期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到314篇文章
< 1 2 … 16 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
低温共烧陶瓷叠层精度控制研究
1
作者 淦作腾 慕鑫 +1 位作者 王杰 魏紫轩 《微纳电子技术》 2025年第7期131-136,共6页
随着微波类陶瓷封装外壳向高集成化和小型化方向发展,低温共烧陶瓷(LTCC)的生产对叠层精度控制的要求变得更高,尤其是直径50μm微孔陶瓷外壳的批产。为解决此类问题,对低温共烧陶瓷外壳加工过程中的叠层工艺进行优化,系统研究了销钉板... 随着微波类陶瓷封装外壳向高集成化和小型化方向发展,低温共烧陶瓷(LTCC)的生产对叠层精度控制的要求变得更高,尤其是直径50μm微孔陶瓷外壳的批产。为解决此类问题,对低温共烧陶瓷外壳加工过程中的叠层工艺进行优化,系统研究了销钉板相关参数(销钉数量、销钉布局及销钉形状)对叠层精度的影响。结果表明:通过调整销钉数量和优化销钉布局能够显著提高50μm微孔的叠层精度,采用8孔销钉板可将传统销钉板的Ⅰ类叠层精度(错位距离<25μm)的成品占比由35.25%提升至72.38%;使用尖头形状的销钉,Ⅰ类叠层精度的成品占比进一步提升至92.54%,且互连孔之间无断开现象。该研究对多层陶瓷在高密度布线产品中的应用有指导意义。 展开更多
关键词 低温共烧陶瓷(LTCC) 叠层精度 工艺优化 销钉板 错位距离
原文传递
高温共烧陶瓷层间对位精度提升研究 被引量：2
2
作者 王杰 淦作腾 +4 位作者 马栋栋 程换丽 刘曼曼 刘洋 段强 《微纳电子技术》 2025年第4期160-164,共5页
当前微孔互连工艺已成为高温共烧陶瓷(HTCC)生瓷生产中的关键工艺技术,高密度陶瓷封装外壳的埋层孔径已达50μm。为实现50μm孔径层间对位精度提升,系统研究了销钉数量和销钉间距对对位精度的影响。研究结果表明,销钉数量越多,微孔互连... 当前微孔互连工艺已成为高温共烧陶瓷(HTCC)生瓷生产中的关键工艺技术,高密度陶瓷封装外壳的埋层孔径已达50μm。为实现50μm孔径层间对位精度提升,系统研究了销钉数量和销钉间距对对位精度的影响。研究结果表明,销钉数量越多,微孔互连精度越高;销钉间距越小,微孔互连精度越高;通过选用销钉间距100 mm和销钉数量15的方案,可实现孔径50μm微孔对位精度<25μm下合格率90%,为高密度HTCC封装外壳的微孔互连工艺提供了技术支撑。 展开更多
关键词 高密度陶瓷封装外壳 微孔互连 销钉 层间对位精度 高温共烧陶瓷(HTCC)
原文传递
超细BaTiO_3和掺钇半导BaTiO_3陶瓷的溶胶－凝胶法制备及其表征 被引量：14
3
作者 吴淑荣 李华平 +2 位作者 畅柱国 梁文忠 熊为淼 《功能材料》 EI CAS CSCD 1995年第5期427-430,共4页
采用溶胶－凝胶法制备了平均粒径小于３０ｎｍ的超细ＢａＴｉＯ＿３和未见文献报道的掺钇超细ＢａＴｉＯ＿３．并用Ｘ－ｒａｙ粉末衍射分析和化学分析对它们进行了表征；用ＴＧ－ＤＴＧ－ＤＴＡ和ＩＲ对＂ＢａＴｉＯ＿３＂干凝胶的热分... 采用溶胶－凝胶法制备了平均粒径小于３０ｎｍ的超细ＢａＴｉＯ＿３和未见文献报道的掺钇超细ＢａＴｉＯ＿３．并用Ｘ－ｒａｙ粉末衍射分析和化学分析对它们进行了表征；用ＴＧ－ＤＴＧ－ＤＴＡ和ＩＲ对＂ＢａＴｉＯ＿３＂干凝胶的热分解历程进行了研究；用一般陶瓷工艺制得了掺钇半导铁酸钡陶瓷并对其室温电阻率与钇含量以及烧结温度的关系进行了讨论。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶法 半导体 陶瓷材料 掺钇
在线阅读 下载PDF
微波-水热法合成PZT粉体的研究 被引量：10
4
作者 邓宏 姜斌 +3 位作者 曾娟 李阳 李言荣 王恩信 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2001年第2期1-2,共2页
叙述了微波-水热法在制备电子陶瓷粉体中的应用，设计制造出基本满足使用要求的微波-水热反应釜，设计出微波-水热法制PZT压电陶瓷粉体的实验方案。制备了结晶完好、粒径分布均匀、平均粒径为2 ?m的PZT压电陶瓷粉体。
关键词 微波-水热合成法 反应釜 锆钛酸铅 PZT粉体 陶瓷
在线阅读 下载PDF
（Sr，Pb）TiO_3系V型PTC材料研究 被引量：13
5
作者 周东祥 吕文中 +1 位作者 龚树萍 黎步银 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第4期370-375,共6页
本文研究了（Ｓｒ，Ｐｂ）ＴｉＯ＿３系Ｖ型ＰＴＣ材料的制备及导电机理。指出该材料的ＰＴＣ效应仍起源于受主态在晶界形成的势垒，其强烈的ＮＴＣ效应则是由于载流子的生成能和迁移激活能较大所引起。
关键词 钛酸锶铅 V型 阻温特性 PTC
在线阅读 下载PDF
SrTiO_3陶瓷中掺杂和Ti／Sr比的配合 被引量：14
6
作者 曹全喜 周晓华 +1 位作者 蔡式东 牛苏彦 《功能材料》 EI CAS CSCD 1995年第5期439-441,共3页
在ＳｒＴｉＯ＿３双功能陶瓷的制备中，最关键的是晶粒生长、晶粒半导化和晶界绝缘化。ＳｒＴｉＯ＿３晶粒生长和半导化受到多种因素的影响，诸如杂质的种类和含量、Ｔｉ／Ｓｒ比、烧结温度、氧分压等，这些因素是相互制约、共同作用的... 在ＳｒＴｉＯ＿３双功能陶瓷的制备中，最关键的是晶粒生长、晶粒半导化和晶界绝缘化。ＳｒＴｉＯ＿３晶粒生长和半导化受到多种因素的影响，诸如杂质的种类和含量、Ｔｉ／Ｓｒ比、烧结温度、氧分压等，这些因素是相互制约、共同作用的。研究表明，适当的Ｔｉ过量促进晶粒生长；Ｔｉ／Ｓｒ≈１时，可降低烧结对氧分压的要求；过量Ｔｉ￣（４＋）和Ｓｒ￣（４＋）的固溶限受到氧分压和施主掺杂的影响，与此类似，施主杂质Ｎｂ￣（５＋）和Ｌａ￣（３＋）的固溶限也受到Ｔｉ／Ｓｒ比的影响。 展开更多
关键词 钛酸锶陶瓷 钛锶比 掺杂 配合 陶瓷半导体
在线阅读 下载PDF
钛酸锶铅基陶瓷材料的半导化研究 被引量：15
7
作者 周世平 李龙土 +1 位作者 桂治轮 张孝文 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第4期364-369,共6页
研究了（Ｓｒ＿（０．４８）Ｐｂ＿（０．４８）Ｙ＿（０．０３）Ｃａ＿（０．０１））ＴｉＯ＿３基陶瓷的半导化行为。结果表明：ＰｂＯ适当过量有利于半导化。Ｒａｍａｎ光谱，ＡＥＳ（Ａｕｇｅｒｅｌｅｃｔｒｏｎｓｐｅｃｔｒｏｓｃ... 研究了（Ｓｒ＿（０．４８）Ｐｂ＿（０．４８）Ｙ＿（０．０３）Ｃａ＿（０．０１））ＴｉＯ＿３基陶瓷的半导化行为。结果表明：ＰｂＯ适当过量有利于半导化。Ｒａｍａｎ光谱，ＡＥＳ（Ａｕｇｅｒｅｌｅｃｔｒｏｎｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）分析表明，随着ＳｉＯ＿２含量的增加，氧空位浓度及Ｔｉ￣（３＋）浓度增大，ＸＲＤ分析表明，随ＳｉＯ＿２含量增大，轴比ｃ／ａ增大。 展开更多
关键词 钛酸锶铅基 陶瓷 半导化 光谱
在线阅读 下载PDF
添加元素对反应烧结碳化硅导电特性的影响 被引量：9
8
作者 吕振林 高积强 +1 位作者 王红洁 金志浩 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第2期92-94,共3页
研究了Ni、Mo和Al元素对反应烧结碳化硅导电特性的影响.试样通过室温、高温电阻率的测定和显微组织分析,可知在室温与高温下,加入Ni、Mo和Al均可明显降低反应烧结碳化硅的电阻率,随着Ni、Mo和Al加入量的增加,碳化硅的室温电阻率也下降.... 研究了Ni、Mo和Al元素对反应烧结碳化硅导电特性的影响.试样通过室温、高温电阻率的测定和显微组织分析,可知在室温与高温下,加入Ni、Mo和Al均可明显降低反应烧结碳化硅的电阻率,随着Ni、Mo和Al加入量的增加,碳化硅的室温电阻率也下降.其中,Ni、Mo对反应烧结碳化硅电阻率的影响比Al大.在烧结过程中,Ni、Mo分别与液态Si反应,并在碳化硅粒子界面处生成Ni2Si3和Mo3Si5相。 展开更多
关键词 碳化硅 掺杂 元素 导电特性 反应烧结碳化硅
在线阅读 下载PDF
SiO_2对(Sr,Bi,Si,Ta)掺杂的TiO_2基压敏陶瓷电性能的影响 被引量：10
9
作者 孟凡明 胡素梅 +1 位作者 傅刚 方庆清 《安徽大学学报（自然科学版）》 CAS 2004年第3期33-37,共5页
研究SiO2对(Sr,Bi,Si,Ta)掺杂的TiO2基压敏陶瓷的压敏特性、电容特性及晶粒半导化的影响,发现按照配方TiO2+0.3%(SrCO3+Bi2O3)+0.075%Ta2O5+0.3%SiO2配制的样品具有最低的压敏电压、最大的相对介电常数及最小的晶粒电阻。
关键词 二氧化硅基压敏陶瓷 压敏电压 非线性系数 电容量 晶粒电阻 半导化 压敏电阻器
在线阅读 下载PDF
SrTiO_3双功能陶瓷的表面效应 被引量：15
10
作者 李建英 庄严 +1 位作者 李盛涛 屠德民 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第4期399-401,共3页
通过压制、烧成不同厚度的瓷片，发现在一定的配方和工艺条件下，ＳｒＴｉＯ３双功能陶瓷的压敏电压Ｕ１０ｍＡ与瓷片厚度无关。对瓷片进行单向磨薄后测量表观电阻率，发现ＳｒＴｉＯ３双功能陶瓷存在着表面效应。对本文试样，表面存在... 通过压制、烧成不同厚度的瓷片，发现在一定的配方和工艺条件下，ＳｒＴｉＯ３双功能陶瓷的压敏电压Ｕ１０ｍＡ与瓷片厚度无关。对瓷片进行单向磨薄后测量表观电阻率，发现ＳｒＴｉＯ３双功能陶瓷存在着表面效应。对本文试样，表面存在厚度小于２０μｍ、电阻率大于１０６Ω·ｃｍ的高阻层，内部是电阻率小于１０Ω·ｃｍ的低电阻体。表面效应是导致ＳｒＴｉＯ３双功能陶瓷与ＺｎＯ压敏陶瓷导电行为不同的根本原因之一。 展开更多
关键词 双功能陶瓷 表面效应 钛酸锶
在线阅读 下载PDF
钛酸锶钡(Ba_xSr_(1-x)TiO_3)陶瓷制备及其介电性能的研究 被引量：11
11
作者 王疆瑛 姚熹 张良莹 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期212-213,217,共3页
　采用乙酸钡、乙酸锶和钛酸丁酯为原料的溶胶凝胶方法制备了BaxSr1-xTiO3(x=0.6)超细粉体,将BST超细粉体压制成型,进行烧结,得到(Ba0.6Sr0.4)TiO3陶瓷。通过热分析(DSC/TG)、X射线衍射(XRD)分析(Ba0.6Sr0.4)TiO3粉体合成过程及其相结... 　采用乙酸钡、乙酸锶和钛酸丁酯为原料的溶胶凝胶方法制备了BaxSr1-xTiO3(x=0.6)超细粉体,将BST超细粉体压制成型,进行烧结,得到(Ba0.6Sr0.4)TiO3陶瓷。通过热分析(DSC/TG)、X射线衍射(XRD)分析(Ba0.6Sr0.4)TiO3粉体合成过程及其相结构变化。采用扫描电子显微镜(SEM)描述(Ba0.6Sr0.4)TiO3烧结体的相结构和显微组织结构变化。阻抗分析仪测量(Ba0.6Sr0.4)TiO3陶瓷的-50～100℃介电温谱。实验结果表明BaxSr1-xTiO3粉体的相结构为立方相钙钛矿结构,其合成温度及烧结温度分别为800℃及1250℃,均低于传统工艺的相应温度。(Ba0.6Sr0.4)TiO3陶瓷在-50～100℃温度范围内,其电容率随着烧结温度升高而增大,介电损耗tgδ在-50～100℃温度范围内,随温度的增加而降低。1250℃的(Ba0.6Sr0.4)TiO3陶瓷烧结体样品存在介电峰弥散化。 展开更多
关键词 钛酸锶钡陶瓷 制备 介电性能 乙酸钡 乙酸锶 钛酸丁酯 溶胶-凝胶
在线阅读 下载PDF
稀土元素Ln对SrTiO_3陶瓷介电性质的影响 被引量：10
12
作者 肖洪地 王成建 马洪磊 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期78-79,82,共3页
　用稀土元素改性的SrTiO3陶瓷采用传统的陶瓷工艺来制备。本文研究了SrTiO3基陶瓷,(1+x)SrTiO3+x(Ln·4TiO2)陶瓷的介电性质,并且报道了稀土元素Ln(Ln=La2O3、Nd2O3、Y2O3或CeO2)对SrTiO3基陶瓷的εr和tgδ的温度特性和频率特性的... 　用稀土元素改性的SrTiO3陶瓷采用传统的陶瓷工艺来制备。本文研究了SrTiO3基陶瓷,(1+x)SrTiO3+x(Ln·4TiO2)陶瓷的介电性质,并且报道了稀土元素Ln(Ln=La2O3、Nd2O3、Y2O3或CeO2)对SrTiO3基陶瓷的εr和tgδ的温度特性和频率特性的影响。 展开更多
关键词 稀土 介电性质 介电温度特性 介电频率特性 导电机制 钛酸锶陶瓷
在线阅读 下载PDF
双施主掺杂BaTiO_3半导体陶瓷材料的研究 被引量：7
13
作者 姜胜林 龚树萍 +1 位作者 周莉 周东祥 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2000年第6期392-393,397,共3页
以 Sb2 O3单施主和 Y2 O3+ Nb2 O5 双施主作为半导化元素 ,对低阻 Ba Ti O3半导体陶瓷的 PTCR特性进行了研究 ,通过不同的掺杂方式及工艺得到了低电阻率 PTC陶瓷材料 ,室温电阻率ρ2 5 =4· 49Ω· cm ,温度系数 αT=6 .0 4... 以 Sb2 O3单施主和 Y2 O3+ Nb2 O5 双施主作为半导化元素 ,对低阻 Ba Ti O3半导体陶瓷的 PTCR特性进行了研究 ,通过不同的掺杂方式及工艺得到了低电阻率 PTC陶瓷材料 ,室温电阻率ρ2 5 =4· 49Ω· cm ,温度系数 αT=6 .0 4× 10 - 2 °C- 1 ,升阻比 β=1.0× 10 3,对低阻 PTC材料进行了探讨。 展开更多
关键词 双施主 掺杂方式 半导体陶瓷 钛酸钡 热敏电阻
在线阅读 下载PDF
PTCR陶瓷材料的超低温烧结 被引量：8
14
作者 唐小锋 陈海龙 周志刚 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期697-703,共7页
主要研究了ＢＮ对ＰＴＣＲ陶瓷材料低温烧结的作用．对Ｌａ掺杂ＢａＴｉＯ_３ＰＴＣＲ陶瓷，在１１００℃的低温下烧结可以得到室温电阻率为１５０　·ｃｍ、升阻比为４．９个数量级的样品．对居里温度为３６０℃的高居里点（Ｂａ_... 主要研究了ＢＮ对ＰＴＣＲ陶瓷材料低温烧结的作用．对Ｌａ掺杂ＢａＴｉＯ_３ＰＴＣＲ陶瓷，在１１００℃的低温下烧结可以得到室温电阻率为１５０　·ｃｍ、升阻比为４．９个数量级的样品．对居里温度为３６０℃的高居里点（Ｂａ_（０．４）Ｐｂ_（０．６））ＴｉＯ_３ ＰＴＣＲ陶瓷材料，选用 Ｎｂ_２Ｏ_５为半导化剂，ＢＮ和ＡＳＴ为助烧剂时，可以在１０００℃左右的超低温下烧成．同时，对ＢＮ助烧剂的液相烧结机制进行了初步的探讨． 展开更多
关键词 BN PTCR 陶瓷 超低温烧结 半导体陶瓷 助剂
在线阅读 下载PDF
SrTiO_3复合功能陶瓷中烧结助剂的研究 被引量：8
15
作者 徐庆 陈文 +1 位作者 赵雷康 袁润章 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 1999年第1期76-80,共5页
采用一次烧成法制备出SrTiO3电容—压敏复合功能陶瓷，着重研究了SiO2-TiO2-Al2O2系烧结助剂对SrTiO3陶瓷的结构和复合功能特性的影响。研究结果表明：组成合理的烧结助剂有助于促进SrTiO3陶瓷的烧结，改善微观结构，并相应优化SrTiO3... 采用一次烧成法制备出SrTiO3电容—压敏复合功能陶瓷，着重研究了SiO2-TiO2-Al2O2系烧结助剂对SrTiO3陶瓷的结构和复合功能特性的影响。研究结果表明：组成合理的烧结助剂有助于促进SrTiO3陶瓷的烧结，改善微观结构，并相应优化SrTiO3陶瓷的复合功能。研究确定，优化的烧结助剂组成为0．5wt％SiO2-0．2wt％TiO2-0．05wt％Al2O3。 展开更多
关键词 烧结助剂 复合功能陶瓷 钛酸锶 陶瓷 半导体
在线阅读 下载PDF
A位施主掺杂对液相合成(SrPb)TiO_3基陶瓷热敏特性的影响 被引量：8
16
作者 范素华 龚红宇 +2 位作者 杨萍 赵宗昱 刘晓存 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第5期641-645,共5页
以液相合成的（ＳｒＰｂ）ＴｉＯ３为主要原料，分别以Ｙ２Ｏ３，Ｌａ２Ｏ３和Ｂｉ２Ｏ３为掺杂剂制备样品，讨论了每种掺杂对材料的Ｖ型ＰＴＣ热敏特性及微观形貌的影响，确定了每种掺杂剂的最佳掺量，并对其半导机理进行了分析．
关键词 钛酸锶铅 掺杂 PTC 热敏性 半导体陶瓷
在线阅读 下载PDF
晶界杂质和缺陷行为与BaTiO_3基陶瓷的PTCR效应 被引量：6
17
作者 齐建全 桂治轮 +1 位作者 陈万平 李龙土 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2000年第2期114-117,共4页
钛酸钡陶瓷中，高温下晶格失氧使晶粒内部氧匮乏。在氧化气氛中烧成，晶界则是富氧环境。缺陷或杂 质在晶界上进一步氧化，产生晶粒中并不存在的缺陷种类。杂质和缺陷在晶界上与晶粒内部有不同的行为。某些在 晶界上被氧化成高价态的缺... 钛酸钡陶瓷中，高温下晶格失氧使晶粒内部氧匮乏。在氧化气氛中烧成，晶界则是富氧环境。缺陷或杂 质在晶界上进一步氧化，产生晶粒中并不存在的缺陷种类。杂质和缺陷在晶界上与晶粒内部有不同的行为。某些在 晶界上被氧化成高价态的缺陷和杂质，在晶粒中不能存在，而在晶界上以亚稳态形式存在。它们在铁电相变点跃迁 回低价稳态，产生电子陷阱，使材料电阻率迅速增大，形成ＰＴＣＲ效应。 展开更多
关键词 晶界 杂质 缺陷钛酸钡 PTCR 陶瓷
在线阅读 下载PDF
ZnO压敏陶瓷的一价离子掺杂 被引量：9
18
作者 许毓春 李慧峰 +1 位作者 王礼琼 王士良 《功能材料》 EI CAS CSCD 1996年第2期126-130,共5页
本文研究了一价金属离子掺杂对ＺｎＯ压敏陶瓷电性能的影响。根据晶界的双Ｓｃｈｏｔｋｙ势垒模型分析计算了ＺｎＯ晶柱表层１５ｎｍ浅范围的正电荷中心浓度ＮＤ对ＺｎＯ压敏陶瓷小电流区非线性特性的影响。结果表明ＮＤ减小，非线性增... 本文研究了一价金属离子掺杂对ＺｎＯ压敏陶瓷电性能的影响。根据晶界的双Ｓｃｈｏｔｋｙ势垒模型分析计算了ＺｎＯ晶柱表层１５ｎｍ浅范围的正电荷中心浓度ＮＤ对ＺｎＯ压敏陶瓷小电流区非线性特性的影响。结果表明ＮＤ减小，非线性增强。如果掺入ＺｎＯ压敏陶瓷中的一价金属离子进入了ＺｎＯ晶粒体内对正电中心进行补偿。 展开更多
关键词 氧化锌 半导体 压敏陶瓷 一价金属离子 掺杂
在线阅读 下载PDF
AST液相掺杂对低电阻率、高抗电强度BaTiO_3半导瓷显微结构及电性能影响 被引量：4
19
作者 姜胜林 周东祥 +1 位作者 龚树萍 汪小红 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期532-533,共2页
通过改变低电阻率BaTiO3半导体陶瓷中液相添加剂AST的含量 ,采用XRD和SEM显微分析方法研究了AST含量对低电阻率、高抗电强度BaTiO3半导体陶瓷显微结构的影响。研究结果指出 :BaTiO3半导体陶瓷中AST的引入量对晶界厚度的控制存在两个临界... 通过改变低电阻率BaTiO3半导体陶瓷中液相添加剂AST的含量 ,采用XRD和SEM显微分析方法研究了AST含量对低电阻率、高抗电强度BaTiO3半导体陶瓷显微结构的影响。研究结果指出 :BaTiO3半导体陶瓷中AST的引入量对晶界厚度的控制存在两个临界点 ,晶界厚度对低电阻率、高抗电强度BaTiO3半导体陶瓷的显微结构和电性能产生重要影响。 展开更多
关键词 显微结构 电性能 AST液相 低电阻率 高抗电强度 BaTiO3半导体瓷
在线阅读 下载PDF
钛掺杂的α-Fe_2O_3-K_2O纳米湿敏陶瓷结构与性能研究 被引量：6
20
作者 莫茂松 敖自华 +1 位作者 王弘 沈瑜生 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第3期521-526,共6页
采用硬脂酸凝胶法新工艺在α－Fe2O3－K2O复合体系中掺入TiO2.XRD、BET比表面吸附、Archimede排水法等手段对掺钛α－Fe2O3－K2O纳米陶瓷分析表征结果表明，适量掺杂TiO2，材料仍保持α－Fe2O3的刚玉结构，且具有很高的热稳定性，但抑... 采用硬脂酸凝胶法新工艺在α－Fe2O3－K2O复合体系中掺入TiO2.XRD、BET比表面吸附、Archimede排水法等手段对掺钛α－Fe2O3－K2O纳米陶瓷分析表征结果表明，适量掺杂TiO2，材料仍保持α－Fe2O3的刚玉结构，且具有很高的热稳定性，但抑制了主晶相晶粒成长，增大了材料比表面积及孔隙率．电性能及湿敏特性测试结果表明，适量掺杂TiO2，降低了材料固有电阻，显著减小了材料湿滞；认为钛掺杂使材料晶粒细化；从而使K+更加分散地沉积在α－Fe2O3晶粒表面非晶壳层中，是改善材料湿滞的主要原因． 展开更多
关键词 掺杂 纳米材料 钛 氧化物陶瓷 结构 湿敏元件
在线阅读 下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 2 … 16 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部