纳米SnO_2材料的晶化及其对气敏特性的影响 被引量：6

1

作者 刘勇 陈春华 沈瑜生 《传感技术学报》 CAS CSCD 1993年第1期24-28,共5页

本文对以无水SnCl_4为源、采用低温等离子体法制备的10nm量级的SnO_2粉料的晶化现象进行了多方面的讨论.由DTA得到了这种粉料的晶化温度;结合IR分析了升温过程中粉料的失重原因;从X-射线衍射谱图中分析了制得粉料的热稳定性.在晶化温度... 本文对以无水SnCl_4为源、采用低温等离子体法制备的10nm量级的SnO_2粉料的晶化现象进行了多方面的讨论.由DTA得到了这种粉料的晶化温度;结合IR分析了升温过程中粉料的失重原因;从X-射线衍射谱图中分析了制得粉料的热稳定性.在晶化温度前后对粉料进行热处理,得到了不同的电导-温度曲线.比较了两种温度烧结制得的气敏元件的灵敏度. 展开更多

关键词 晶化 半导体材料 二氧化锡 特性

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射频溅射CoMnNi氧化物薄膜结构研究 被引量：4

2

作者 谭辉 陶明德 +1 位作者 韩英 张寒 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第7期497-502,共6页

按一定原子比的CoMnNi氧化物混合体,经压片、高温烧结,制成具有尖晶石结构的靶.采用射频溅射,分别在单晶硅、玻璃和氧化铝陶瓷衬底上淀积生长的CoMnNi多成份氧化物薄膜,是一种理想的宽温区热敏材料.扫描电镜能谱和俄歇谱分析表明薄膜中C... 按一定原子比的CoMnNi氧化物混合体,经压片、高温烧结,制成具有尖晶石结构的靶.采用射频溅射,分别在单晶硅、玻璃和氧化铝陶瓷衬底上淀积生长的CoMnNi多成份氧化物薄膜,是一种理想的宽温区热敏材料.扫描电镜能谱和俄歇谱分析表明薄膜中Co,Mn,Ni的原子比偏离靶材料的设计值;X射线衍射谱证明这种薄膜具有非晶结构或尖晶石结构.文章给出了退火后X射线衍射谱及傅利叶交换红外光谱和激光喇曼谱,讨论了生成非晶薄膜和尖晶石结构的条件. 展开更多

关键词 射频溅射 氧化物 薄膜 结构

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反应溅射非晶态氧化铝薄膜 被引量：1

3

作者 楼翰一 朱圣龙 +1 位作者 王福会 吴维(?) 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1991年第3期B210-B213,共4页

研究了平面磁控直流反应溅射法沉积氧化铝薄膜的过程。结果表明氧分压大小对反应溅射过程有决定性作用,当氧分压增大或减小过程中存在两个阈值。氧分压小于阈值为金属Al溅射区,大于阈值为氧化铝溅射区。在阈值附近总气压、溅射电压和沉... 研究了平面磁控直流反应溅射法沉积氧化铝薄膜的过程。结果表明氧分压大小对反应溅射过程有决定性作用,当氧分压增大或减小过程中存在两个阈值。氧分压小于阈值为金属Al溅射区,大于阈值为氧化铝溅射区。在阈值附近总气压、溅射电压和沉积速率发生突变,溅射特性(V-J)曲线有不同规律。沉积的氧化铝膜为非晶态,高温下可晶化,本文还讨论了反应溅射的机理。 展开更多

关键词 氧化铝 薄膜 反应溅射 非晶态

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BaF_2晶体的结晶习性与缺陷 被引量：3

4

作者 华素坤 仲维卓 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 1992年第2期131-136,共6页

本文研究了 BaF_2晶体的结晶习性与负晶结构;提出了构成晶体的单形{100}、{110}和{111}在晶体生长过程中起着重要作用的论点,晶体中的散射颗粒主要是由负晶所形成的,从负晶的形态和结晶方位分析是由{111}、{110}、{100}和{113}面族所组成。

关键词 氟化钡 晶体 缺陷 结晶

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射频反应溅射SiO_2薄膜的研究 被引量：2

5

作者 张旭苹 陈国平 《真空电子技术》 北大核心 1994年第3期3-6,共4页

研究反应气体（Ｏ_２）含量及基片温度对射频反应溅射ＳｉＯ_２膜光学性能及沉积速率的影响，并给出了膜层俄歇能谱分析结果。

关键词 射频反应溅射 薄膜 二氧化硅

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MOD法制备SnO_2气敏薄膜 被引量：1

6

作者 林海安 吴冲若 邢建 《微细加工技术》 1993年第4期35-39,共5页

本文采用金属有机物热分解(MOD)法制备SnO_2薄膜,探索了锑掺杂对薄膜电阻的调制,通过I—V特性发现Al/SnO_2系统存在零电压电位,最后还测试了薄膜的气敏特性。

关键词 氧化锡 薄膜 MOD法

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溅射SnO_2/α-Fe-2O_3薄膜的敏感特性研究

7

作者 娄向东 沈荷生 沈瑜生 《传感技术学报》 CAS CSCD 1993年第4期51-54,共4页

薄膜元件应用前景广阔,为进一步探索多层薄膜元件的性能,我们对SnO_2及ZnO体系作了分析研究,得到了双层膜在灵敏度与选择性方面都明显优于单层膜的结论.本文介绍SnO_2/α-Fe_2O_3体系的实验结果.1 实验1.1

关键词 溅射 二氧化锡 Α-FE2O3 薄膜

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GaAs上热壁外延Cd_（0．96）Zn_（0．04）Te薄膜

8

作者 陶长远 刘达清 《红外与激光技术》 EI CSCD 1994年第3期15-17,共3页

国内首次报道用热壁外延（ＨＷＥ）技术在（１００）ＧａＡｓ衬底上生长出Ｃｄ＿（０．９６）Ｚｎ＿（０．０４）Ｔｅ（１１１）薄膜。结果表明，薄膜在１５～２０μｍ厚时Ｘ射线双晶衍射回摆曲线半高宽在１００弧秒以下，其位错腐蚀坑... 国内首次报道用热壁外延（ＨＷＥ）技术在（１００）ＧａＡｓ衬底上生长出Ｃｄ＿（０．９６）Ｚｎ＿（０．０４）Ｔｅ（１１１）薄膜。结果表明，薄膜在１５～２０μｍ厚时Ｘ射线双晶衍射回摆曲线半高宽在１００弧秒以下，其位错腐蚀坑密度等于甚至小于１０￣３ｃｍ￣（－２）薄膜组分、层厚均匀，表面光亮如镜，质量达到国际先进水平，优于国内Ｃｄ＿（０．９６）Ｚｎ＿（０．０４）Ｔｅ块晶，是外延生长ＨｇＣｄＴｅ的理想替代式衬底。文章强调了生长前ＧａＡｓ衬底，多晶源预处理的重要性。 展开更多

关键词 砷化镓 热壁外延 碲锌镉 薄膜

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SnO_2超微粒子薄膜的气敏特性研究 被引量：7

9

作者 陆慧 朱以华 +2 位作者 陆元成 杨毅 潘孝仁 《传感技术学报》 CAS CSCD 1994年第1期25-30,共6页

作者用自行设计的直流气体放电活化反应蒸发装置制备出平均粒径约为40nm的SnO_2超微粒子薄膜.研究了不同氧分压下所得SnO_2超微粒膜的形貌、结构和组成等特性,以及不同样品对各种易燃气体的气敏特性,得出了灵敏度随氧分压及灵敏度随工... 作者用自行设计的直流气体放电活化反应蒸发装置制备出平均粒径约为40nm的SnO_2超微粒子薄膜.研究了不同氧分压下所得SnO_2超微粒膜的形貌、结构和组成等特性,以及不同样品对各种易燃气体的气敏特性,得出了灵敏度随氧分压及灵敏度随工作温度的变化曲线. 展开更多

关键词 氧化锡 薄膜 灵敏度 气敏特性

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光谱法控制ITO膜沉积速率 被引量：1

10

作者 黄士勇 王德苗 +1 位作者 任高潮 陈抗生 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第3期328-330,共3页

用磁控反应溅射方法制备ITO膜时，溅射速率不断变化，并且等离子体也发出较强的具有较宽光谱的光.报导了用调整特征光谱强度来控制溅射速率的新方法。

关键词 光谱法 溅射速率 ITO膜 氧化铟锡 薄膜

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射频磁控溅射沉积ZrO2—8%（wt）Y2O3薄膜XPS分析 被引量：3

11

作者 黄宁康 蒋锦江 《薄膜科学与技术》 1993年第2期164-169,共6页

关键词 射频 磁控溅射 ZRO2-Y2O3 XPS 薄膜

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TiN薄膜压入过程的开裂方式及其影响因素 被引量：3

12

作者 徐可为 郑森林 《薄膜科学与技术》 1993年第4期263-270,共8页

关键词 薄膜 压入法 氮化钛

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WO3薄膜的制备与表征研究 被引量：2

13

作者 陈祥君 邵丙铣 《薄膜科学与技术》 1993年第2期130-136,共7页

关键词 薄膜 电致变色性 敏感性 三氧化钨

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电子束蒸发及氧化制备SnO2气敏薄膜 被引量：1

14

作者 石东奇 张学华 《薄膜科学与技术》 1994年第2期171-175,共5页

关键词 气敏薄膜 电子束 蒸发 二氧化硅

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YSZ上外延硅界面的特性

15

作者 高培德 陈庆贵 《薄膜科学与技术》 1993年第2期98-103,共6页

关键词 硅 氧化锆 界面 外延炉 特性

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电化学沉积—热解烧制氧化物薄膜

16

作者 路新瀛 朱日彰 《薄膜科学与技术》 1995年第2期120-127,共8页

关键词 薄膜 热解 电化学沉积 氧化物薄膜

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超薄LPCVD二氧化硅膜栅介质

17

作者 初桂珍 《微电子技术》 1994年第2期26-33,共8页

本文介绍低温生长的薄LPCVD二氧化硅膜经短时间热退火后，热氮化后的物理及电学性质。与热生长二氧化硅膜性质进行比较，结果表明，LPCVD二氧化硅膜许多性质优于热生长二氧化硅膜。适合做MOS晶体管的栅介质。文中重点指出，小于10nm的... 本文介绍低温生长的薄LPCVD二氧化硅膜经短时间热退火后，热氮化后的物理及电学性质。与热生长二氧化硅膜性质进行比较，结果表明，LPCVD二氧化硅膜许多性质优于热生长二氧化硅膜。适合做MOS晶体管的栅介质。文中重点指出，小于10nm的超薄的LPCVD二氧化硅膜经快速热退火或热氮化后做MOS晶体管的栅介质，其电学特性优于热生长二氧化硅膜做栅介质的MOS晶体管。在低温器件及超大规模集成电路中有广泛的应用前景。 展开更多

关键词 二氧化硅 薄膜 栅介质 LPCVD

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二氧化硅微米棒阵列的制备及发光性能研究

18

作者 高密 苏勇 +1 位作者 陈翌庆 李玲 《中国材料科技与设备》 2009年第2期14-16,共3页

二氧化硅是一种良好的发光半导体材料，被广泛应用于光学器件、传感器、电子元件等领域。本文利用热蒸发方法，在无催化荆条件下，通过气-固（VS）生长机制制备出非晶二氧化硅微米棒阵列。利用扫描电镜（FE—SEM）、透射电镜（TEM）和... 二氧化硅是一种良好的发光半导体材料，被广泛应用于光学器件、传感器、电子元件等领域。本文利用热蒸发方法，在无催化荆条件下，通过气-固（VS）生长机制制备出非晶二氧化硅微米棒阵列。利用扫描电镜（FE—SEM）、透射电镜（TEM）和光致发光谱（PL）等测试手段对产物的形貌、微观结构和光学性能进行了测试分析及研究。 展开更多

关键词 热蒸发 光致发光 气-固生长机制 阵列

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MgO薄膜的等离子体化学气相沉积及其性质

19

作者 赵玉文 Suhr,H 《薄膜科学与技术》 1994年第1期13-19,共7页

关键词 氧化镁薄膜 等离子体 化学气相沉积

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氧化钨薄膜的电致变色特性和制备

20

作者 王明利 范正修 《薄膜科学与技术》 1994年第4期324-328,共5页

关键词 电致变色 氧化钨薄膜 电致变色器件

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