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高准确度玻璃光学元件的CMP技术研究 被引量：4
1
作者 陈勇 李攀 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第12期2499-2503,共5页
依据化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing,CMP)加工玻璃光学元件的原理,通过对抛光运动机理的理论分析,提出了抛光垫的磨削均匀性对光学元件面形的影响,并设计了新的工艺流程.通过工艺试验,完成了高准确度玻璃光学元件的CMP加工... 依据化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing,CMP)加工玻璃光学元件的原理,通过对抛光运动机理的理论分析,提出了抛光垫的磨削均匀性对光学元件面形的影响,并设计了新的工艺流程.通过工艺试验,完成了高准确度玻璃光学元件的CMP加工,获得了表面质量N<0.2,Rq<0.3nm的玻璃光学元件. 展开更多
关键词 玻璃光学原件 超光滑表面 化学机械抛光 抛光垫 运动机理分析
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一种高效的锗单晶抛光片清洗液 被引量：6
2
作者 杨洪星 陈晨 +2 位作者 王云彪 何远东 耿莉 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第2期129-132,共4页
以锗(Ge)单晶片为衬底制备的太阳电池,具有较好的光电转换效率,因而使Ge材料再次受到广泛关注。Ge单晶片表面的均匀性对外延结果有着较大影响,基于改善Ge单晶片表面均匀性的目的,引入一种H2O2,HF和去离子水的混合液作为Ge片的清洗液,以... 以锗(Ge)单晶片为衬底制备的太阳电池,具有较好的光电转换效率,因而使Ge材料再次受到广泛关注。Ge单晶片表面的均匀性对外延结果有着较大影响,基于改善Ge单晶片表面均匀性的目的,引入一种H2O2,HF和去离子水的混合液作为Ge片的清洗液,以雾值、表面粗糙度和表面颗粒度作为Ge单晶片表面均匀性的评价指标。通过Ge单晶片清洗实验,确定清洗液配比、清洗时间的较优组合。在优化后的清洗条件下,Ge单晶抛光片的雾值为2.33×10-8,表面粗糙度为0.16 nm,Ge单晶片的表面质量满足电池制作的要求。该清洗液清洗效果好,操作简便,是Ge单晶抛光片的一种较理想清洗液。 展开更多
关键词 锗(Ge)单晶 表面清洗 表面粗糙度 雾值 抛光片
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基于磨损行为的单晶硅片化学机械抛光界面接触形式研究 被引量：2
3
作者 苏建修 杜家熙 +2 位作者 陈锡渠 张学良 郭东明 《摩擦学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期108-111,共4页
设计了3种不同的抛光液并进行一系列抛光试验,得到机械、化学及其交互作用所引起的材料去除率,分析了化学机械抛光时硅片与抛光垫之间接触形式的判别方法及其抛光机理.结果表明:化学机械抛光中的主要作用为磨粒的机械作用;材料的去除率... 设计了3种不同的抛光液并进行一系列抛光试验,得到机械、化学及其交互作用所引起的材料去除率,分析了化学机械抛光时硅片与抛光垫之间接触形式的判别方法及其抛光机理.结果表明:化学机械抛光中的主要作用为磨粒的机械作用;材料的去除率主要为磨粒与抛光液交互作用所引起的材料去除率;硅片表面材料的去除形式主要为化学作用下的二体磨粒磨损;化学机械抛光时硅片与抛光垫之间的接触形式为实体接触. 展开更多
关键词 化学机械抛光 材料去除机理 材料去除率 磨粒磨损 接触形式
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