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以学生为中心的半导体器件课程教学改革探索
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作者 代红丽 王洛欣 薛玉明 《中国教育技术装备》 2026年第3期79-83,87,共6页
针对半导体器件课程中物理机制抽象难懂的教学难点,提出以学生为中心的教学改革方案。通过课前发放任务、课中组织学生分组讲解、教师补充精讲、提问抢答、课堂测试等环节,引导学生自主开展仿真调试与器件电学特性分析,以此帮助学生深... 针对半导体器件课程中物理机制抽象难懂的教学难点,提出以学生为中心的教学改革方案。通过课前发放任务、课中组织学生分组讲解、教师补充精讲、提问抢答、课堂测试等环节,引导学生自主开展仿真调试与器件电学特性分析,以此帮助学生深化对器件物理机制的直观理解。教学实践表明,该模式可以有效提升学生的课堂参与度,激发他们的学习兴趣,提高教学效果。 展开更多
关键词 以学生为中心 半导体器件课程 仿真软件
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半导体器件电离辐射与电磁脉冲协和效应研究
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作者 钟媚青 袁岚枫 +4 位作者 张茂兴 孟萃 赵自然 王迎新 邵伟恒 《安全与电磁兼容》 2026年第1期36-49,共14页
文章综述了半导体器件在电离辐射与电磁脉冲(EMP)协同作用下的效应研究进展,分析了总电离剂量(TID)效应与EMP效应的单独作用机理,以及现有研究关注的协和效应对典型单管器件和芯片级器件性能的影响。研究表明,TID效应导致的氧化物陷阱... 文章综述了半导体器件在电离辐射与电磁脉冲(EMP)协同作用下的效应研究进展,分析了总电离剂量(TID)效应与EMP效应的单独作用机理,以及现有研究关注的协和效应对典型单管器件和芯片级器件性能的影响。研究表明,TID效应导致的氧化物陷阱电荷与界面态积累,会显著改变器件的阈值电压、漏电流等电学参数,进而降低其抗EMP干扰的能力;而EMP诱导的瞬态过电压或过电流则可能在TID造成缺陷处引发更严重的损伤。这种协和效应通常导致比单一因素更严重的性能退化或功能失效,对在轨卫星、核装置等复合辐射环境中的电子系统可靠性构成严峻挑战。 展开更多
关键词 辐射效应 总电离剂量 电磁脉冲 电磁干扰 协和效应
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功率电子器件结构发展概述
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作者 张家驹 闫闯 +4 位作者 刘俐 刘国友 周洋 刘胜 陈志文 《电子与封装》 2026年第2期71-86,共16页
在功率电子的高压与低压应用中,硅基绝缘栅双极型晶体管(IGBT)和金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)正分别占据主流。由于Si材料自身的局限性,新型功率器件不断涌现,其中以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的第三代宽禁带半导体器件... 在功率电子的高压与低压应用中,硅基绝缘栅双极型晶体管(IGBT)和金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)正分别占据主流。由于Si材料自身的局限性,新型功率器件不断涌现,其中以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的第三代宽禁带半导体器件,以及金刚石、氧化镓(Ga2O3)等超宽禁带半导体器件最为典型。回顾MOSFET、IGBT以及GaN高电子迁移率晶体管(HEMT) 3类功率电子器件的结构发展历程,综述这3类器件向宽禁带化演进过程中的结构发展,分析各结构的设计特点及在击穿电压、热管理、开关特性等方面的性能提升机制,并讨论各个方案的利弊;最后分别论述其发展过程中遇到的问题,并对未来发展方向作出展望。 展开更多
关键词 宽禁带半导体器件 功率电子器件 金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 高电子迁移率晶体管(HEMT)
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氧化铟锡电阻式薄膜应变计研究进展
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作者 程雪颖 曹丽莉 罗炳威 《材料工程》 北大核心 2026年第2期161-173,共13页
随着高性能航空发动机和未来智能发动机的研制需求的不断提升,对关键部件在热、力复合作用下的应变情况进行监测成为评价材料服役性能、提升设计精准性、实现全生命周期管理的重要基础数据来源。氧化铟锡(indium tin oxide,ITO)薄膜因... 随着高性能航空发动机和未来智能发动机的研制需求的不断提升,对关键部件在热、力复合作用下的应变情况进行监测成为评价材料服役性能、提升设计精准性、实现全生命周期管理的重要基础数据来源。氧化铟锡(indium tin oxide,ITO)薄膜因其在高温下的稳定性、优异的应变测量灵敏度、导电性等优点,成为测量结构材料高温应变的优选材料。本文概述了电阻式薄膜应变计的基本原理、基本结构和制备方法,并且对目前ITO电阻式薄膜应变计性能提升策略进行了综合分析,以期推动薄膜应变计在航空航天领域的工程化应用。 展开更多
关键词 ITO 薄膜 应变传感 高温 性能增强
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AlGaN/GaN异质结欧姆接触优化与导通机理研究
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作者 王强 曹京津 +2 位作者 曲莹 范晶晶 李飞扬 《微纳电子技术》 2026年第1期87-93,共7页
氮化镓(GaN)作为第三代宽禁带半导体材料具有禁带宽度大、电子迁移率高和临界击穿电场高等优点,已经广泛应用于新型电力系统。基于Ti/Al/Ni/Au金属叠层制备了AlGNa/GaN异质结欧姆接触。通过传输线模型(TLM)测试其接触电阻率和方块电阻... 氮化镓(GaN)作为第三代宽禁带半导体材料具有禁带宽度大、电子迁移率高和临界击穿电场高等优点,已经广泛应用于新型电力系统。基于Ti/Al/Ni/Au金属叠层制备了AlGNa/GaN异质结欧姆接触。通过传输线模型(TLM)测试其接触电阻率和方块电阻分别为1.01Ω·mm和304Ω/□。通过TLM结构的变温测试来研究AlGaN/GaN异质结欧姆接触的导通机理。实验结果表明,随着测试温度升高,接触电阻率仅从1.01Ω·mm增加到1.26Ω·mm,展现出良好的温度稳定性。比接触电阻率与温度的拟合曲线表明,场发射是AlGaN/GaN异质结欧姆接触电流传输的主导机制。透射电子显微镜的结果表明,在高温退火中,金属Ti扩散至AlGaN中与之发生反应并产生大量的N空位,在AlGaN势垒层中形成重掺杂,从而减小了势垒宽度,促进了欧姆接触的形成。 展开更多
关键词 ALGAN/GAN异质结 欧姆接触制备 传输线模型(TLM) 变温测试 导通机理
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Radiation hardness of 1.2 kV SiC power devices with advanced edge termination structures under proton irradiation
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作者 Sangyeob Kim Jeongtae Kim +3 位作者 Dong-Seok Kim Hyuncheol Bae Min-Woo Ha Ogyun Seok 《Journal of Semiconductors》 2026年第1期83-89,共7页
This work presents a systematic analysis of proton-induced total ionizing dose(TID)effects in 1.2 k V silicon carbide(SiC)power devices with various edge termination structures.Three edge terminations including ring-a... This work presents a systematic analysis of proton-induced total ionizing dose(TID)effects in 1.2 k V silicon carbide(SiC)power devices with various edge termination structures.Three edge terminations including ring-assisted junction termination extension(RA-JTE),multiple floating zone JTE(MFZ-JTE),and field limiting rings(FLR)were fabricated and irradiated with45 Me V protons at fluences ranging from 1×10^(12) to 1×10^(14) cm^(-2).Experimental results,supported by TCAD simulations,show that the RA-JTE structure maintained stable breakdown performance with less than 1%variation due to its effective electric field redistribution by multiple P+rings.In contrast,MFZ-JTE and FLR exhibit breakdown voltage shifts of 6.1%and 15.2%,respectively,under the highest fluence.These results demonstrate the superior radiation tolerance of the RA-JTE structure under TID conditions and provide practical design guidance for radiation-hardened Si C power devices in space and other highradiation environments. 展开更多
关键词 SIC proton irradiation edge termination radiation hardness TID effects
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一种新型集成液冷的嵌入式SiC功率模块
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作者 杜一飞 孙欣楠 陈敏 《电子与封装》 2026年第2期108-108,共1页
SiC功率器件因宽禁带、高热导率和高击穿电场等特性使其能够在更高的温度、电压和频率下运行,因此在电动汽车、可再生能源系统和高功率工业设备等场景下应用越来越广泛。然而,现有的封装技术在电、热性能上存在瓶颈,限制了SiC器件优势... SiC功率器件因宽禁带、高热导率和高击穿电场等特性使其能够在更高的温度、电压和频率下运行,因此在电动汽车、可再生能源系统和高功率工业设备等场景下应用越来越广泛。然而,现有的封装技术在电、热性能上存在瓶颈,限制了SiC器件优势的发挥。键合线的高寄生电感限制了其开关速度,传统冷却方式也不能满足其高热流密度应用需求,因此研究低寄生电感、低热阻的小型化集成封装成为推动SiC功率器件进一步发展的关键。 展开更多
关键词 集成液冷 电动汽车 SiC功率器件 嵌入式功率模块
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自主可控的功率半导体器件仿真工具研发进展(一):二维计算的精度 被引量:2
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作者 庄池杰 石清元 +11 位作者 林波 彭晞雨 吴丹 刘志成 李立 施连军 任李鑫 纪瑞朗 余占清 吴锦鹏 魏晓光 曾嵘 《高电压技术》 北大核心 2025年第1期21-30,I0002,I0003,共12页
功率半导体器件是电力电子装备电流开断和电能转换的核心。作为全球最大的功率半导体消费国,中国功率器件自给率低,严重依赖进口,亟需自主化突破。功率半导体器件仿真软件作为器件多物理场分析、设计优化的必备工具,研发难度大、周期长... 功率半导体器件是电力电子装备电流开断和电能转换的核心。作为全球最大的功率半导体消费国,中国功率器件自给率低,严重依赖进口,亟需自主化突破。功率半导体器件仿真软件作为器件多物理场分析、设计优化的必备工具,研发难度大、周期长、见效慢。国内使用的功率半导体TCAD软件几乎全部由Synopsys、Silvaco等国外公司垄断。作为国产替代的第一步,自2019年以来,团队按照“先追赶、再并跑、最后超越”的思路,开展功率半导体器件国产仿真工具的研发工作。该文在分析功率器件物理模型、求解难点的基础上,介绍了自主可控的功率半导体器件二维仿真工具的初步研发进展,与垄断商业软件Synopsys TCAD Sentaurus Device计算结果开展了详细比对,在测试的算例和物理模型上,自研软件二维计算的精度向国际垄断商业软件看齐。 展开更多
关键词 功率半导体器件 仿真工具 二维 漂移扩散模型 国产替代
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红外量子点的研究进展与挑战:迈向下一代光电器件
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作者 胡寅 杨珏晗 魏钟鸣 《中国科学:信息科学》 北大核心 2026年第2期487-488,共2页
红外量子点作为纳米光子学与半导体技术交叉融合的重要研究方向,近年来在材料设计、可控合成与器件应用等方面取得了系列突破性进展[1].该领域的研究重点围绕材料体系创新、合成方法优化以及器件性能提升等多个维度展开,呈现出蓬勃发展... 红外量子点作为纳米光子学与半导体技术交叉融合的重要研究方向,近年来在材料设计、可控合成与器件应用等方面取得了系列突破性进展[1].该领域的研究重点围绕材料体系创新、合成方法优化以及器件性能提升等多个维度展开,呈现出蓬勃发展的态势[2].SCIENCE CHINA Information Sciences在2025年第8期出版了中科院半导体所魏钟鸣等的综述文章“Recent progress and challenges of infrared quantum dots”.本文从红外量子点的物理机制、合成方法、应用场景和展望入手,系统性地介绍了红外量子点的研究现状,文章结构如图1所示. 展开更多
关键词 纳米光子学 器件应用 红外量子点 可控合成
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双极器件中子/γ协同效应物理规律及机制研究
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作者 马武英 丁李利 +2 位作者 李济芳 潘琛 闵亮亮 《上海航天(中英文)》 2025年第4期75-80,共6页
为了更清晰地获得双极工艺器件的γ总剂量与中子位移损伤协同效应物理机制,本文以双极电路、三极管和二极管等器件为研究载体,利用西安脉冲反应堆和钴源辐照装置,分别开展了先中子后γ射线辐照和先γ射线后中子辐照试验。试验结果表明:... 为了更清晰地获得双极工艺器件的γ总剂量与中子位移损伤协同效应物理机制,本文以双极电路、三极管和二极管等器件为研究载体,利用西安脉冲反应堆和钴源辐照装置,分别开展了先中子后γ射线辐照和先γ射线后中子辐照试验。试验结果表明:对于双极工艺电路,先中子后γ射线辐照产生的损伤要高于先γ射线后中子辐照;通过二极管和栅控晶体管试验,表明中子/γ协同效应的产生缺陷之间或射线与缺陷的关联性较弱,其主要因素是中子辐照过程导致了钝化层中氢进入氧化层,进而加速了总剂量辐照过程中的界面陷阱电荷产生,相关研究结果对于双极器件抗辐射加固设计和混合场评估具有重要意义。 展开更多
关键词 双极器件 中子辐照 ^(60)Coγ辐照 辐射损伤
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宽禁带半导体器件在新能源逆变器中的应用
11
作者 张腾 《新潮电子》 2026年第4期238-240,共3页
求愈发严格。受自身材料物理特性的制约,传统硅基半导体器件效率、功率密度、工作温度等逐渐难以实现对发展需求的满足。以碳化硅与氮化镓为代表的宽禁带半导体器件基于自身高击穿电场、高电子饱和漂移速率、高热导率等优异特性,为新一... 求愈发严格。受自身材料物理特性的制约,传统硅基半导体器件效率、功率密度、工作温度等逐渐难以实现对发展需求的满足。以碳化硅与氮化镓为代表的宽禁带半导体器件基于自身高击穿电场、高电子饱和漂移速率、高热导率等优异特性,为新一代高性能新能源逆变器的设计带来了革命性突破。文章分析宽禁带半导体器件的物理优势,阐述其在提升新能源逆变器效率、功率密度、开关频率、高温可靠性等方面的关键作用,论证该技术在推动新能源产业技术进步中的巨大潜力及广阔前景。 展开更多
关键词 宽禁带半导体 碳化硅 氮化镓 新能源逆变器 效率 功率密度
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氧化镓射频功率器件研究进展
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作者 周敏 周弘 +1 位作者 张进成 郝跃 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第5期721-736,共16页
超宽禁带半导体材料氧化镓(β-Ga_(2)O_(3))具备高临界击穿场强、高电子饱和速率等特性,同时具有熔体法生长的大尺寸单晶衬底,有望在未来电网、轨道交通、雷达通信等高压大功率领域得到广泛应用。虽然基于氧化镓材料的电子器件在国际上... 超宽禁带半导体材料氧化镓(β-Ga_(2)O_(3))具备高临界击穿场强、高电子饱和速率等特性,同时具有熔体法生长的大尺寸单晶衬底,有望在未来电网、轨道交通、雷达通信等高压大功率领域得到广泛应用。虽然基于氧化镓材料的电子器件在国际上已经取得了快速发展,然而受限于氧化镓材料迁移率低、热导率差的原因,氧化镓基射频器件的研究相对滞后。本文首先剖析了高压射频功率器件的发展需求,包括更高的功率量级、更小更轻便的设备、更高效的系统。随后,从击穿场强、饱和速率、晶圆制造和热管理四个方面阐述了氧化镓材料适合做高压大功率射频器件的原因。接着,综述了国际上有关氧化镓基射频功率器件研究的相关进展,主要讨论了同、异质衬底金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),以及异质结场效应晶体管(HFET)三种类型的器件结构。最后,总结了目前氧化镓射频功率器件性能提升的两大挑战是热扩散能力差和电子迁移率低,并对未来该领域的研究方向进行了展望和建议,例如高导热衬底的异质集成、表面钝化技术研究、器件在极端环境下的可靠性问题等,为相关领域的研究人员提供参考。 展开更多
关键词 氧化镓 射频 输出功率 频率 功率附加效率 热导率
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本征可拉伸有机半导体研究进展及其在光电器件中的应用
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作者 王金硕 银达 +1 位作者 刘宇 冯晶 《发光学报》 北大核心 2025年第9期1612-1626,共15页
随着可拉伸和可穿戴电子设备的迅速发展,有机半导体因其具有可设计和调控的分子结构、光电性能和机械拉伸性在可拉伸光电器件研究领域备受关注。本征可拉伸有机半导体材料研究的核心目标是如何在不牺牲其光电性能的前提下提高材料的拉... 随着可拉伸和可穿戴电子设备的迅速发展,有机半导体因其具有可设计和调控的分子结构、光电性能和机械拉伸性在可拉伸光电器件研究领域备受关注。本征可拉伸有机半导体材料研究的核心目标是如何在不牺牲其光电性能的前提下提高材料的拉伸性。为此,国内外学者们采取了多种策略,包括主链和侧链工程、优化分子量,以及与弹性体共混、交联和添加增塑剂等方法,相关研究已取得显著进展,有机半导体不仅能够实现较大的拉伸度,同时在重复拉伸/释放方面也表现出较好的稳定性。但是,当前本征可拉伸有机半导体的光电性能与非拉伸材料相比仍有差距,因此需要更多的研究来揭示有机半导体材料的拉伸机制,及提高有机半导体材料、薄膜和相关器件的光电性能的策略和方法。鉴于本征可拉伸有机半导体研究的重要性和当前面临的挑战,本文综述了过去十几年来通过分子结构设计和多组分体系来提升有机半导体材料拉伸性能的研究进展,希望能为推动可拉伸有机半导体和光电器件的进一步发展做出贡献。 展开更多
关键词 可拉伸有机半导体 可拉伸光电器件 可穿戴电子设备 分子结构设计 多组分策略
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具有高击穿和低损耗的集电极浮空P区IGBT的研究
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作者 石宽 彭奂异 +2 位作者 黄靖 俞宏坤 曾韡 《复旦学报(自然科学版)》 北大核心 2025年第5期513-518,528,共7页
为实现更高的能源转换效率,优化绝缘栅双极晶体管(IGBT)的导通压降和关断损耗之间的折中关系,同时提高IGBT的阻断特性,本文提出了一种集电极浮空P区结构的绝缘栅双极型晶体管(CFP-IGBT),通过在集电极区域实施多次P型杂质离子注入形成P... 为实现更高的能源转换效率,优化绝缘栅双极晶体管(IGBT)的导通压降和关断损耗之间的折中关系,同时提高IGBT的阻断特性,本文提出了一种集电极浮空P区结构的绝缘栅双极型晶体管(CFP-IGBT),通过在集电极区域实施多次P型杂质离子注入形成P区,P区可辅助耗尽集电极侧漂移区内的电荷,进而提高正向阻断下集电极侧的电场强度,获得更高的击穿电压;在器件关断阶段,P区减少了电场扩展后剩余非耗尽区的宽度和过剩载流子的数量,从而降低关断损耗、减少拖尾电流,进而有效改善了导通压降与关断损耗的折中关系。实验的仿真结果显示,CFP-IGBT相较于传统沟槽栅场截止IGBT(FS-IGBT)的耐压能力提升了10%,关断损耗则降低了15%。相同击穿电压为1400 V时,CFP-IGBT晶圆的厚度可进一步减薄10%;导通压降为1.5 V时,其关断损耗降低可超过50%。 展开更多
关键词 绝缘栅双极型晶体管 浮空P区 高击穿 损耗降低
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氧化钨忆阻器的制备及其神经突触特性
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作者 邱志程 李阳 《济南大学学报(自然科学版)》 北大核心 2025年第2期278-285,共8页
为了实现忆阻器在神经网络中的应用,采用磁控溅射技术制备模拟型氧化钨忆阻器;在氧化铟锡导电玻璃衬底上依次生长氧化钨薄膜和银薄膜,将氧化钨作为阻变层,氧化铟锡作为底电极,银作为顶电极;采用扫描电子显微镜和系统数字源表表征制备的... 为了实现忆阻器在神经网络中的应用,采用磁控溅射技术制备模拟型氧化钨忆阻器;在氧化铟锡导电玻璃衬底上依次生长氧化钨薄膜和银薄膜,将氧化钨作为阻变层,氧化铟锡作为底电极,银作为顶电极;采用扫描电子显微镜和系统数字源表表征制备的氧化钨忆阻器的结构、电学性能和导通机制。结果表明:制备的氧化钨忆阻器具有优异的突触性能,阻变机制由银导电细丝为主导;将制备的忆阻器用于神经网络仿真,准确率达到99.11%,与中央处理器的准确率99.31%相近,能够应用于神经形态的计算。 展开更多
关键词 忆阻器 人工突触 磁控溅射 神经网络 神经形态计算
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手持式光谱成像钢板受热痕迹快检技术研究
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作者 赵安娜 李绰 +3 位作者 赵丽娜 周志远 王天鹤 张宏宇 《红外与激光工程》 北大核心 2025年第12期307-316,共10页
针对消防火灾调查中金属受热痕迹物证判别仅依靠专家系统对表面色彩变化判断,效率低、准确度受限的痛点问题,开展基于光谱成像技术的复杂光照环境下手持式快检系统研究。创新性地提出搭建双光谱相机级联的手持式光谱成像系统,克服干涉... 针对消防火灾调查中金属受热痕迹物证判别仅依靠专家系统对表面色彩变化判断,效率低、准确度受限的痛点问题,开展基于光谱成像技术的复杂光照环境下手持式快检系统研究。创新性地提出搭建双光谱相机级联的手持式光谱成像系统,克服干涉分光体制下自由光谱范围受限问题,实现覆盖475~975 n m宽光谱范围40通道的光谱图像获取。以Q235牌号钢板为实验样本,通过采集马弗炉中不同温度均匀受热后的样本在5种不同日光条件下的光谱图像,进行复杂光照条件下钢板受热痕迹光谱特征研究,将样本划分为5种温度范围进行智能识别方法设计。提出三点标定法克服环境光源对光谱数据干扰,光谱图像数据经清洗、三点标定预处理后,采用决策树分类思想指导的线性判别分析及误差逆向传播神经网络分类方法搭建分类器,交叉验证准确率达97.6%,相对于两独立分类器交叉验证准确率91.5%及94.2%显著提升。针对应用场景提出基于分类器的目标加权判别方法,提升异常响应应对能力,增加了系统可靠性,实现目标样本受热温度的实时、准确判断。经样本集外19种不同受热温度样本验证,识别准确率100%,为通用型、便携式可见-近红外光谱成像技术应用提供了可靠途径。 展开更多
关键词 光谱成像系统 火灾调查 钢板受热痕迹 级联分类器 加权判别
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超宽禁带半导体Ga_(2)O_(3)功率器件、紫外光电器件的新进展(续) 被引量:1
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作者 赵正平 《半导体技术》 北大核心 2025年第5期417-434,共18页
在电动汽车等绿色能源应用和发展的带动下,宽禁带半导体材料SiC、GaN电力电子产业成为新一代产业的发展主流,而有可能成为下一代电力电子学发展的超宽禁带半导体材料金刚石、Ga_(2)O_(3)和AlN已成为目前前瞻性的科研热点,其中Ga_(2)O_(3... 在电动汽车等绿色能源应用和发展的带动下,宽禁带半导体材料SiC、GaN电力电子产业成为新一代产业的发展主流,而有可能成为下一代电力电子学发展的超宽禁带半导体材料金刚石、Ga_(2)O_(3)和AlN已成为目前前瞻性的科研热点,其中Ga_(2)O_(3)在这三种半导体材料中具有单晶尺寸发展最快、成本最低和功率二极管性能已接近工程化等特点,预判Ga_(2)O_(3)在电力电子和紫外光电器件两个领域具有提前工程化和后续产业化的发展趋势。介绍了Ga_(2)O_(3)在上述两个领域,如Ga_(2)O_(3)功率二极管、Ga_(2)O_(3)功率FET、Ga_(2)O_(3)紫外光电器件的最新进展。其中包括Ga_(2)O_(3)功率二极管在肖特基势垒二极管(SBD)、异质结二极管和MOS二极管方面的结构设计创新、工艺创新和可靠性;也包括Ga_(2)O_(3)功率FET在MESFET、MOSFET、异质结FET、无极FET和立体晶体管等方向的器件结构设计创新、工艺创新和可靠性;此外,还包括Ga_(2)O_(3)紫外光电器件在光电晶体管、薄膜光电导体、光电二极管、金属-半导体-金属(MSM)光电探测器和异质结构光电探测器等方向的器件结构设计创新、工艺和机理的创新。分析和评价了Ga_(2)O_(3)在电力电子和紫外光电器件两个领域从科研向工程化的发展态势。 展开更多
关键词 超宽禁带半导体 Ga_(2)O_(3) 功率二极管 功率FET 紫外光电器件
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基于CVD制备MoS_(2)忆阻器及其忆阻特性研究
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作者 孙堂友 谭振强 +5 位作者 邓兴 李海鸥 李建华 陈赞辉 邹琦萍 诸葛业琴 《桂林电子科技大学学报》 2025年第3期266-272,共7页
二维过渡金属硫属化合物(TMDs)所展现的独特物理与化学性质,使得基于其的光电子器件在各个领域展现出巨大的应用潜力。然而,受限于TMDs材料的生长条件,高集成度的TMDs器件在微纳加工工艺中仍然存在很大的挑战。本研究针对在金属底电极... 二维过渡金属硫属化合物(TMDs)所展现的独特物理与化学性质,使得基于其的光电子器件在各个领域展现出巨大的应用潜力。然而,受限于TMDs材料的生长条件,高集成度的TMDs器件在微纳加工工艺中仍然存在很大的挑战。本研究针对在金属底电极上通过化学气相沉积直接生长TMDs薄膜过程中,出现高温和硫蒸汽环境导致薄膜损坏的现象,提出了在金属前驱体(过渡族金属)和金属底电极之间加入一层金属封盖层的方法。实验结果表明,与没有金属封盖层的样品相比,金属封盖层的加入有效抑制了薄膜因为高温而发生明显的穿孔、褶皱或收缩等问题。通过拉曼测试,验证了在Mo前驱体薄膜以及高温硫蒸汽环境下所制备的薄膜为多层堆叠MoS_(2)。进一步地,基于此所制备的Ag/Si/MoS_(2)/Mo/Au忆阻器也表现出优异的电学性能。电学测试结果显示其电阻转变电压分别为1.4 、-1.3 V,高低阻态切换次数可达200次,开关比大于10~2,以及2 600 s的保持时间。对器件I-V曲线拟合分析表明其遵.循空间电荷限制传导机制,得出其电阻转变机制主要基于Ag导电细丝的生长和熔断。在金属电极上直接原位生长TMDs薄膜,并以此为基础开发垂直型忆阻器的制备技术,为探索高性能忆阻器以及构建高集成度阵列提供了新的思路与方法。 展开更多
关键词 化学气相沉积 过渡金属硫属化合物(TMDs) 原位生长 金属封盖层 MoS_(2) 忆阻器
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高性能横向轴硅微陀螺仪研究
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作者 张志勇 杨拥军 任臣 《微纳电子技术》 2025年第9期81-88,共8页
设计并制备了一种高性能横向轴硅微陀螺仪。阐述了横向轴硅微陀螺仪的研究现状及性能较差的原因。在此基础上,采用全封闭式驱动框架结构和四质量块全差分电容检测结构对陀螺仪敏感结构进行了优化,通过抑制正交误差、提高驱动能力、提升... 设计并制备了一种高性能横向轴硅微陀螺仪。阐述了横向轴硅微陀螺仪的研究现状及性能较差的原因。在此基础上,采用全封闭式驱动框架结构和四质量块全差分电容检测结构对陀螺仪敏感结构进行了优化,通过抑制正交误差、提高驱动能力、提升检测灵敏度、提高工作模态频率并隔离干扰模态频率,显著提升了陀螺仪的整体性能和环境适应性。采用表面硅微机械加工技术完成了陀螺仪芯片加工,利用无引脚芯片载体(LCC)实现了陀螺仪的气密封装。封装后陀螺仪整体尺寸为5.0 mm×5.0 mm×1.8 mm,功耗约为22 mW。测试了陀螺仪典型性能参数,陀螺仪量程达到±300°/s,零偏不稳定性为0.55°/h,角度随机游走为0.07°/h,能够满足大部分工程应用需求。 展开更多
关键词 微电子机械系统(MEMS) 振动式陀螺仪 四质量块 全差分电容检测 有限元仿真
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甲酸在碳化硅功率模块基板烧焊中的应用
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作者 郭丽佳 王抗旱 孙保瑞 《通讯世界》 2025年第9期18-20,共3页
为了提高碳化硅功率模块基板烧焊时的焊接浸润性,提出代替常规助焊剂的甲酸真空焊接方式。详细介绍甲酸真空焊接工作原理,并对碳化硅功率模块封装结构中的覆铜陶瓷基板与底板进行甲酸真空焊接试验。通过对烧焊后的基板进行X光检验、声... 为了提高碳化硅功率模块基板烧焊时的焊接浸润性,提出代替常规助焊剂的甲酸真空焊接方式。详细介绍甲酸真空焊接工作原理,并对碳化硅功率模块封装结构中的覆铜陶瓷基板与底板进行甲酸真空焊接试验。通过对烧焊后的基板进行X光检验、声扫检验、粘接剪切力测试和键合拉力测试,证实了甲酸真空焊接方式在提高碳化硅功率模块装配质量方面有明显优势,可以为相关工程的基板烧焊提供参考。 展开更多
关键词 甲酸 碳化硅功率模块 基板烧焊 助焊剂 真空焊接
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