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硼资源开发全流程中的关键性加工技术现状及展望 被引量:3
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作者 钱洪伟 薛向欣 安静 《现代化工》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期28-31,共4页
提出发展硼工业生态系统与行业生态工业的理念;对硼资源开发全流程中加工环节的关键性技术进行了可行性评价,对其中的生产加工技术进行了定性与定量有机分析,并提出了改进建议。
关键词 硼资源 生态工业 环境管理 资源利用
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辉光放电电子束掺杂硼浅结 被引量:2
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作者 李秀琼 王纯 +1 位作者 马祥彬 杨军 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第7期448-452,T001,共6页
一种新的半导体掺杂方法——电子束掺杂法成功地用于实现掺硼浅结.它是用辉光放电电子束辐照涂敷杂质源的半导体表面,形成高浓度(≥10^(20)/cm^3)、浅结(≤0.1μm)掺杂层.损伤比离子注入的小.试制成功的太阳敏感器件性能优良.
关键词 电子束掺杂法 浅结 半导体
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硼掺杂富勒烯薄膜电学性质的研究
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作者 姚江宏 许京军 +1 位作者 张光寅 陈光华 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第10期846-850,共5页
采用直流电弧放电方法利用硼碳复合棒成功合成了硼掺杂富勒烯,质谱和X射线光电谱等分析手段证实我们制备的硼掺杂富勒烯主要是以C59B和C69B形式存在;对硼掺杂富勒烯薄膜样品在493K 进行了真空退火,并测量了电导率随温... 采用直流电弧放电方法利用硼碳复合棒成功合成了硼掺杂富勒烯,质谱和X射线光电谱等分析手段证实我们制备的硼掺杂富勒烯主要是以C59B和C69B形式存在;对硼掺杂富勒烯薄膜样品在493K 进行了真空退火,并测量了电导率随温度的变化关系.发现硼掺杂富勒烯膜的电导激活能减小,室温电导率比未掺杂富勒烯膜高三个量级。 展开更多
关键词 掺杂 富勒烯薄膜 电学性质
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用Van der Pauw法研究硼重掺杂金刚石薄膜电学性质
4
作者 陈光华 张兴旺 季亚英 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第8期598-602,共5页
以B2O3作掺杂剂,用热丝辅助化学气相沉积法成功合成了硼掺杂半导体金刚石薄膜.用VanderPauw法测量了掺硼金刚石薄膜的电阻率、霍耳迁移率以及载流子浓度随温度的变化关系.实验结果表明:杂质硼原子的激活能为0.078eV,室温迁移率为1... 以B2O3作掺杂剂,用热丝辅助化学气相沉积法成功合成了硼掺杂半导体金刚石薄膜.用VanderPauw法测量了掺硼金刚石薄膜的电阻率、霍耳迁移率以及载流子浓度随温度的变化关系.实验结果表明:杂质硼原子的激活能为0.078eV,室温迁移率为18cm2·V-1·s-1,远小于单晶金刚石的空穴迁移率.并根据实验结果对金刚石薄膜的导电机制、散射机制等作了分析. 展开更多
关键词 半导体 金刚石 掺杂 18Vander Pauw法
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立方氮化硼半导体材料的进展
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作者 洪时明 《成都科技大学学报》 EI CAS CSCD 1989年第3期25-28,36,共5页
1987年以来,在日本,以立方氮化硼大单晶的合成为基础,研制了能耐650℃高温的cBN_(p-n)结二极管,进而还发现cBN二极管作为固体发光元件其电致发光光谱在紫外光区域内。
关键词 立方氮化硼 半导体材料
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镀膜金刚石与基体的界面反应及其界面结合特征 被引量:3
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作者 裴宇韬 屠厚泽 +1 位作者 励美恒 王典芬 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 1994年第4期279-285,共7页
运用化学镀方法在金刚石表面镀覆了三种含强碳化物生成元素(W、Mo或Zr)的B-Ni合金镀层。将镀膜金刚石、未镀膜金刚石与基体合金粉末混合热压烧结后,用SEM、XPS、XRD分析了金刚石与基体之间的界面反应及其结合特征... 运用化学镀方法在金刚石表面镀覆了三种含强碳化物生成元素(W、Mo或Zr)的B-Ni合金镀层。将镀膜金刚石、未镀膜金刚石与基体合金粉末混合热压烧结后,用SEM、XPS、XRD分析了金刚石与基体之间的界面反应及其结合特征。结果表明,实现镀膜金刚石与基体合金的强力结合是合金镀层阻止金刚石表层C石墨化及形成中间碳化物层的共同结果。 展开更多
关键词 人造金刚石 镀膜 界面反应 薄膜
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Innovative method for boron extraction from iron ore containing boron 被引量:2
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作者 Guang Wang Jing-song Wang +3 位作者 Xin-yun Yu Ying-feng Shen Hai-bin Zuo Qing-guo Xue 《International Journal of Minerals,Metallurgy and Materials》 SCIE EI CAS CSCD 2016年第3期247-256,共10页
A novel process for boron enrichment and extraction from ludwigite based on iron nugget technology was proposed. The key steps of this novel process, which include boron and iron separation, crystallization of boron-r... A novel process for boron enrichment and extraction from ludwigite based on iron nugget technology was proposed. The key steps of this novel process, which include boron and iron separation, crystallization of boron-rich slag, and elucidation of the boron extraction be- havior of boron-rich slag by acid leaching, were performed at the laboratory. The results indicated that 95.7% of the total boron could be en- riched into the slag phase, thereby forming a boron-rich slag during the iron and slag melting separation process. Suanite and kotoite were observed to be the boron-containing crystalline phases, and the boron extraction properties of the boron-rich slag depended on the amounts and grain sizes of these minerals. When the boron-rich slag was slowly cooled to 1100℃, the slag crystallized well and the efficiency of ex- traction of boron (EEB) of the slag was the highest observed in the present study. The boron extraction property of the slow-cooled bo- ron-rich slag obtained in this study was much better than that of szaibelyite ore under the conditions of 80% of theoretical sulfuric acid amount, leaching time of 30 min, leaching temperature of 40℃ ,and liquid-to-solid ratio of 8 mL/g. 展开更多
关键词 LUDWIGITE reduction melting separation boron extraction
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硼膜中的含氢量测量
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作者 沈慰慈 王兆申 +1 位作者 M.莱森 相良明男 《光电子技术》 CAS 1996年第1期66-71,共6页
硼膜中的含氢量多少对离子回旋共振加热的功率吸收和托卡马克放电过程中的氢的再循环行为均有很大的影响。实验证明,通过增加硼化过程中膜的生长速率及控制沉膜过程中的辉光放电状况,即可以有效地减少硼膜中的含氢量,使硼膜中氢的浓... 硼膜中的含氢量多少对离子回旋共振加热的功率吸收和托卡马克放电过程中的氢的再循环行为均有很大的影响。实验证明,通过增加硼化过程中膜的生长速率及控制沉膜过程中的辉光放电状况,即可以有效地减少硼膜中的含氢量,使硼膜中氢的浓度控制在10%以下,即H/B<0.1。 展开更多
关键词 硼化 含氢量 质谱分析 辉光放电 薄膜
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立方氮化硼薄膜生成机制及其应用
9
作者 潘俊德 范本惠 +2 位作者 郑维能 李成明 韩晋宏 《真空》 CAS 北大核心 1992年第1期1-7,共7页
In This paper, the mechanism of depositing C--BN,thin films and its application in the production, are emphatically introduced.
关键词 氮化硼 薄膜 应用 生长 半导体
原文传递
立方氮化硼薄膜合成方法
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作者 潘俊德 范本惠 +2 位作者 李成明 郑维能 韩晋宏 《真空》 CAS 北大核心 1991年第6期1-10,共10页
本文概述了最近十年来国外合成立方氨化硼薄膜的各种方法,指出了各种沉积技术的特点,并给出了试验条件、影响因素及合成立方氮化硼薄膜的红外吸收波谱.
关键词 薄膜 合成 氮化硼
原文传递
立方氮化硼薄膜的异质外延
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作者 辛火平 林成鲁 《上海微电子技术和应用》 1994年第4期35-48,共14页
关键词 氮化硼薄膜 脉冲激光沉积 金刚石 异质外延
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