基于新型钽掺杂HfO_(2)介质层TFTs的制备及机理研究

1

作者 刘雨 胡梦真 +1 位作者 宋增才 张东 《半导体光电》 北大核心 2025年第4期624-629,共6页

文章采用脉冲激光沉积法制备钽(Ta)掺杂二氧化铪(HfO_(2),THO)栅介质层,并系统研究了其介电性能及基于该介质层的非晶态铟镓锌氧(α-IGZO)薄膜晶体管(TFT)的电学特性。通过在不同氧分压(0%,10%,25%和50%)下制备THO薄膜,电容-电压测试结... 文章采用脉冲激光沉积法制备钽(Ta)掺杂二氧化铪(HfO_(2),THO)栅介质层,并系统研究了其介电性能及基于该介质层的非晶态铟镓锌氧(α-IGZO)薄膜晶体管(TFT)的电学特性。通过在不同氧分压(0%,10%,25%和50%)下制备THO薄膜,电容-电压测试结果表明,当氧分压为25%时制备的THO薄膜展现出最优异的介电性能,其电容等效厚度最低(6.5 nm),等效介电常数最高(23.7)。与纯HfO_(2)栅介质层相比,Ta掺杂显著提升了介电特性。进一步制备基于该THO(25%,O_(2))介质层的α-IGZO TFTs表现出优异的器件性能:阈值电压低至0.57 V,饱和迁移率高达22.5 cm^(2)/(V·s),电流开关比达2.5×10^(9)。这些性能参数均显著优于基于纯HfO2介质层的对比器件。 展开更多

关键词 栅介质层 薄膜晶体管 钽掺杂二氧化铪 铟镓锌氧 脉冲激光沉积

原文传递

基于流体仿真的多晶硅薄膜沉积质量优化研究

2

作者 马国威 陈思 《电子工业专用设备》 2025年第4期63-69,共7页

采用流体动力学仿真软件FLUENT对硅烷分解过程进行模拟分析,使用M51200-5/UM型立式LPCVD进行实验验证,研究了温控和进气比例等工艺参数对LPCVD多晶硅薄膜形成过程的影响;该研究能够显著改善LPCVD多晶硅薄膜沉积的均匀性,对于优化反应过... 采用流体动力学仿真软件FLUENT对硅烷分解过程进行模拟分析,使用M51200-5/UM型立式LPCVD进行实验验证,研究了温控和进气比例等工艺参数对LPCVD多晶硅薄膜形成过程的影响;该研究能够显著改善LPCVD多晶硅薄膜沉积的均匀性,对于优化反应过程,提高薄膜质量具有重要的指导意义。 展开更多

关键词 低压化学气相沉积 薄膜质量 流体仿真

在线阅读 下载PDF 职称材料

基于PVDF与ARM CM3内核的足底动态压力测试系统 被引量：5

3

作者 姜春华 张溪原 +2 位作者 崔伟 张志东 杜辰 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2013年第2期279-281,286,共4页

研究了聚偏氟乙烯(PVDF)压电薄膜的电压输出特性。根据运动员训练的需要,设计了适合于运动员动态足底压力测量的PVDF压电薄膜传感器,提出了高阻电压放大器对传感器的输出信号进行采样及处理,组成了运动员足底压力动态测量系统。该系统... 研究了聚偏氟乙烯(PVDF)压电薄膜的电压输出特性。根据运动员训练的需要,设计了适合于运动员动态足底压力测量的PVDF压电薄膜传感器,提出了高阻电压放大器对传感器的输出信号进行采样及处理,组成了运动员足底压力动态测量系统。该系统能在运动员的运动过程中实时、稳定并可靠地输出其足底压力的动态信号,为运动员的姿态矫正提供了依据。 展开更多

关键词 聚偏氟乙烯(PVDF)压电薄膜 STM32微控制器 ARM CORTEX-M3 电压放大器 足部压力测量

在线阅读 下载PDF 职称材料

退火对氟化类金刚石膜结构及电学性能的影响 被引量：4

4

作者 肖剑荣 徐慧 +1 位作者 王焕友 马松山 《中南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期669-673,共5页

以CF4和CH4为源气体,在不同的温度和功率下,使用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法制备氟化类金刚石(F-DLC)薄膜,并在Ar气中进行退火处理。利用椭偏仪、X射线衍射仪、傅里叶变换红外光谱(FTIR)、拉曼光谱仪(Raman)以及QS电桥对... 以CF4和CH4为源气体,在不同的温度和功率下,使用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法制备氟化类金刚石(F-DLC)薄膜,并在Ar气中进行退火处理。利用椭偏仪、X射线衍射仪、傅里叶变换红外光谱(FTIR)、拉曼光谱仪(Raman)以及QS电桥对薄膜厚度、结构以及电学性质进行表征。研究结果表明:在退火温度为300℃时,薄膜很稳定;退火温度达到400℃时,大部分H从膜内逸出,C—Hx(x=1,2,3)化学键基本消失,C—Fx,C=C和C=O等化学键的相对含量发生改变;薄膜的介电常数与薄膜内F的含量有关,退火使F的含量减少,介电常数增大。 展开更多

关键词 F-DLC薄膜 介电常数 PECVD 退火

在线阅读 下载PDF 职称材料

PVDF足底压力传感器及其测量系统的设计 被引量：11

5

作者 张玉杰 魏召侠 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2011年第1期61-63,67,共4页

研究了聚偏氟乙烯(PVDF)压电薄膜的特性。根据足部特性,设计了一款适合于成鞋压力测量的鞋垫式、多点测量的PVDF压电薄膜传感器。提出了一种便携式的、具有鞋底压力分布测量、ZigBee无线数据通信和测量数据分析管理功能的压力测量系统... 研究了聚偏氟乙烯(PVDF)压电薄膜的特性。根据足部特性,设计了一款适合于成鞋压力测量的鞋垫式、多点测量的PVDF压电薄膜传感器。提出了一种便携式的、具有鞋底压力分布测量、ZigBee无线数据通信和测量数据分析管理功能的压力测量系统。该系统性能稳定,使用和安装方便,为成鞋压力测量提供了技术依据。 展开更多

关键词 PVDF压电薄膜 足底压力 多点测量 ZIGBEE 电荷放大器

在线阅读 下载PDF 职称材料

a-C∶F∶H薄膜的化学键结构 被引量：1

6

作者 肖剑荣 徐慧 +3 位作者 李幼真 刘雄飞 马松山 简献忠 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第10期1589-1593,共5页

使用CF4和CH4为源气体,利用射频等离子体增强化学气相沉积法,制备了a-C∶F∶H薄膜样品。采用拉曼光谱仪、傅里叶变换红外光谱仪、X射线光电子能谱仪(XPS)对薄膜的结构进行了测试和分析。研究发现:该膜呈空间网状结构,膜内碳与氟、氢的... 使用CF4和CH4为源气体,利用射频等离子体增强化学气相沉积法,制备了a-C∶F∶H薄膜样品。采用拉曼光谱仪、傅里叶变换红外光谱仪、X射线光电子能谱仪(XPS)对薄膜的结构进行了测试和分析。研究发现:该膜呈空间网状结构,膜内碳与氟、氢的结合主要以sp3形式存在,而sp2形式的含量相对较少;在薄膜内主要含有C—Fx(x=1,2,3)、C—C、C—H2、C—H3等以及不饱和C C化学键;同时,薄膜中C—C—F键的含量比C—C—F2键的含量要高。在不同功率下沉积的薄膜,其化学键结构明显不同。 展开更多

关键词 a—C:F:H薄膜 等离子体增强化学气相沉积 低介电常数 化学键

在线阅读 下载PDF 职称材料

PECVD形成纳米级薄膜界面陷阱的物理模型 被引量：1

7

作者 陈蒲生 张昊 +3 位作者 冯文修 章晓文 刘小阳 曾绍鸿 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2002年第4期458-462,共5页

采用雪崩热电子注入技术研究了纳米级富氮 Si Ox Ny 薄膜界面陷阱的物理模型。证实了 PECVDSi Ox Ny 薄膜中界面陷阱来源于悬挂键的物理模型。观察到该纳米膜内存在着受主型电子陷阱 ,随着注入的增长 ,界面上产生的这种陷阱将起主导作... 采用雪崩热电子注入技术研究了纳米级富氮 Si Ox Ny 薄膜界面陷阱的物理模型。证实了 PECVDSi Ox Ny 薄膜中界面陷阱来源于悬挂键的物理模型。观察到该纳米膜内存在着受主型电子陷阱 ,随着注入的增长 ,界面上产生的这种陷阱将起主导作用。发现到 Dit随雪崩热电子注入剂量增加而增大 ,禁带上半部 Dit的增大较下半部显著。指出了雪崩注入过程中在 Si Ox Ny 界面上产生两种性质不同的电子陷阱 ,并给出它们能级位置及密度大小关系。揭示出 PECVD法形成的这种纳米膜与快速热氮化制备的薄膜中、氮氧含量不同、界面陷阱特性变化不一样 ,并从薄膜氮化机制予以物理解析。给出了 PECVD形成纳米级薄膜的优化工艺条件 。 展开更多

关键词 界面陷阱 物理模型 雪崩 热电子注入 等离子体增强化学气相淀积 薄膜

在线阅读 下载PDF 职称材料

退火对MOCVD法生长ZnO薄膜性能的影响 被引量：1

8

作者 张源涛 杨小天 +6 位作者 赵佰军 刘博阳 杨天鹏 李万成 刘大力 杨树人 杜国同 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期151-154,共4页

采用MOCVD方法在(001)Si衬底上生长ZnO薄膜,并在空气中800℃退火1h。生长及退火样品的XRD图谱均显示了较强的(002)ZnO衍射峰,表明ZnO薄膜为c轴高取向生长。光电子能谱(XPS)分析显示,退火后ZnO薄膜从富Zn生长变为富O生长。在样品的室温P... 采用MOCVD方法在(001)Si衬底上生长ZnO薄膜,并在空气中800℃退火1h。生长及退火样品的XRD图谱均显示了较强的(002)ZnO衍射峰,表明ZnO薄膜为c轴高取向生长。光电子能谱(XPS)分析显示,退火后ZnO薄膜从富Zn生长变为富O生长。在样品的室温PL谱中,观察到未退火样品的紫外发射峰的中心为3.28eV,并观察到退火样品位于3.30eV的自由激子发射峰和位于3.23eV的施主-受主对的复合发光峰。实验结果表明,退火后ZnO薄膜的晶体质量得到提高。 展开更多

关键词 ZNO薄膜 SI衬底 MOCVD 退火

在线阅读 下载PDF 职称材料

氧处理对氮氧化膜界面特性和组分的影响 被引量：1

9

作者 李观启 黄美浅 刘百勇 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第11期849-854,共6页

实验结果表明,利用O_2 /N_2的低分压再氧化和中间氧化,以及利用O_2/NH_3的掺氧再氮化均能有效地改善氮氧化膜的界面特性,而其优异的电击穿特性则得以保持或稍有改善。在三种氧处理方法中,中间氧化的效果较显著,而掺氧再氮化则呈现较低... 实验结果表明,利用O_2 /N_2的低分压再氧化和中间氧化,以及利用O_2/NH_3的掺氧再氮化均能有效地改善氮氧化膜的界面特性,而其优异的电击穿特性则得以保持或稍有改善。在三种氧处理方法中,中间氧化的效果较显著,而掺氧再氮化则呈现较低的抗氧化能力。 展开更多

关键词 氮氧化膜 界面态 氧处理 组分

在线阅读 下载PDF 职称材料

Cu／Ta／SiO2／Si薄膜在纳米压痕下的分层现象研究 被引量：1

10

作者 吴子景 吴晓京 +2 位作者 卢茜 Shen Weidian 蒋宾 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第9期787-790,共4页

采用磁控溅射技术在热氧化单晶硅衬底上先后淀积了厚度分别为50 nm的Ta膜和400 nm的Cu膜。使用纳米压入仪在样品表面进行压入测试,在薄膜表面制造出残留压痕。使用扫描电镜(SEM)、聚焦离子束(FIB)、透射电镜(TEM)和X射线能谱仪(EDX)对... 采用磁控溅射技术在热氧化单晶硅衬底上先后淀积了厚度分别为50 nm的Ta膜和400 nm的Cu膜。使用纳米压入仪在样品表面进行压入测试,在薄膜表面制造出残留压痕。使用扫描电镜(SEM)、聚焦离子束(FIB)、透射电镜(TEM)和X射线能谱仪(EDX)对残留压痕形貌、剖面上的分层现象进行观察,确定分层所在的位置。发现在69 mN的最大载荷作用后,在Ta/SiO2界面处发生分层。分层的原因主要归结为在应力作用下,多层膜中各种材料的应变、弹性恢复能力不同。 展开更多

关键词 Cu/Ta薄膜 纳米压痕 分层

在线阅读 下载PDF 职称材料

sol-gel法制备ATO薄膜的结构与光学性能研究 被引量：1

11

作者 曾凡菊 李玲 周超 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2009年第12期27-29,共3页

采用sol-gel法在玻璃衬底上制备ATO(SnO2∶Sb)薄膜,并用XRD、SEM、紫外-可见光谱和光致发光对薄膜进行了表征,研究了ATO薄膜的结构和光学性能。结果表明:ATO薄膜微晶晶相与SnO2一致,仍然是四方金红石结构;ATO薄膜在可见光区的透过率超过... 采用sol-gel法在玻璃衬底上制备ATO(SnO2∶Sb)薄膜,并用XRD、SEM、紫外-可见光谱和光致发光对薄膜进行了表征,研究了ATO薄膜的结构和光学性能。结果表明:ATO薄膜微晶晶相与SnO2一致,仍然是四方金红石结构;ATO薄膜在可见光区的透过率超过80%,当r(Sb∶Sn)为0.15时,ATO薄膜的透过率最高达87%;ATO薄膜在344～380nm处有一个很强的紫外-紫光发射带,随着Sb掺杂量的增加,发射峰逐渐变强,在r(Sb∶Sn)为0.25时,发射峰相对强度达302.4。 展开更多

关键词 SOL-GEL法 ATO薄膜 紫外-可见光谱 光致发光(PL)

在线阅读 下载PDF 职称材料

非晶ErAlO高k栅介质薄膜的制备及性能研究 被引量：1

12

作者 陈伟 方泽波 谌家军 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期28-31,共4页

采用射频磁控溅射法在p型Si(100)衬底上成功制备了非晶Er2O3-Al2O3(ErAlO)栅介质复合氧化物薄膜。研究了ErAlO薄膜的结构及电学特性。XRD测量显示,ErAlO薄膜具有良好的热稳定性,样品经过900℃氧气氛退火30 min后仍保持非晶态结构。AFM... 采用射频磁控溅射法在p型Si(100)衬底上成功制备了非晶Er2O3-Al2O3(ErAlO)栅介质复合氧化物薄膜。研究了ErAlO薄膜的结构及电学特性。XRD测量显示,ErAlO薄膜具有良好的热稳定性,样品经过900℃氧气氛退火30 min后仍保持非晶态结构。AFM照片显示,其表面粗糙度小于0.2 nm,平整度良好。ErAlO栅MOS结构在氧分压为1%时,薄膜的有效相对介电常数为9.5,外加偏压(Vg)为–1 V时样品的漏电流密度为7.5×10–3 A/cm2。非晶ErAlO薄膜是一种很有希望取代SiO2的新型高k栅介质候选材料。 展开更多

关键词 Er2O3-Al2O3 高K栅介质 射频磁控溅射

在线阅读 下载PDF 职称材料

锂掺杂p型氧化锌薄膜的制备 被引量：3

13

作者 王相虎 袁艳红 +3 位作者 孙振武 徐时松 金华 赵华 《上海电机学院学报》 2007年第3期237-239,共3页

通过将含有原子百分含量为2%锂(2at%)的锌锂(Zn-Li)合金薄膜在500℃氮气氛中退火2 h,然后在700℃氧气氛下退火1 h的方法分别制备出p型锂掺杂的氧化锌(ZnO:Li)薄膜。通过He-Cd激光器的325 nm线激发,测量了样品低温(12 K)发光光谱,并根据Z... 通过将含有原子百分含量为2%锂(2at%)的锌锂(Zn-Li)合金薄膜在500℃氮气氛中退火2 h,然后在700℃氧气氛下退火1 h的方法分别制备出p型锂掺杂的氧化锌(ZnO:Li)薄膜。通过He-Cd激光器的325 nm线激发,测量了样品低温(12 K)发光光谱,并根据Zn-Li合金薄膜的低温发光光谱特征,计算出(LiZn-N)复合受主能级的位置位于价带顶137 meV处。 展开更多

关键词 合金 退火 真空镀膜 p-型

在线阅读 下载PDF 职称材料

离子束溅射制备的氧化钽层的绝缘特性 被引量：2

14

作者 禹庆荣 陈特超 《微细加工技术》 2002年第4期58-60,共3页

介绍了一种具有高附着力和优良绝缘性能的Ta2 O5 介质膜 ,它由离子束溅射镀膜工艺制备而成。检测了在不同氧气流量下制备的氧化钽薄膜的绝缘性。结果表明 :在其余条件相同的情况下 ,氧气流量越大所制备的薄膜绝缘程度越高。但当氧气流... 介绍了一种具有高附着力和优良绝缘性能的Ta2 O5 介质膜 ,它由离子束溅射镀膜工艺制备而成。检测了在不同氧气流量下制备的氧化钽薄膜的绝缘性。结果表明 :在其余条件相同的情况下 ,氧气流量越大所制备的薄膜绝缘程度越高。但当氧气流量达到一定的程度时 ,其绝缘程度不再有所变化。 展开更多

关键词 离子束 溅射 制备 氧化钽层 绝缘特性 半导体

在线阅读 下载PDF 职称材料

Ar^（＋）混合Fe－Dy多层膜的结构及性能

15

作者 李胜利 王佩璇 +1 位作者 阎凤章 马如璋 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1994年第4期A160-A163,共4页

用真空双源蒸镀法在Ｓｉ单晶衬底上制备了Ｆｅ，Ｄｙ原子数比为３：２的Ｆｅ─Ｄｙ成分调制多层膜．用ＡＥＳ、ＲＢＳ、Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）以及磁性测量分析了Ａｒ^（＋）混合前后Ｆｅ─Ｄｙ多层膜的相交．Ａｒ^（＋）离子注入能量１... 用真空双源蒸镀法在Ｓｉ单晶衬底上制备了Ｆｅ，Ｄｙ原子数比为３：２的Ｆｅ─Ｄｙ成分调制多层膜．用ＡＥＳ、ＲＢＳ、Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）以及磁性测量分析了Ａｒ^（＋）混合前后Ｆｅ─Ｄｙ多层膜的相交．Ａｒ^（＋）离子注入能量１１０ｋｅＶ，剂量５×１０^（１５）─１×１０^（１７）／ｃｍ~２．结果表明，注入剂量为１×１０^（１７）／ｃｍ~２时，Ｆｅ，Ｄｙ完全混合，并且由晶态的Ｆｅ，Ｄｙ完全转变为Ｆｅ_（６０）Ｄｙ_（４０）（近似于该化学配比）的非晶态合金，随Ａｒ^（＋）注入量的增加，Ｆｅ一Ｄｙ多层膜的Ｍ_ｓ下降，在剂量５０×１０^（１５）／ｃｍ~２时下降幅度最大。 展开更多

关键词 铁镝多层膜 离子束混合 结构 性能

在线阅读 下载PDF 职称材料

可调带隙量子阱的柔性太阳能电池研究

16

作者 张东 王存旭 +17 位作者 王晓文 王健 赵琰 宋世巍 李昱材 王刚 杜世鹏 司红代 许鉴 王宝石 丁艳波 王晗 郭瑞 刘莉莹 王帅杰 高微 柯韵杰 谢芳 《沈阳师范大学学报（自然科学版）》 CAS 2016年第1期1-5,共5页

采用新型材料作为本征层很大层度上解决了薄膜材料光衰减的问题,有效保证了薄膜太阳能电池的发电效率。采用可调带隙以及具有量子阱结构InxGa1-xN晶体薄膜作为Ⅰ层,可以有效提高薄膜太阳能电池转换效率,再采用GZO透明薄膜既作为缓冲层... 采用新型材料作为本征层很大层度上解决了薄膜材料光衰减的问题,有效保证了薄膜太阳能电池的发电效率。采用可调带隙以及具有量子阱结构InxGa1-xN晶体薄膜作为Ⅰ层,可以有效提高薄膜太阳能电池转换效率,再采用GZO透明薄膜既作为缓冲层又作为透明导电电极,增加了薄膜太阳能电池的透光率,同时提高了透明电极的耐腐蚀性能,使得薄膜太阳能电池的光电转换效率得到了很大的提高。采用AlN作为绝缘层,其晶格失配率相差很小,可以制备出质量均匀的Al背电极。该柔性电池具有优异的柔软性,重量轻,携带方便,具有潜在的市场空间,而且制备工艺简单,可实现规模生产。 展开更多

关键词 可调带隙量子阱 薄膜太阳能电池 柔性基片

在线阅读 下载PDF 职称材料

太阳能电池片上生长ZnO/Al薄膜电极的研究

17

作者 张东 鞠振河 +8 位作者 王晓文 赵琰 宋世巍 李昱材 王刚 丁艳波 王晗 王健 高微 《沈阳师范大学学报（自然科学版）》 CAS 2015年第3期329-332,共4页

太阳能电池片上生长ZnO/Al薄膜电极的研究属于新型透明导电材料领域,具体涉及一种在未引入电极的太阳能电池片上制备ZnO/Al薄膜的方法。以未引入电极的太阳能电池片为基片,清洗后送入磁控溅射反应室,以纯Al为靶材进行磁控溅射得到20~30... 太阳能电池片上生长ZnO/Al薄膜电极的研究属于新型透明导电材料领域,具体涉及一种在未引入电极的太阳能电池片上制备ZnO/Al薄膜的方法。以未引入电极的太阳能电池片为基片,清洗后送入磁控溅射反应室,以纯Al为靶材进行磁控溅射得到20~300nm厚的Al薄膜,然后将基片置于气相沉积室内同时通入氧气和携带有Zn（CH2CH3）2的氩气,沉积得到50~600nm厚的ZnO薄膜,最后在氧气气氛下,于400~600℃对载有ZnO和Al薄膜的基片退火处理,得到ZnO/Al薄膜。制备工艺简单,沉积过程易于控制,透明导电薄膜的均匀性好,光电性能优异,以此作为太阳能电池的背电极,替代传统的铝金属电极,进一步提高了太阳能电池的转化效率。 展开更多

关键词 太阳能电池片 ZnO/Al薄膜电极 磁控溅射

在线阅读 下载PDF 职称材料

C面SiC衬底上N面GaN的MOCVD制备及特性研究（英文）

18

作者 宋世巍 张东 +9 位作者 赵琰 王存旭 柯昀洁 李昱材 王健 王刚 丁艳波 王晗 刘莉莹 郭瑞 《沈阳师范大学学报（自然科学版）》 CAS 2016年第2期140-143,共4页

Ga面GaN基器件结构中存在巨大的极化场,引起载流子溢流等问题,严重的损害了器件的性能。而N面GaN则可以使极化场反转,从而解决这些问题。详细研究了在C面SiC衬底上N面GaN的MOCVD外延生长和性质。N面GaN表面非常粗糙,薄膜中刃位错和混合... Ga面GaN基器件结构中存在巨大的极化场,引起载流子溢流等问题,严重的损害了器件的性能。而N面GaN则可以使极化场反转,从而解决这些问题。详细研究了在C面SiC衬底上N面GaN的MOCVD外延生长和性质。N面GaN表面非常粗糙,薄膜中刃位错和混合位错的含量较高。在Si掺杂的N面GaN的室温PL谱中没有观测到黄带的产生。利用热磷酸溶液对N面GaN腐蚀,在外延膜的表面产生了大量的Ga空位,对应的PL谱出现了黄带,确定黄带来源于Ga空位。经过腐蚀后的GaN呈12面锥体形貌,锥体的形成可以弛豫薄膜中的张应力,此外,随着腐蚀的进行,低温PL谱的半峰宽变窄。 展开更多

关键词 N面GaN 光致发光 镓空位

在线阅读 下载PDF 职称材料

ULSI用氟化类金刚石薄膜的研究

19

作者 肖剑荣 徐慧 简献忠 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期30-32,共3页

以CF4和CH4为源气体，用射频等离子体增强化学气相沉积法，制备了氟化类金刚石（F-DLC）薄膜．采用FTIR仪、XPS对样品进行了测试、分析。结果表明，在薄膜内主要含有C-Fx（=1，2，3）、C-C、C-H2、C-H3等以及不饱和C=C化学键；薄膜的εr... 以CF4和CH4为源气体，用射频等离子体增强化学气相沉积法，制备了氟化类金刚石（F-DLC）薄膜．采用FTIR仪、XPS对样品进行了测试、分析。结果表明，在薄膜内主要含有C-Fx（=1，2，3）、C-C、C-H2、C-H3等以及不饱和C=C化学键；薄膜的εr为2．07-2．65。εr与膜内F的相对浓度有关，随着沉积功率的增大，膜内F、H的含量均降低，εr升高。 展开更多

关键词 半导体技术 氟化类金刚石薄膜 沉积功率 介电常数

在线阅读 下载PDF 职称材料

柔性基体表面原子层沉积Al_2O_3薄膜研究进展

20

作者 魏海英 郭红革 +1 位作者 周美丽 陈强 《真空》 CAS 2017年第6期36-42,共7页

随着机械、光学、微电子和纳米科技等领域的发展,在柔性基体上如聚酯(PET)、聚乳酸酯(PLA)、聚酰亚胺(PI)等聚合物表面沉积Al_2O_3薄膜作为阻挡层、介电层、钝化层的研究也越来越多。无机Al_2O_3薄膜因其机械强度与硬度高、光学性能优... 随着机械、光学、微电子和纳米科技等领域的发展,在柔性基体上如聚酯(PET)、聚乳酸酯(PLA)、聚酰亚胺(PI)等聚合物表面沉积Al_2O_3薄膜作为阻挡层、介电层、钝化层的研究也越来越多。无机Al_2O_3薄膜因其机械强度与硬度高、光学性能优良、透明性高与绝缘性好、耐磨、抗蚀及化学惰性等特点引起人们的极大兴趣。较传统薄膜制备技术,原子层沉积(ALD)技术制备的薄膜具有精确的厚度和成分可控性、高度均匀性和保形性,成为制备Al_2O_3薄膜的主要方式之一。本综述首先概述了原子层沉积原理,其次阐述了柔性沉积基体的特点,介绍了Al_2O_3薄膜的生长过程和影响因素,比较了在柔性基体上热原子层沉积和等离子体辅助原子层沉积Al_2O_3薄膜的优缺点,最后总结和展望了ALD制备Al_2O_3薄膜的研究趋势和应用前景。 展开更多

关键词 柔性基体 ALD AL2O3薄膜

原文传递