被引量：1
20
作者 冉光龙 王波 +2 位作者 黄伟 龚雨兵 潘开林 《电子与封装》 2025年第1期18-23,共6页
焊点的疲劳寿命成为衡量其长期可靠性的关键指标。金属间化合物(IMC)厚度对焊点的疲劳寿命有着显著影响。研究IMC厚度对热循环条件下混装焊点疲劳寿命的影响,结果表明,随着IMC厚度的增加,焊点的热疲劳寿命不断降低。此外,焊点中应力和... 焊点的疲劳寿命成为衡量其长期可靠性的关键指标。金属间化合物(IMC)厚度对焊点的疲劳寿命有着显著影响。研究IMC厚度对热循环条件下混装焊点疲劳寿命的影响,结果表明,随着IMC厚度的增加,焊点的热疲劳寿命不断降低。此外,焊点中应力和应变的分布受IMC厚度的影响较小,但其数值随着IMC厚度的增加而增加。同时,塑性应变也随着IMC厚度的增加而增加。基于Coffin-Manson模型得到混装焊点的热疲劳寿命与IMC厚度之间存在对数关系。 展开更多
关键词 混装焊点 金属间化合物 热循环 疲劳寿命
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