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用于制造微波多芯片组件的LTCC技术 被引量:9
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作者 边国辉 方一波 吴小帅 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第5期378-380,共3页
低温共烧陶瓷(LTCC)是实现微波多芯片组件(MMCM)的一种理想的组装技术,具有高集成密度、多种电路功能和高可靠性等技术优势。介绍了国内外应用于微波组件的LTCC技术发展现状,概述了LTCC的制造工艺流程,分析了其关键工艺难点,对LTCC基板... 低温共烧陶瓷(LTCC)是实现微波多芯片组件(MMCM)的一种理想的组装技术,具有高集成密度、多种电路功能和高可靠性等技术优势。介绍了国内外应用于微波组件的LTCC技术发展现状,概述了LTCC的制造工艺流程,分析了其关键工艺难点,对LTCC基板电路的设计进行了详细阐述,并讨论了埋层电阻的设计和微带线和带状线间的垂直微波互联的方式。利用LTCC技术研制的微波多芯片组件,在现代雷达和通讯领域具有广泛的应用前景。 展开更多
关键词 低温共烧陶瓷 通孔 埋层电阻 微波互联
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(Na_(0.5)Bi_(0.5))TiO_3基弛豫铁电体相变的研究进展 被引量:1
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作者 刘立英 侯育冬 +2 位作者 朱满康 王波 严辉 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第8期17-19,24,共4页
钛酸铋钠((Na_(0.5)Bi_(0.5))TiO_3,NBT)是一种典型的 A 位复合钙钛矿结构弛豫铁电体,具有复杂的相变序列,介电温度峰呈现明显的弛豫性。总结了 NBT 弛豫铁电体的相变及 NBT 基复合铁电体准同型相界的研究进展;从晶体结构出发,通过与 B... 钛酸铋钠((Na_(0.5)Bi_(0.5))TiO_3,NBT)是一种典型的 A 位复合钙钛矿结构弛豫铁电体,具有复杂的相变序列,介电温度峰呈现明显的弛豫性。总结了 NBT 弛豫铁电体的相变及 NBT 基复合铁电体准同型相界的研究进展;从晶体结构出发,通过与 B 位复合型钙钛矿结构弛豫铁电体类比,对 A 位复合型 NBT 的弛豫机理进行了探讨,提出NBT 弛豫性来源于其 A 位离子有序-无序引起的 B 位离子位移的变化。 展开更多
关键词 NBT 弛豫铁电体 准同型相界 相变
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掺杂对Na0.5Bi0.5TiO3基无铅压电陶瓷弛豫性的影响
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作者 刘立英 侯育冬 +1 位作者 朱满康 严辉 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z2期698-701,共4页
对(Na0.5Bi0.5)TiO3-BaTiO3(NBBT)二元系压电陶瓷在准同型相界附近进行不同量的La,Mn掺杂,通过XRD、电学性能测试等,研究了掺杂对陶瓷微观结构及介电性能的影响.结果表明,La,Mn掺杂后,相变的弥散程度增大,体系的弛豫性增强.铁电体的弛... 对(Na0.5Bi0.5)TiO3-BaTiO3(NBBT)二元系压电陶瓷在准同型相界附近进行不同量的La,Mn掺杂,通过XRD、电学性能测试等,研究了掺杂对陶瓷微观结构及介电性能的影响.结果表明,La,Mn掺杂后,相变的弥散程度增大,体系的弛豫性增强.铁电体的弛豫性与基体内极性微区的有序度及尺寸、数量密切相关,对NBBT这种A位复合体系而言,La离子的介入在一定程度上引起电荷不平衡,促使微区长大;但是由于La的分隔作用,A位与B位的耦合作用大大减弱,体系整体有序度降低,弛豫性增强.Mn离子的B位掺杂有助于建立新的(AA')(BB')O3复合体系,因此也影响体系的弛豫性. 展开更多
关键词 (Na0.5Bi0.5)0.92Ba0.08TiO3 掺杂 弛豫性 介电性能
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一种方酸染料单分子膜及其光谱特性
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作者 吕安德 江龙 《薄膜科学与技术》 1993年第2期116-118,共3页
关键词 方酸染料 薄膜 光谱特性 单分子膜
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