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籽晶转速对TSSG法生长大尺寸SiC单晶的影响
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作者 李强 苏奕霖 +1 位作者 梁刚强 刘源 《特种铸造及有色合金》 北大核心 2026年第2期161-166,共6页
通过调整籽晶转速来优化溶液的流动状态和温度分布,以提高顶部籽晶溶液法(TSSG)生长大尺寸(6英寸)4H-SiC晶体的速度。通过COMSOL软件建立二维轴对称模型,模拟分析了大尺寸SiC晶体生长过程中不同籽晶转速下的流场和温度场分布及其对晶体... 通过调整籽晶转速来优化溶液的流动状态和温度分布,以提高顶部籽晶溶液法(TSSG)生长大尺寸(6英寸)4H-SiC晶体的速度。通过COMSOL软件建立二维轴对称模型,模拟分析了大尺寸SiC晶体生长过程中不同籽晶转速下的流场和温度场分布及其对晶体生长速度的影响。结果表明,随着籽晶旋转的增强,溶液流动方向由“逆时针”转变为“顺时针”,生长界面处温度梯度增大,从而提高了SiC晶体的生长速度。籽晶转速小于15 r/min时,溶液中存在多个扰动涡流,径向温度分布相对不均匀,不利于大尺寸晶体稳定生长;籽晶转速在15~200 r/min区间内,随着籽晶转速的增加,溶液逐渐形成了稳定和强烈的顺时针涡流,保证了碳溶质稳定运输,有利于大尺寸晶体的快速生长。籽晶转速为30 r/min时SiC晶体生长速度较低,表面平整;100 r/min时生长速度提高,但晶体出现严重台阶聚束现象和溶剂夹杂。 展开更多
关键词 顶部籽晶溶液法 SIC 流场 温度场 有限元分析
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单晶硅片自动化切割工艺性能提升
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作者 王晓飞 夏裕 黄朋朋 《金属加工(冷加工)》 2026年第2期95-97,共3页
传统金刚线切割过程中,单晶硅片表面易出现微缺陷分布不均、线弓频发等问题。结合超声振动复合加工方法,开展单晶硅片自动化切割工艺研究,详细介绍了自动化系统的构成与关键工艺流程,分析了超声参数对切割质量及稳定性的影响趋势,并提... 传统金刚线切割过程中,单晶硅片表面易出现微缺陷分布不均、线弓频发等问题。结合超声振动复合加工方法,开展单晶硅片自动化切割工艺研究,详细介绍了自动化系统的构成与关键工艺流程,分析了超声参数对切割质量及稳定性的影响趋势,并提出了加工窗口与设备适配性的优化路径。研究结果表明,优化后的切割工艺不仅使缺陷分布更均匀、表面质量更优,加工效率还提升了约20%,切割过程的稳定性也得到显著增强。 展开更多
关键词 超声复合切割 单晶硅片 微缺陷分布
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X射线反射测试氮化硼材料厚度的方法研究
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作者 王克超 李传皓 +5 位作者 彭大青 杨乾坤 张东国 曹越 李赟 李忠辉 《固体电子学研究与进展》 2026年第1期17-21,共5页
探索了一种X射线反射(X-ray reflectance,XRR)表征六方氮化硼(Hexagonal boron nitride,h-BN)薄膜厚度的测试方法。通过金属有机化学气相沉积在蓝宝石衬底上生长不同厚度的h-BN薄膜,并利用拉曼光谱表征,证实了h-BN薄膜在蓝宝石衬底上的... 探索了一种X射线反射(X-ray reflectance,XRR)表征六方氮化硼(Hexagonal boron nitride,h-BN)薄膜厚度的测试方法。通过金属有机化学气相沉积在蓝宝石衬底上生长不同厚度的h-BN薄膜,并利用拉曼光谱表征,证实了h-BN薄膜在蓝宝石衬底上的成功生长。对比了不同生长条件的h-BN与蓝宝石衬底的XRR测试曲线,表明XRR测试曲线振荡与薄膜厚度强相关。通过拟合XRR测试曲线来获得h-BN的厚度值与材料密度值,经对比发现拟合厚度值与原子力显微镜(Atomic force microscopy,AFM)测试或透射电子显微镜(Transmission electron mi‑croscopy,TEM)测试值一致,同时发现3.5 nm厚度的样品材料密度值与体材料密度值接近,但2 nm以下样品的材料密度均值低于体材料。 展开更多
关键词 X射线反射 厚度拟合测试 六方氮化硼 AFM测试 TEM厚度测试
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针尖半径对四探针法电阻率测量的定量影响
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作者 薛栋 饶张飞 +1 位作者 秦凯亮 金红霞 《半导体技术》 北大核心 2026年第1期94-101,共8页
四探针法广泛应用于半导体材料电阻率的测量。为研究探针头针尖半径对单晶硅片电阻率测量结果的定量影响,通过实验与COMSOL仿真相结合的方式,选用A型(针尖半径40.64μm)、B型(针尖半径101.6μm)和D型(针尖半径508μm)3种规格的探针,对... 四探针法广泛应用于半导体材料电阻率的测量。为研究探针头针尖半径对单晶硅片电阻率测量结果的定量影响,通过实验与COMSOL仿真相结合的方式,选用A型(针尖半径40.64μm)、B型(针尖半径101.6μm)和D型(针尖半径508μm)3种规格的探针,对电阻率为0.001~1 000Ω·cm的10种标准单晶硅片进行测量。测量结果表明,A型适用于低电阻率(<1Ω·cm)单晶硅片的测量,测量相对误差δ小于1%;D型适用于高电阻率(≥180Ω·cm)单晶硅片的测量,δ小于1%;中等电阻率(1~180Ω·cm)单晶硅片的测量中,3种探针头δ较为接近,均值约为4%。仿真分析进一步证实,针尖半径的改变会使电场分布和接触电阻发生显著变化,从而影响电阻率的测量精度。 展开更多
关键词 四探针法 单晶硅 电阻率 针尖半径 COMSOL 接触电阻
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氢覆盖度对氢终端金刚石迁移率的影响:第一性原理研究
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作者 葛良兵 陶然 +1 位作者 郁鑫鑫 李忠辉 《固体电子学研究与进展》 2026年第1期1-5,共5页
氢终端金刚石因其表面转移掺杂效应和潜在的高载流子迁移率,在高功率与高频电子器件中具有重要应用前景,然而实验中金刚石迁移率对其表面氢状态高度敏感,微观机制尚不清晰。基于此,采用第一性原理计算,系统研究了氢覆盖度对氢终端金刚... 氢终端金刚石因其表面转移掺杂效应和潜在的高载流子迁移率,在高功率与高频电子器件中具有重要应用前景,然而实验中金刚石迁移率对其表面氢状态高度敏感,微观机制尚不清晰。基于此,采用第一性原理计算,系统研究了氢覆盖度对氢终端金刚石载流子迁移率的影响。通过构建不同氢覆盖度的表面模型,分析能带特性、形变势以及载流子有效质量的变化。结果表明0.75 ML覆盖度的氢终端金刚石具有最高迁移率(7786.13 cm^(2)·V^(-1)s^(-1)),过高过低都会削弱输运性能,为实验调控表面氢化条件和器件性能提供了理论指导。 展开更多
关键词 氢终端金刚石 第一性原理计算 载流子迁移率 氢覆盖度
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[111]晶向硅衬底厚外延边缘斜坡问题研究
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作者 刘宪成 喻洋 张晶 《微纳电子技术》 2026年第1期81-86,共6页
[111]晶向硅片晶面横向的原子密度和纵向的原子密度之差非常大,导致了横向和纵向生长中严重的各向异性,横向生长的速度约为纵向生长速度的10~4倍。同时硅晶体的(111)面排布为密堆积,虽然纵向排布为ABCABC形式,但每层均为密堆积。在某一(... [111]晶向硅片晶面横向的原子密度和纵向的原子密度之差非常大,导致了横向和纵向生长中严重的各向异性,横向生长的速度约为纵向生长速度的10~4倍。同时硅晶体的(111)面排布为密堆积,虽然纵向排布为ABCABC形式,但每层均为密堆积。在某一(111)面上,由于每个方向上的原子线密度的不同,每个方向上的生长速度也呈现各向异性。横向与纵向、横向不同方向的生长速度差异叠加边缘倒角晶向影响,导致在硅厚外延生长中在特定位置出现斜坡现象,斜坡的出现会导致减薄硅片时在固定位置发生裂片。本研究从理论出发分析了[111]晶向硅片厚外延斜坡产生的机理,进而在此基础上提出了改善方法,实际证明该方法有助于解决因斜坡导致的减薄裂片问题,80μm厚外延减薄裂片率减少约5%。 展开更多
关键词 晶向 晶面 外延 倒角 斜坡
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SiC功率器件工艺中非晶态碳膜的制备与表征
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作者 许存娥 钱迪 +2 位作者 禅明 郑永健 王丹 《半导体技术》 北大核心 2026年第2期132-138,共7页
非晶态碳(a-C)膜因高温稳定性及易于灰化等特性,在SiC功率器件制备的高温退火工艺中被用作表面保护层。分别利用丙烯(C_(3)H_(6))和乙炔(C_(2)H_(2))两种碳源作为前驱体,通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术制备氢化非晶态碳(a-C... 非晶态碳(a-C)膜因高温稳定性及易于灰化等特性,在SiC功率器件制备的高温退火工艺中被用作表面保护层。分别利用丙烯(C_(3)H_(6))和乙炔(C_(2)H_(2))两种碳源作为前驱体,通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术制备氢化非晶态碳(a-C∶H)膜。通过扫描电子显微镜(SEM)、拉曼光谱、X射线反射率(XRR)、卢瑟福背散射谱(RBS)及原子力显微镜(AFM)等手段分析了薄膜的微观结构、元素成分和物理性质。结果表明,这两种膜层结构均为无定形碳和纳米晶石墨的结合体,微观结构主要为氢化四面体非晶碳(ta-C∶H),其中sp^(3)占比达70%,H原子数分数为17%~29%,密度为2.36~2.38 g/cm^(3),均可用作高温退火保护层。并对比了两种碳源制备的碳膜在沟槽填充方面的性能,结果表明C_(2)H_(2)制备的碳膜具有明显优势,膜层填充的沟道侧壁和底部厚度可达顶部厚度的40%~50%。 展开更多
关键词 SiC MOSFET 非晶态碳(a-C)膜 等离子体增强化学气相沉积(PECVD) 丙烯(C3H6) 乙炔(C2H2) 沟槽填充
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多晶硅切割废料中硅粉回收与提纯技术研究
8
作者 陈鹏飞 《化工设计通讯》 2026年第2期13-15,共3页
多晶硅切割废料中富含高价值硅粉,直接排放会带来资源浪费与环境负担。研究围绕回收与提纯目标,建立了沉降—酸洗—热处理的处理工艺体系,开展了回收效率优化、酸洗参数控制及热处理结构调控实验。结果显示硅粉回收率可达91.2%,SiO_(2)... 多晶硅切割废料中富含高价值硅粉,直接排放会带来资源浪费与环境负担。研究围绕回收与提纯目标,建立了沉降—酸洗—热处理的处理工艺体系,开展了回收效率优化、酸洗参数控制及热处理结构调控实验。结果显示硅粉回收率可达91.2%,SiO_(2)纯度提升至99.1%,结构完整性与杂质去除效果显著改善,该技术路径为切割废浆中硅粉的高效再生提供了实验依据和工艺支撑。 展开更多
关键词 多晶硅废浆 硅粉回收 酸洗提纯 热处理结构分析
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纳米声学理论的粗粒化分子动力学研究方法
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作者 李敏 巩鹏杰 +6 位作者 刘鑫鑫 明威 李乐康 朱华泽 赵省贵 杨静 张涛 《压电与声光》 北大核心 2025年第5期809-817,共9页
针对纳米声学理论研究的计算瓶颈,提出了一种基于能量的粗粒化方法。通过采用Tersoff和SW势函数,构建了映射比为8∶1、27∶1和64∶1的非晶二氧化硅和晶体硅粗粒化模型。研究结果表明,非晶二氧化硅8粗粒化模型在R和D参数均放大1.6倍时,... 针对纳米声学理论研究的计算瓶颈,提出了一种基于能量的粗粒化方法。通过采用Tersoff和SW势函数,构建了映射比为8∶1、27∶1和64∶1的非晶二氧化硅和晶体硅粗粒化模型。研究结果表明,非晶二氧化硅8粗粒化模型在R和D参数均放大1.6倍时,弹性模量相对误差仅3.45%,体积模量均方根误差为3.18 GPa,力学性能与全原子模型吻合度超过90%。晶体硅体系在ε和σ参数分别放大2倍、3倍和4倍时,力学行为与全原子模型高度一致。计算效率显著提升,其中非晶二氧化硅8粗粒化模型计算效率提升约28倍,晶体硅三种粗粒化模型计算效率则分别提升约8倍、26倍和45倍。该方法在保持材料关键物理化学性质的同时,显著提升了计算效率,为二氧化硅非晶导波层和硅半导体晶体的多尺度模拟提供了有效解决方案,对纳米声学理论研究具有重要意义。 展开更多
关键词 分子动力学 粗粒化 SiO_(2)/Si异质结构 Tersoff势函数 Stillinger-Weber势函数 纳米声学理论
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一种基于系统级封装的铁电存储器的设计与验证
10
作者 李韶涵 王忆文 《微处理机》 2025年第3期1-9,共9页
随着半导体行业的蓬勃发展,半导体芯片也不断向着小型化与高集成化方向迈进,系统级封装应运而生。基于系统级封装技术的5V铁电存储器芯片,以3.3V电源的铁电存储器为主体,在不改变其基本功能的情况下,将电源范围拓宽至5V使其能够兼容更... 随着半导体行业的蓬勃发展,半导体芯片也不断向着小型化与高集成化方向迈进,系统级封装应运而生。基于系统级封装技术的5V铁电存储器芯片,以3.3V电源的铁电存储器为主体,在不改变其基本功能的情况下,将电源范围拓宽至5V使其能够兼容更多硬件系统,解决了存储器在使用过程中电源及电平不匹配的问题,简化了FeRAM外围电路设计,使得使用上更加方便快捷。具体设计从裸芯堆叠设计、封装互连设计、基板设计等方面进行了系统分析和方案选择,较为详尽的介绍了FeRAM5V_SiP的设计过程。最后,基于Sigrity与Flotherm软件对芯片的信号完整性、电源完整性以及热应力参数进行了仿真分析,验证了SiP设计的合理性与可行性,与传统的PCB板相比,FeRAM5V_SiP实现了在同样的性能下更小的尺寸以及更高的集成度,符合市场的需求,为类似SiP芯片的设计提供了可行性参考。 展开更多
关键词 系统级封装 铁电随机存取存储器 信号完整性 电源完整性 热应力
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具有快速响应特性的TiO_(2)薄膜声表面波湿度传感器研究
11
作者 苏朝葵 《压电与声光》 北大核心 2025年第4期698-703,共6页
湿度作为环境监测和工业过程控制的关键参数,在多领域具有重要的应用价值,尤其在核电站中安全壳内湿度控制对设备稳定及放射性物质管理意义重大。以声表面波(SAW)谐振器为传感平台,用磁控溅射法沉积TiO_(2)薄膜作为湿敏薄膜,研究了TiO_... 湿度作为环境监测和工业过程控制的关键参数,在多领域具有重要的应用价值,尤其在核电站中安全壳内湿度控制对设备稳定及放射性物质管理意义重大。以声表面波(SAW)谐振器为传感平台,用磁控溅射法沉积TiO_(2)薄膜作为湿敏薄膜,研究了TiO_(2)薄膜沉积时间对SAW湿度传感器性能的影响。实验采用具有高品质因数(Q)值的SAW单端对谐振器,通过磁控溅射系统在不同溅射时间下制备TiO_(2)薄膜。采用扫描电子显微镜、X线衍射和能谱对材料进行表征分析,搭建检测系统对湿度性能进行测试。结果表明,在SAW谐振器上成功制备了TiO_(2)薄膜,其为结晶性多晶薄膜。沉积60 min,TiO_(2)薄膜的SAW传感器感湿能力较好,该传感器平均灵敏度约为-5.22 kHz/%,湿滞为9.0%,当相对湿度从10%快速增加至70%时,响应时间约为14.3 s,从70%快速降低至10%的恢复时间约为11.5 s,与已报道的基于TiO_(2)材料的湿度传感器相比,其具有更快的响应恢复速度。 展开更多
关键词 声表面波 湿度传感器 TiO_(2)薄膜 射频磁控溅射
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硒提纯与高纯硒制备技术专利分析综述 被引量:1
12
作者 董竞成 朱思毅 +5 位作者 张辉 邱士伟 董朝望 张体富 商仕杰 李玉东 《中国有色冶金》 北大核心 2025年第3期23-35,共13页
了解硒提纯制备专利技术是掌握硒纯化技术研究进展的重要路径,本文对硒提纯与高纯硒制备相关专利进行了统计分析,整理了国内外硒提纯与高纯硒制备技术,并探讨了各提纯工艺的优缺点。全球来看,中国和日本是硒提纯与高纯硒制备技术专利申... 了解硒提纯制备专利技术是掌握硒纯化技术研究进展的重要路径,本文对硒提纯与高纯硒制备相关专利进行了统计分析,整理了国内外硒提纯与高纯硒制备技术,并探讨了各提纯工艺的优缺点。全球来看,中国和日本是硒提纯与高纯硒制备技术专利申请主要国家,我国该领域专利申请单位主要集中在云南省和广东省。湿法提纯工艺、火湿法联合工艺及真空蒸馏工艺适用于含硒物料提纯制备硒品位<99.9%的硒产品,其中真空蒸馏与氧化除碲、熔析造渣等工艺联合可实现硒碲良好分离,同时设备简单、成本低,具有工业化应用工前景;氧化挥发工艺适用于提纯制备4N以上纯度硒产品,该工艺硒回收率高,但原料适应性差,挥发设备自动化程度低,未来自动化和环保提升是改进方向;区域熔炼工艺适用于制备5N以上高纯硒,但设备要求高、处理规模小、原料适应性低,专利申请及研究较少。未来,单一的提纯技术难以实现高纯度硒的制备,多提纯工艺联合将是未来高纯度硒制备技术发展方向,另外,设备自动化、智能化也是硒提纯及高纯硒制备领域攻关的重点。 展开更多
关键词 粗硒 高纯硒 湿法提纯工艺 火法湿法联合工艺 真空蒸馏 氧化挥发 熔析造渣 智能冶炼
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大尺寸光伏单晶硅制备技术研究进展 被引量:1
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作者 康家铭 黄振玲 +3 位作者 李太 赵亮 周翔 吕国强 《太阳能学报》 北大核心 2025年第3期310-319,共10页
针对现有大尺寸光伏级单晶硅多次装料拉晶技术(RCZ)、炉外加料技术(OCZ)、连续装料拉晶技术(CCZ)等制备技术的研究现状及特点进行归纳总结,对比分析几种光伏单晶硅制备技术在大尺寸、高品质、低成本方面的优势和难点,并结合未来硅料来... 针对现有大尺寸光伏级单晶硅多次装料拉晶技术(RCZ)、炉外加料技术(OCZ)、连续装料拉晶技术(CCZ)等制备技术的研究现状及特点进行归纳总结,对比分析几种光伏单晶硅制备技术在大尺寸、高品质、低成本方面的优势和难点,并结合未来硅料来源分析对光伏单晶硅生长技术的发展做出展望。 展开更多
关键词 单晶硅 硅片 坩埚 太阳电池 直拉法
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晶体硅中的铁沉淀规律 被引量:9
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作者 席珍强 杨德仁 +4 位作者 陈君 王晓泉 汪雷 阙端麟 H.J.Moeller 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第11期1166-1170,共5页
研究了在直拉单晶硅和铸造多晶硅中经 110 0℃热处理快冷或慢冷条件下所形成的铁沉淀规律及其对少数载流子扩散长度的影响 .红外扫描仪照片显示在直拉单晶硅中慢冷却形成的铁沉淀密度较低 ,而且其尺寸较大 ;在铸造多晶硅中 ,铁易在晶界... 研究了在直拉单晶硅和铸造多晶硅中经 110 0℃热处理快冷或慢冷条件下所形成的铁沉淀规律及其对少数载流子扩散长度的影响 .红外扫描仪照片显示在直拉单晶硅中慢冷却形成的铁沉淀密度较低 ,而且其尺寸较大 ;在铸造多晶硅中 ,铁易在晶界上沉淀 ,沉淀规律也依赖于冷却速度 .表面光电压仪测试结果表明 :无论在直拉单晶硅材料中还是在铸造多晶硅材料中 ,快冷形成的铁沉淀对少数载流子扩散长度影响更大 . 展开更多
关键词 沉淀 少数载流子
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CUSP磁场对直拉硅单晶氧浓度分布影响的数值模拟 被引量:9
15
作者 常麟 周旗钢 +2 位作者 戴小林 鲁进军 卢立延 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期909-915,共7页
利用有限元分析软件对Φ300 mm直拉硅单晶生长过程进行模拟,分析了保持CUSP磁场对称面与熔体坩埚界面交点处的径向分量不变的情况下,硅单晶中氧浓度分别随CUSP磁场通电线圈距离、通电线圈半径的变化规律。随着通电线圈距离和半径的增大... 利用有限元分析软件对Φ300 mm直拉硅单晶生长过程进行模拟,分析了保持CUSP磁场对称面与熔体坩埚界面交点处的径向分量不变的情况下,硅单晶中氧浓度分别随CUSP磁场通电线圈距离、通电线圈半径的变化规律。随着通电线圈距离和半径的增大,晶体熔体固液界面氧浓度均逐渐降低。随着通电线圈距离和半径的增大,硅熔体径向磁场强度逐渐增大,对坩埚底部熔体向晶体熔体固液界面处对流的抑制作用加强,固液界面下方熔体轴向流速减小,使得从坩埚底部运输上来的富氧熔体减少,继而固液界面处的氧浓度降低。随着线圈距离和半径的增大,为保持所需磁场强度,施加电流也逐渐增大,从而能耗增大,与增大通电线圈距离相比,增大通电线圈半径所需的电流较大。通过实验,将CUSP磁场对单晶中氧浓度分布影响的数值模拟结果与实际晶体生长进行了对比,实验结果验证了数值模拟的结果。 展开更多
关键词 直拉硅单晶 CUSP磁场 氧浓度 有限元分析 数值模拟
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硅基一维纳米半导体材料的制备及光电性能 被引量:9
16
作者 杨德仁 牛俊杰 +6 位作者 张辉 王俊 杨青 余京 马向阳 沙健 阙端麟 《南京大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2005年第1期31-40,共10页
硅基一维纳米半导体材料是新型的硅基光电子材料 ,在硅基光电集成和纳电子领域有重要的应用前景 .主要论述了硅基一维纳米半导体材料 (纳米硅线、纳米ZnO线 )的制备 ,着重一维纳米材料的阵列化制备 ,讨论了其生长机理 ,研究了硅基一维... 硅基一维纳米半导体材料是新型的硅基光电子材料 ,在硅基光电集成和纳电子领域有重要的应用前景 .主要论述了硅基一维纳米半导体材料 (纳米硅线、纳米ZnO线 )的制备 ,着重一维纳米材料的阵列化制备 ,讨论了其生长机理 ,研究了硅基一维纳米半导体材料的的光学、电学等物理性能 . 展开更多
关键词 硅基 纳米线 半导体 光电子材料
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高纯锗多晶材料区熔速度优化的数值模拟 被引量:6
17
作者 郝昕 孙慧斌 +4 位作者 赵海歌 胡世鹏 罗奇 谭志新 白尔隽 《深圳大学学报(理工版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第3期248-253,共6页
为提高探测器级高纯锗多晶材料的制备效率,开展对锗材料多次区熔过程的参数优化的数值模拟.利用分凝原理对高纯锗多晶材料制备的区熔过程进行数值模拟,针对杂质分凝系数小于1的情况,比较了不同区熔速度下,单次和多次区熔的提纯效果.结... 为提高探测器级高纯锗多晶材料的制备效率,开展对锗材料多次区熔过程的参数优化的数值模拟.利用分凝原理对高纯锗多晶材料制备的区熔过程进行数值模拟,针对杂质分凝系数小于1的情况,比较了不同区熔速度下,单次和多次区熔的提纯效果.结果表明,虽然速度越慢单次区熔效果越好,但对多次区熔的累计效果要采用相对快速多次的方法,以实现相同提纯效果下总时间最短,即多次累计的区熔效率最高.给出了区熔速度的优化方法,以指导实验提高区熔效率. 展开更多
关键词 半导体 高纯锗制备 高纯锗探测器 区熔提纯 杂质浓度 数值模拟 参数优化
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大直径直拉硅单晶炉热场的数值模拟 被引量:11
18
作者 王学锋 翟立君 +3 位作者 周旗钢 王敬 戴小林 吴志强 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期890-893,共4页
数值模拟技术已经成为分析和发展工业化晶体生长工艺必不可少的工具。提出了直拉硅单晶生长过程温度分布的有限元模拟 ,通过对3 0 0mm单晶炉内热场的数值模拟计算 ,得出了晶体生长不同阶段的单晶炉内温度分布及相应的温度梯度和热流密... 数值模拟技术已经成为分析和发展工业化晶体生长工艺必不可少的工具。提出了直拉硅单晶生长过程温度分布的有限元模拟 ,通过对3 0 0mm单晶炉内热场的数值模拟计算 ,得出了晶体生长不同阶段的单晶炉内温度分布及相应的温度梯度和热流密度分布。 展开更多
关键词 直拉硅单晶 热场 数值模拟
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硅纳米线的电学特性 被引量:10
19
作者 裴立宅 唐元洪 +2 位作者 张勇 郭池 陈扬文 《电子器件》 EI CAS 2005年第4期949-953,共5页
总结了硅纳米线在电学特性方面的研究进展,重点分析了本征及掺杂硅纳米线的载流子浓度与迁移率、场发射及电子输运特性。研究表明通过对硅纳米线进行掺杂可提高载流子浓度及迁移率、场发射和电子输运性能,随硅纳米线直径的减小其电学性... 总结了硅纳米线在电学特性方面的研究进展,重点分析了本征及掺杂硅纳米线的载流子浓度与迁移率、场发射及电子输运特性。研究表明通过对硅纳米线进行掺杂可提高载流子浓度及迁移率、场发射和电子输运性能,随硅纳米线直径的减小其电学性能增强。因此,硅纳米线在场效应晶体管及存储元件等纳米器件方面具有极大的应用前景。 展开更多
关键词 硅纳米线 电学特性 场发射 电子输运
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硅纳米线纳米电子器件及其制备技术 被引量:5
20
作者 裴立宅 唐元洪 +2 位作者 陈扬文 张勇 郭池 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2004年第10期44-47,共4页
硅纳米线由于特殊的光学及电学性能如量子限制效应及库仑阻塞效应等,在纳米电子器件的应用方面具有潜在的发展前景。介绍了采用电子束蚀刻技术(EB)、反应性离子蚀刻技术(RIE)、金属有机物化学气相沉积(MOCVD)等制备技术及场效应晶体管... 硅纳米线由于特殊的光学及电学性能如量子限制效应及库仑阻塞效应等,在纳米电子器件的应用方面具有潜在的发展前景。介绍了采用电子束蚀刻技术(EB)、反应性离子蚀刻技术(RIE)、金属有机物化学气相沉积(MOCVD)等制备技术及场效应晶体管、单电子探测器及存储器、双方向电子泵及双重门电路等硅纳米线纳米电子器件的最新进展情况,并对其发展前景作了展望。 展开更多
关键词 电子技术 硅纳米线 综述 纳米电子器件 制备 性能
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