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图案表面粗糙度对有机分子区域选择性生长的影响 被引量：1
1
作者 聂青苗 石亮 +5 位作者 汪长超 蒋悦 陈乃波 胡来归 王文冲 鄢波 《浙江工业大学学报》 北大核心 2025年第1期52-57,共6页
区域选择性生长(ASG),即有机分子在预图案表面上的自组装技术,在有机微/纳米图案化方面具有巨大的发展潜力。为了研究图案表面粗糙度在ASG中的明确作用,在粗粒化各向异性相互作用的动力学蒙特卡罗(KMC)模型中引入了无序强度参数描述图... 区域选择性生长(ASG),即有机分子在预图案表面上的自组装技术,在有机微/纳米图案化方面具有巨大的发展潜力。为了研究图案表面粗糙度在ASG中的明确作用,在粗粒化各向异性相互作用的动力学蒙特卡罗(KMC)模型中引入了无序强度参数描述图案表面粗糙度,进一步模拟了有机分子在不同表面粗糙度图案上的沉积行为。研究结果表明图案表面粗糙度会影响有机分子沉积形貌:表面越光滑,图案顶部生长的薄膜越厚;相反,当图案表面变得更粗糙时,粒子更倾向于以台阶边缘诱导的方式生长在图案的间隔处,与实验结果高度吻合。由此可见粗糙度可用于控制有机图案的成核分配,以实现不同的应用,如全彩显示器和微透镜阵列。 展开更多
关键词 区域选择性生长 动力学蒙特卡罗 有机分子
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基于溶液法制备的新型蓝光激基复合物OLED
2
作者 周钰卜 李嘉杰 +1 位作者 罗东向 刘佰全 《半导体技术》 北大核心 2025年第8期801-808,共8页
有机发光二极管(OLED)正成为新一代显示与照明器件,但蓝光材料的性能不足限制了OLED技术的大规模普及。由双分子系统形成的激基复合物具有材料来源广、设计简单、光色易调控等优势,但开发高性能的蓝光激基复合物仍面临挑战。利用空穴传... 有机发光二极管(OLED)正成为新一代显示与照明器件,但蓝光材料的性能不足限制了OLED技术的大规模普及。由双分子系统形成的激基复合物具有材料来源广、设计简单、光色易调控等优势,但开发高性能的蓝光激基复合物仍面临挑战。利用空穴传输材料2,2′-二(4-咔唑基苯基)联苯(BCBP)、聚乙烯咔唑(PVK)、聚[双(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺](PTAA)作为给体,电子传输材料2,4,6-三[3-(二苯基膦氧基)苯基]-1,3,5-三唑(PO-T2T)作为受体,采用溶液法设计了三种类型的激基复合物,并以此制备出OLED器件。基于新型的BCBP∶PO-T2T的激基复合物OLED实现了477.5 nm波长的蓝光发射。此外,通过能级设计实现了激基复合物光色由橙红光到蓝光的调控,并指出聚合物材料更易于以溶液法构建激基复合物。本研究结果为开发蓝光OLED材料、明晰激基复合物工作机制以及实现高性能溶液法制备OLED器件提供了参考。 展开更多
关键词 有机发光二极管(OLED) 蓝光材料 溶液法 激基复合物 光色调控
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改性方法对氧化铟锡衬底表面形貌和化学组分的影响 被引量：18
3
作者 陈首部 韦世良 +1 位作者 何翔 孙奉娄 《中南民族大学学报（自然科学版）》 CAS 2009年第4期43-46,共4页
采用溶剂超声、酸、碱处理等方法对氧化铟锡衬底进行表面改性,研究了改性方法对衬底表面性质及其发光二极管器件性能的影响.实验结果表明:衬底表面性质跟改性方法密切相关,酸、碱处理更加有效降低了衬底表面粗糙度和碳污染,优化了衬底... 采用溶剂超声、酸、碱处理等方法对氧化铟锡衬底进行表面改性,研究了改性方法对衬底表面性质及其发光二极管器件性能的影响.实验结果表明:衬底表面性质跟改性方法密切相关,酸、碱处理更加有效降低了衬底表面粗糙度和碳污染,优化了衬底的表面形貌和化学组分.另外,器件性能也依赖于衬底表面改性方法,溶剂超声处理的器件存在有明显的电流异常行为,而酸、碱处理的器件表现为正常的二极管伏安特性,并且具有较小的驱动电压. 展开更多
关键词 氧化铟锡 表面形貌 化学组分
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基于喷墨打印技术的聚合物电致发光显示 被引量：9
4
作者 彭俊彪 刘南柳 王坚 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2009年第3期311-321,共11页
喷墨打印聚合物电致发光显示(PLED)技术具有操作简单、成本低廉、易于产业化的特点。文章介绍和分析了喷墨打印聚合物PLED技术的现状、产业化所面临的问题及其可能的解决途径,探讨了喷墨打印PLED的未来发展趋势。
关键词 喷墨打印 PLED 成膜工艺 发展趋势
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TiOPc/VOTPP复合光生材料在近红外光区光敏性协同增强的机理 被引量：4
5
作者 孙景志 汪茫 +2 位作者 周成 陈红征 张启光 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期100-102,共3页
　在光致放电研究中发现酞菁氧钛(TiOPc)/四苯基卟啉氧钒(VOTPP)复合光生材料在近红外光照射下表现出明显的光敏性协同增强现象。从TiOPc和VOTPP的电子结构推断:由于VOTPP的电离势(Ip)低于TiOPc而高于传输材料BAH,因此当复合材料被762.... 　在光致放电研究中发现酞菁氧钛(TiOPc)/四苯基卟啉氧钒(VOTPP)复合光生材料在近红外光照射下表现出明显的光敏性协同增强现象。从TiOPc和VOTPP的电子结构推断:由于VOTPP的电离势(Ip)低于TiOPc而高于传输材料BAH,因此当复合材料被762.5nm的光激发时可以发生从VOTPP到TiOPc的电荷转移,VOTPP发挥了从光生材料到传输材料的电荷转移中介作用。据此提出了复合光生材料光敏性协同增强的Ip判据,这个判据得到氯化酞菁铟/VOTPP与氯化酞菁铝/VOTPP复合光生材料光致放电实验的支持。 展开更多
关键词 TiOPc/VOTPP复合光生材料 近红外光区 光敏性协同增强 电荷转移 电离势
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有机半导体材料中的电荷转移 被引量：9
6
作者 周雪琴 汪茫 杨士林 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第8期1312-1317,共6页
在介绍有机半导体材料电荷转移基本理论的基础上 ,对利用电荷转移研究有机半导体材料的导电、光电导和发光过程的现状进行评述 ,认为电荷转移是有机半导体材料研究的关键问题 ,开展其研究不仅有助于弄清一些新现象、新效应的物理起因 。
关键词 有机半导体 电荷转移 电荷转移激子 电子转移
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有机电子传输材料研究新进展 被引量：10
7
作者 叶坚 陈红征 +1 位作者 施敏敏 汪茫 《自然科学进展》 北大核心 2002年第8期800-805,共6页
综述了应用于有机光导体、发光器件、场效应管和太阳能电池等领域的有机电子传输材料研究的最新进展,总结和比较了有机材料载流子迁移率的测试方法,并提出了设计高性能有机电子传输材料的若干原则。
关键词 有机电子传输材料 载流子迁移率 研究进展 电荷传输 n型材料 有机半导体 发光器件 场效应管
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Si基有机异质结势垒特性的研究 被引量：10
8
作者 张福甲 王德明 +2 位作者 张德江 甘润今 刘凤敏 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第3期182-185,共4页
在电阻率为 0 .2Ω·cm的 p -Si衬底上沉积了厚度为 2 0nm的有机半导体材料 艹北 四甲酸二酐 (PTCDA)薄膜 ,由此形成有机 /无机异质结。从它们的能带结构出发 ,通过实验测试分析了这种有机 /无机半导体异质结 (OIHJ)的电容 -电压及... 在电阻率为 0 .2Ω·cm的 p -Si衬底上沉积了厚度为 2 0nm的有机半导体材料 艹北 四甲酸二酐 (PTCDA)薄膜 ,由此形成有机 /无机异质结。从它们的能带结构出发 ,通过实验测试分析了这种有机 /无机半导体异质结 (OIHJ)的电容 -电压及电流 -电压特性。 展开更多
关键词 硅基复合材料 异质结势垒 有机半导体材料
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电子元器件老炼试验技术 被引量：20
9
作者 高成 张栋 王香芬 《现代电子技术》 2008年第16期189-191,共3页
老炼是对电子元器件施加应力,剔除有缺陷的元器件的过程。长时间的老炼会对一些原本健康的器件寿命产生影响,但是时间过短却又不能起到很好地剔除有缺陷的元器件的目的。在相关文章的基础上总结了哪类电子元器件适合进行老炼,以及元器... 老炼是对电子元器件施加应力,剔除有缺陷的元器件的过程。长时间的老炼会对一些原本健康的器件寿命产生影响,但是时间过短却又不能起到很好地剔除有缺陷的元器件的目的。在相关文章的基础上总结了哪类电子元器件适合进行老炼,以及元器件老炼时间的优化问题,提出电子元器件老炼的3个准则,电子元器件最优老炼时间的确定问题,以及元器件老炼发展方向。 展开更多
关键词 老炼 元器件 最优化 最优老炼时间
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柔性有机电致发光器件衬底阻透性能的测试方法 被引量：4
10
作者 张树旺 王华林 +3 位作者 苗壮 丁万昱 朱继国 柴卫平 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2008年第4期514-518,共5页
FOLED被认为是最具发展前景的下一代显示技术之一,但由于H2O、O2等有害气体的侵蚀,FOLED器件很难达到商用显示器件的最低使用寿命标准(1×104h)。虽然在柔性衬底上制备保护层是延长器件使用寿命的有效方法,但目前为止,还没有商用测... FOLED被认为是最具发展前景的下一代显示技术之一,但由于H2O、O2等有害气体的侵蚀,FOLED器件很难达到商用显示器件的最低使用寿命标准(1×104h)。虽然在柔性衬底上制备保护层是延长器件使用寿命的有效方法,但目前为止,还没有商用测试仪器可以评价保护层对H2O、O2等有害气体的阻隔性能。介绍了几种测试H2O、O2渗透率的方法,及它们在评价FOLED衬底保护层阻隔性能方面的应用。 展开更多
关键词 FOLED 渗透率 柔性衬底
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有机半导体PTCDA的制备及其结构表征和光吸收特性研究 被引量：12
11
作者 张福甲 邵佳锋 +2 位作者 张德江 奇莉 甘润今 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第4期351-357,共7页
详细叙述了利用１．８－萘二甲酸酐作为原料制备有机半导体材料ＰＴＣＤＡ的方法；并通过质谱、红外光谱、核磁共振谱、Ｘ射线衍射谱及可见光吸收谱的测试分析，对它的结构和光吸收特性进行了进一步深入研究．
关键词 PTCDA 结构表征 光吸收特性 有机半导体
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复合磺酸体系原位聚合聚苯胺性能研究 被引量：6
12
作者 杨庆浩 王杨勇 程光旭 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期30-33,共4页
采用不同比例的十二烷基苯磺酸(DBSA)与对甲基苯磺酸(TSA)复合磺酸体系替代盐酸体系,合成了具有一定溶解率的聚苯胺(PANI),研究了不同DBSA/TSA比例对掺杂态PANI的产率、掺杂程度、溶解率和电导率的影响。结果表明,DBSA/TSA摩尔比为7/3... 采用不同比例的十二烷基苯磺酸(DBSA)与对甲基苯磺酸(TSA)复合磺酸体系替代盐酸体系,合成了具有一定溶解率的聚苯胺(PANI),研究了不同DBSA/TSA比例对掺杂态PANI的产率、掺杂程度、溶解率和电导率的影响。结果表明,DBSA/TSA摩尔比为7/3时所得PANI同时具有较好的电导率和溶解性。采用该体系合成的掺杂态PANI的电导率为1.1S/cm,在N甲基吡咯烷酮(NMP)、丙酮、四氯化碳和二甲苯中的溶解率(质量分数)分别为70%,40%,26%和19%。 展开更多
关键词 复合磺酸 聚苯胺 原位聚合
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电化学沉积CdSe纳晶薄膜的性能及沉积机理 被引量：5
13
作者 王维波 林瑞峰 +3 位作者 林原 萧绪瑞 陈旭光 杨勇 《感光科学与光化学》 CSCD 1998年第2期177-181,共5页
电化学沉积ＣｄＳｅ纳晶薄膜的性能及沉积机理王维波林瑞峰林原萧绪瑞（中国科学院感光化学研究所，光电化学中心，北京１００１０１）陈旭光杨勇（厦门大学固体表面物理化学国家重点实验室，厦门３６１００５）关键词ＣｄＳｅ纳晶薄膜... 电化学沉积ＣｄＳｅ纳晶薄膜的性能及沉积机理王维波林瑞峰林原萧绪瑞（中国科学院感光化学研究所，光电化学中心，北京１００１０１）陈旭光杨勇（厦门大学固体表面物理化学国家重点实验室，厦门３６１００５）关键词ＣｄＳｅ纳晶薄膜，电化学沉积，扫描隧道显微镜... 展开更多
关键词 电化学沉积 CDSE 硒化镉薄膜 纳米晶体 沉积
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酸处理聚苯胺-酞菁铜复合有机气敏材料合成及表征(英文) 被引量：3
14
作者 施云芬 张更宇 +1 位作者 孙萌 杨锐 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2012年第5期1252-1256,共5页
本文以苯胺为聚苯胺源物质合成聚苯胺(PANI),在氯仿溶液里,通过高氯酸(或硫酸、硝酸)等酸化处理得到酸处理PANI,以甲基苯酚和4-硝基邻苯二腈为苯环源物质合成酞菁铜,将二者聚合形成一种新的复合有机气敏材料CuPcxPANI1-x。采用质谱、红... 本文以苯胺为聚苯胺源物质合成聚苯胺(PANI),在氯仿溶液里,通过高氯酸(或硫酸、硝酸)等酸化处理得到酸处理PANI,以甲基苯酚和4-硝基邻苯二腈为苯环源物质合成酞菁铜,将二者聚合形成一种新的复合有机气敏材料CuPcxPANI1-x。采用质谱、红外光谱、紫外可见光谱、差热失重等表征。结果表明:质谱分析酞菁分子碎片分子量为234,验证了产物酞菁分子碎片合成过程的正确性;C-H红外图谱吸收峰1164.48 cm-1,证明得到的产物是目标产物;高氯酸处理5种比例的CuPcxPANI1-x紫外-可见光吸收光谱对比图可知,紫外吸收峰向可见光区漂移30多nm,可见光区的吸收峰向紫外区漂移近150 nm;热失重分析可知,CuPc在400～500℃出现放热带,PANI从300℃开始缓慢失重,CuPc-PANI在550℃才略有失重趋势,表明新物质结合力牢固,该材料可以采用蒸发镀膜工艺形成气敏薄膜。 展开更多
关键词 酸处理 聚苯胺-酞菁铜 有机气敏材料 表征
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苯并二噻吩基氯代聚合物给体材料的合成工艺与性能分析
15
作者 赖昂 邓鹏 柳振新 《河南科技》 2025年第19期86-89,共4页
【目的】太阳能作为绿色可持续能源的高效转化利用是应对全球能源危机的核心路径。本研究旨在解决有机太阳能电池(OSCs)效率较低的问题,通过设计合成一种新型氯代聚合物给体材料BDT-T-Cl,以提升光电转换效率。【方法】本研究设计合成了... 【目的】太阳能作为绿色可持续能源的高效转化利用是应对全球能源危机的核心路径。本研究旨在解决有机太阳能电池(OSCs)效率较低的问题,通过设计合成一种新型氯代聚合物给体材料BDT-T-Cl,以提升光电转换效率。【方法】本研究设计合成了一种新型氯代聚合物给体材料BDT-T-Cl,通过引入氯原子调控分子能级与聚集行为,显著提升了材料的光电性能。【结果】通过对其进行结构表征和光电性能测试,实验结果表明,BDT-T-Cl在362~568 nm具有宽吸收,薄膜态吸收红移为6~18 nm,分子间的π-π堆积增强,其叠加作用在固态中形成了自聚集或有序排列,HOMO能级降至-5.46 eV,在使用BDT-T-Cl给体材料制备光伏器件时,可以得到较高的开路电压。【结论】本研究通过合成一种新型氯代聚合物给体材料BDT-T-Cl为高效的OSCs器件提供了新的候选材料。 展开更多
关键词 有机太阳能电池 给体材料 苯并二噻吩 氯取代 聚合物
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OLED器件寿命衰退模型的MATLAB分析计算 被引量：4
16
作者 王忆锋 唐利斌 岳清 《电子器件》 CAS 2010年第4期412-415,共4页
介绍了OLED器件寿命衰退模型的MATLAB分析计算方法。一般认为运动离子是驱动电压变化的原因之一。利用MATLAB求解了运动离子瞬态方程,得到了与时间相关的负指数形式分布函数。介绍了阳极为恒流离子源条件时模型的数值求解算法。根据模... 介绍了OLED器件寿命衰退模型的MATLAB分析计算方法。一般认为运动离子是驱动电压变化的原因之一。利用MATLAB求解了运动离子瞬态方程,得到了与时间相关的负指数形式分布函数。介绍了阳极为恒流离子源条件时模型的数值求解算法。根据模型可以计算出运动离子引入的驱动电压随时间的变化关系,其结果可用于与实验数据进行拟合比较。 展开更多
关键词 有机发光二极管 寿命衰退 数值仿真模型 运动离子 驱动电压 MATLAB
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有机半导体9，9＇-联二蒽的合成及其结构表征 被引量：2
17
作者 李建丰 常文利 +2 位作者 陶春兰 欧谷平 张福甲 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第10期1653-1655,共3页
详细叙述了利用9-溴蒽为原料制备高纯9,9′-联二蒽的方法,通过红外光谱、核磁共振谱、质谱对其结构进行了表征,并通过X射线衍射谱和紫外-可见光光谱分析了其成膜结晶性能和光吸收特性。
关键词 有机半导体材料 9 9'-联二蒽 合成 结构表征
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有机紫外半导体PMTC的制备及理论计算研究 被引量：2
18
作者 唐利斌 姬荣斌 +6 位作者 刘树平 冯鸣 张筱丹 宋立媛 王忆锋 陈雪梅 马钰 《红外技术》 CSCD 北大核心 2012年第2期78-83,88,共7页
进行了有机紫外半导体N-[5-甲基-1,3,4-噻二唑-2-取代]二硫代氨基甲酸钾(PMTC)的制备及FT-IR、Raman、UV-Vis及PL光谱实验表征。对实验测试FT-IR及Raman光谱的振动峰进行了归属,Raman光谱测试发现S-K在152 cm-1有v(S-K-S)伸缩振动。UV-... 进行了有机紫外半导体N-[5-甲基-1,3,4-噻二唑-2-取代]二硫代氨基甲酸钾(PMTC)的制备及FT-IR、Raman、UV-Vis及PL光谱实验表征。对实验测试FT-IR及Raman光谱的振动峰进行了归属,Raman光谱测试发现S-K在152 cm-1有v(S-K-S)伸缩振动。UV-Vis实验光谱表明PMTC在200～350nm波段有紫外吸收,PL实验光谱表明PMTC在340～400 nm波段有明显的紫外发光峰,峰值波长为373 nm,PL谱相对于吸收光谱有Stokes频移。采用密度泛函理论(DFT)方法对PMTC进行了B3LYP/6-31G水平上的分子结构优化、UV-Vis光谱、分子前线轨道、分子电子密度、Mulliken电荷等理论计算。理论研究结果表明:PMTC在UV-Vis波段有三个电子跃迁吸收。前线轨道计算表明PMTC的HOMO的电子主要分布在与K原子相连的两个S原子上,而LUMO轨道的电子主要集中在K原子上,PMTC吸收光子后,产生电子由HOMO至LUMO跃迁的实质是电子由配体(主要是配位S原子)向金属原子K的转移。 展开更多
关键词 有机紫外半导体 密度泛函理论 红外光谱 RAMAN光谱 紫外-可见光谱
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有机半导体苝的DFT理论计算研究 被引量：2
19
作者 唐利斌 姬荣斌 +10 位作者 刘树平 王忆锋 台国安 魏长松 许扬羽 陆志文 叶婧 宋立媛 陈雪梅 马钰 庄继胜 《红外技术》 CSCD 北大核心 2012年第6期325-331,共7页
采用密度泛函理论(DFT)方法对苝进行了B3LYP/6-31G水平上的分子结构优化、IR光谱、Raman光谱、THz光谱、UV-Vis光谱、分子前线轨道、分子电子密度、Mulliken电荷等理论计算。研究结果表明:理论计算结果与实验数据吻合得较好,对IR、THz、... 采用密度泛函理论(DFT)方法对苝进行了B3LYP/6-31G水平上的分子结构优化、IR光谱、Raman光谱、THz光谱、UV-Vis光谱、分子前线轨道、分子电子密度、Mulliken电荷等理论计算。研究结果表明:理论计算结果与实验数据吻合得较好,对IR、THz、UV-Vis吸收光谱和Raman散射光谱中的特征峰进行了归属,发现苝的THz光谱有三个特征吸收峰,它们分别位于2.94、5.46和7.77 THz,其中5.46 THz的吸收是最强的,它是由以C4-C1-C11-C16为轴的苝分子面外对称弯曲振动产生的。苝在UV-Vis光波段有三个吸收峰,峰值波长分别位于420.79、328.14及303.80 nm,其中420.79nm的紫外吸收峰最强。前线轨道计算表明苝分子的HOMO与LUMO能量差值为3.077eV,它与用UV-Vis的理论计算能隙2.946eV仅有0.131eV(4.45%)的偏差。 展开更多
关键词 苝 密度泛函理论 红外光谱 RAMAN光谱 紫外-可见光谱
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应用于3D集成的高密度Cu/Sn微凸点键合技术 被引量：2
20
作者 独莉 宿磊 +3 位作者 陈鹏飞 张昆 廖广兰 史铁林 《半导体光电》 CAS 北大核心 2015年第3期403-407,共5页
3D-IC技术被看作是应对未来半导体产业不断增长的晶体管密度最有希望的解决方案,而微凸点键合技术是实现3D集成的关键技术之一。采用电镀工艺制作了直径为50μm、间距为130μm的高密度Cu/Sn微凸点,分析了不同预镀时间及电流密度对Cu微... 3D-IC技术被看作是应对未来半导体产业不断增长的晶体管密度最有希望的解决方案,而微凸点键合技术是实现3D集成的关键技术之一。采用电镀工艺制作了直径为50μm、间距为130μm的高密度Cu/Sn微凸点,分析了不同预镀时间及电流密度对Cu微凸点形成质量的影响,并使用倒装焊机实现了高密度Cu/Sn微凸点的键合。利用直射式X射线、分层式X射线对键合样片进行无损检测,结果表明键合对准精度高,少量微凸点边缘有锡被挤出,这是由于锡层过厚导致。观察键合面形貌,可以发现Cu和Sn结合得不够紧密。进一步对键合面金属间化合物进行能谱分析,证实存在Cu6Sn5和Cu3Sn两种物质,说明Cu6Sn5没有与Cu充分反应生成稳态产物Cu3Sn,可以通过增加键合时间、减少Sn层厚度或增加退火工艺来促进Cu3Sn的生成。 展开更多
关键词 3D集成 Cu/Sn微凸点 电镀 键合 金属间化合物
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