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一种HTCC基板的微流道结构设计
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作者 王宁 黄志刚 +5 位作者 吴桂青 党军杰 李斌 汪旭 程凡 何仓宝 《半导体技术》 北大核心 2026年第2期200-204,共5页
随着集成电路向小型化、高集成度、高密度、大功率等方向发展,散热问题已成为制约其技术突破的关键因素。微流道散热技术因具备低热阻、高效率及可集成化等优势,已成为近年来快速发展的散热技术之一。设计了高温共烧陶瓷(HTCC)基板微流... 随着集成电路向小型化、高集成度、高密度、大功率等方向发展,散热问题已成为制约其技术突破的关键因素。微流道散热技术因具备低热阻、高效率及可集成化等优势,已成为近年来快速发展的散热技术之一。设计了高温共烧陶瓷(HTCC)基板微流道的有限元仿真模型;仿真分析了不同材料、结构、微流道宽度及入口流量等参数对基板散热性能的影响;基于AlN HTCC基板工艺,同时考虑入水口驱动泵的功率约束,制备了换层微流道结构。实验结果显示,换层微流道基板的仿真最高温度为46.94℃,实测最高温度为50.8℃,误差约为8.22%,满足400 W功率芯片的散热要求。 展开更多
关键词 微流道 AlN HTCC基板 热仿真 散热 低热阻
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He^(+)注入铌酸锂缺陷演化与剥离的温度效应研究
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作者 陈峙洋 王旭 +4 位作者 朱代磊 高艺卓 王跃东 罗文博 张万里 《压电与声光》 北大核心 2026年第1期114-119,共6页
离子注入剥离技术制备的铌酸锂单晶薄膜被广泛应用于声表面波滤波器。铌酸锂的剥离行为对高质量铌酸锂单晶薄膜制备影响巨大。研究表明,Y切铌酸锂因在退火中形成沿(012)解理面生长的缺陷而表现出特殊的卷曲剥离现象,该剥离行为较通常起... 离子注入剥离技术制备的铌酸锂单晶薄膜被广泛应用于声表面波滤波器。铌酸锂的剥离行为对高质量铌酸锂单晶薄膜制备影响巨大。研究表明,Y切铌酸锂因在退火中形成沿(012)解理面生长的缺陷而表现出特殊的卷曲剥离现象,该剥离行为较通常起泡剥离行为具有较低的激活能,有利于在低温中实现铌酸锂薄膜的转移,但其他解理面对剥离行为的影响有待进一步研究。本文研究了Y15°切He^(+)注入铌酸锂后在不同退火温度下的剥离行为,利用光学显微镜记录了铌酸锂在不同热处理温度下的剥离行为。基于离子注入仿真,采用X线衍射和透射电子显微镜分析了铌酸锂剥离行为与解理面之间的关系。研究发现,Y15°切He^(+)注入铌酸锂的剥离行为取决于不同退火温度形成的微裂纹沿特定解理面的生长特性。该研究有利于Y15°切铌酸锂单晶薄膜的制备,为阐释解理面对铌酸锂剥离行为的影响机制提供了实验依据。 展开更多
关键词 铌酸锂单晶薄膜 离子注入剥离 解理面 退火 微裂纹 透射电子显微镜
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新型微杠杆增强MEMS加速度计的设计与制作
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作者 耿志鹏 苗斌 +3 位作者 冯昌坤 陶金燕 李淑娴 李加东 《传感器与微系统》 北大核心 2026年第1期106-110,共5页
为提升MEMS加速度计的灵敏度,提出并设计了一种新型微杠杆增强MEMS加速度计。利用有限元分析工具对有、无微杠杆结构的双摆式加速度计进行了仿真计算。结果显示增加杠杆结构后扭转梁的等效应力集中只有无杠杆结构时等效应力水平的47%,... 为提升MEMS加速度计的灵敏度,提出并设计了一种新型微杠杆增强MEMS加速度计。利用有限元分析工具对有、无微杠杆结构的双摆式加速度计进行了仿真计算。结果显示增加杠杆结构后扭转梁的等效应力集中只有无杠杆结构时等效应力水平的47%,并且检验质量块位移为无杠杆结构时的3.5倍。进一步对杠杆结构辅助双摆式加速度计进行了工艺路线设计和制作,并将敏感结构与信号检测电路进行了集成。测试结果表明:新型加速度计的灵敏度达到179.13 mV/g,通过零偏稳定性计算,Allan方差为2.15 mg/h。研究结果可以为MEMS加速度计提升灵敏度的研究提供参考。 展开更多
关键词 MEMS加速度计 微杠杆 灵敏度 零偏稳定性
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AlN单晶片的单面机械抛光工艺研究
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作者 高飞 王英民 +2 位作者 程红娟 李晖 辛倩 《固体电子学研究与进展》 2026年第1期22-27,共6页
为了提升AlN单晶片在塑性去除模式下的加工效率,对AlN单晶的机械抛光工艺进行了系统试验。研究了磨盘材质、磨料粒径、研磨压力、研磨盘转速、磨盘开槽、磨料化学组分等工艺参数对AlN单晶片去除速率的影响规律。试验结果表明:树脂锡盘... 为了提升AlN单晶片在塑性去除模式下的加工效率,对AlN单晶的机械抛光工艺进行了系统试验。研究了磨盘材质、磨料粒径、研磨压力、研磨盘转速、磨盘开槽、磨料化学组分等工艺参数对AlN单晶片去除速率的影响规律。试验结果表明:树脂锡盘可以实现全塑性域加工;在采用树脂锡盘研磨时,随着金刚石粒径的增大,去除速率呈现了先增大后减小的趋势;树脂锡盘开槽平台宽度越小,去除速率越大且表面质量越好;通过在研磨液中添加三乙醇胺,可以通过促进AlN的水解反应提升去除速率。 展开更多
关键词 AlN单晶 机械抛光 材料去除速率 塑性去除 表面质量
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基于28 nm CMOS技术平台的STI无接缝填充工艺研究
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作者 刘聪 李华曜 +1 位作者 张欢欢 刘欢 《功能材料与器件学报》 2026年第1期105-112,共8页
本文针对28 nm互补金属-氧化物-半导体(complementary metal-oxide-semiconductor,CMOS)工艺中高深宽比、非标准V形浅沟槽隔离(shallow trench isolation,STI)结构所面临的填充挑战展开研究。该结构易在填充后中心形成接缝,影响器件隔... 本文针对28 nm互补金属-氧化物-半导体(complementary metal-oxide-semiconductor,CMOS)工艺中高深宽比、非标准V形浅沟槽隔离(shallow trench isolation,STI)结构所面临的填充挑战展开研究。该结构易在填充后中心形成接缝,影响器件隔离可靠性。为此,本研究提出采用高深宽比工艺(high aspect ratio process,HARP)沉积与后蒸汽高温退火相结合的方案,旨在实现无接缝填充。本研究通过交叉实验,系统分析新型HARP沉积与创新高温退火工艺对氧化硅薄膜收缩率及沟槽接缝形貌的影响。实验结果表明,仅依靠单一工艺优化无法完全消除V形结构底部的微缝。最终的解决方案强调工艺协同:将新型HARP沉积与脉冲式高温退火相结合,并在退火过程中引入氯化氢(HCl)作为辅助气体。该协同工艺可精确调控薄膜的致密化过程,并利用HCl的气相刻蚀作用有效清除界面薄弱区,从而在高深宽比、非标准V形STI结构内实现高质量的无接缝填充。本研究为先进技术节点复杂三维结构的集成提供了有效的工艺路径。 展开更多
关键词 28 nm CMOS 高深宽比 沟槽填充 无接缝
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一种基于补偿板调节的照明均匀性校正方法
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作者 宫晨 高爱梅 +1 位作者 付纯鹤 刘士超 《电子工业专用设备》 2026年第1期23-27,共5页
图形成像技术是半导体制造的核心工艺,其照明均匀性直接影响晶圆表面特征尺寸的一致性(CDU)。传统静态滤波板法因无法适应多光瞳模式动态调节,难以满足先进制程需求。为此,提出一种动态校正方法,通过构建补偿板位置与光强分布的数学模型... 图形成像技术是半导体制造的核心工艺,其照明均匀性直接影响晶圆表面特征尺寸的一致性(CDU)。传统静态滤波板法因无法适应多光瞳模式动态调节,难以满足先进制程需求。为此,提出一种动态校正方法,通过构建补偿板位置与光强分布的数学模型,结合线性插值算法与迭代优化策略,实现了多光瞳模式下的自适应均匀性控制。实验表明该方法可将晶圆面照明狭缝内的均匀性指标提高到0.6%以下,为高精度成像系统的均匀性控制提供了理论框架与工程实践方法。 展开更多
关键词 照明均匀性 光瞳 动态校正
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基于模糊自适应PID的晶圆键合台温度控制
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作者 徐星宇 李早阳 +5 位作者 史睿菁 王成君 杨垚 王君岚 罗金平 张辉 《电子工艺技术》 2026年第1期6-9,共4页
为了解决传统增量式PID难以满足晶圆键合台温度控制需求的问题,提出了一种基于模糊自适应PID的温度控制策略。通过引入模糊控制理论,实现了PID控制参数的实时调整。开展了晶圆键合台三维热量传递数值仿真并对不同PID的控温精度进行对比... 为了解决传统增量式PID难以满足晶圆键合台温度控制需求的问题,提出了一种基于模糊自适应PID的温度控制策略。通过引入模糊控制理论,实现了PID控制参数的实时调整。开展了晶圆键合台三维热量传递数值仿真并对不同PID的控温精度进行对比分析。结果表明,相较于传统增量式PID,模糊自适应PID使温度最大负偏差降低了57%,最大正偏差降低了81%,并满足最大超调量低于3℃的要求。研究结果为晶圆键合台的高效稳定运行提供了新的技术途径。 展开更多
关键词 晶圆键合台 模糊自适应PID 温度控制 数值模拟
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产教融合视域下高职半导体制造现场工程师培养路径研究
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作者 罗琴 《家电维修》 2026年第2期43-45,共3页
产教融合是高职现场工程师人才培养的重要路径,本文从产业背景、职业教育新发展、政策文件等阐述现场工程师人才培养的必要性,分析当前现场工程师人才培养存在的不足,剖析现场工程师岗位胜任力关键要素,结合半导体制造现场工程师培养实... 产教融合是高职现场工程师人才培养的重要路径,本文从产业背景、职业教育新发展、政策文件等阐述现场工程师人才培养的必要性,分析当前现场工程师人才培养存在的不足,剖析现场工程师岗位胜任力关键要素,结合半导体制造现场工程师培养实践,探究现场工程师人才培养的有效路径。 展开更多
关键词 产教融合 半导体制造 现场工程师
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C掺Sb_(2)Te_(3)相变薄膜在柔性衬底PI上的性能研究
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作者 潘晨杰 高士伟 吴良才 《东华大学学报(自然科学版)》 北大核心 2026年第1期105-111,共7页
相变存储器(PCM)是一种极具发展前景的柔性电子存储技术,但传统PCM的研究大多基于刚性衬底,无法满足柔性化的需求。选择在柔性衬底聚酰亚胺(PI)上制备了碳(C)掺杂Sb_(2)Te_(3)(C-Sb_(2)Te_(3)/PI)相变薄膜及器件单元,并研究了弯曲对薄... 相变存储器(PCM)是一种极具发展前景的柔性电子存储技术,但传统PCM的研究大多基于刚性衬底,无法满足柔性化的需求。选择在柔性衬底聚酰亚胺(PI)上制备了碳(C)掺杂Sb_(2)Te_(3)(C-Sb_(2)Te_(3)/PI)相变薄膜及器件单元,并研究了弯曲对薄膜相变性能的影响。结果表明,C-Sb_(2)Te_(3)/PI薄膜在未弯曲及弯曲1000、5000和10000次后仍能完成相变过程且高低阻值稳定,具有良好的抗弯曲性能。多次弯曲未对薄膜的晶体结构和微观形貌产生影响。使用光刻工艺制备的C-Sb_(2)Te_(3)器件单元具有较快的相变速度(10 ns)和良好的循环特性(10~3次左右)。因此,C-Sb_(2)Te_(3)/PI在柔性存储器领域表现出应用潜力。 展开更多
关键词 C掺Sb_(2)Te_(3) PI 柔性电子存储技术 抗弯曲 循环特性
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细束径离子束变去除函数加工工艺及补偿
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作者 毛旭 张峰 +3 位作者 唐瓦 胡海翔 季鹏 张学军 《光学精密工程》 北大核心 2026年第3期353-364,共12页
为了实现离子束对高精度光学表面的确定性加工,加强对加工过程中离子束去除函数的精确控制,建立细束径离子束的变去除函数补偿模型。实现对加工过程中细束径变去除函数问题的研究、分析、补偿和优化。根据实际加工中去除函数不稳定的问... 为了实现离子束对高精度光学表面的确定性加工,加强对加工过程中离子束去除函数的精确控制,建立细束径离子束的变去除函数补偿模型。实现对加工过程中细束径变去除函数问题的研究、分析、补偿和优化。根据实际加工中去除函数不稳定的问题进行理论分析,结合理论推导探究影响去除函数的直接因素和间接因素,直接因素包括热积累和能量分配问题,间接因素为驻留时间和进给速度。通过动态去除函数实验验证驻留时间对加工过程中去除速率的影响,对两组不同尺寸束径的实验证明了该规律的重复性。最后,提出了基于进给速度对去除速率的影响规律给出补偿方案及加工建议。实验结果表明:通过控制驻留时间/进给速度的方式,可以有效提高细束径在高精度光学表面的加工收敛率。在亚纳米光学加工的实验验证中,在100 mm ULE平面反射镜上达到0.332 nm RMS的加工结果,满足细束径离子束在实际应用中的稳定可靠、精度高、确定性强等要求。 展开更多
关键词 光学加工 离子束加工 细束径 变去除函数 驻留时间 非线性补偿
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周期性光学薄膜应力建模
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作者 董莹 刘莹奇 +3 位作者 陶忠 贠平平 胡荣 韩娟妮 《应用光学》 北大核心 2026年第1期73-79,共7页
光学薄膜应力会严重影响光学器件的表面面形,研究多层薄膜残余应力是高面形精度多层薄膜器件研制的核心。基于膜系结构和工艺过程重构周期性多层膜结构,建立了周期性多层膜残余应力模型,此模型与中心波长λ_(0)、单周期应力σ_(C)、周期... 光学薄膜应力会严重影响光学器件的表面面形,研究多层薄膜残余应力是高面形精度多层薄膜器件研制的核心。基于膜系结构和工艺过程重构周期性多层膜结构,建立了周期性多层膜残余应力模型,此模型与中心波长λ_(0)、单周期应力σ_(C)、周期数m及周期间应力σ_(C|C)有关。设计了中心波长λ_(0)=900 nm的周期性多层膜,使用应力模型估测残余应力,沉积该样片并通过基底形变法测试残余应力。测试结果表明,使用应力模型估测的残余应力与实测残余应力的误差约为30%,证明建立的周期性多层膜应力模型具有较高的精确度,适用于周期性多层膜应力估测。 展开更多
关键词 光学薄膜 膜层应力 周期性多层膜 表面面形 界面应力
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构建半导体装备与零部件协同验证体系
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作者 罗宗 张威 李明 《电子工业专用设备》 2026年第1期1-5,48,共6页
对当前半导体装备国产化进程中,国产零部件与装备的协同验证常陷标准碎片化、沟通断层、数据孤岛困境,适配效率低、研发周期长的问题制约供应链自主可控进行了论述。围绕该痛点,构建含统一标准体系、协同组织机制、验证平台三大核心模... 对当前半导体装备国产化进程中,国产零部件与装备的协同验证常陷标准碎片化、沟通断层、数据孤岛困境,适配效率低、研发周期长的问题制约供应链自主可控进行了论述。围绕该痛点,构建含统一标准体系、协同组织机制、验证平台三大核心模块的协同验证体系,通过统一技术流程数据标准、健全牵头协调与信息共享机制、搭建硬件与数字化平台,助力提升国产零部件适配成功率、缩短装备研发周期,为半导体产业供应链韧性建设提供支撑。同时,该体系有助于打破国外技术垄断,提高我国半导体产业的自主可控能力,增强产业供应链的韧性。 展开更多
关键词 统一标准 半导体装备 国产零部件 供应商 协同验证 体系构建
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12 in双轴DS9260划片机切割位置精度控制研究
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作者 王义 《今日制造与升级》 2026年第1期31-33,共3页
文章针对12 in硅片加工中划片机切割位置精度对芯片良率的关键影响,结合现有双轴划片机协同误差大、环境适应性弱、监测滞后等问题,构建双轴协同数字化控制模块、多因素耦合数字化精度补偿模型、实时信息化监测系统,实现切割位置精度提... 文章针对12 in硅片加工中划片机切割位置精度对芯片良率的关键影响,结合现有双轴划片机协同误差大、环境适应性弱、监测滞后等问题,构建双轴协同数字化控制模块、多因素耦合数字化精度补偿模型、实时信息化监测系统,实现切割位置精度提升与稳定性优化。实验表明,该技术可将切割位置精度控制在±2.5μm以内,温度变化5℃时精度波动控制在0.5μm以内,优于传统设备,为半导体大尺寸硅片精密切割提供了技术支撑。 展开更多
关键词 12 in 双轴DS9260划片机 切割位置 精度控制 技术创新
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碳化硅衬底晶圆减薄砂轮的设计与开发
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作者 王余波 《今日自动化》 2026年第1期67-69,共3页
碳化硅(SiC)是一种先进的半导体材料,在半导体领域,特别是功率器件制造产业中有着广泛应用。在碳化硅晶圆减薄加工环节,其减薄砂轮的性能优劣对晶圆产品的整体质量有着重要影响。基于国产碳化硅晶圆减薄砂轮现存的稳定性差、成本高等端... 碳化硅(SiC)是一种先进的半导体材料,在半导体领域,特别是功率器件制造产业中有着广泛应用。在碳化硅晶圆减薄加工环节,其减薄砂轮的性能优劣对晶圆产品的整体质量有着重要影响。基于国产碳化硅晶圆减薄砂轮现存的稳定性差、成本高等端,文章聚焦于碳化硅衬底晶圆减薄砂轮的开发,从材料、工艺、结构等多维度进行技术创新优化,以制备出新型复合材料高寿命碳化硅减薄砂轮。经砂轮材料配方和结构设计优化后,能够满足碳化硅晶圆高精度加工要求,有效降低了磨耗和破片率,提高了产品寿命,可实现降本增效,推动国产砂轮替代进口产品。 展开更多
关键词 碳化硅 晶圆减薄 砂轮 结合剂 多孔结构
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芯片生产技术的发展历程与展望
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作者 李西军 孙新祚 《四川师范大学学报(自然科学版)》 2026年第1期1-12,F0002,共13页
系统回顾芯片生产技术的发展历程,从早期的平面晶体管技术,到当前主流的鳍式场效应晶体管(FinFET),再到未来即将普及的三维环栅晶体管(GAA).分析光刻、刻蚀、薄膜沉积、掺杂等关键芯片制造工艺的演进历程.结合当前地缘政治因素对我国集... 系统回顾芯片生产技术的发展历程,从早期的平面晶体管技术,到当前主流的鳍式场效应晶体管(FinFET),再到未来即将普及的三维环栅晶体管(GAA).分析光刻、刻蚀、薄膜沉积、掺杂等关键芯片制造工艺的演进历程.结合当前地缘政治因素对我国集成电路产业的影响,探讨未来芯片生产技术的可能发展方向,并提出我国在关键装备、材料和工艺上的突破路径. 展开更多
关键词 芯片 微纳加工技术 平面CMOS晶体管 FinFET晶体管 环栅晶体管(GAA)
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半导体后道封装制程(切割-去毛刺-分选)综合优化研究
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作者 韩英岩 齐晓东 《现代工业工程》 2026年第3期218-220,共3页
半导体后道封装流程中的切割-去毛刺-分选制程,是衔接上游晶圆加工与下游芯片成品交付的核心环节,其制程间的整体协同性与管控水平,直接决定芯片制造的成品率、芯片外观质量的一致性,以及芯片后续应用场景的适配性。对该串联制程开展综... 半导体后道封装流程中的切割-去毛刺-分选制程,是衔接上游晶圆加工与下游芯片成品交付的核心环节,其制程间的整体协同性与管控水平,直接决定芯片制造的成品率、芯片外观质量的一致性,以及芯片后续应用场景的适配性。对该串联制程开展综合优化,对提升半导体封装环节的生产效率、稳定封装质量具有重要意义。切割制程的核心职能是把控晶圆向独立芯片单元分离的精度,直接决定芯片初始尺寸的合规性;去毛刺制程聚焦消除切割后芯片边缘残留的毛刺缺陷,保障芯片外观与结构完整性;分选制程则负责依据预设的芯片性能标准与外观标准,完成芯片的精准分类筛选,确保成品芯片质量达标。三者在工艺逻辑与质量管控上存在紧密且不可分割的关联,若仅针对单一制程开展优化,极易引发整体封装流程的失衡,导致效率与质量无法同步提升。通过构建制程参数联动匹配体系、开展设备协同改造、引入全流程质量追溯机制三大技术手段,可实现切割精度的稳定提升、去毛刺效果的均匀彻底,以及分选效率的同步优化,打破以往各制程独立优化的局限,为半导体后道封装制程实现提质增效、降低不良品率提供科学的技术路径。 展开更多
关键词 半导体后道封装 切割制程 去毛刺制程 分选制程 制程优化
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半导体封装行业MES系统集成技术研究
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作者 周建华 蔡绪峰 周秀峰 《微型计算机》 2026年第3期76-78,共3页
半导体封装行业系统建设面临着信息孤岛问题,MES、ERP和PLM系统之间缺乏高效的集成机制,影响了生产效率和质量管理。文章基于半导体封装企业MES系统建设经验,提出了一种基于微服务架构和API网关的集成技术方案。通过将物料管理、工单协... 半导体封装行业系统建设面临着信息孤岛问题,MES、ERP和PLM系统之间缺乏高效的集成机制,影响了生产效率和质量管理。文章基于半导体封装企业MES系统建设经验,提出了一种基于微服务架构和API网关的集成技术方案。通过将物料管理、工单协调、BOM、工艺路线同步等关键环节实现集成,实践证明方案显著提高了生产透明度、响应速度和跨部门协作效率,解决了数据孤岛问题,推动了生产过程标准化和质量追溯能力的提升,为半导体封装行业的智能制造和持续优化提供了有力支持。 展开更多
关键词 半导体封装 MES系统 系统集成 微服务架构
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AMHS系统搬运效率仿真分析及优化设计
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作者 彭新华 李广 姚劭诚 《信息产业报道》 2026年第1期0044-0046,共3页
自动物料搬送系统(Automatic Material Handling System, AHMS)作为物料存储及投递自动化生产的核心系统。如何有效提升晶圆制造 AMHS 的搬运效率及可靠性也一直是半导体晶圆制造系统高效发展亟需解决的问题。文章以整体式AMHS 为研究对... 自动物料搬送系统(Automatic Material Handling System, AHMS)作为物料存储及投递自动化生产的核心系统。如何有效提升晶圆制造 AMHS 的搬运效率及可靠性也一直是半导体晶圆制造系统高效发展亟需解决的问题。文章以整体式AMHS 为研究对象,构建了一种基于匈牙利算法的 AMHS 调度方法(HABS 调度算法)来提升搬运效率。 展开更多
关键词 晶圆制造 实时最优指派 搬运效率 HABS 调度方法
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单晶硅棒自动打码技术
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作者 孔德红 葸积苍 +1 位作者 马有福 刘梓毅 《金属加工(冷加工)》 2026年第2期83-85,90,共4页
针对单晶硅棒端面进行自动打码技术,首先在打码前工位通过RFID读取托盘底部芯片码信息,读取到的信息自动存储于HMI界面;然后根据圆棒直径调用不同打码机文档并延时写入HMI码信息;最后利用伺服轴定位,成功实现了激光自动打码,实现了产品... 针对单晶硅棒端面进行自动打码技术,首先在打码前工位通过RFID读取托盘底部芯片码信息,读取到的信息自动存储于HMI界面;然后根据圆棒直径调用不同打码机文档并延时写入HMI码信息;最后利用伺服轴定位,成功实现了激光自动打码,实现了产品溯源。 展开更多
关键词 单晶硅棒 RFID HMI码 激光打码
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“精细电子束离子束及其在半导体工艺和分析装备中的应用”专辑征稿启事
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作者 《真空电子技术》编辑部 《真空电子技术》 2026年第1期I0002-I0002,共1页
进度安排征稿截止日期:2026年5月31日预计出版日期:2026年第4期(8月份)投稿须知:请登录《真空电子技术》官网(https://zkdj. cbpt. cnki. net)作者投稿系统进行注册投稿,投稿时需在文章题名前标注“精细电子束离子束及其在半导体工艺和... 进度安排征稿截止日期:2026年5月31日预计出版日期:2026年第4期(8月份)投稿须知:请登录《真空电子技术》官网(https://zkdj. cbpt. cnki. net)作者投稿系统进行注册投稿,投稿时需在文章题名前标注“精细电子束离子束及其在半导体工艺和分析装备中的应用”专辑,便于稿件分类处理。来稿请使用Word软件排版,论文格式严格参照官网“论文模板”栏目下载的模板规范撰写,确保图表、公式、参考文献等格式统一规范。论文一经录用,作者需提供所在单位出具的论文保密审查证明,确保稿件内容无涉密信息,符合国家及行业保密相关规定。 展开更多
关键词 分析装备 离子束 半导体工艺 精细电子束
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