准分子激光烧结玻璃衬底上多晶硅薄膜材料的制备 被引量：7

1

作者 邱法斌 骆文生 +3 位作者 张玉 刘传珍 荆海 黄锡珉 《液晶与显示》 CAS CSCD 2001年第3期170-175,共6页

在 PECVD法制备 a- Si:H薄膜材料基础上 ,以 Xe Cl准分子激光烧结为手段 ,对在玻璃衬底上制备多晶硅薄膜材料的工艺条件进行了探索 ,利用 XRD、 SEM、 Raman光谱等分析测试手段对所制备材料的结构特征进行了表征。较高的衬底温度、合适... 在 PECVD法制备 a- Si:H薄膜材料基础上 ,以 Xe Cl准分子激光烧结为手段 ,对在玻璃衬底上制备多晶硅薄膜材料的工艺条件进行了探索 ,利用 XRD、 SEM、 Raman光谱等分析测试手段对所制备材料的结构特征进行了表征。较高的衬底温度、合适的激光能量密度和脉冲频率 ,有利于获得高质量的多晶硅薄膜。 展开更多

关键词 多晶硅膜 准分子激光烧结 玻璃衬底 制备

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在Ge和SiGe复合缓冲层上生长高质量Ge／Si超晶格 被引量：3

2

作者 盛篪 周铁城 +4 位作者 龚大卫 樊永良 王建宝 张翔九 王迅 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第1期1-5,共5页

利用Ｇｅ的三维生长特性和迅速弛豫，在Ｓｉ衬底上形成有一定高度的岛状Ｇｅ层，继续生长不到２００ｎｍＳｉＧｅ合金就可获得较高质量的缓冲层．这种很薄的缓冲层已用于生长Ｇｅ／Ｓｉ短周期超晶格．超晶格的优良性能表明Ｇｅ岛技术是... 利用Ｇｅ的三维生长特性和迅速弛豫，在Ｓｉ衬底上形成有一定高度的岛状Ｇｅ层，继续生长不到２００ｎｍＳｉＧｅ合金就可获得较高质量的缓冲层．这种很薄的缓冲层已用于生长Ｇｅ／Ｓｉ短周期超晶格．超晶格的优良性能表明Ｇｅ岛技术是生长配晶体的有效方法．薄的外延厚度和低的工艺温度与集成电路工艺是完全相容的． 展开更多

关键词 元素半导体 锗 SIGE合金 硅 超晶格 外延生长

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Si/Ge异质结构的生长与特性 被引量：2

3

作者 郑有炓 张荣 +4 位作者 胡立群 钟培新 莫水元 李学宁 顾红 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1989年第4期353-355,共3页

近年来,由Ge,Si这两种晶格失配(4.2％)材料组成的Ge/Si异质结构与Ge/Si应变超晶格,由于共具有重要的科学与技术价值,受到了人们高度重视。分子束外延(MBE)技术已成功地用于生长Ge/Si异质结构和超薄Ge/Si超晶格以及GexSi1-x/Si超晶格。... 近年来,由Ge,Si这两种晶格失配(4.2％)材料组成的Ge/Si异质结构与Ge/Si应变超晶格,由于共具有重要的科学与技术价值,受到了人们高度重视。分子束外延(MBE)技术已成功地用于生长Ge/Si异质结构和超薄Ge/Si超晶格以及GexSi1-x/Si超晶格。化学汽相淀积技术(CVD)与MBE相比,除了设备简单、价格便宜外,对于Ge,Si外延来说,还便于与现有的硅大规模集成工艺技术相结合,使之更富有实用性。近期已有报道用CVD技术生长GexSi1-x/Si异质结构。 展开更多

关键词 Si/Ge 异质结构 生长 半导体材料

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冷等离子体对硅-锗纯化的实验研究 被引量：1

4

作者 陶甫廷 王敬义 +5 位作者 冯信华 陶臻宇 张巍 陈文辉 苏庆平 何笑明 《广西工学院学报》 CAS 2000年第4期26-28,32,共4页

本文通过实验证实了冷等离子体对硅 -锗粉末的纯化作用 ,并探索了放电电流、放电时间、加热温度、反应器内总压力等参数对纯化效果的影响。

关键词 硅-锗纯化 冷等离子体 表面反应 放电电流

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溅射Ta薄膜的内应力 被引量：4

5

作者 杨春生 章吉良 +1 位作者 赵小林 毛海平 《微细加工技术》 1994年第4期60-63,共4页

本文应用磁控直流溅射方式制备厚度从０．１μｍ～０．２５μｍ的Ｔａ薄膜，通过改变溅射功率、基片的交流偏压和不同的基片，测定Ｔａ薄膜的内应力。研究结果表明：在通常的溅射条件下，Ｔａ溅射膜的内应力为压应力；随着溅射功率的提... 本文应用磁控直流溅射方式制备厚度从０．１μｍ～０．２５μｍ的Ｔａ薄膜，通过改变溅射功率、基片的交流偏压和不同的基片，测定Ｔａ薄膜的内应力。研究结果表明：在通常的溅射条件下，Ｔａ溅射膜的内应力为压应力；随着溅射功率的提高，其内应力逐步增大；当基片偏压升高，内应力也呈上升的趋势，但其对内应力的影响大于溅射功率的改变。不同的基片对Ｔａ膜内应力的大小也有一定的影响。 展开更多

关键词 溅射 薄膜 内应力 钽薄膜

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锗硅分子束外延层与衬底界面的电镜研究

6

作者 邹赫麟 李建军 +6 位作者 魏希文 金星 王德和 张翔九 卢学坤 蒋最敏 王迅 《大连理工大学学报》 CAS CSCD 北大核心 1996年第2期170-173,共4页

使用分子束外延（ＭＢＥ）技术制备了应变锗硅外延薄膜，并在不同温度下对样品等时热退火处理；采用侧面透射电子显微镜（ＸＴＥＭ）对退火样品进行观测，获得有关高温退火后锗硅外延层与硅衬底界面的位错生长情况，采用高分辨电子显微... 使用分子束外延（ＭＢＥ）技术制备了应变锗硅外延薄膜，并在不同温度下对样品等时热退火处理；采用侧面透射电子显微镜（ＸＴＥＭ）对退火样品进行观测，获得有关高温退火后锗硅外延层与硅衬底界面的位错生长情况，采用高分辨电子显微镜（ＨＲＥＭ）观测样品退火以前的界面显微结构，表明样品在８５０℃退火温度时出现的位错生长是一种混合型热松弛机理． 展开更多

关键词 分子束外延 位错 锗硅合金 薄膜 界面 电镜

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用乙硅烷及固态锗源外延生长应变GeSi/Si合金

7

作者 刘学锋 李建平 +3 位作者 刘金平 孙殿照 孔梅影 王占国 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 1997年第3期181-186,共6页

采用气态源分子束外延（ＧＳＭＢＥ）法成功地生长出应变ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ异质结合金，所使用的源分别是乙硅烷和固态锗。用固态锗取代气态锗烷，既保留了生长中由氢化物裂解产生的氢原子在生长表面上的活化作用（ｓｕｒｆａｃｔ... 采用气态源分子束外延（ＧＳＭＢＥ）法成功地生长出应变ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ异质结合金，所使用的源分别是乙硅烷和固态锗。用固态锗取代气态锗烷，既保留了生长中由氢化物裂解产生的氢原子在生长表面上的活化作用（ｓｕｒｆａｃｔａｎｔｅｆｆｅｃｔ），又利用了固态源炉通过挡板能够迅速切断分子束流的优点。样品的Ｘ射线双晶衍射，透射电子显微镜及光荧光测量表明ＧｅｘＳｉ１－ｘ合金具有较好的晶格完整性及平坦的异质结界面。 展开更多

关键词 共格生长 硅 硅化锗 乙硅烷 分子束外延

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气态源分子束外延生长Ge_xSi_(1-x)/Si异质结合金

8

作者 刘学锋 李建平 孙殿照 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第1期18-21,共4页

采用气态源分子束外延法成功地生长了ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ异质结合金材料，所使用的气体分别是乙硅烷和锗烷。高能电子衍射被用于原位监控生长层的表面重构状态。在一定的生长温度下，ＧｅｘＳｉ１－ｘ合金组分ｘ取决于锗烷和乙硅烷... 采用气态源分子束外延法成功地生长了ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ异质结合金材料，所使用的气体分别是乙硅烷和锗烷。高能电子衍射被用于原位监控生长层的表面重构状态。在一定的生长温度下，ＧｅｘＳｉ１－ｘ合金组分ｘ取决于锗烷和乙硅烷的流量比。外延层的表面形貌与锗组分的大小、生长层的厚度及生长温度有关。结果表明，较大的锗组分和较高的生长温度利于由二维模式向三维模式转变的外延生长。 展开更多

关键词 GexSi-x 异质结合金 气态源 分子束外延生长

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改善UHV／CVD外延生长环境提高GeSi／Si材料性能有效方法

9

作者 雷震霖 于卓 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 1999年第A10期152-155,共4页

本文阐述了应用国产ＵＨＶ／ＣＶＤ设备处延生长的ＧｅＳｉ／Ｓｉ材料碳、氧含同的原因，定量地分析了有害残余气体的成分，提出了改善处延生长环境提高ＧｅＳｉ／Ｓｉ材料性能的有效方法。

关键词 超高真空 CVD 外延 残余气体 硅 锗 材料性能

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直流磁控溅射法制备单一相高质量β-FeSi_2薄膜 被引量：4

10

作者 侯国付 郁操 +1 位作者 赵颖 耿新华 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第7期861-865,共5页

报道了在单晶Si(100)衬底上,采用室温直流磁控溅射Fe-Si组合靶的方法,并经过后续气氛退火来制备β-FeSi_2薄膜的结果。主要研究了退火时间、退火温度等实验条件对样品结构特性、光学特性和电学特性的影响,制备出了单一相高质量的β-FeS... 报道了在单晶Si(100)衬底上,采用室温直流磁控溅射Fe-Si组合靶的方法,并经过后续气氛退火来制备β-FeSi_2薄膜的结果。主要研究了退火时间、退火温度等实验条件对样品结构特性、光学特性和电学特性的影响,制备出了单一相高质量的β-FeSi_2薄膜。霍尔测试表明未掺杂薄膜是P型导电的,载流子浓度5.747×10^(16)cm^(-3),空穴迁移率168cm^2/Vs。由反射-透射法得到薄膜的禁带宽度为0.879eV,吸收系数在光子能量为1.0eV时达到了1.42×10~5cm^(-1)。基于以上优异的光电性能,β-FeSi_2薄膜可望用作太阳电池的有源层。 展开更多

关键词 β-FeSi2薄膜 直流磁控溅射 Fe—Si组合靶 太阳电池

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非晶孵化层对高速生长微晶硅电池性能的影响 被引量：1

11

作者 韩晓艳 张晓丹 +8 位作者 侯国付 郭群超 袁育杰 董培 魏长春 孙建 薛俊明 赵颖 耿新华 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第8期915-919,共5页

采用高压高功率的甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,以不同的反应气体总流量制备出沉积速率大于1nm/s、次带吸收系数(α_(0.8eV))小于2.5cm^(-1)且具有相同晶化率的本征微晶硅薄膜,然而将其应用在微晶硅电池中时,电池性... 采用高压高功率的甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,以不同的反应气体总流量制备出沉积速率大于1nm/s、次带吸收系数(α_(0.8eV))小于2.5cm^(-1)且具有相同晶化率的本征微晶硅薄膜,然而将其应用在微晶硅电池中时,电池性能却有明显差异。通过对微晶硅电池的光、暗态J-V,量子效率(QE)和微区拉曼(Raman)测试发现,微晶硅薄膜中非晶孵化层厚度的不同是引起电池性能差异的主要原因。反应气体总流量较低时沉积的微晶硅薄膜具有较厚的非晶孵化层,阻碍了载流子的输运,使电池的长波光谱响应下降,从而降低了电池的短路电流密度与填充因子;而增加总气体流量,有效减小了微晶硅薄膜中的非晶孵化层的厚度。从而使电池性能得到改善。最后在总气体流量为500sccm时,制备得到沉积速率为1nm/s,效率为7.3%的单结微晶硅太阳电池。 展开更多

关键词 高速沉积 非晶孵化层 微晶硅太阳电池

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从铜阳极泥中回收硒和碲 被引量：1

12

作者 J.E.Hoffmann 毛水和 《湿法冶金》 CAS 1990年第3期28-33,共6页

电解精炼铜过程中所产生的阳极泥中,含有相当数量的硒和碲。对于硒和碲的回收已经研制成功多种工艺流程,诸如碳酸钠焙烧,加压碱浸,硫酸盐化焙烧,氯化法等。本文阐述了各种工艺的原理和流程,对各种工艺过程的消耗、反应速度、产品质量、... 电解精炼铜过程中所产生的阳极泥中,含有相当数量的硒和碲。对于硒和碲的回收已经研制成功多种工艺流程,诸如碳酸钠焙烧,加压碱浸,硫酸盐化焙烧,氯化法等。本文阐述了各种工艺的原理和流程,对各种工艺过程的消耗、反应速度、产品质量、回收率、废物排放、介质腐蚀性等问题进行了分析和对比。 展开更多

关键词 铜阳极泥 硒 碲 回收

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扎波罗热钛镁联合企业的半导体硅与锗的生产技术状况

13

作者 法勒克维奇З.С. 兰春梅 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第1期69-71,共3页

扎波罗热钛镁联合企业具有30余年的半导体生产历史,拥有从原料制备、单晶生长到成品加工的系统工艺,该厂生产规模较大、技术水平高,还有强大的研究开发与检验测试组织。

关键词 硅单晶 硅多晶 锗单晶 生产 半导体

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应用材料与Soitec合作研发45纳米用锗覆绝缘基板

14

《集成电路应用》 2004年第5期38-38,共1页

关键词 应用材料公司 法国Soitec公司 锗覆绝缘基板 锗基板制程技术 锗磊晶层

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在Si（111）表面窗口上生长纳米Ge

15

作者 一凡 《电子材料快报》 1999年第7期5-6,共2页

关键词 硅 表面窗口 纳米 锗 生长

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在LiNbO3衬底上电子束蒸发钛薄膜

16

作者 罗江财 王剑格 《四川真空》 1992年第4期9-13,41,共6页

关键词 衬底 电子束 蒸发 钛 薄膜

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C轴取向的Hg—1212外延膜的电阻转变的磁场诱导宽化

17

作者 青春 《电子材料快报》 1996年第1期12-13,共2页

关键词 半导体薄膜 外延生长 脉冲激光沉积

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Co—Cr膜成分,微结构和垂直磁化间的关系

18

作者 武庆兰 潘国宏 《薄膜科学与技术》 1993年第4期271-276,共6页

关键词 Co-Cr膜 微结构 垂直磁化膜

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多靶离子束溅射制备二元合金调制膜

19

作者 张云 王文魁 《薄膜科学与技术》 1993年第2期156-163,共8页

关键词 离子束 溅射 调制膜

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高能电子衍射研究H钝化偏角Si衬底上Si,Ge_xSi_(1-x)的分子束外延生长模式

20

作者 崔堑 黄绮 +1 位作者 陈弘 周均铭 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1996年第4期647-654,共8页

用高能电子衍射(RHEED)研究H钝化偏角Si衬底上Si,Ge_xSi(1-x)材料的分子束外延(MBE)生长模式,发现经低温处理的H钝化Si衬底上要经过10nm左右的Si生长才能获得比较平整的表面.Si,Ge_xSi_(l-x)外延时的稳定表面均以双原子台阶为主,双原子... 用高能电子衍射(RHEED)研究H钝化偏角Si衬底上Si,Ge_xSi(1-x)材料的分子束外延(MBE)生长模式,发现经低温处理的H钝化Si衬底上要经过10nm左右的Si生长才能获得比较平整的表面.Si,Ge_xSi_(l-x)外延时的稳定表面均以双原子台阶为主,双原子台阶与单原子台阶并存的结构.Si双原子台阶上的Si二聚体列(dimer row)取向垂直于台阶边缘,而Ge_xSi_(1-x)双原子台阶上的二聚体列取向却与台阶边缘平行(相对于Si二聚体列转90°),并且Ge_xSi_(l-x)双原子台阶边缘比Si双原子台阶边缘平直. 展开更多

关键词 分子束外延 硅 锗 高能电子衍射

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