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爆轰合成纳米超微金刚石的提纯方法研究 被引量：15
1
作者 陈鹏万 恽寿榕 +2 位作者 黄风雷 陈权 仝毅 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第1期56-57,共2页
用炸药爆轰的方法制备了纳米超微金刚石 ,分别用HCIO4、H2 SO4+K2 Cr2 O7以及H2 SO4+KMnO4等多种方法对纳米超微金刚石进行了提纯研究。用X射线衍射、差热和热失重对不同提纯方法得到的超微金刚石进行了分析。结果表明 ,H2 SO4+KMnO4提... 用炸药爆轰的方法制备了纳米超微金刚石 ,分别用HCIO4、H2 SO4+K2 Cr2 O7以及H2 SO4+KMnO4等多种方法对纳米超微金刚石进行了提纯研究。用X射线衍射、差热和热失重对不同提纯方法得到的超微金刚石进行了分析。结果表明 ,H2 SO4+KMnO4提纯是一种高效、经济、安全、污染小、投资少的提纯新方法。 展开更多
关键词 爆轰 提纯 金刚石 合成 纳米超微金则石
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纳米炭纤维的储氢性能初探 被引量：25
2
作者 范月英 刘敏 +3 位作者 廖彬 吕曼琪 苏革 成会明 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第3期230-233,共4页
主要阐述了用流动催化剂法制备的纳米炭纤维的储氢特性，发现在室温下纳米炭纤维可以快速大量吸氢纳米炭纤维的储氢量远远高于目前各种储氢材料的储氢容量100nm左右的炭纤维的储氢容量高达10％以上（质量分数），如此高的储氢容量使其... 主要阐述了用流动催化剂法制备的纳米炭纤维的储氢特性，发现在室温下纳米炭纤维可以快速大量吸氢纳米炭纤维的储氢量远远高于目前各种储氢材料的储氢容量100nm左右的炭纤维的储氢容量高达10％以上（质量分数），如此高的储氢容量使其在燃料电池等方面具有厂阔的应用前景. 展开更多
关键词 纳米炭纤维 储氢材料 储氢特性
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基于RFPECVD方法不锈钢上沉积类金刚石薄膜的机械与摩擦特性 被引量：16
3
作者 蔺增 巴德纯 +1 位作者 王志 闻立时 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期77-80,共4页
讨论用射频等离子体增强化学气相沉积 (RFPECVD)工艺 ,在室温下实现在 1Cr18Ni9Ti不锈钢基底上镀类金刚石(DLC)膜。为提高DLC膜的结合力 ,首先在不锈钢基底上沉积Ti/TiN/TiC功能梯度膜。借助所设计的界面过渡层 ,成功地在不锈钢基底上... 讨论用射频等离子体增强化学气相沉积 (RFPECVD)工艺 ,在室温下实现在 1Cr18Ni9Ti不锈钢基底上镀类金刚石(DLC)膜。为提高DLC膜的结合力 ,首先在不锈钢基底上沉积Ti/TiN/TiC功能梯度膜。借助所设计的界面过渡层 ,成功地在不锈钢基底上沉积了一定厚度的DLC膜。通过优化沉积参数 ,所沉积的DLC膜在与 10 0Cr6钢球对磨时摩擦系数低于 0 0 2 0。在摩擦过程中DLC膜的磨损机制借助SEM、Raman分析进行了研究。 展开更多
关键词 RFPECVD法 不锈钢 类金刚石薄膜 射频等离子体增强化学气相沉积 DLC 摩擦系数
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类金刚石膜的结构与性能研究 被引量：14
4
作者 程宇航 吴一平 +2 位作者 陈建国 乔学亮 谢长生 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第4期452-457,共6页
用激光Ｒａｍａｎ谱和ＸＲＤ谱对用直流射频等离子体化学气相沉积法制备的类金刚石膜的结构进行了分析，并研究了工艺参数对膜的沉积速率、内应力和直流电阻率的影响。结果表明：类金刚石膜是由ｓｐ２和ｓｐ３键组成的非晶态碳膜，当负... 用激光Ｒａｍａｎ谱和ＸＲＤ谱对用直流射频等离子体化学气相沉积法制备的类金刚石膜的结构进行了分析，并研究了工艺参数对膜的沉积速率、内应力和直流电阻率的影响。结果表明：类金刚石膜是由ｓｐ２和ｓｐ３键组成的非晶态碳膜，当负偏压高于３００Ｖ时，膜中ｓｐ３／ｓｐ２键的比值随负偏压的升高而降低。类金刚石膜的沉积速率与负偏压Ｖｂ成正比。膜内存在１～４．７ＧＰａ的压应力，随负偏压的升高而降低。膜的电阻率随负偏压的升高先增后降，这与膜中ｓｐ２／ｓｐ３的比值相对应。 展开更多
关键词 类金刚石膜 化学气相沉积 结构 性能 金刚石薄膜
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硫促进剂对单壁纳米碳管生成的影响 被引量：11
5
作者 李峰 成会明 +3 位作者 魏永良 苏革 刘畅 沈祖洪 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第4期401-404,共4页
研究了有机物催化热解法中含硫生长促进剂对单壁纳米碳管生成的影响,结果表明,含硫生长促进剂能促进单壁纳米碳管的生成,提高产率,并改变其直径数值的分布;促进剂的添加量大。
关键词 单壁 纳米碳管 生长促进剂 硫
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磷掺杂类金刚石薄膜的制备与性能研究 被引量：5
6
作者 王进 Sunny C.H.Kwok +3 位作者 陈俊英 杨萍 黄楠 P.K.Chu 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期123-126,共4页
应用等离子体浸没离子注入与沉积方法合成了磷掺杂的类金刚石(P doped diamond like carbon,P-aopea DLC)薄膜。结构分析表明磷以微米级岛状结构分散于DLC薄膜表层,P的掺杂增加了DLC薄膜的无序性,俄歇能谱证明岛型区域是由P、C、O三种... 应用等离子体浸没离子注入与沉积方法合成了磷掺杂的类金刚石(P doped diamond like carbon,P-aopea DLC)薄膜。结构分析表明磷以微米级岛状结构分散于DLC薄膜表层,P的掺杂增加了DLC薄膜的无序性,俄歇能谱证明岛型区域是由P、C、O三种元素形成的化合物,衰减全反射傅里叶红外光谱(ATR-FTIR)的分析结果显示存在P-O-P和P-P-C的非对称伸缩振动。掺杂表面表现出强烈的亲水性(水接触角为16.9°),体外血小板粘附实验结果显示,P掺杂DLC薄膜表面粘附的血小板少且变形小,表现出的血液相容性优于热解碳和未改性DLCo。P-doped DLC薄膜与水的界面张力为2.7 nJ/cm2,具有较理想的接近于血细胞的界面张力,因此与血液保持了较高的相容性。 展开更多
关键词 类金刚石薄膜 磷掺杂 性能研究 等离子体浸没离子注入 DLC薄膜 diamond 制备 carbon 界面张力 衰减全反射 血小板粘附 血液相容性 沉积方法 like 俄歇能谱 元素形成 伸缩振动 分析结果 红外光谱 水接触角 薄膜表面 微米级
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超硬材料表面镀覆技术及应用(续) 被引量：15
7
作者 臧建兵 赵玉成 +1 位作者 王明智 王艳辉 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 2000年第4期7-12,共6页
关键词 超硬材料 真空微蒸发镀覆 磁控溅射 金刚石
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碳纳米管及其应用 被引量：19
8
作者 朱长纯 袁寿财 李玉魁 《微纳电子技术》 CAS 2002年第8期1-6,25,共7页
综述了碳纳米管材料当前的研究状况、独特性质及其应用潜力,对碳纳米管材料的制备技术进行了简单介绍,详细说明了碳纳米管场致发射显示器的工作原理和制作技术、方法,讨论了碳纳米管材料在各种应用领域中的巨大应用前景,包括高强度复合... 综述了碳纳米管材料当前的研究状况、独特性质及其应用潜力,对碳纳米管材料的制备技术进行了简单介绍,详细说明了碳纳米管场致发射显示器的工作原理和制作技术、方法,讨论了碳纳米管材料在各种应用领域中的巨大应用前景,包括高强度复合材料、微机械、信息存储、纳米电子器件、平板场致发射显示器以及碳纳米管微操作等。利用碳纳米管材料制作的平板显示器具有优越的视觉性能,而且可以极大地降低生产成本。 展开更多
关键词 碳纳米管 场致发射显示器 电弧放电 应用 半导体
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大面积光学级金刚石自支撑膜制备、加工及应用 被引量：5
9
作者 吕反修 唐伟忠 +3 位作者 李成明 陈广超 佟玉梅 宋建华 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期117-124,共8页
大面积光学级金刚石自支撑膜的制备和加工是近年来在CVD金刚石研究领域的最重要的技术进展之一.在军事和民用光学领域有非常重要的应用前景.本文综述了北京科技大学近年来在CVD金刚石膜光学应用领域的研究进展.给出了采用高功率直流电... 大面积光学级金刚石自支撑膜的制备和加工是近年来在CVD金刚石研究领域的最重要的技术进展之一.在军事和民用光学领域有非常重要的应用前景.本文综述了北京科技大学近年来在CVD金刚石膜光学应用领域的研究进展.给出了采用高功率直流电弧等离子体喷射(DC Arc Plasma Jet)CVD工艺制备大面积光学级金刚石自支撑膜的研究结果,并报导了对所制备的光学级金刚石自支撑膜的光学、力学(机械)、热学、微波介电性能和抗激光损伤等方面的最新研究结果. 展开更多
关键词 光学级金刚石膜 制备和加工 光学性能 热学性能 机械性能 微波介电性能
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电泳电压对碳纳米管沉积薄膜及阴极场发射特性影响 被引量：8
10
作者 梅山孩 冯涛 +1 位作者 孙卓 林丽锋 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2008年第4期478-483,共6页
电泳法是制作碳纳米管冷阴极的重要方法。电泳电压是电泳过程中的重要参数,不同电压会影响阴极沉积的厚度和效率、形貌结构及场发射特性。实验对比研究和机理分析认为,电压在20～30V区间内较易获得良好的碳纳米管场发射冷阴极。针对电... 电泳法是制作碳纳米管冷阴极的重要方法。电泳电压是电泳过程中的重要参数,不同电压会影响阴极沉积的厚度和效率、形貌结构及场发射特性。实验对比研究和机理分析认为,电压在20～30V区间内较易获得良好的碳纳米管场发射冷阴极。针对电泳边缘增厚效应,提出减小电场强度边缘效应方法。 展开更多
关键词 碳纳米管 场发射特性 电泳法 电压
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Ⅱb型金刚石单晶的制备和半导体特性研究进展 被引量：5
11
作者 宫建红 李木森 +2 位作者 许斌 尹龙卫 崔建军 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第6期622-625,共4页
　Ⅱb型金刚石由于具有极佳的半导体性能,适合于制造高性能电力电子器件,可以在更高的温度和恶劣的环境下正常工作,是一种有发展前途的高温、大功率半导体材料。本文从结构、合成方法、半导体特性和应用等方面阐述了Ⅱb型半导体金刚石... 　Ⅱb型金刚石由于具有极佳的半导体性能,适合于制造高性能电力电子器件,可以在更高的温度和恶劣的环境下正常工作,是一种有发展前途的高温、大功率半导体材料。本文从结构、合成方法、半导体特性和应用等方面阐述了Ⅱb型半导体金刚石的研究现状,在此基础上提出了今后的研究方向。 展开更多
关键词 人造金刚石 半导体 Ⅱb型金刚石 单晶 制备 研究进展
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金刚石半导体研究进展 被引量：8
12
作者 熊礼威 汪建华 +2 位作者 满卫东 刘长林 翁俊 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第7期117-121,共5页
金刚石具有一系列优异的物理化学性能,特别是独特的电学和热学性能,使其在半导体领域具有极佳的应用前景。通过详细评述金刚石的各种性能,以及与其他半导体材料的性能比较,提出了金刚石在半导体器件应用领域的优势。详细介绍了金刚石半... 金刚石具有一系列优异的物理化学性能,特别是独特的电学和热学性能,使其在半导体领域具有极佳的应用前景。通过详细评述金刚石的各种性能,以及与其他半导体材料的性能比较,提出了金刚石在半导体器件应用领域的优势。详细介绍了金刚石半导体掺杂以及金刚石半导体器件的种类和应用,并在此基础上展望了金刚石在半导体领域的应用。 展开更多
关键词 金刚石 半导体 掺杂
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β树脂含量对高密度各向同性炭性能的影响 被引量：4
13
作者 高燕 宋怀河 +2 位作者 陈晓红 毛义良 刘先龙 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期205-209,共5页
以不同β树脂含量的中间相沥青炭微球（Ｍｅｓｏｃａｒｂｏｎ ｍｉｃｒｏｂｅａｄｓ，ＭＣＭＢｓ）为原料制备高密度各向同性炭块．通过 ＴＧＡ、ＳＥＭ、Ｉｎｓｔｒｏｎ等分析方法系统地研究了β树脂含量对炭块七学性能和断面形态的影... 以不同β树脂含量的中间相沥青炭微球（Ｍｅｓｏｃａｒｂｏｎ ｍｉｃｒｏｂｅａｄｓ，ＭＣＭＢｓ）为原料制备高密度各向同性炭块．通过 ＴＧＡ、ＳＥＭ、Ｉｎｓｔｒｏｎ等分析方法系统地研究了β树脂含量对炭块七学性能和断面形态的影响．分析了中间相沥青炭微球的自烧结机理,结果表明：由中间相沥青炭微球热压得到的生坯的炭比过程分为两个不同的阶段．塑性烧结和固相炭比：β树脂含量对最终炭比制品的性能影响显著．炭比后炭块的密度、弯曲强度等性能均随β树脂含量的增加先增加后降低．在β树脂含量为８．９ｗｔ％时出现最大值。 展开更多
关键词 性能 中间相沥青炭微球 自烧结性 半导体 各向同性炭 β树脂含量 塑性烧结 炭材料
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金刚石氮空位中心的研究进展及应用 被引量：9
14
作者 张欢 马宗敏 +6 位作者 谢艳娜 王芳 石云波 唐军 薛晨阳 刘俊 李艳君 《微纳电子技术》 北大核心 2014年第12期765-769,775,共6页
综述了金刚石中氮空位(NV)中心的研究进展及应用。金刚石中NV中心是由一个氮原子取代金刚石中的一个碳原子,然后捕获周围的一个空穴形成的,是一种独特的荧光光散射吸收光谱晶格缺陷。首先介绍了金刚石晶体中NV中心的晶体结构以及光学和... 综述了金刚石中氮空位(NV)中心的研究进展及应用。金刚石中NV中心是由一个氮原子取代金刚石中的一个碳原子,然后捕获周围的一个空穴形成的,是一种独特的荧光光散射吸收光谱晶格缺陷。首先介绍了金刚石晶体中NV中心的晶体结构以及光学和电学等基本性质。系统综述了金刚石中NV中心的国内外研究现状,包括在物理和生物等领域的重要应用。分析了其在磁场测量、温度测量、角速率测量的超高灵敏度优势,生物标记应用上的稳定性优势以及其他方面的独特的应用前景。指出了金刚石NV中心存在的可扩展性需提高和物理机制需继续研讨等问题,并且展望了金刚石NV中心未来的发展趋势。 展开更多
关键词 氮空位(NV)中心 金刚石 弱磁探测 纳米传感 量子操控
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液体中激光烧蚀固体靶制备纳米晶金刚石 被引量：13
15
作者 王金斌 刘秋香 +2 位作者 杨国伟 陈雄群 游建强 《高压物理学报》 CAS CSCD 北大核心 1998年第4期303-306,共4页
一种独特的方法用来制备纳米晶金刚石，即在丙酮溶液中激光烧蚀石墨靶制备纳米晶金刚石。透射电镜（ＴＥＭ）和高分辨电镜（ＨＲＥＭ）分析表明，所制备的纳米晶金刚石为立方金刚石和六方金刚石晶体。
关键词 激光烧蚀 立方金刚石 六方 金刚石制备 纳米晶
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含掺杂的金刚石 被引量：15
16
作者 臧建兵 黄浩 赵玉成 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 2002年第1期16-18,共3页
含Ⅲ族与Ⅴ族元素掺杂的金刚石是宽禁带的半导体材料 ,同时具有优异的物理化学特性 ,在电子器件与光电子器件方面的应用具有极大潜力 ,成为近几年来国内外研究的热点之一。本文介绍了目前常用的掺杂方法、技术水平及金刚石半导体的应用... 含Ⅲ族与Ⅴ族元素掺杂的金刚石是宽禁带的半导体材料 ,同时具有优异的物理化学特性 ,在电子器件与光电子器件方面的应用具有极大潜力 ,成为近几年来国内外研究的热点之一。本文介绍了目前常用的掺杂方法、技术水平及金刚石半导体的应用前景。 展开更多
关键词 金刚石 半导体 掺杂 电子器件 光电子器件
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金刚石薄膜半导体研究进展及其应用前景 被引量：7
17
作者 周灵平 靳九成 +1 位作者 李绍禄 王长河 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1997年第4期1-4,9,共5页
ＣＶＤ金刚石薄膜是一种有发展前途的半导体材料，近几年来国内外研究取得了一定进展。目前采取的主要研究技术是在非金刚石衬底上生长掺杂金刚石多晶膜，其应用方向是耐高温和抗辐射的半导体器件。尽管金刚石薄膜半导体还有许多问题极... ＣＶＤ金刚石薄膜是一种有发展前途的半导体材料，近几年来国内外研究取得了一定进展。目前采取的主要研究技术是在非金刚石衬底上生长掺杂金刚石多晶膜，其应用方向是耐高温和抗辐射的半导体器件。尽管金刚石薄膜半导体还有许多问题极待解决，但其应用前景十分广阔，到２０００年以后，市场销售额将超过金刚石膜工具而跃居首位。 展开更多
关键词 金刚石薄膜 半导体 掺杂 准单晶
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N离子注入金刚石膜方法合成的CN_x膜的成键结构 被引量：4
18
作者 曹培江 姜志刚 +6 位作者 李俊杰 金曾孙 王欣 郑伟涛 牟宗信 董闯 李哲奎 《吉林大学自然科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2001年第2期49-52,共4页
使用 N离子 (能量分别为 1 0 ke V,60 ke V)注入金刚石膜方法合成 CNx 膜 ,用 Raman光谱和 XPS光谱研究注入前后金刚石膜的成键结构 .结果表明 ,金刚石膜经 1 0 ke V N离子注入后 ,在 Raman光谱中出现一个较强的金刚石峰 (1 332 cm- 1)... 使用 N离子 (能量分别为 1 0 ke V,60 ke V)注入金刚石膜方法合成 CNx 膜 ,用 Raman光谱和 XPS光谱研究注入前后金刚石膜的成键结构 .结果表明 ,金刚石膜经 1 0 ke V N离子注入后 ,在 Raman光谱中出现一个较强的金刚石峰 (1 332 cm- 1)和一个弱的石墨峰 (G带 ,～ 1 550 cm- 1) .而 XPS N1s资料显示两个主峰分别位于～ 398.5e V和～ 40 0 .0 e V.金刚石膜经 60 ke V N离子注入后 ,N1s XPS光谱中的主峰位于～ 40 0 .0 e V;相应地 ,Raman光谱中的石墨峰变得较强 .通过比较 ,对注入样品的 XPS谱中 N1s的成键结构作如下归属 :～ 40 0 .0e V属于 sp2 C— N键 ;～ 398.5e V则属于 sp3C—N键 . 展开更多
关键词 N离子注入 金刚石膜 成键结构 氮化碳薄膜 RAMAN光谱 XPS光谱
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微波等离子体化学气相沉积工艺对透明金刚石膜质量的影响 被引量：7
19
作者 周健 余卫华 +1 位作者 汪建华 袁润章 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期445-449,共5页
在自制的 2 4 50MHz/5kW不锈钢谐振腔型微波等离子体化学气相沉积装置中研究了基片预处理和工艺参数对微波等离子体化学气相沉积金刚石膜质量的影响 ,研究了提高成核密度和沉积速率的方法 ,用SEM ,XRD ,FTIR ,Raman和AFM分析了金刚石膜... 在自制的 2 4 50MHz/5kW不锈钢谐振腔型微波等离子体化学气相沉积装置中研究了基片预处理和工艺参数对微波等离子体化学气相沉积金刚石膜质量的影响 ,研究了提高成核密度和沉积速率的方法 ,用SEM ,XRD ,FTIR ,Raman和AFM分析了金刚石膜的质量 .结果表明 :用纳米金刚石粉研磨单晶硅基片 ,在沉积气压 6.0kPa,CH4 /H2 的体积流量比为 0 .75%时 ,可沉积出红外透光率达 68% ,表面粗糙度为 1 1 4 .1 0nm的透明金刚石膜 ,其透光率接近Ⅱa 天然金刚石 . 展开更多
关键词 透明金刚石膜 微波等离子体 化学气相沉积
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宽禁带半导体金刚石 被引量：9
20
作者 李发宁 张鹤鸣 +2 位作者 戴显英 朱国良 吕懿 《电子科技》 2004年第7期43-49,共7页
较详细地叙述了当前国内外正处在研究热潮中的金刚石半导体的优越性质、发展状况及其应用和潜在的应用前景。同时分析和比较了金刚石薄膜的各种制备方法,可以看出微波等离子体化学汽相沉积法是较好的制备金刚石薄膜的生长技术,并且分析... 较详细地叙述了当前国内外正处在研究热潮中的金刚石半导体的优越性质、发展状况及其应用和潜在的应用前景。同时分析和比较了金刚石薄膜的各种制备方法,可以看出微波等离子体化学汽相沉积法是较好的制备金刚石薄膜的生长技术,并且分析了该技术的特点和优势。该法在保持适当氩气氛和施加衬底负偏压下还可进一步提高金刚石膜的生长速率和质量。对于金刚石异质(在硅衬底上)成核的基本机理也进行了分析。最后,阐述了研究金刚石半导体薄膜目前需要解决的关键问题及其发展方向。 展开更多
关键词 宽禁带 金刚石 MPCVD 大功率
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