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EBCMOS电子倍增层信噪比的理论分析
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作者 王重霄 陈卫军 +4 位作者 宋德 梁荣轩 岳纪鹏 夏浩然 刘名杉 《半导体光电》 北大核心 2025年第2期209-215,共7页
基于光子传输理论和电子与半导体相互作用理论,建立电子轰击互补金属氧化物半导体(EBCMOS)中电子倍增层的二次电子波动性引起的增益噪声形成机制模型。采用蒙特卡罗模拟方法,计算二次电子的信噪比,重点分析入射电子能量、钝化层种类与... 基于光子传输理论和电子与半导体相互作用理论,建立电子轰击互补金属氧化物半导体(EBCMOS)中电子倍增层的二次电子波动性引起的增益噪声形成机制模型。采用蒙特卡罗模拟方法,计算二次电子的信噪比,重点分析入射电子能量、钝化层种类与厚度、电子倍增层厚度与掺杂浓度等系统参数对增益噪声的影响。结果表明,使用Al_(2)O_(3)钝化层材料,并通过减薄钝化层厚度、降低掺杂浓度、减少电子倍增层厚度以及降低工作温度等一系列措施,能有效提高电子倍增层的信噪比使其达75.35 dB。本研究成果对EBCMOS电子倍增层的制备具有理论指导意义。 展开更多
关键词 EBCMOS 信噪比 钝化层 电子倍增层 增益
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