期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到297篇文章
< 1 2 … 15 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
高纯钨研究现状及制备工艺方法综述 被引量：16
1
作者 刘文胜 龙路平 马运柱 《粉末冶金技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第3期223-228,共6页
高纯钨具有很高的附加价值,其市场前景与集成电路发展密切相关,高纯钨的净化是目前高纯钨生产中的重要研究课题。简要介绍了国内外高纯钨的生产现状、制备工艺及其纯度表征,在此基础上进行了展望。
关键词 高纯钨 微电子 钨靶 净化 精炼
在线阅读 下载PDF
锗的氧肟酸HGS98萃取分离研究 被引量：14
2
作者 汤淑芳 周春山 蒋新宇 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期247-250,共4页
主要研究了湿法炼锌过程萃铟余液中锗的萃取分离提取 ,以氧肟酸HGS98为萃取剂 ,P2 0 4为协萃剂 ,煤油为稀释剂 ,NH4 F为反萃剂 ,系统地讨论了锗的萃取分离机理和提取条件。所研究的工艺选择性好 ,金属回收率高 ,操作简便 ,为冶金废弃物... 主要研究了湿法炼锌过程萃铟余液中锗的萃取分离提取 ,以氧肟酸HGS98为萃取剂 ,P2 0 4为协萃剂 ,煤油为稀释剂 ,NH4 F为反萃剂 ,系统地讨论了锗的萃取分离机理和提取条件。所研究的工艺选择性好 ,金属回收率高 ,操作简便 ,为冶金废弃物中高价金属锗的回收提供了一种新的方法。 展开更多
关键词 锗 氧肟酸 萃取 分离 萃铟余液
在线阅读 下载PDF
一种高效的锗单晶抛光片清洗液 被引量：6
3
作者 杨洪星 陈晨 +2 位作者 王云彪 何远东 耿莉 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第2期129-132,共4页
以锗(Ge)单晶片为衬底制备的太阳电池,具有较好的光电转换效率,因而使Ge材料再次受到广泛关注。Ge单晶片表面的均匀性对外延结果有着较大影响,基于改善Ge单晶片表面均匀性的目的,引入一种H2O2,HF和去离子水的混合液作为Ge片的清洗液,以... 以锗(Ge)单晶片为衬底制备的太阳电池,具有较好的光电转换效率,因而使Ge材料再次受到广泛关注。Ge单晶片表面的均匀性对外延结果有着较大影响,基于改善Ge单晶片表面均匀性的目的,引入一种H2O2,HF和去离子水的混合液作为Ge片的清洗液,以雾值、表面粗糙度和表面颗粒度作为Ge单晶片表面均匀性的评价指标。通过Ge单晶片清洗实验,确定清洗液配比、清洗时间的较优组合。在优化后的清洗条件下,Ge单晶抛光片的雾值为2.33×10-8,表面粗糙度为0.16 nm,Ge单晶片的表面质量满足电池制作的要求。该清洗液清洗效果好,操作简便,是Ge单晶抛光片的一种较理想清洗液。 展开更多
关键词 锗(Ge)单晶 表面清洗 表面粗糙度 雾值 抛光片
原文传递
氧化铝模板法制备Ge纳米线 被引量：9
4
作者 叶好华 叶志镇 +4 位作者 黄靖云 吴贵斌 赵炳辉 涂江平 侯山昆 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期173-176,共4页
采用氧化铝模板法结合具有高真空背景的低压化学气相沉积技术制备出 Ge纳米线 .在氧化铝模板的背面喷金作为催化剂 ,合成了 Ge纳米线 .采用原子力显微镜、X射线衍射、透射电镜、能量散射谱等手段对 Ge纳米线进行了分析 .Ge纳米线的直径... 采用氧化铝模板法结合具有高真空背景的低压化学气相沉积技术制备出 Ge纳米线 .在氧化铝模板的背面喷金作为催化剂 ,合成了 Ge纳米线 .采用原子力显微镜、X射线衍射、透射电镜、能量散射谱等手段对 Ge纳米线进行了分析 .Ge纳米线的直径约为 30 nm,长度超过 6 0 0 nm.对 Ge纳米线的生长机理进行了探讨 . 展开更多
关键词 Ge纳米线 氧化铝模板 低压化学气相沉积
在线阅读 下载PDF
半导体硅材料中掺杂元素锗的SRXRF微区分析研究 被引量：7
5
作者 闻莺 袁汉章 +1 位作者 朱腾 刘亚雯 《分析试验室》 CAS CSCD 北大核心 1994年第3期77-79,共3页
本文研究了同步辐射Ｘ射线微荧光分析法对半导体材料硅单晶中掺杂元素Ｇｅ的微区分析。利用同步辐射光源的优越性和微区扫描装置获得了清晰的掺杂元素Ｇｅ的二维分布图。实验结果表明，同步辐射Ｘ射线微荧光分析法对样品无导电性要求，... 本文研究了同步辐射Ｘ射线微荧光分析法对半导体材料硅单晶中掺杂元素Ｇｅ的微区分析。利用同步辐射光源的优越性和微区扫描装置获得了清晰的掺杂元素Ｇｅ的二维分布图。实验结果表明，同步辐射Ｘ射线微荧光分析法对样品无导电性要求，可以成为对半导体材料硅单晶样品准确地进行大面积扫描微区测定的手段。对掺杂元素Ｇｅ在硅单晶生长过程中的分布行为和均匀性研究表明，在硅单晶生长的初始阶段由于小平面效应导致了掺杂元素径向分布的不均匀性，掺杂元素向单晶中心区域富集，这一结果为新型半导体材料的研制和生产提供了有价值的信息。 展开更多
关键词 半导体 硅 掺杂元素 锗 微区分析
在线阅读 下载PDF
单晶锗表面键合光敏染料及其电流-电压曲线的测定 被引量：4
6
作者 张成路 王兰英 +2 位作者 张晓红 张祖训 曹子祥 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第5期546-547,共2页
将两种若丹菁染料直接键合在抛光的单晶锗表面 ,对键合有若丹菁的锗片进行了激光Raman光谱及XPS谱分析 ,结果表明 ,两种染料通过锗氧键共价键合于锗表面。键合有染料的n 型锗片的In(Pt) /染料 /n Ge器件具有整流作用 ,应用染料分子的半... 将两种若丹菁染料直接键合在抛光的单晶锗表面 ,对键合有若丹菁的锗片进行了激光Raman光谱及XPS谱分析 ,结果表明 ,两种染料通过锗氧键共价键合于锗表面。键合有染料的n 型锗片的In(Pt) /染料 /n Ge器件具有整流作用 ,应用染料分子的半波电位计算所得的染料分子能级 。 展开更多
关键词 单晶锗 键合 光敏染料 电流-电压曲线 若丹菁染料
在线阅读 下载PDF
锗晶体断裂模数的测试 被引量：5
7
作者 李贺成 张梅 +2 位作者 李桂华 刘建平 宋祥芳 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第2期107-111,共5页
用四点弯曲法测量了锗单晶和多晶样品（３６ｍｍ×４ｍｍ×３ｍｍ）的断裂模数，其结果与美、英、比等国家公布的数据基本相符．实验证明样品表面加工方法是影响测量值的重要因素；机械应力和热应力将导致断裂模数的下降。
关键词 锗 晶体 断裂模数 半导体 测试
在线阅读 下载PDF
基于分子动力学单晶锗的纳米压痕特性分析 被引量：7
8
作者 毛杰伟 刘文浩 王增鹏 《纳米技术与精密工程》 CAS CSCD 北大核心 2015年第6期454-457,共4页
单晶锗属于硬脆性光学半导体材料,加工时易产生裂纹和凹坑等缺陷,严重影响其表面质量.为了达到纳米级的表面质量,本文采用分子动力学模拟从不同晶面和晶向对单晶锗进行纳米压痕分析,在纳米尺度下对其进行压痕加载和卸载,分析该过程中载... 单晶锗属于硬脆性光学半导体材料,加工时易产生裂纹和凹坑等缺陷,严重影响其表面质量.为了达到纳米级的表面质量,本文采用分子动力学模拟从不同晶面和晶向对单晶锗进行纳米压痕分析,在纳米尺度下对其进行压痕加载和卸载,分析该过程中载荷的变化情况,得到弹性模量的变化差异.结果表明,加载前后弹性模量差异小的单晶锗(111)晶面可以作为实际生产中的加工面,从而获得高质量的加工表面. 展开更多
关键词 单晶锗 超精密 压痕特性 分子动力学 仿真
原文传递
纳米尺度单晶锗各向异性摩擦磨损性能试验研究 被引量：3
9
作者 杨晓京 刘艳荣 +1 位作者 杨小江 方聪聪 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第8期1904-1908,共5页
利用纳米压痕仪和原子力显微镜,分别对单晶锗Ge(100)、Ge(110)、Ge(111)3种晶向的表面进行纳米尺度下的摩擦磨损试验。在较大载荷的条件下,3种不同晶面取向的单晶锗磨损情况均呈现沟槽形式,沟槽两侧出现明显的碎屑堆积现象。在划痕试验... 利用纳米压痕仪和原子力显微镜,分别对单晶锗Ge(100)、Ge(110)、Ge(111)3种晶向的表面进行纳米尺度下的摩擦磨损试验。在较大载荷的条件下,3种不同晶面取向的单晶锗磨损情况均呈现沟槽形式,沟槽两侧出现明显的碎屑堆积现象。在划痕试验过程中,单晶锗的磨损性能受晶面取向影响较小;单晶锗的摩擦力随着滑动速度的增加而增加。而且,随着滑动速度的增大,晶体表面出现严重的磨损-沟槽损伤,沟槽两侧碎屑堆积的体积也越来越大,沟槽的深度也逐渐增大;单晶锗在较低载荷下,摩擦力基本保持稳定,但随着载荷的增大,单晶锗的摩擦力呈非线性增长,载荷增大一定值时,晶体表面发生明显的由塑性变形向脆性破坏转变的脆塑转变过渡过程,导致单晶锗表面发生脆性剥离,形成沟槽两侧碎屑堆积。 展开更多
关键词 纳米尺度 单晶锗 纳米压痕 各向异性 摩擦 磨损
原文传递
用飞切法加工光学晶体平面镜 被引量：4
10
作者 史国权 仇健 +3 位作者 于骏一 马文生 韩荣久 黄巍 《机械工程学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第3期73-77,共5页
从单晶锗光学晶体结构入手，深入分析了光学晶体材料切屑切除与晶体结构方位的关系，确定了材料产生剪切滑移的最佳晶向，据此提出了在这些晶向上对单晶锗进行飞切加工的新工艺，从而有效地消除了已加工表面断裂破坏区，获得了表面粗糙... 从单晶锗光学晶体结构入手，深入分析了光学晶体材料切屑切除与晶体结构方位的关系，确定了材料产生剪切滑移的最佳晶向，据此提出了在这些晶向上对单晶锗进行飞切加工的新工艺，从而有效地消除了已加工表面断裂破坏区，获得了表面粗糙度０．００７～０．００９均匀一致的光滑表面。 展开更多
关键词 单晶锗 光学晶体 飞切加工 表面粗糙度
在线阅读 下载PDF
清洗工艺对锗外延片表面点状缺陷的影响 被引量：3
11
作者 王云彪 何远东 +3 位作者 吕菲 陈亚楠 田原 耿莉 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第6期449-453,共5页
锗外延片表面的雾、水印及点状缺陷等会影响太阳电池的性能和成品率,其中点状缺陷出现的比例最高。研究了锗抛光片清洗工艺对外延片表面点状缺陷的影响,获得了无点状缺陷、低粗糙度及高表面质量的锗单晶片。采用厚度为175μm p型<100... 锗外延片表面的雾、水印及点状缺陷等会影响太阳电池的性能和成品率,其中点状缺陷出现的比例最高。研究了锗抛光片清洗工艺对外延片表面点状缺陷的影响,获得了无点状缺陷、低粗糙度及高表面质量的锗单晶片。采用厚度为175μm p型<100>锗单面抛光片进行清洗试验,研究了SC-1溶液的不同清洗时间、清洗温度和去离子水冲洗温度对锗抛光片外延后点状缺陷的影响,分析了表面SiO_2残留和锗片表面粗糙度对外延片表面点状缺陷的影响。结果表明点状缺陷主要是由于锗单晶抛光片表面沾污没有彻底清洗干净以及清洗过程中产生新的缺陷造成的。采用氢氟酸溶液浸泡、SC-1溶液低温短时间清洗结合低温去离子水冲洗后的锗抛光片进行外延,用其制备的太阳电池光电转换效率由原来的25%提高到31%。 展开更多
关键词 锗 点状缺陷 粗糙度 表面质量 沾污
原文传递
GaAs/Ge太阳能电池用锗单晶的研究新进展 被引量：15
12
作者 李苗苗 苏小平 +2 位作者 冯德伸 王学武 左建龙 《金属功能材料》 CAS 2010年第6期78-82,共5页
硅太阳能电池由于光电转换效率低和温度特性差等因素,最近几十年其在聚光光伏技术中并没有得到更大的发展,而砷化镓及相关Ⅲ-Ⅴ族化合物太阳能电池因其高光电转换效率而越来越受到关注,尤其是用于空间电源。目前国内外对太阳能电池的的... 硅太阳能电池由于光电转换效率低和温度特性差等因素,最近几十年其在聚光光伏技术中并没有得到更大的发展,而砷化镓及相关Ⅲ-Ⅴ族化合物太阳能电池因其高光电转换效率而越来越受到关注,尤其是用于空间电源。目前国内外对太阳能电池的的研究主要集中在以锗晶片作基板的多结高效GaAs/Ge太阳能电池上,本文主要介绍了GaAs/Ge太阳能电池用锗单晶目前国内外的研究新进展,并对高效率太阳能电池用锗晶片的发展进行了展望。 展开更多
关键词 GaAs/Ge太阳能电池 锗单晶 基板 制备
在线阅读 下载PDF
从硫化矿高酸浸出的硫酸锌溶液中萃取提锗全流程研究 被引量：4
13
作者 包福毅 方军 +6 位作者 朱大和 陈世明 黄华堂 李学全 刘韬 王侃 黄艳芬 《中国工程科学》 2001年第12期58-67,共10页
研究在硫酸锌溶液中用萃取法提取锗 ,萃取剂为 7815 (氧肟酸 ) ,稀释剂为磺化煤油 ,添加剂为T试剂 ,反萃剂为NaOH ,原料液为云南会泽铅锌矿硫化锌高温、高酸、高铁浸出溶液 ;工艺就萃取体系的选择 ,金属的萃取平衡 ,工艺参数的确定 ,工... 研究在硫酸锌溶液中用萃取法提取锗 ,萃取剂为 7815 (氧肟酸 ) ,稀释剂为磺化煤油 ,添加剂为T试剂 ,反萃剂为NaOH ,原料液为云南会泽铅锌矿硫化锌高温、高酸、高铁浸出溶液 ;工艺就萃取体系的选择 ,金属的萃取平衡 ,工艺参数的确定 ,工艺流程的设计以及工艺流程的串级实验等进行了深入研究 ,取得了锗萃取率大于 96 % ,反萃率大于 97% ,锗精矿含锗大于 30 展开更多
关键词 萃取 锗 T试剂 提取流程 硫化矿 硫酸锌溶液
在线阅读 下载PDF
辉光放电质谱仪测定超纯锗中23种痕量杂质元素 被引量：14
14
作者 普朝光 肖绍泽 张震 《质谱学报》 EI CAS CSCD 1997年第4期67-70,共4页
本文报导了一种用辉光放电质谱仪VG9000在无标准样品的情况下对超纯半导体材料锗中23种痕量杂质元素的直接而快速的定量测定方法。该方法具有10ppt量级的检测极限，是鉴定起统金属或半导体材料纯度（8N）的理想手段。
关键词 辉光放电质谱仪 痕量杂质 锗半导体 纯度
在线阅读 下载PDF
Si中Ge量子点的光致发光 被引量：2
15
作者 胡冬枝 朱海军 +3 位作者 蒋最敏 黄大鸣 张翔九 王迅 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第12期939-941,共3页
生长温度500℃下，在Si（001）衬底上分子束外延自组织生长锗量子点．700℃退火20分钟后观察到其光致发光．原子力显微镜（AFM）和横截面试样透镜（XTEM）方法用于观察鼻子点的大小和密度．利用喇曼光谱观察不同温度退火引起的Ge与Si之... 生长温度500℃下，在Si（001）衬底上分子束外延自组织生长锗量子点．700℃退火20分钟后观察到其光致发光．原子力显微镜（AFM）和横截面试样透镜（XTEM）方法用于观察鼻子点的大小和密度．利用喇曼光谱观察不同温度退火引起的Ge与Si之间的互扩散． 展开更多
关键词 硅 锗 量子点 光致发光
在线阅读 下载PDF
N235萃取色谱法分离锗的研究 被引量：5
16
作者 汤淑芳 赵春雷 蒋新宇 《有色金属（冶炼部分）》 CAS 2001年第1期36-38,共3页
本文从湿法炼锌厂萃铟余液中分离提取锗。以自行合成的Ｎ２３５萃淋树脂为固定 相，酒石酸为络合剂，萃铟余液为流动相，ＮＨ４ＨＦ２为反洗液系统地研究了萃取色谱法分离提取锗 的最佳工艺条件。本工艺选择性好，流程短，操作简单，所... 本文从湿法炼锌厂萃铟余液中分离提取锗。以自行合成的Ｎ２３５萃淋树脂为固定 相，酒石酸为络合剂，萃铟余液为流动相，ＮＨ４ＨＦ２为反洗液系统地研究了萃取色谱法分离提取锗 的最佳工艺条件。本工艺选择性好，流程短，操作简单，所用试剂价廉易得。 展开更多
关键词 锗 N235萃淋树脂 萃取色谱 分离 萃铟余液
在线阅读 下载PDF
高纯锗制备工艺研究进展
17
作者 陈俊肖 何兴军 +2 位作者 匡子登 朱家义 杨康 《世界有色金属》 2025年第14期1-3,共3页
锗是重要的战略金属,在半导体领域,核领域,通讯以及航空航天领域具有重要的应用价值,其提取开发和提纯优化越发受到关注。本文综述锌锗浸出液提取工艺以及四氯化锗还原工艺的研究进展,与多种锗制备的方法相比,四氯化锗氢还原法具有流程... 锗是重要的战略金属,在半导体领域,核领域,通讯以及航空航天领域具有重要的应用价值,其提取开发和提纯优化越发受到关注。本文综述锌锗浸出液提取工艺以及四氯化锗还原工艺的研究进展,与多种锗制备的方法相比,四氯化锗氢还原法具有流程短,制备过程中不引入杂质,投入设备较少等优点,从而实现锗的高效提纯和高值化利用。在四氯化锗氢还原制备锗的基础上,进一步向反应中添加催化剂,可以降低反应温度,提高四氯化锗转化率,指出催化剂作用下的四氯化锗氢还原制备锗具有良好的研究与应用背景。 展开更多
关键词 锗 锗提取方法 四氯化锗氢还原制备锗
在线阅读 下载PDF
从含锗多金属物料中回收锗的工艺研究 被引量：4
18
作者 普世坤 兰尧中 +2 位作者 朱知国 谢天敏 尹国文 《稀有金属与硬质合金》 CAS CSCD 北大核心 2015年第6期19-23,共5页
先用盐酸-氟化铵-高锰酸钾对含锗多金属物料逐级进行预处理,再经盐酸蒸馏分离工艺得到四氯化锗,最终锗回收率达到95.20%左右。通过试验对预处理盐酸、氟化铵、高锰酸钾的用量以及蒸馏盐酸的用量等因素进行了系统研究,在此基础上提出了... 先用盐酸-氟化铵-高锰酸钾对含锗多金属物料逐级进行预处理,再经盐酸蒸馏分离工艺得到四氯化锗,最终锗回收率达到95.20%左右。通过试验对预处理盐酸、氟化铵、高锰酸钾的用量以及蒸馏盐酸的用量等因素进行了系统研究,在此基础上提出了优化的工艺条件;与常规的湿法工艺即硫酸浸出-丹宁(栲胶)沉淀-锗精矿-盐酸蒸馏提锗法相比,本工艺锗回收率提高21%以上。 展开更多
关键词 含锗多金属物料 锗回收 盐酸-氟化铵-高锰酸钾预处理 盐酸蒸馏 工艺研究
原文传递
若丹菁染料键合于单晶锗表面的研究 被引量：1
19
作者 王兰英 张成路 +2 位作者 张晓红 张祖训 曹子祥 《西北大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2001年第4期297-299,310,共4页
将两种若丹菁染料直接键合在抛光的单晶锗表面 ,对键合有若丹菁的锗片进行了激光 Ra-man光谱及 XPS谱分析 ,结果表明 ,两种染料通过锗氧键共价键合于锗表面。键合有染料的 n-型锗片的 In( Pt) /染料 /n- Ge器件具有整流作用。
关键词 单晶锗表面 键合 光敏染料 若丹菁染料 半导体材料
在线阅读 下载PDF
微生物从煤中浸出锗的基础热力学 被引量：13
20
作者 朱云 胡汉 苏云生 《云南冶金》 2002年第3期106-108,113,共4页
微生物浸出褐煤中锗包括两个步骤 :(1)用微生物分解褐煤中的腐植酸锗络合物 ;(2 )从褐煤上解吸锗。从反应热和吸附热、平衡吸附常数等方面研究了微生物浸出褐煤中锗的热力学基础。测定了腐植酸锗络合物的分解热为 32 8～ 76 1kJ/mol,吸... 微生物浸出褐煤中锗包括两个步骤 :(1)用微生物分解褐煤中的腐植酸锗络合物 ;(2 )从褐煤上解吸锗。从反应热和吸附热、平衡吸附常数等方面研究了微生物浸出褐煤中锗的热力学基础。测定了腐植酸锗络合物的分解热为 32 8～ 76 1kJ/mol,吸附热力 2 4～ 5 3kJ/mol。测定了煤对锗的吸附平衡常数。用微生物直接浸出褐煤的锗回收率可达 85 % ,比其它方法的回收率 6 0 展开更多
关键词 微生物 锗 褐煤 热力学
在线阅读 下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 2 … 15 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部