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Ge对新型低温烧结简单组分ZnBiMnO压敏陶瓷的影响
1
作者 陈苗苗 赵鸣 +4 位作者 崔承昊 刘卓承 陈华 杜永胜 邓磊波 《材料导报》 北大核心 2025年第18期30-34,共5页
Ge掺杂对ZnO基压敏陶瓷的影响尚未被澄清。因此,采用固相工艺经975℃低温烧结3 h制备了0%~0.15%(摩尔分数)GeO_(2)掺杂的ZnBiMnO简单组分压敏陶瓷。在此基础上,采用XRD、SEM及高精度源表等研究了Ge含量变化对所制备样品的显微结构和压... Ge掺杂对ZnO基压敏陶瓷的影响尚未被澄清。因此,采用固相工艺经975℃低温烧结3 h制备了0%~0.15%(摩尔分数)GeO_(2)掺杂的ZnBiMnO简单组分压敏陶瓷。在此基础上,采用XRD、SEM及高精度源表等研究了Ge含量变化对所制备样品的显微结构和压敏性能的影响。结果表明:GeO_(2)会促使ZnBiMnO压敏陶瓷形成Bi_(24)GeO_(38)新第二相,并在0%~0.06%(摩尔分数)范围内显著优化压敏特性。仅0.06%(摩尔分数)GeO_(2)就能使非线性系数α高达49.4,压敏电压E_(B)为338.10 V/mm,同时漏电流密度J_(L)低至6.09μA/cm^(2)。研究结果可为低压ZnO基压敏电阻的制备提供新的备选材料。 展开更多
关键词 Ge ZnBiMnO压敏陶瓷 显微结构 压敏性能
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TiO_2压敏电阻的现状与展望 被引量：12
2
作者 张小文 甘国友 +2 位作者 严继康 季惠明 陈朝霞 《材料导报》 EI CAS CSCD 2003年第8期41-43,50,共4页
概括了TiO_2压敏电阻的发展与现状,详细讨论了微观结构、掺杂及工艺对TiO_2压敏陶瓷电学性能的影响。根据目前国內外市场状况及其发展趋势,发展多学科交叉研究、优选组分、改进工艺是进一步改善材料性能的关键。在新形势下,开发高质量... 概括了TiO_2压敏电阻的发展与现状,详细讨论了微观结构、掺杂及工艺对TiO_2压敏陶瓷电学性能的影响。根据目前国內外市场状况及其发展趋势,发展多学科交叉研究、优选组分、改进工艺是进一步改善材料性能的关键。在新形势下,开发高质量、多功能TiO_2压敏电阻器,将极具市场前景和经济效益。 展开更多
关键词 TiO2压敏电阻 微观结构 电学性能 二氧化钛 半导体
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低压ZnO压敏电阻材料研究及发展概况 被引量：19
3
作者 张丛春 周东祥 龚树萍 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期343-347,共5页
概述了低压ZnO压敏电阻材料的制备工艺、应用技术、粉料制备 ,以及晶界特性、导电模型、老化机理的研究进展和研究中存在的问题 ,并对以后的发展方向进行了展望。着重讲述了掺杂物对烧结过程、晶粒生长和晶界结构的作用以及显微结构 (... 概述了低压ZnO压敏电阻材料的制备工艺、应用技术、粉料制备 ,以及晶界特性、导电模型、老化机理的研究进展和研究中存在的问题 ,并对以后的发展方向进行了展望。着重讲述了掺杂物对烧结过程、晶粒生长和晶界结构的作用以及显微结构 (晶粒大小及晶界状态 )均匀性对电性能和老化特性的影响 ,并提出了改善老化性能的关键措施。 展开更多
关键词 低压压敏电阻 显微结构 晶界 老化 氧化锌陶瓷
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微波烧结ZnO压敏电阻的可行性研究 被引量：9
4
作者 李磊 许业文 +3 位作者 林枞 徐政 孙丹峰 彭虎 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2007年第3期41-43,共3页
采用微波烧结工艺制备了ZnO压敏电阻，研究了其致密化过程，运用XRD、SEM、电性能测试等手段，分析了烧结温度对其微观结构和电性能的影响。结果表明：微波烧结工艺不仅可显著提高ZnO压敏电阻的致密化，而且能够改善材料的微观结构和电... 采用微波烧结工艺制备了ZnO压敏电阻，研究了其致密化过程，运用XRD、SEM、电性能测试等手段，分析了烧结温度对其微观结构和电性能的影响。结果表明：微波烧结工艺不仅可显著提高ZnO压敏电阻的致密化，而且能够改善材料的微观结构和电性能。微波工艺的烧结周期仅是传统工艺的1／10～1／8。微波烧结样品的小电流特性有所提升；其通流量为11．6kA，比商用ZnO压敏电阻（7.75kA）高。 展开更多
关键词 无机非金属材料 ZNO压敏电阻 微波烧结 微观结构 电性能
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烧结温度对TiO_2压敏陶瓷性能的影响 被引量：7
5
作者 陈海芳 甘国友 +1 位作者 严继康 张小文 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期135-136,142,共3页
Ti O2压敏陶瓷是一种新型的半导体双功能元件,具有压敏电压低、非线性系数大、介电常数高等许多突出的优点,广泛用于中低压领域中作为过电压保护和浪涌吸收元件。主要研究了烧结温度对Ti O2压敏陶瓷电性能的影响。研究中发现,随着烧结... Ti O2压敏陶瓷是一种新型的半导体双功能元件,具有压敏电压低、非线性系数大、介电常数高等许多突出的优点,广泛用于中低压领域中作为过电压保护和浪涌吸收元件。主要研究了烧结温度对Ti O2压敏陶瓷电性能的影响。研究中发现,随着烧结温度的升高,Ti O2压敏陶瓷有压敏电压降低、非线性系数升高的趋势。在1400℃烧结时显示出较低的压敏电压V1mA=5.12V·mm-1,较好的非线性系数a=5.2,和较高的介电常数εr=3.7×104。 展开更多
关键词 二氧化钛 压敏陶瓷 烧结温度 TIO2压敏陶瓷 陶瓷性能 非线性系数 压敏电压 介电常数 过电压保护 功能元件
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探空温度传感器的太阳辐射误差研究 被引量：8
6
作者 杨荣康 戴伟 +2 位作者 刘清惓 张加宏 李敏 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2013年第1期13-16,共4页
伴随着数值天气预报和气候变化研究精细化程度的不断提高,希望探空温度传感器的观测精度达到0.1 K数量级。为了实现此目标,运用计算流体动力学(CFD)方法对珠状热敏电阻器从海平面上升至32 km高空的整个过程进行太阳辐射误差数值分析。... 伴随着数值天气预报和气候变化研究精细化程度的不断提高,希望探空温度传感器的观测精度达到0.1 K数量级。为了实现此目标,运用计算流体动力学(CFD)方法对珠状热敏电阻器从海平面上升至32 km高空的整个过程进行太阳辐射误差数值分析。在此基础上,针对影响测温精度的引线、引线夹角大小以及太阳照射角度进行分析与探讨,获得其与太阳辐射误差的内在联系。数值求解结果表明:引线、引线夹角大小以及太阳照射角度是太阳辐射误差的重要影响因子。海拔高度与太阳辐射误差之间呈现出随海拔高度的增加斜率不断增大的类指数函数关系。 展开更多
关键词 探空温度传感器 珠状热敏电阻器 太阳辐射误差 计算流体动力学 数值模拟
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低温烧结非线性Zn-Bi/Sn系压敏瓷料的研究 被引量：12
7
作者 周东祥 周莉 龚树萍 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2002年第3期18-19,共2页
为了在较低烧成温度条件下制备电性能优异的压敏电阻器,通过制备Bi2O3/SnO2合成粉的方法在870～950℃的温度范围内研制出压敏场强为210～260 V/mm,漏电流小于1 ??,非线性系数大于40的压敏电阻器.本文系统研究了Bi2O3/SnO2合成粉含量及... 为了在较低烧成温度条件下制备电性能优异的压敏电阻器,通过制备Bi2O3/SnO2合成粉的方法在870～950℃的温度范围内研制出压敏场强为210～260 V/mm,漏电流小于1 ??,非线性系数大于40的压敏电阻器.本文系统研究了Bi2O3/SnO2合成粉含量及不同烧结温度对ZnO压敏电阻材料结构和电性能的影响.用高分辨率扫描电镜对瓷体结构进行了分析;依据液相烧结理论和双肖特基模型对实验结果进行了讨论. 展开更多
关键词 低温烧结 氧化锌 压敏陶瓷 压敏电阻
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掺钽对二氧化钛压敏电阻性能的影响 被引量：3
8
作者 李长鹏 王矜奉 +3 位作者 陈洪存 苏文斌 钟维烈 张沛霖 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期622-624,共3页
研究了钽对二氧化钛压敏电阻性能的影响。研究中发现掺入 0 .2 5mol %Ta2 O5的样品显示出最低的反转电压 (Eb= 6V/mm)、最高的非线性常数 (α =8.8)以及最高的相对介电常数 (εr=6 .2× 10 4 ) ,与样品电容和电阻的频谱特性相一致... 研究了钽对二氧化钛压敏电阻性能的影响。研究中发现掺入 0 .2 5mol %Ta2 O5的样品显示出最低的反转电压 (Eb= 6V/mm)、最高的非线性常数 (α =8.8)以及最高的相对介电常数 (εr=6 .2× 10 4 ) ,与样品电容和电阻的频谱特性相一致。样品的性能变化可用Ta5+ 对Ti4 + 展开更多
关键词 压敏材料 二氧化钛 电学性能 频谱 钽 掺杂
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纳米复合粉体制备压敏陶瓷的晶界相变及稳定性 被引量：4
9
作者 康雪雅 陶明德 +2 位作者 王天雕 韩英 涂铭旌 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2003年第1期13-16,共4页
研究了纳米复合压敏陶瓷粉体制备的微型压敏芯片在不同温度退火前后电性能的稳定性,不同退火温度下晶界相结构的转变;研究确定了晶界耗尽层间隙锌离子的缺陷类型、缺陷密度与退火温度的关系,在此基础上提出了对稳定性做出贡献的晶界相... 研究了纳米复合压敏陶瓷粉体制备的微型压敏芯片在不同温度退火前后电性能的稳定性,不同退火温度下晶界相结构的转变;研究确定了晶界耗尽层间隙锌离子的缺陷类型、缺陷密度与退火温度的关系,在此基础上提出了对稳定性做出贡献的晶界相变和间隙锌离子迁移的复合模型。 展开更多
关键词 纳米复合材料 压敏陶瓷 晶界相变 稳定性
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Sb掺杂对ZnO-V_2O_5多元系压敏电阻的影响 被引量：5
10
作者 赵鸣 王卫民 +1 位作者 刘向春 田长生 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第6期839-842,853,共5页
本文研究了V/Sb预合成粉、SbVO4和Sb2O3等三种不同形式的Sb掺杂对ZnO-V2O5基压敏陶瓷结构和性能的影响。化学计量比不变情况下,上述Sb掺杂方式的改变,使烧结过程中Sb3+离子在陶瓷样品中的浓度上升,促进Zn7Sb2O12型尖晶石相形成,材料晶... 本文研究了V/Sb预合成粉、SbVO4和Sb2O3等三种不同形式的Sb掺杂对ZnO-V2O5基压敏陶瓷结构和性能的影响。化学计量比不变情况下,上述Sb掺杂方式的改变,使烧结过程中Sb3+离子在陶瓷样品中的浓度上升,促进Zn7Sb2O12型尖晶石相形成,材料晶粒随之细化。同时材料的压敏电压出现大幅上升,而非线性系数和漏电流密度受Sb掺杂形式的变化影响不大。Sb以V/Sb预合成粉进行掺杂可以获得较大尺寸的晶粒,有利于材料在低压方面的应用。 展开更多
关键词 SB 掺杂 ZNO 压敏电阻
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ZnO基压敏陶瓷烧结机理研究进展 被引量：8
11
作者 赵鸣 高静 韩佳 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第19期95-100,122,共7页
ZnO基压敏陶瓷是应用最为广泛的压敏电阻材料。它本质上属于晶界功能特性材料,其性能与烧结过程中液相的形成、传质和物相反应等密切相关。上述烧结机理相关问题是理解ZnO基压敏陶瓷晶界功能特性形成,并进而通过对其烧结过程、显微结构... ZnO基压敏陶瓷是应用最为广泛的压敏电阻材料。它本质上属于晶界功能特性材料,其性能与烧结过程中液相的形成、传质和物相反应等密切相关。上述烧结机理相关问题是理解ZnO基压敏陶瓷晶界功能特性形成,并进而通过对其烧结过程、显微结构的控制来调控其性能的基础。从主要液相形成元素、对显微形貌有显著控制作用的元素和其它元素影响3方面综述ZnO基压敏陶瓷烧结机理研究领域的最新进展,在此基础上概述研究进展的典型应用,并总结现存的问题,可为本领域及相关领域内研究者提供参考和借鉴。 展开更多
关键词 ZNO 压敏陶瓷 烧结
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低压双功能TiO_2压敏陶瓷的研究 被引量：5
12
作者 严继康 甘国友 +3 位作者 杜景红 张开文 季惠明 徐廷献 《昆明理工大学学报（理工版）》 2003年第2期30-33,45,共5页
采用一次烧成工艺制备了具有电容性和压敏性双功能TiO_2陶瓷。考察了Nb_2O_5施主掺杂对TiO_2压敏陶瓷的显微结构、介电性能和压敏性能的影响。结果表明:随Nb_2O_5掺杂量的增加,样品的晶粒粒径变大、晶界层变薄;压敏电压V_(1mA)减小、非... 采用一次烧成工艺制备了具有电容性和压敏性双功能TiO_2陶瓷。考察了Nb_2O_5施主掺杂对TiO_2压敏陶瓷的显微结构、介电性能和压敏性能的影响。结果表明:随Nb_2O_5掺杂量的增加,样品的晶粒粒径变大、晶界层变薄;压敏电压V_(1mA)减小、非线性系数α和介电常数ε增大。当Nb_2O_5掺杂量为2mol％时,TiO_2压敏陶瓷有较好的压敏特性:ε=22000、V_(1mA)=2.8V和α=3.8。 展开更多
关键词 低压双功能Ti02陶瓷 施主掺杂 压敏陶瓷 显微结构 介电性能 压敏性能 半导体
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掺杂La2O_3的ZnO-Pr_6O_(11)系压敏陶瓷材料 被引量：3
13
作者 王风贺 雷武 +1 位作者 夏明珠 王风云 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2002年第12期22-23,26,共3页
研究了掺杂La2O3对ZnO-Pr6O11系压敏陶瓷的电性能和衰变特性的影响。试验结果表明:随La2O3添加量的增加,压敏电压(V1mA)和非线性系数(α)增加,漏电流(IL)减少。掺杂La2O3的ZnO-Pr6O11系压敏陶瓷性能稳定,具有良好的抗老化作用。
关键词 LA2O3 ZnO-Pr6O11 压敏陶瓷 显微结构 电性能 氧化锌-氧化谱 三氧化二镧
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一步法制备的ZnO-硼硅酸铅锌玻璃压敏电阻电性能研究 被引量：3
14
作者 吴隽 谢长生 +3 位作者 柏自奎 张杰 宋武林 王爱华 《传感技术学报》 CAS CSCD 2004年第1期26-30,共5页
以四足状纳米ZnO粉末为原料 ,以制备硼酸铅锌玻璃的氧化物替代硼酸铅锌玻璃直接进行共烧结 ,制备出了ZnO 硼硅酸铅锌玻璃压敏电阻 ,并对其电性能进行了研究。研究结果表明 :最佳添加量为 13 0wt%～ 17 4wt%。当添加量在 13 0wt%～ 17 4... 以四足状纳米ZnO粉末为原料 ,以制备硼酸铅锌玻璃的氧化物替代硼酸铅锌玻璃直接进行共烧结 ,制备出了ZnO 硼硅酸铅锌玻璃压敏电阻 ,并对其电性能进行了研究。研究结果表明 :最佳添加量为 13 0wt%～ 17 4wt%。当添加量在 13 0wt%～ 17 4wt%时 ,在 90 0～ 1170℃温度范围 ,烧结温度对压敏电阻的漏电流IL 和非线性系数α的影响很小。含 13 0wt%添加剂的样品 ,其最大非线性系数α和最小漏电流IL 分别为 38 7和 1 7μA。烧结温度的降低主要源自于纳米ZnO粉末和添加了硼酸铅锌玻璃“形成”氧化物。 展开更多
关键词 ZnO-硼硅酸铅锌玻璃 压敏电阻 一步法 电性能
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高能球磨法制备高电位梯度的ZnO压敏电阻 被引量：3
15
作者 孔慧 刘宏玉 +2 位作者 蒋冬梅 石旺舟 马学鸣 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期11-13,共3页
为了制备高电位梯度的ZnO压敏电阻,采用了新的粉体制备方法,即高能球磨Bi2O3和Sb2O3两种添加剂12 h,再与其它氧化物共同高能球磨5h。扫描电镜及各个烧结温度下电性能、致密度的实验结果证明:此法制备的粉体压片后,1000℃烧结时,其电位... 为了制备高电位梯度的ZnO压敏电阻,采用了新的粉体制备方法,即高能球磨Bi2O3和Sb2O3两种添加剂12 h,再与其它氧化物共同高能球磨5h。扫描电镜及各个烧结温度下电性能、致密度的实验结果证明:此法制备的粉体压片后,1000℃烧结时,其电位梯度高达1516V/mm,漏电流为3.0μA,非线性系数为22。 展开更多
关键词 电子技术 高能球磨 ZNO压敏电阻 XRD 电性能
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两步法制备Y_2O_3掺杂ZnO压敏瓷 被引量：2
16
作者 徐东 巫欣欣 +2 位作者 程晓农 张剑平 施利毅 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期78-79,85,共3页
采用两步烧结制备了Y2O3掺杂ZnO压敏瓷,其电位梯度为863～1330V/mm,非线性系数为27.0～49.7,漏电流为0.55～1.13μA。研究结果表明,当Y2O3的掺杂量为1.00%(摩尔分数)时,压敏瓷电性能最好,电位梯度为1330V/mm,非线性系数为49.7,漏电流为0... 采用两步烧结制备了Y2O3掺杂ZnO压敏瓷,其电位梯度为863～1330V/mm,非线性系数为27.0～49.7,漏电流为0.55～1.13μA。研究结果表明,当Y2O3的掺杂量为1.00%(摩尔分数)时,压敏瓷电性能最好,电位梯度为1330V/mm,非线性系数为49.7,漏电流为0.76μA。 展开更多
关键词 压敏瓷 两步烧结 稀土 显微组织 电性能
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Bi_2O_3对TiO_2系压敏陶瓷性能的影响 被引量：7
17
作者 李莉 屈晓田 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2007年第3期49-51,共3页
采用传统电子陶瓷工艺制作了TiO2系压敏陶瓷。通过测试其Ⅰ-Ⅴ特性、复阻抗特性、晶界电阻、晶粒电阻及势垒高度，研究了Bi2O3对TiO2-Bi2O3-Nb2O5-SrO系压敏陶瓷微结构及电性能的影响。结果表明，Bi2O3的适当掺杂范围在0．3％-0．5％（... 采用传统电子陶瓷工艺制作了TiO2系压敏陶瓷。通过测试其Ⅰ-Ⅴ特性、复阻抗特性、晶界电阻、晶粒电阻及势垒高度，研究了Bi2O3对TiO2-Bi2O3-Nb2O5-SrO系压敏陶瓷微结构及电性能的影响。结果表明，Bi2O3的适当掺杂范围在0．3％-0．5％（摩尔分数）。其掺杂量的变化，可显著改变TiO2-Bi2O3-Nb2O5-SrO系压敏陶瓷的晶界电阻及势垒高度，进而对压敏陶瓷的电学非线性特性产生影响。当x（Bi2O3）为0．4％时，压敏陶瓷的Ⅴ1mA与α分别为40V／mm与6．2。 展开更多
关键词 电子技术 TiO2系压敏陶瓷 Bi2O3添加剂 复阻抗 势垒高度
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合成工艺对ZnVSb基压敏陶瓷性能的影响 被引量：2
18
作者 赵鸣 王卫民 +2 位作者 高峰 张慧君 田长生 《功能材料与器件学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期29-34,共6页
研究了三种合成工艺对ZnVSb系压敏电阻烧结、显微结构和性能的影响。通过对陶瓷密度、显微结构及电学特性的检测、分析发现:化学计量比相同情况下,与V2O5+Sb2O3预热处理工艺相比,以SbVO4取代Sb2O3合成工艺及传统氧化物合成工艺逐步加剧... 研究了三种合成工艺对ZnVSb系压敏电阻烧结、显微结构和性能的影响。通过对陶瓷密度、显微结构及电学特性的检测、分析发现:化学计量比相同情况下,与V2O5+Sb2O3预热处理工艺相比,以SbVO4取代Sb2O3合成工艺及传统氧化物合成工艺逐步加剧了尖晶石相在材料中的形成和掺杂元素在晶界的偏聚;导致材料内部晶界势垒逐渐升高,材料的非线性系数及压敏电压逐渐上升。研究结果为ZVSb系压敏电阻材料的设计、制备提供了新的思路。 展开更多
关键词 ZnVSb系压敏电阻 烧结 性能 合成工艺
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基于自相位调制原理的光纤非线性系数测量 被引量：3
19
作者 李赟 吴重庆 +1 位作者 李亚捷 付松年 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期455-458,共4页
光纤的非线性效应对于光纤通信具有重要意义。准确测量光纤的非线性系数是有效利用或抑制各种非线性效应的基础。介绍了利用自相位调制测量非线性系数的原理并探讨了对实验装置的具体要求;给出了色散位移光纤(DSF)和普通单模光纤(SMF)... 光纤的非线性效应对于光纤通信具有重要意义。准确测量光纤的非线性系数是有效利用或抑制各种非线性效应的基础。介绍了利用自相位调制测量非线性系数的原理并探讨了对实验装置的具体要求;给出了色散位移光纤(DSF)和普通单模光纤(SMF)的实测结果;结果表明,无论使用输出光谱左侧还是右侧的主瓣和旁瓣光强比值I0/I1均可计算出准确数值;最后讨论了偏振和色散对测量结果的影响。 展开更多
关键词 非线性系数 单模光纤 色散位移光纤 自相位调制
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钕掺杂对SnO_2·Co_2O_3·Nb_2O_5压敏电阻瓷电性能的影响 被引量：2
20
作者 亓鹏 王矜奉 +2 位作者 陈洪存 高琨 高建鲁 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2002年第11期1-3,6,共4页
通过对样品的伏安特性,晶界势垒的测量和分析,研究了Nd2O3对SnO2·Co2O3·Nb2O5压敏电阻瓷电性能的影响。发现掺入x(Nb2O3)为0.050%的样品表现出最好的压敏性质,其压敏电压为460.69 V/mm,密度为6.812 g/cm3,非线性系数为18.7。... 通过对样品的伏安特性,晶界势垒的测量和分析,研究了Nd2O3对SnO2·Co2O3·Nb2O5压敏电阻瓷电性能的影响。发现掺入x(Nb2O3)为0.050%的样品表现出最好的压敏性质,其压敏电压为460.69 V/mm,密度为6.812 g/cm3,非线性系数为18.7。为了说明电学非线性的起源,提出了SnO2压敏材料的一个缺陷势垒模型。 展开更多
关键词 钕掺杂 压敏电阻瓷 二氧化锡 压敏电阻器 电学性能 三氧化二钴 氧化铌
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