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GaAs/Ga_(0.7)Al_(0.3)As超晶格中场致激子峰展宽机制的研究
1
作者 张耀辉 江德生 +3 位作者 李锋 吴荣汉 周均铭 梅笑冰 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第10期652-657,共6页
我们利用光电流谱在10—300K温度范围内研究了GaAs/Ga_(0.7)Al_(0.3)As(35A/35A)短周期超晶格中的Wannier-Stark效应,实验发现0h激子峰随电场的增加而展宽。我们把激子峰的场致展宽归因于:Wannier-Stark局域化使界面的涨落对电子态的散... 我们利用光电流谱在10—300K温度范围内研究了GaAs/Ga_(0.7)Al_(0.3)As(35A/35A)短周期超晶格中的Wannier-Stark效应,实验发现0h激子峰随电场的增加而展宽。我们把激子峰的场致展宽归因于:Wannier-Stark局域化使界面的涨落对电子态的散射增加而使激子峰展宽。这种与电场有关的散射机制会使L.Esaki和Tsu所预期的超晶格的负微分电阻效应减小。 展开更多
关键词 GAAS/GAALAS 超晶格 激子峰 电场
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GaAs-AaAlAs多量子阱界面特性的光学研究 被引量：2
2
作者 徐仲英 徐强 +1 位作者 郑宝真 许继宗 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第6期416-421,共6页
本文用光荧光光谱和激发光谱研究了分子束外延GaAs-GaAlAs多量子阱结构的界面特性。在极弱激发条件下,与界面相关的光谱特性可以分为三类:当样品界面较为平整时,光谱结构上出现明显的本征发光和杂质发光竞争现象;当样品界面起伏较大时,... 本文用光荧光光谱和激发光谱研究了分子束外延GaAs-GaAlAs多量子阱结构的界面特性。在极弱激发条件下,与界面相关的光谱特性可以分为三类:当样品界面较为平整时,光谱结构上出现明显的本征发光和杂质发光竞争现象;当样品界面起伏较大时,界面缺陷可成为激子束缚中心,阻止载流子向杂质能级扩散,光谱中只表现出较宽的本征发光峰;还有一种情况是界面缺陷使杂质在界面富集,光谱中出现较强的界面杂质发光。 展开更多
关键词 GAAS-GAALAS 量子阱 界面特性
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穿越碲镉汞上PC-SiO_2膜的硼离子注入
3
作者 R.C.Bowman Jr. R.E.Robertson. +1 位作者 J.F.Knudsen. 吴名权 《航空兵器》 1997年第1期40-43,共4页
变温霍耳测量和电阻率测量,已被用于监测硼元素穿透p型碲镉汞材料上光化学生成的SiO_2薄膜后对其载流子行为的影响,证明形成了n型层。借助于新的中子深度分布测量法已经定量地、非破坏性地测得B^(10)的绝对浓度和分布情况。正如所预期... 变温霍耳测量和电阻率测量,已被用于监测硼元素穿透p型碲镉汞材料上光化学生成的SiO_2薄膜后对其载流子行为的影响,证明形成了n型层。借助于新的中子深度分布测量法已经定量地、非破坏性地测得B^(10)的绝对浓度和分布情况。正如所预期的那样,硼元素在SiO_2和Hg_(1-x)Cd_xTe中的分布强烈地依赖于离子注入的能量。然而,人们发现经200℃退火后硼元素分布的改变是很小的。本文简要地谈到采用通常离子注入方法所制成的中红外(MWIR)探测器的性能。 展开更多
关键词 HGCDTE 硼离子注入 红外光电器件
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