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InGaAs／InAlAs盖帽层对InAs自组装量子点发光性质的影响
被引量：
1
1
作者
孔令民
姚建明
吴正云
《半导体光电》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第3期349-352,共4页
采用变温及时间分辨光致发光谱研究了MBE设备生长的具有不同盖帽层的InAs量子点样品。发现引入InGaAs盖帽层可以使InAs量子点发光的半高宽减小，且向长波长移动。InGaAs／InAlAs联合盖帽层可以进一步改善InAs量子点发光性能，使得室温...
采用变温及时间分辨光致发光谱研究了MBE设备生长的具有不同盖帽层的InAs量子点样品。发现引入InGaAs盖帽层可以使InAs量子点发光的半高宽减小，且向长波长移动。InGaAs／InAlAs联合盖帽层可以进一步改善InAs量子点发光性能，使得室温发光波长超过1.3μm；在10-300K温度范围内，发光峰值能量及半高宽随温度的变化都较小。随温度升高，InAs量子点的发光寿命首先增大，当温度升高到临界温度Tc后，发光寿命逐渐减小。但覆盖不同盖帽层的InAs量子点样品，其发光寿命具有不同的温度关系，联合盖帽层样品具有较大的Tc及发光寿命。根据应力及栽流子迁移模型对以上实验结果进行了分析。
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关键词
盖帽层
INAS量子点
时间分辨谱
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职称材料
大尺寸6H-SiC半导体单晶材料的生长
被引量：
7
2
作者
陈之战
肖兵
+2 位作者
施尔畏
庄击勇
刘先才
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第4期685-690,共6页
报道了生长SiC单晶的PVT法生长工艺,研究了晶体生长温度、温度梯度、生长室压力、杂质等因素对晶体生长和晶体质量的影响,确定出合理的工艺条件,生长出φ45mmSiC单晶.X射线衍射表明,生长的单晶为6H多型结构,通过腐蚀法得到晶体中微管道...
报道了生长SiC单晶的PVT法生长工艺,研究了晶体生长温度、温度梯度、生长室压力、杂质等因素对晶体生长和晶体质量的影响,确定出合理的工艺条件,生长出φ45mmSiC单晶.X射线衍射表明,生长的单晶为6H多型结构,通过腐蚀法得到晶体中微管道密度约为103cm-2,位错密度约为104～105cm-2.测试了SiC单晶的半导体特性,结果表明:晶体为n型,电阻率约300Ω·cm,迁移率90cm2V-1S-1,载流子浓度在1014cm-3量级.
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关键词
6H-SIC
半导体
碳化硅单晶
晶体生长
PVT法
微管道
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职称材料
题名
InGaAs／InAlAs盖帽层对InAs自组装量子点发光性质的影响
被引量：
1
1
作者
孔令民
姚建明
吴正云
机构
浙江海洋学院物理系
厦门大学物理系
出处
《半导体光电》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第3期349-352,共4页
基金
浙江省舟山市科技项目(06110)
浙江海洋学院科研项目(X06LY01)
浙江海洋学院人才引进项目(211050041)
文摘
采用变温及时间分辨光致发光谱研究了MBE设备生长的具有不同盖帽层的InAs量子点样品。发现引入InGaAs盖帽层可以使InAs量子点发光的半高宽减小，且向长波长移动。InGaAs／InAlAs联合盖帽层可以进一步改善InAs量子点发光性能，使得室温发光波长超过1.3μm；在10-300K温度范围内，发光峰值能量及半高宽随温度的变化都较小。随温度升高，InAs量子点的发光寿命首先增大，当温度升高到临界温度Tc后，发光寿命逐渐减小。但覆盖不同盖帽层的InAs量子点样品，其发光寿命具有不同的温度关系，联合盖帽层样品具有较大的Tc及发光寿命。根据应力及栽流子迁移模型对以上实验结果进行了分析。
关键词
盖帽层
INAS量子点
时间分辨谱
Keywords
cap layer
InAs quantum dots
time-resolved photoluminescence
分类号
TN304.32 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
大尺寸6H-SiC半导体单晶材料的生长
被引量：
7
2
作者
陈之战
肖兵
施尔畏
庄击勇
刘先才
机构
中国科学院上海硅酸盐研究所
出处
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第4期685-690,共6页
基金
国家自然科学基金重点项目(51032040)
中国科学院上海硅酸盐研究所所长择优基金资助
文摘
报道了生长SiC单晶的PVT法生长工艺,研究了晶体生长温度、温度梯度、生长室压力、杂质等因素对晶体生长和晶体质量的影响,确定出合理的工艺条件,生长出φ45mmSiC单晶.X射线衍射表明,生长的单晶为6H多型结构,通过腐蚀法得到晶体中微管道密度约为103cm-2,位错密度约为104～105cm-2.测试了SiC单晶的半导体特性,结果表明:晶体为n型,电阻率约300Ω·cm,迁移率90cm2V-1S-1,载流子浓度在1014cm-3量级.
关键词
6H-SIC
半导体
碳化硅单晶
晶体生长
PVT法
微管道
Keywords
silicon carbide single crystal
crystal growth
PVT method
micropipe
分类号
TN304.32 [电子电信—物理电子学]
TN304.05 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
InGaAs／InAlAs盖帽层对InAs自组装量子点发光性质的影响
孔令民
姚建明
吴正云
《半导体光电》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
1
在线阅读
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职称材料
2
大尺寸6H-SiC半导体单晶材料的生长
陈之战
肖兵
施尔畏
庄击勇
刘先才
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
7
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职称材料
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