TFT用掩模版与TFT-LCD阵列工艺 被引量：13

1

作者 李文波 王刚 +4 位作者 张卓 胡望 刘宏宇 邵喜斌 徐征 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第6期522-526,559,共6页

薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)产业经过20年的发展,其规模已经远远超出10年前的预想,技术发展也呈现出加速进步的趋势。各种新一代光刻技术的出现显著提升了掩模版的制作精度,对其市场价格也造成了不小的冲击。在TFT-LCD阵列基板制造方... 薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)产业经过20年的发展,其规模已经远远超出10年前的预想,技术发展也呈现出加速进步的趋势。各种新一代光刻技术的出现显著提升了掩模版的制作精度,对其市场价格也造成了不小的冲击。在TFT-LCD阵列基板制造方面,4掩模版光刻工艺技术逐渐成为当今主流,而3掩模版光刻工艺因其技术难度大、良品率低,目前还掌握在少数几家TFT-LCD厂商手中。通过对掩模版的国内外市场行情、技术进展以及掩模版数目与TFT-LCD阵列工艺的关系作全面的阐述,指出加强TFT-LCD掩模版等配套材料的自主研发、采用更加先进的制造技术是简化生产工艺、降低生产成本的有效手段,也是我国TFT-LCD产业下一步努力发展的方向。 展开更多

关键词 掩模版 薄膜晶体管液晶显示器 阵列工艺 技术进展 市场行情

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电子束光刻在纳米加工及器件制备中的应用 被引量：8

2

作者 陈宝钦 赵珉 +8 位作者 吴璇 牛洁斌 刘键 任黎明 王琴 朱效立 徐秋霞 谢常青 刘明 《微纳电子技术》 CAS 2008年第12期683-688,共6页

电子束光刻技术是推动微米电子学和微纳米加工发展的关键技术,尤其在纳米制造领域中起着不可替代的作用。介绍了中国科学院微电子研究所拥有JEOLJBX5000LS、JBX6300FS纳米电子束光刻系统和电子显微镜系统的电子束光刻技术实验室,利用电... 电子束光刻技术是推动微米电子学和微纳米加工发展的关键技术,尤其在纳米制造领域中起着不可替代的作用。介绍了中国科学院微电子研究所拥有JEOLJBX5000LS、JBX6300FS纳米电子束光刻系统和电子显微镜系统的电子束光刻技术实验室,利用电子束直写系统所开展的纳米器件和纳米结构制造工艺技术方面的研究。重点阐述了如何利用电子束直写技术实现纳米器件和纳米结构的电子束光刻。针对电子束光刻效率低和电子束光刻邻近效应等问题所采取的措施;采用无宽度线曝光技术和高分辨率、高反差、低灵敏度电子抗蚀剂相结合实现电子束纳米尺度光刻以及采用电子束光刻与X射线曝光相结合的技术实现高高宽比的纳米尺度结构的加工等具体工艺技术问题展开讨论。 展开更多

关键词 电子束光刻 电子束直写 电子束邻近效应校正 纳米制造 纳米器件 纳米结构

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光学和电子束曝光系统之间的匹配与混合光刻技术 被引量：4

3

作者 陈宝钦 刘明 +13 位作者 徐秋霞 薛丽君 李金儒 汤跃科 赵珉 刘珠明 王德强 任黎明 胡勇 龙世兵 陆晶 杨清华 张立辉 牛洁斌 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第z1期1-6,共6页

介绍如何实现光学和电子束曝光系统之间的匹配和混合光刻的技术,包括:(1)光学曝光系统与电子束曝光系统的匹配技术;(2)投影光刻和JBX-5000LS混合曝光技术;(3)接触式光刻机和JBX-5000LS混合曝光技术;(4)大小束流混合曝光技术或大小光阑... 介绍如何实现光学和电子束曝光系统之间的匹配和混合光刻的技术,包括:(1)光学曝光系统与电子束曝光系统的匹配技术;(2)投影光刻和JBX-5000LS混合曝光技术;(3)接触式光刻机和JBX-5000LS混合曝光技术;(4)大小束流混合曝光技术或大小光阑混合曝光技术;(5)电子束与光学曝光系统混合光刻对准标记制作技术.该技术已成功地应用于纳米器件和集成电路的研制工作,实现了20nm线条曝光,研制成功了27n m CMOS器件;进行了50nm单电子器件的演试;并广泛地用于100nm化合物器件和其他微/纳米结构的制造. 展开更多

关键词 微光刻技术 微纳米加工技术 电子束直写 匹配与混合光刻技术

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光刻与微纳制造技术的研究现状及展望 被引量：13

4

作者 周辉 杨海峰 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2012年第9期613-618,636,共7页

首先介绍了微纳制造的关键工艺技术——光刻技术。回顾了光刻技术的发展历程,介绍了各阶段主流光刻技术的基本原理和特点。阐述了国内外对光刻技术的研究现状,并讨论了光刻与微纳制造技术面临的挑战及其需要解决的关键性技术问题。然后... 首先介绍了微纳制造的关键工艺技术——光刻技术。回顾了光刻技术的发展历程,介绍了各阶段主流光刻技术的基本原理和特点。阐述了国内外对光刻技术的研究现状,并讨论了光刻与微纳制造技术面临的挑战及其需要解决的关键性技术问题。然后重点介绍了浸没光刻、极紫外光刻、电子束光刻、离子束光刻、X射线光刻、纳米压印光刻等技术的概念、发展过程和特点,并对不同光刻技术的优缺点和生产适用条件进行了比较。最后结合国内外生产商、工程师和研究学者的研究成果,对光刻技术的未来发展做出展望。 展开更多

关键词 光学技术 微光刻技术 微纳米加工技术 下一代光刻技术 分辨率增强技术

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AZ4620光刻胶掩膜的氮化硅图形化工艺 被引量：3

5

作者 胡磊 石树正 +3 位作者 高翔 何剑 穆继亮 丑修建 《微纳电子技术》 北大核心 2017年第6期426-430,共5页

以薄膜体声波谐振器(FBAR)的背腔刻蚀为研究背景,研究了光刻工艺参数设置与光刻图形转移效果的关系。分析了紫外曝光剂量大小对光刻图形面积和边角曲率的影响,优化得到最佳工艺流程,以AZ4620光刻胶为掩膜实现了氮化硅的湿法刻蚀。实验... 以薄膜体声波谐振器(FBAR)的背腔刻蚀为研究背景,研究了光刻工艺参数设置与光刻图形转移效果的关系。分析了紫外曝光剂量大小对光刻图形面积和边角曲率的影响,优化得到最佳工艺流程,以AZ4620光刻胶为掩膜实现了氮化硅的湿法刻蚀。实验结果表明,曝光剂量为60 mJ、显影时间60 s时,曝光图形化质量最佳;随着氮化硅刻蚀液温度的升高,湿法刻蚀速率不断增大,温度过高导致光刻胶被破坏而不能起到掩膜作用,60℃时刻蚀速率为109.5 nm/min,得到了边线规整、底部平整的微结构。刻蚀后表面分子喇曼位移为单晶硅的波峰(519.354 cm^(-1)),证实氮化硅被完全去除,为氮化硅作掩膜的单晶硅湿法刻蚀提供了一种有效途径。 展开更多

关键词 曝光剂量 掩膜 湿法刻蚀 刻蚀速率 喇曼位移

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CIF到PG3600格式转换的算法研究 被引量：2

6

作者 李金儒 陈宝钦 +1 位作者 赵珉 汤跃科 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2007年第2期207-209,共3页

提出了微光刻图形CIF数据格式到PG3600数据格式转换软件新的图形切割算法,该算法将L-EDIT输出的CIF格式中的四种图形当作任意多边形处理,然后把多边形切割成矩形。与其他算法相比较,该算法简单、切割理想、切割后的矩形数据量比其他算... 提出了微光刻图形CIF数据格式到PG3600数据格式转换软件新的图形切割算法,该算法将L-EDIT输出的CIF格式中的四种图形当作任意多边形处理,然后把多边形切割成矩形。与其他算法相比较,该算法简单、切割理想、切割后的矩形数据量比其他算法少很多。并以此算法为基础,编制能够运行于Windows操作系统且又能够挂靠在L-EDIT上的数据格式转换软件。 展开更多

关键词 CIF格式 PG3600格式 图形切割 数据格式转换

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微光刻与微/纳米加工技术 被引量：15

7

作者 陈宝钦 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2011年第1期1-5,共5页

介绍了微电子技术的关键工艺技术——微光刻与微/纳米加工技术,回顾了中国制版光刻与微/纳米加工技术的发展历程与现状,讨论了微光刻与微/纳米加工技术面临的挑战与需要解决的关键技术问题,并介绍了光学光刻分辨率增强技术、下一代光刻... 介绍了微电子技术的关键工艺技术——微光刻与微/纳米加工技术,回顾了中国制版光刻与微/纳米加工技术的发展历程与现状,讨论了微光刻与微/纳米加工技术面临的挑战与需要解决的关键技术问题,并介绍了光学光刻分辨率增强技术、下一代光刻技术、可制造性设计技术、纳米结构图形加工技术与纳米CMOS器件研究等问题。近年来,中国科学院微电子研究所通过光学光刻系统的分辨率增强技术(RET),实现亚波长纳米结构图形的制造,并通过应用光学光刻系统和电子束光刻系统之间的匹配与混合光刻技术及纳米结构图形加工技术成功研制了20～50nm CMOS器件和100nm HEMT器件。 展开更多

关键词 微光刻技术 微纳米加工技术 分辨率增强技术 下一代光刻技术 可制造性设计

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电子束光刻技术与图形数据处理技术 被引量：13

8

作者 陈宝钦 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2011年第6期345-352,共8页

介绍了微纳米加工领域的关键工艺技术——电子束光刻技术与图形数据处理技术,包括:电子束直写技术、电子束邻近效应校正技术、光学曝光系统与电子束曝光系统之间的匹配与混合光刻技术、电子束曝光工艺技术、微光刻图形数据处理与数据转... 介绍了微纳米加工领域的关键工艺技术——电子束光刻技术与图形数据处理技术,包括:电子束直写技术、电子束邻近效应校正技术、光学曝光系统与电子束曝光系统之间的匹配与混合光刻技术、电子束曝光工艺技术、微光刻图形数据处理与数据转换技术以及电子束邻近效应校正图形数据处理技术。重点推荐应用于电子束光刻的几种常用抗蚀剂的主要工艺条件与参考值,同时推荐了可以在集成电路版图编辑软件L-Edit中方便调用的应用于绘制含有任意角度单元图形和任意函数曲线的复杂图形编辑模块。 展开更多

关键词 电子束直写(EBDW) 电子束邻近效应校正(EPC) 匹配与混合光刻 图形数据处理 L-Edit图形编辑器

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微光刻与微/纳米加工技术(续) 被引量：6

9

作者 陈宝钦 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2011年第2期69-73,共5页

2下一代光刻技术 虽然光学光刻技术为微电子技术突飞猛进的发展立下了汗马功劳,创造了一次又一次的人间奇迹,然而目前集成电路特征尺寸也越来越接近物理极限。为开发研究新一代的光刻技术,近年来世界各大国和各国著名的大公司联合开展... 2下一代光刻技术 虽然光学光刻技术为微电子技术突飞猛进的发展立下了汗马功劳,创造了一次又一次的人间奇迹,然而目前集成电路特征尺寸也越来越接近物理极限。为开发研究新一代的光刻技术,近年来世界各大国和各国著名的大公司联合开展下一代光刻技术的研究与开发， 展开更多

关键词 纳米加工技术 下一代光刻技术 微光刻 研究与开发 光学光刻技术 微电子技术 物理极限 特征尺寸

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氮化铝共烧基板金属化及其薄膜金属化特性研究 被引量：5

10

作者 胡永达 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期50-51,共2页

大规模集成电路的发展,对芯片之间的互连提出了更高的要求,高端电子系统中高密度封装技术逐渐成为发展的主流。多芯片组件(MCM)是微电子封装的高级形式,它是把裸芯片与微型元件组装在同一个高密度布线基板上,组成能够完成一定的功能的... 大规模集成电路的发展,对芯片之间的互连提出了更高的要求,高端电子系统中高密度封装技术逐渐成为发展的主流。多芯片组件(MCM)是微电子封装的高级形式,它是把裸芯片与微型元件组装在同一个高密度布线基板上,组成能够完成一定的功能的模块甚至子系统。MCM还能够实现电子系统的小型化、高密度化,是实现系统集成的重要途径,在MCM中高密度布线的多层基板技术是实现高密度封装的关键。 展开更多

关键词 基板 薄膜金属化特性 氮化铝 共烧 浆料 聚酰亚胺 分层布线

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掩模移动曝光系统精密定位工件台研制 被引量：1

11

作者 佟军民 胡松 余国彬 《微细加工技术》 EI 2007年第3期18-22,共5页

为满足掩模移动曝光技术制作微光学元件的要求,研制了接近式曝光系统中使用的x-y二维精密移动工件台。该工件台由x-y二维整体手动工作台子系统、x-y二维掩模精密移动台子系统和承片台子系统组成。利用一个方导轨和两对V形导轨组成的滚... 为满足掩模移动曝光技术制作微光学元件的要求,研制了接近式曝光系统中使用的x-y二维精密移动工件台。该工件台由x-y二维整体手动工作台子系统、x-y二维掩模精密移动台子系统和承片台子系统组成。利用一个方导轨和两对V形导轨组成的滚动导轨副实现了x向和y向精密移动的导向功能;利用驱动器、电机、光栅、细分卡、单片机构成的闭环控制系统保证了x和y向的运动精度;在气浮的作用下,利用掩模版靠平基片实现了调平功能;利用差动螺旋机构和1∶2杠杆缩小机构实现了间隙的调整功能。经检测,工件台在8 mm的工作行程范围内,沿x,y方向移动的直线性分别达到了4″和3″,两个方向的正交性达到了10″,运动定位精度达到了1.2μm。 展开更多

关键词 掩模移动曝光技术 接近式曝光 x-y二维精密工件台 定位精度

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基于神经网络的157nm激光微加工

12

作者 崔健磊 戴玉堂 +1 位作者 徐刚 白帆 《应用激光》 CSCD 北大核心 2010年第4期300-303,共4页

157nm激光被视为光刻和微加工的有力工具之一,其加工的表面质量强烈依赖于激光参数。针对157nm微加工的特点,提出建立人工神经网络优化工艺参数的方法。分析与实验结果表明,利用优化的工艺参数进行激光微加工,其刻蚀质量得到明显提高。

关键词 157nm激光 微加工 刻蚀质量 神经网络 工艺优化

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运用科学手段提高乙烯收率 被引量：1

13

作者 苏颖千 《乙烯工业》 CAS 2006年第2期33-37,共5页

针对中国石化广州分公司化工一部乙烯装置的实际情况,分析了收率偏低的原因,提出了通过技术改造、优化工艺参数、优化原料结构等改进措施。实践证明,采取措施后,裂解深度及乙烯收率均有较大的提高。

关键词 乙烯 收率 探讨

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温湿度对制版图形缺陷的影响

14

作者 任芳 刘嵘侃 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2006年第1期36-37,42,共3页

介绍了制版工艺中常见的缺陷类型,分析了缺陷产生与温湿度的关系。通过实际工作应用,就缺陷控制的办法进行了有益的探讨,对光掩模版的制造有一定的指导意义。

关键词 半导体工艺 光掩膜版 缺陷 显影 腐蚀 温湿度

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CIF数据格式转换成PG3600数据格式的新切割算法

15

作者 李金儒 汤跃科 陈宝钦 《微细加工技术》 EI 2006年第1期7-12,共6页

为了编制能够运行于Windows操作系统且又能够挂靠在L-EDIT数据格式上的转换软件,提出了一种新的将微光刻图形CIF数据格式转换为PG3600数据格式的图形切割算法———沿边切割法,重点讨论了圆形和多边形切割成矩形的具体算法,并与其它几... 为了编制能够运行于Windows操作系统且又能够挂靠在L-EDIT数据格式上的转换软件,提出了一种新的将微光刻图形CIF数据格式转换为PG3600数据格式的图形切割算法———沿边切割法,重点讨论了圆形和多边形切割成矩形的具体算法,并与其它几种常见的切割算法进行了比较,表明该算法对于不规则图形的切割具有明显的优越性。 展开更多

关键词 微光刻技术 数据格式转换 图形切割 沿边切割算法

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再论多层印制板金属化孔镀层空洞 被引量：1

16

作者 杨维生 《电子电路与贴装》 2002年第6期9-19,共11页

分析了金属化孔镀层空洞的主要产生原因，从各主要工序出发，提出了如何优化工艺参数行严格的工艺及质量控制，以保证孔化质量的方法。

关键词 多层印制板 金属化孔镀层空洞 空洞缺陷 优化工艺参数

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提高丙烷回收率优化工艺研究与应用

17

作者 李静 李崇喜 《内蒙古石油化工》 CAS 2008年第12期11-13,共3页

本文针对西峰油田轻烃回收厂在丙烷回收方面存在问题进行细致分析,根据先前存在的问题对现有流程进行改进,同时优化工艺参数,在此基础上提出了提高丙烷回收率行之有效的方法。

关键词 优化工艺 提高 丙烷 回收率

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ANSYS在激光熔覆成形温度场数值模拟中的应用 被引量：10

18

作者 郭华锋 熊永超 +2 位作者 李志 周建忠 徐大鹏 《工具技术》 2009年第5期73-77,共5页

基于ANSYS的激光熔覆成形温度场数值模拟可以真实再现熔覆工艺全过程,为优化工艺参数和预测成形缺陷提供可靠的理论依据。本文系统总结了ANSYS在熔覆成形温度场数值模拟中的应用;深入分析了有限元模型的建立、网格划分、热源形式及动态... 基于ANSYS的激光熔覆成形温度场数值模拟可以真实再现熔覆工艺全过程,为优化工艺参数和预测成形缺陷提供可靠的理论依据。本文系统总结了ANSYS在熔覆成形温度场数值模拟中的应用;深入分析了有限元模型的建立、网格划分、热源形式及动态实现、熔池对流、材料动态增长描述等关键问题的处理方法;指出了ANSYS在熔覆成形温度场数值模拟领域应用中存在的问题,并在此基础上提出了今后的发展方向。 展开更多

关键词 激光熔覆 温度场 数值模拟 ANSYS

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超声波功率谱技术在木材空洞缺陷无损检测中应用 被引量：13

19

作者 杨慧敏 王立海 《森林工程》 2005年第2期8-9,共2页

分析了不同孔径空洞的木材试件的超声波功率谱。阐述了功率谱的谱峰位置和谱峰高度与木材空洞大小之间的关系。分析认为,超声波在木材与空洞中传播时的散射不同,导致超声波在不同频率上的干涉,可能是造成上述现象的主要原因。利用该方... 分析了不同孔径空洞的木材试件的超声波功率谱。阐述了功率谱的谱峰位置和谱峰高度与木材空洞大小之间的关系。分析认为,超声波在木材与空洞中传播时的散射不同,导致超声波在不同频率上的干涉,可能是造成上述现象的主要原因。利用该方法可实现木材空洞缺陷的无损检测。 展开更多

关键词 空洞缺陷 同频 功率谱 谱峰 散射 频率 干涉 木材 利用 应用

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用于纳米器件的电子束与光学混合光刻技术 被引量：2

20

作者 陈广璐 唐波 +5 位作者 唐兆云 李春龙 孟令款 贺晓彬 李俊峰 闫江 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2013年第6期386-390,共5页

成功开发出了一种可用于纳米结构及器件制作的电子束与光学光刻的混合光刻工艺。通过两步光刻工艺,在栅结构层上采用大小图形数据分离的方法,使用光学光刻形成大尺寸栅引出电极结构,利用电子束直写形成纳米尺寸栅结构,并通过图形转移工... 成功开发出了一种可用于纳米结构及器件制作的电子束与光学光刻的混合光刻工艺。通过两步光刻工艺,在栅结构层上采用大小图形数据分离的方法,使用光学光刻形成大尺寸栅引出电极结构,利用电子束直写形成纳米尺寸栅结构,并通过图形转移工艺解决两次光刻定义的栅结构的叠加问题。此混合光刻工艺技术可以解决纳米电子束直写光刻技术效率较低的问题,同时避免了电子束进行大面积、高密度图形曝光时产生严重邻近效应影响的问题。这项工艺技术已经应用于先进MOS器件的研发,并且成功制备出具有良好电学特性、最小栅长为26 nm的器件。 展开更多

关键词 电子束光刻(EBL) 电子束直写(EBDW) 邻近效应 混合光刻 纳米器件 后栅工艺

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