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针尖半径对四探针法电阻率测量的定量影响
1
作者 薛栋 饶张飞 +1 位作者 秦凯亮 金红霞 《半导体技术》 北大核心 2026年第1期94-101,共8页
四探针法广泛应用于半导体材料电阻率的测量。为研究探针头针尖半径对单晶硅片电阻率测量结果的定量影响,通过实验与COMSOL仿真相结合的方式,选用A型(针尖半径40.64μm)、B型(针尖半径101.6μm)和D型(针尖半径508μm)3种规格的探针,对... 四探针法广泛应用于半导体材料电阻率的测量。为研究探针头针尖半径对单晶硅片电阻率测量结果的定量影响,通过实验与COMSOL仿真相结合的方式,选用A型(针尖半径40.64μm)、B型(针尖半径101.6μm)和D型(针尖半径508μm)3种规格的探针,对电阻率为0.001~1 000Ω·cm的10种标准单晶硅片进行测量。测量结果表明,A型适用于低电阻率(<1Ω·cm)单晶硅片的测量,测量相对误差δ小于1%;D型适用于高电阻率(≥180Ω·cm)单晶硅片的测量,δ小于1%;中等电阻率(1~180Ω·cm)单晶硅片的测量中,3种探针头δ较为接近,均值约为4%。仿真分析进一步证实,针尖半径的改变会使电场分布和接触电阻发生显著变化,从而影响电阻率的测量精度。 展开更多
关键词 四探针法 单晶硅 电阻率 针尖半径 COMSOL 接触电阻
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[111]晶向硅衬底厚外延边缘斜坡问题研究
2
作者 刘宪成 喻洋 张晶 《微纳电子技术》 2026年第1期81-86,共6页
[111]晶向硅片晶面横向的原子密度和纵向的原子密度之差非常大,导致了横向和纵向生长中严重的各向异性,横向生长的速度约为纵向生长速度的10~4倍。同时硅晶体的(111)面排布为密堆积,虽然纵向排布为ABCABC形式,但每层均为密堆积。在某一(... [111]晶向硅片晶面横向的原子密度和纵向的原子密度之差非常大,导致了横向和纵向生长中严重的各向异性,横向生长的速度约为纵向生长速度的10~4倍。同时硅晶体的(111)面排布为密堆积,虽然纵向排布为ABCABC形式,但每层均为密堆积。在某一(111)面上,由于每个方向上的原子线密度的不同,每个方向上的生长速度也呈现各向异性。横向与纵向、横向不同方向的生长速度差异叠加边缘倒角晶向影响,导致在硅厚外延生长中在特定位置出现斜坡现象,斜坡的出现会导致减薄硅片时在固定位置发生裂片。本研究从理论出发分析了[111]晶向硅片厚外延斜坡产生的机理,进而在此基础上提出了改善方法,实际证明该方法有助于解决因斜坡导致的减薄裂片问题,80μm厚外延减薄裂片率减少约5%。 展开更多
关键词 晶向 晶面 外延 倒角 斜坡
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纳米声学理论的粗粒化分子动力学研究方法
3
作者 李敏 巩鹏杰 +6 位作者 刘鑫鑫 明威 李乐康 朱华泽 赵省贵 杨静 张涛 《压电与声光》 北大核心 2025年第5期809-817,共9页
针对纳米声学理论研究的计算瓶颈,提出了一种基于能量的粗粒化方法。通过采用Tersoff和SW势函数,构建了映射比为8∶1、27∶1和64∶1的非晶二氧化硅和晶体硅粗粒化模型。研究结果表明,非晶二氧化硅8粗粒化模型在R和D参数均放大1.6倍时,... 针对纳米声学理论研究的计算瓶颈,提出了一种基于能量的粗粒化方法。通过采用Tersoff和SW势函数,构建了映射比为8∶1、27∶1和64∶1的非晶二氧化硅和晶体硅粗粒化模型。研究结果表明,非晶二氧化硅8粗粒化模型在R和D参数均放大1.6倍时,弹性模量相对误差仅3.45%,体积模量均方根误差为3.18 GPa,力学性能与全原子模型吻合度超过90%。晶体硅体系在ε和σ参数分别放大2倍、3倍和4倍时,力学行为与全原子模型高度一致。计算效率显著提升,其中非晶二氧化硅8粗粒化模型计算效率提升约28倍,晶体硅三种粗粒化模型计算效率则分别提升约8倍、26倍和45倍。该方法在保持材料关键物理化学性质的同时,显著提升了计算效率,为二氧化硅非晶导波层和硅半导体晶体的多尺度模拟提供了有效解决方案,对纳米声学理论研究具有重要意义。 展开更多
关键词 分子动力学 粗粒化 SiO_(2)/Si异质结构 Tersoff势函数 Stillinger-Weber势函数 纳米声学理论
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一种基于系统级封装的铁电存储器的设计与验证
4
作者 李韶涵 王忆文 《微处理机》 2025年第3期1-9,共9页
随着半导体行业的蓬勃发展,半导体芯片也不断向着小型化与高集成化方向迈进,系统级封装应运而生。基于系统级封装技术的5V铁电存储器芯片,以3.3V电源的铁电存储器为主体,在不改变其基本功能的情况下,将电源范围拓宽至5V使其能够兼容更... 随着半导体行业的蓬勃发展,半导体芯片也不断向着小型化与高集成化方向迈进,系统级封装应运而生。基于系统级封装技术的5V铁电存储器芯片,以3.3V电源的铁电存储器为主体,在不改变其基本功能的情况下,将电源范围拓宽至5V使其能够兼容更多硬件系统,解决了存储器在使用过程中电源及电平不匹配的问题,简化了FeRAM外围电路设计,使得使用上更加方便快捷。具体设计从裸芯堆叠设计、封装互连设计、基板设计等方面进行了系统分析和方案选择,较为详尽的介绍了FeRAM5V_SiP的设计过程。最后,基于Sigrity与Flotherm软件对芯片的信号完整性、电源完整性以及热应力参数进行了仿真分析,验证了SiP设计的合理性与可行性,与传统的PCB板相比,FeRAM5V_SiP实现了在同样的性能下更小的尺寸以及更高的集成度,符合市场的需求,为类似SiP芯片的设计提供了可行性参考。 展开更多
关键词 系统级封装 铁电随机存取存储器 信号完整性 电源完整性 热应力
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具有快速响应特性的TiO_(2)薄膜声表面波湿度传感器研究
5
作者 苏朝葵 《压电与声光》 北大核心 2025年第4期698-703,共6页
湿度作为环境监测和工业过程控制的关键参数,在多领域具有重要的应用价值,尤其在核电站中安全壳内湿度控制对设备稳定及放射性物质管理意义重大。以声表面波(SAW)谐振器为传感平台,用磁控溅射法沉积TiO_(2)薄膜作为湿敏薄膜,研究了TiO_... 湿度作为环境监测和工业过程控制的关键参数,在多领域具有重要的应用价值,尤其在核电站中安全壳内湿度控制对设备稳定及放射性物质管理意义重大。以声表面波(SAW)谐振器为传感平台,用磁控溅射法沉积TiO_(2)薄膜作为湿敏薄膜,研究了TiO_(2)薄膜沉积时间对SAW湿度传感器性能的影响。实验采用具有高品质因数(Q)值的SAW单端对谐振器,通过磁控溅射系统在不同溅射时间下制备TiO_(2)薄膜。采用扫描电子显微镜、X线衍射和能谱对材料进行表征分析,搭建检测系统对湿度性能进行测试。结果表明,在SAW谐振器上成功制备了TiO_(2)薄膜,其为结晶性多晶薄膜。沉积60 min,TiO_(2)薄膜的SAW传感器感湿能力较好,该传感器平均灵敏度约为-5.22 kHz/%,湿滞为9.0%,当相对湿度从10%快速增加至70%时,响应时间约为14.3 s,从70%快速降低至10%的恢复时间约为11.5 s,与已报道的基于TiO_(2)材料的湿度传感器相比,其具有更快的响应恢复速度。 展开更多
关键词 声表面波 湿度传感器 TiO_(2)薄膜 射频磁控溅射
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大尺寸光伏单晶硅制备技术研究进展 被引量：1
6
作者 康家铭 黄振玲 +3 位作者 李太 赵亮 周翔 吕国强 《太阳能学报》 北大核心 2025年第3期310-319,共10页
针对现有大尺寸光伏级单晶硅多次装料拉晶技术(RCZ)、炉外加料技术(OCZ)、连续装料拉晶技术(CCZ)等制备技术的研究现状及特点进行归纳总结,对比分析几种光伏单晶硅制备技术在大尺寸、高品质、低成本方面的优势和难点,并结合未来硅料来... 针对现有大尺寸光伏级单晶硅多次装料拉晶技术(RCZ)、炉外加料技术(OCZ)、连续装料拉晶技术(CCZ)等制备技术的研究现状及特点进行归纳总结,对比分析几种光伏单晶硅制备技术在大尺寸、高品质、低成本方面的优势和难点,并结合未来硅料来源分析对光伏单晶硅生长技术的发展做出展望。 展开更多
关键词 单晶硅 硅片 坩埚 太阳电池 直拉法
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晶体硅中的铁沉淀规律 被引量：9
7
作者 席珍强 杨德仁 +4 位作者 陈君 王晓泉 汪雷 阙端麟 H.J.Moeller 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第11期1166-1170,共5页
研究了在直拉单晶硅和铸造多晶硅中经 110 0℃热处理快冷或慢冷条件下所形成的铁沉淀规律及其对少数载流子扩散长度的影响 .红外扫描仪照片显示在直拉单晶硅中慢冷却形成的铁沉淀密度较低 ,而且其尺寸较大 ;在铸造多晶硅中 ,铁易在晶界... 研究了在直拉单晶硅和铸造多晶硅中经 110 0℃热处理快冷或慢冷条件下所形成的铁沉淀规律及其对少数载流子扩散长度的影响 .红外扫描仪照片显示在直拉单晶硅中慢冷却形成的铁沉淀密度较低 ,而且其尺寸较大 ;在铸造多晶硅中 ,铁易在晶界上沉淀 ,沉淀规律也依赖于冷却速度 .表面光电压仪测试结果表明 :无论在直拉单晶硅材料中还是在铸造多晶硅材料中 ,快冷形成的铁沉淀对少数载流子扩散长度影响更大 . 展开更多
关键词 硅 铁 沉淀 少数载流子
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CUSP磁场对直拉硅单晶氧浓度分布影响的数值模拟 被引量：9
8
作者 常麟 周旗钢 +2 位作者 戴小林 鲁进军 卢立延 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期909-915,共7页
利用有限元分析软件对Φ300 mm直拉硅单晶生长过程进行模拟,分析了保持CUSP磁场对称面与熔体坩埚界面交点处的径向分量不变的情况下,硅单晶中氧浓度分别随CUSP磁场通电线圈距离、通电线圈半径的变化规律。随着通电线圈距离和半径的增大... 利用有限元分析软件对Φ300 mm直拉硅单晶生长过程进行模拟,分析了保持CUSP磁场对称面与熔体坩埚界面交点处的径向分量不变的情况下,硅单晶中氧浓度分别随CUSP磁场通电线圈距离、通电线圈半径的变化规律。随着通电线圈距离和半径的增大,晶体熔体固液界面氧浓度均逐渐降低。随着通电线圈距离和半径的增大,硅熔体径向磁场强度逐渐增大,对坩埚底部熔体向晶体熔体固液界面处对流的抑制作用加强,固液界面下方熔体轴向流速减小,使得从坩埚底部运输上来的富氧熔体减少,继而固液界面处的氧浓度降低。随着线圈距离和半径的增大,为保持所需磁场强度,施加电流也逐渐增大,从而能耗增大,与增大通电线圈距离相比,增大通电线圈半径所需的电流较大。通过实验,将CUSP磁场对单晶中氧浓度分布影响的数值模拟结果与实际晶体生长进行了对比,实验结果验证了数值模拟的结果。 展开更多
关键词 直拉硅单晶 CUSP磁场 氧浓度 有限元分析 数值模拟
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硅基一维纳米半导体材料的制备及光电性能 被引量：9
9
作者 杨德仁 牛俊杰 +6 位作者 张辉 王俊 杨青 余京 马向阳 沙健 阙端麟 《南京大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2005年第1期31-40,共10页
硅基一维纳米半导体材料是新型的硅基光电子材料 ,在硅基光电集成和纳电子领域有重要的应用前景 .主要论述了硅基一维纳米半导体材料 (纳米硅线、纳米ZnO线 )的制备 ,着重一维纳米材料的阵列化制备 ,讨论了其生长机理 ,研究了硅基一维... 硅基一维纳米半导体材料是新型的硅基光电子材料 ,在硅基光电集成和纳电子领域有重要的应用前景 .主要论述了硅基一维纳米半导体材料 (纳米硅线、纳米ZnO线 )的制备 ,着重一维纳米材料的阵列化制备 ,讨论了其生长机理 ,研究了硅基一维纳米半导体材料的的光学、电学等物理性能 . 展开更多
关键词 硅基 纳米线 半导体 光电子材料
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高纯锗多晶材料区熔速度优化的数值模拟 被引量：6
10
作者 郝昕 孙慧斌 +4 位作者 赵海歌 胡世鹏 罗奇 谭志新 白尔隽 《深圳大学学报（理工版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第3期248-253,共6页
为提高探测器级高纯锗多晶材料的制备效率,开展对锗材料多次区熔过程的参数优化的数值模拟.利用分凝原理对高纯锗多晶材料制备的区熔过程进行数值模拟,针对杂质分凝系数小于1的情况,比较了不同区熔速度下,单次和多次区熔的提纯效果.结... 为提高探测器级高纯锗多晶材料的制备效率,开展对锗材料多次区熔过程的参数优化的数值模拟.利用分凝原理对高纯锗多晶材料制备的区熔过程进行数值模拟,针对杂质分凝系数小于1的情况,比较了不同区熔速度下,单次和多次区熔的提纯效果.结果表明,虽然速度越慢单次区熔效果越好,但对多次区熔的累计效果要采用相对快速多次的方法,以实现相同提纯效果下总时间最短,即多次累计的区熔效率最高.给出了区熔速度的优化方法,以指导实验提高区熔效率. 展开更多
关键词 半导体 高纯锗制备 高纯锗探测器 区熔提纯 杂质浓度 数值模拟 参数优化
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大直径直拉硅单晶炉热场的数值模拟 被引量：11
11
作者 王学锋 翟立君 +3 位作者 周旗钢 王敬 戴小林 吴志强 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期890-893,共4页
数值模拟技术已经成为分析和发展工业化晶体生长工艺必不可少的工具。提出了直拉硅单晶生长过程温度分布的有限元模拟 ,通过对3 0 0mm单晶炉内热场的数值模拟计算 ,得出了晶体生长不同阶段的单晶炉内温度分布及相应的温度梯度和热流密... 数值模拟技术已经成为分析和发展工业化晶体生长工艺必不可少的工具。提出了直拉硅单晶生长过程温度分布的有限元模拟 ,通过对3 0 0mm单晶炉内热场的数值模拟计算 ,得出了晶体生长不同阶段的单晶炉内温度分布及相应的温度梯度和热流密度分布。 展开更多
关键词 直拉硅单晶 热场 数值模拟
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硅纳米线的电学特性 被引量：10
12
作者 裴立宅 唐元洪 +2 位作者 张勇 郭池 陈扬文 《电子器件》 EI CAS 2005年第4期949-953,共5页
总结了硅纳米线在电学特性方面的研究进展,重点分析了本征及掺杂硅纳米线的载流子浓度与迁移率、场发射及电子输运特性。研究表明通过对硅纳米线进行掺杂可提高载流子浓度及迁移率、场发射和电子输运性能,随硅纳米线直径的减小其电学性... 总结了硅纳米线在电学特性方面的研究进展,重点分析了本征及掺杂硅纳米线的载流子浓度与迁移率、场发射及电子输运特性。研究表明通过对硅纳米线进行掺杂可提高载流子浓度及迁移率、场发射和电子输运性能,随硅纳米线直径的减小其电学性能增强。因此,硅纳米线在场效应晶体管及存储元件等纳米器件方面具有极大的应用前景。 展开更多
关键词 硅纳米线 电学特性 场发射 电子输运
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硅纳米线纳米电子器件及其制备技术 被引量：5
13
作者 裴立宅 唐元洪 +2 位作者 陈扬文 张勇 郭池 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2004年第10期44-47,共4页
硅纳米线由于特殊的光学及电学性能如量子限制效应及库仑阻塞效应等,在纳米电子器件的应用方面具有潜在的发展前景。介绍了采用电子束蚀刻技术(EB)、反应性离子蚀刻技术(RIE)、金属有机物化学气相沉积(MOCVD)等制备技术及场效应晶体管... 硅纳米线由于特殊的光学及电学性能如量子限制效应及库仑阻塞效应等,在纳米电子器件的应用方面具有潜在的发展前景。介绍了采用电子束蚀刻技术(EB)、反应性离子蚀刻技术(RIE)、金属有机物化学气相沉积(MOCVD)等制备技术及场效应晶体管、单电子探测器及存储器、双方向电子泵及双重门电路等硅纳米线纳米电子器件的最新进展情况,并对其发展前景作了展望。 展开更多
关键词 电子技术 硅纳米线 综述 纳米电子器件 制备 性能
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从铜阳极泥中回收硒、碲新技术 被引量：37
14
作者 梁刚 舒万艮 +1 位作者 蔡艳荣 郑诗礼 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第4期254-256,共3页
提出了从铜阳极泥中回收硒、碲的新技术：以Ｈ２Ｏ２作氧化剂，在弱酸性溶液中氧化硒和碲，固液分离后调节ｐＨ分离硒和碲，在盐酸酸化下用Ｎａ２ＳＯ３还原硒和碲。硒和碲回收率分别为９９％和９８％，纯度均可达９９％。
关键词 硒 碲 回收 铜阳极泥 铜电解
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蓝宝石衬底化学机械抛光的机理研究 被引量：6
15
作者 牛新环 刘玉岭 +1 位作者 檀柏梅 马振国 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A10期4096-4099,共4页
利用磨料为SiO2的碱性抛光液对蓝宝石衬底材料进行了化学机械抛光，并对蓝宝石衬底化学机械抛光（简称CMP）的机理进行了深入的研究，指出了蓝宝石CMP的主要的动力学过程，并详细分析了影响各动力学过程的诸要素。结果表明，蓝宝石衬底... 利用磨料为SiO2的碱性抛光液对蓝宝石衬底材料进行了化学机械抛光，并对蓝宝石衬底化学机械抛光（简称CMP）的机理进行了深入的研究，指出了蓝宝石CMP的主要的动力学过程，并详细分析了影响各动力学过程的诸要素。结果表明，蓝宝石衬底的CMP过程是一个复杂的多相反应过程，是化学作用与机械作用互相加强和促进的过程，影响它的各要素间既相互促进，又相互制约。 展开更多
关键词 化学机械抛光 蓝宝石衬底 机理 去除速率 动力学过程
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高温NTC热敏电阻材料的研究进展 被引量：7
16
作者 李旭琼 张廷玖 +1 位作者 骆颖 刘心宇 《电子元件与材料》 CAS CSCD 2015年第12期7-9,19,共4页
高温NTC热敏电阻材料可制备用于汽车电子、军工、航天等领域超宽温区测温的热敏元件。概述了高温NTC热敏电阻材料的研究,主要集中在具有钙钛矿结构的材料体系以及材料的掺杂改性研究上。基于钙钛矿结构热敏材料NTC效应机理的解释大多集... 高温NTC热敏电阻材料可制备用于汽车电子、军工、航天等领域超宽温区测温的热敏元件。概述了高温NTC热敏电阻材料的研究,主要集中在具有钙钛矿结构的材料体系以及材料的掺杂改性研究上。基于钙钛矿结构热敏材料NTC效应机理的解释大多集中在氧空位迁移模型、电子跃迁模型和渗流理论等方面,提出应用于高温宽温区测温的具有高电阻率低热敏常数特性的NTC热敏材料是高温NTC材料的发展方向。 展开更多
关键词 热敏电阻材料 负温度系数 综述 钙钛矿结构 掺杂改性 两相复合
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太阳电池用多晶硅及其吸杂研究现状 被引量：7
17
作者 吴洪军 陈秀华 +2 位作者 马文会 梅向阳 蒋咏 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第15期135-140,共6页
综述了几类主要的太阳电池用多晶硅及其吸杂研究现状。评述了当前太阳电池领域涉及到的几类多晶硅如铸造多晶硅、冶金法多晶硅、西门子法多晶硅等的优缺点。详细描述了多晶硅的吸杂类型、吸杂过程、吸杂影响因素等。给出了本课题组关于... 综述了几类主要的太阳电池用多晶硅及其吸杂研究现状。评述了当前太阳电池领域涉及到的几类多晶硅如铸造多晶硅、冶金法多晶硅、西门子法多晶硅等的优缺点。详细描述了多晶硅的吸杂类型、吸杂过程、吸杂影响因素等。给出了本课题组关于冶金法多晶硅吸杂实验的一些初步研究结果。展望了多晶硅及其吸杂技术的发展。 展开更多
关键词 多晶硅 太阳电池 吸杂
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Ge／Si(100)量子点生长与形态分布的研究 被引量：6
18
作者 周志玉 周志文 +3 位作者 李成 陈松岩 余金中 赖虹凯 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期220-225,共6页
利用超高真空化学气相淀积系统，通过控制淀积量、温度、流量等生长参数，在n型Si（100）衬底上自组装生长了一系列Ge量子点样品，用原子力显微镜进行了表征与分析。系统地研究了生长参数对Ge岛形态分布的影响并分析了有序、高密度Ge岛... 利用超高真空化学气相淀积系统，通过控制淀积量、温度、流量等生长参数，在n型Si（100）衬底上自组装生长了一系列Ge量子点样品，用原子力显微镜进行了表征与分析。系统地研究了生长参数对Ge岛形态分布的影响并分析了有序、高密度Ge岛的生长机理。结果表明，从二维向三维岛跃迁后，最初形成的高宽比（高度与底宽的比值）在0．04～0.06之间的小岛是一种在低温下可以与圆顶岛共存的稳定岛，两种岛的分布随淀积参数的变化而变化。在高温下小岛几乎消失，流量的变化对小岛的密度影响较小。实验中获得小岛的密度最高为2．6×10^10cm^-2，圆顶岛的密度最高为4．2×10^9cm^-2。 展开更多
关键词 GE量子点 超高真空化学气相淀积 S-K生长模式
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快中子辐照直拉硅中的氧沉淀及诱生缺陷 被引量：3
19
作者 马巧云 陈贵锋 +2 位作者 马晓薇 薛晶晶 郝秋艳 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第10期1927-1930,共4页
利用光学显微镜和透射电子显微镜,研究了1100℃退火后快中子辐照直拉硅中氧沉淀及诱生缺陷的产生及其随退火时间的演变情况。实验发现:在快中子辐照直拉硅中,氧沉淀过程中产生了氧沉淀诱生的体层错和结构复杂的位错环。延长退火时间,缺... 利用光学显微镜和透射电子显微镜,研究了1100℃退火后快中子辐照直拉硅中氧沉淀及诱生缺陷的产生及其随退火时间的演变情况。实验发现:在快中子辐照直拉硅中,氧沉淀过程中产生了氧沉淀诱生的体层错和结构复杂的位错环。延长退火时间,缺陷密度增加。当过饱和态的间隙氧基本沉淀之后,诱生缺陷密度不再变化。较高剂量辐照样品中的缺陷尺寸较大,但密度相对较低。经高温退火的快中子辐照直拉硅中生成了直径约为40nm的氧沉淀,其形貌为多面体氧沉淀。 展开更多
关键词 快中子辐照 直拉硅 氧沉淀 缺陷
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一维硅纳米材料的光学特性 被引量：3
20
作者 裴立宅 唐元洪 +2 位作者 郭池 张勇 陈扬文 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期36-40,共5页
硅纳米线与硅纳米管是两种重要的一维硅纳米材料,由于具有量子限制效应等性能在光电子器件方面具有潜在的应用前景。总结了近年来硅纳米线在光学特性方面的研究进展,重点介绍了本征硅纳米线、掺杂硅纳米线及硅纳米线阵列的光致发光光谱(... 硅纳米线与硅纳米管是两种重要的一维硅纳米材料,由于具有量子限制效应等性能在光电子器件方面具有潜在的应用前景。总结了近年来硅纳米线在光学特性方面的研究进展,重点介绍了本征硅纳米线、掺杂硅纳米线及硅纳米线阵列的光致发光光谱(PL)的最新进展情况,同时涉及了硅纳米管在PL发射光谱方面的研究结果。 展开更多
关键词 奎纳米线 硅纳米管 光学特性 光致发光特性
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