期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到46,681篇文章
< 1 2 … 250 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
一种HTCC基板的微流道结构设计
1
作者 王宁 黄志刚 +5 位作者 吴桂青 党军杰 李斌 汪旭 程凡 何仓宝 《半导体技术》 北大核心 2026年第2期200-204,共5页
随着集成电路向小型化、高集成度、高密度、大功率等方向发展,散热问题已成为制约其技术突破的关键因素。微流道散热技术因具备低热阻、高效率及可集成化等优势,已成为近年来快速发展的散热技术之一。设计了高温共烧陶瓷(HTCC)基板微流... 随着集成电路向小型化、高集成度、高密度、大功率等方向发展,散热问题已成为制约其技术突破的关键因素。微流道散热技术因具备低热阻、高效率及可集成化等优势,已成为近年来快速发展的散热技术之一。设计了高温共烧陶瓷(HTCC)基板微流道的有限元仿真模型;仿真分析了不同材料、结构、微流道宽度及入口流量等参数对基板散热性能的影响;基于AlN HTCC基板工艺,同时考虑入水口驱动泵的功率约束,制备了换层微流道结构。实验结果显示,换层微流道基板的仿真最高温度为46.94℃,实测最高温度为50.8℃,误差约为8.22%,满足400 W功率芯片的散热要求。 展开更多
关键词 微流道 AlN HTCC基板 热仿真 散热 低热阻
原文传递
复杂结构半导体材料热输运理论方法进展与展望
2
作者 杨进 赵若琳 +3 位作者 ONG Wee-Liat 皮孝东 杨德仁 邓天琪 《物理学报》 北大核心 2026年第7期58-73,共16页
半导体是现代电子工业的基石材料,其热输运性能直接影响器件效率与可靠性.相较于半导体电学性质研究的深入,其热输运机理研究相对滞后,传统理论在处理强非简谐与无序体系时面临挑战.深入理解半导体热输运机理,不仅对高性能热管理材料设... 半导体是现代电子工业的基石材料,其热输运性能直接影响器件效率与可靠性.相较于半导体电学性质研究的深入,其热输运机理研究相对滞后,传统理论在处理强非简谐与无序体系时面临挑战.深入理解半导体热输运机理,不仅对高性能热管理材料设计至关重要,也对开发新型能量转换材料具有指导意义.本文系统回顾了新型声子输运理论与机器学习势函数的发展历程,重点综述了基于统一输运理论以及机器学习分子动力学模拟的强非简谐晶体、无序等复杂半导体体系热输运性质的研究,并对未来理论发展方向进行了展望. 展开更多
关键词 热传导 声子输运 机器学习势函数 分子动力学模拟
在线阅读 下载PDF
SiC外延片表面缺陷和应力对基平面位错延伸的影响
3
作者 孙立坤 齐志华 +4 位作者 潘尧波 郑向光 陈贵锋 刘立娜 房玉龙 《半导体技术》 北大核心 2026年第4期327-333,343,共8页
为了制备高品质的SiC外延片,需要降低外延层中的基平面位错(BPD)密度。采用6英寸(1英寸=2.54 cm)水平外延化学气相沉积(CVD)设备分别制备了不同外延厚度的SiC外延片,研究了影响BPD数量的关键因素。结果表明,外延片弯曲度差值和三角形缺... 为了制备高品质的SiC外延片,需要降低外延层中的基平面位错(BPD)密度。采用6英寸(1英寸=2.54 cm)水平外延化学气相沉积(CVD)设备分别制备了不同外延厚度的SiC外延片,研究了影响BPD数量的关键因素。结果表明,外延片弯曲度差值和三角形缺陷数量均与BPD数量呈正相关。结合图像观察和应力测试,对外延BPD的形核机理进行了深入研究,建立了缺陷和应力激发BPD延伸形核的模型。外延片弯曲造成的宏观拉应力和三角形缺陷引起的局部拉应力共同激发了衬底中的BPD,促使BPD滑移延伸至外延层中。该研究可为SiC外延片制备过程中BPD的控制提供参考。 展开更多
关键词 SIC 三角形缺陷 弯曲度 应力 基平面位错(BPD)
原文传递
超声椭圆振动辅助SiC纳米切削机理的有限元模拟
4
作者 刘冰 李玉莹 +3 位作者 徐宗伟 王煜荣 张文洁 孙坷敔 《材料科学与工程学报》 北大核心 2026年第1期92-102,共11页
超声椭圆振动切削是针对难加工材料提出的一种辅助切削加工方法,其在SiC材料的加工过程中展现出了显著优势。本研究建立了超声椭圆振动辅助切削的有限元模型,研究了超声振动频率和振幅对SiC切屑形成、表面创成、切削力和残余应力的影响... 超声椭圆振动切削是针对难加工材料提出的一种辅助切削加工方法,其在SiC材料的加工过程中展现出了显著优势。本研究建立了超声椭圆振动辅助切削的有限元模型,研究了超声振动频率和振幅对SiC切屑形成、表面创成、切削力和残余应力的影响规律。分析结果表明,工件表面形貌很大程度上取决于金刚石刀具的运动轨迹,当振动频率大于400 MHz、纵向振幅小于50 nm以及横向振幅大于50 nm小于100 nm时,有利于形成较光洁的加工表面,提高加工质量。平均切削力随着振动频率的增加而减小,但是其下降幅度在不断衰减。增大横向振幅和纵向振幅均可使切削力减小,有利于提高SiC材料的可加工性。超声椭圆振动辅助切削产生的残余应力变化趋势遵循“勺形”轨迹,提高振动频率和减小振幅有利于工件表面残余压应力的形成,从而有利于提高工件表面加工质量。该研究结果对丰富硬脆性难加工材料的加工理论具有重要理论意义和实用价值。 展开更多
关键词 碳化硅 超声椭圆振动切削 刀具轨迹 表面形貌 切削力 残余应力
在线阅读 下载PDF
基于晶闸管退化轨迹构建与残差补偿的寿命预测模型
5
作者 陈权 闻卓 +2 位作者 陈忠 郑常宝 黄宇 《半导体技术》 北大核心 2026年第3期280-288,共9页
晶闸管式换流阀在长期运行后性能逐渐退化,为高压直流输电系统带来较大的安全隐患。为精准预测晶闸管剩余寿命,提出了一种多特征融合、全局优化映射和残差补偿的递进式策略。首先,根据热循环负载加速老化试验获取晶闸管多个退化特征数据... 晶闸管式换流阀在长期运行后性能逐渐退化,为高压直流输电系统带来较大的安全隐患。为精准预测晶闸管剩余寿命,提出了一种多特征融合、全局优化映射和残差补偿的递进式策略。首先,根据热循环负载加速老化试验获取晶闸管多个退化特征数据集,并使用双向长短期记忆(BiLSTM)网络嵌入自编码器(AE)的优化模型进行多退化特征数据融合,构建晶闸管综合健康指数(CHI);然后,输入融合数据,以反向传播(BP)神经网络为核心,利用粒子群优化(PSO)算法对BP神经网络的初始权重与阈值进行全局寻优;最后,再采用极限梯度提升(XGBoost)树残差补偿模块进一步减小晶闸管寿命预测模型的预测偏差。实验结果显示,本文模型相比于传统BP神经网络模型,决定系数(R^(2))提高了7.63%,均方根误差(RMSE)和平均绝对误差(MAE)分别降低了89.7%、90.3%,平均绝对百分比误差(MAPE)从161.07%降至13.83%。 展开更多
关键词 晶闸管 多特征融合 双向长短期记忆(BiLSTM)网络 综合健康指数(CHI) 寿命预测
原文传递
漏感利用型超声电源的相位域谐振控制策略
6
作者 刘宁庄 兰旭 田海波 《压电与声光》 北大核心 2026年第1期24-29,共6页
针对高频超声电源在负载动态变化时,传统频率域扫描追踪存在响应滞后、副边高压测量难及外部谐振匹配电路复杂等问题,提出了一种基于FPGA的原边单通道相位反馈谐振域闭环控制方法。系统利用变压器漏感与换能器静态电容构成串联谐振回路... 针对高频超声电源在负载动态变化时,传统频率域扫描追踪存在响应滞后、副边高压测量难及外部谐振匹配电路复杂等问题,提出了一种基于FPGA的原边单通道相位反馈谐振域闭环控制方法。系统利用变压器漏感与换能器静态电容构成串联谐振回路,采用单通道采集结合NCO电压替代技术测量相位,基于CORDIC算法实现高精度数字鉴相,采用数字锁相环与模糊PID算法实现谐振频率自适应跟踪。实验结果表明,基于CORDIC的数字鉴相器相位测量误差绝对值为0.232°,采用电流-相位差复合追踪策略自动跟踪至谐振点,跟踪精度更高、响应速度更快,实现了变频工况下谐振状态的全数字化快速跟踪。 展开更多
关键词 高频超声电源 频率跟踪 CORDIC FPGA 模糊PID
在线阅读 下载PDF
考虑高海拔环境及键合线种类的焊接型IGBT电-热-力模型
7
作者 律方成 王炳强 +6 位作者 平措顿珠 刘洪春 张春阳 徐文扣 刘轩仪 袁成 耿江海 《华北电力大学学报(自然科学版)》 北大核心 2026年第1期95-105,共11页
焊接型IGBT作为高海拔地区光伏发电系统的关键部件,其可靠性直接决定光伏电站的稳定运行。然而缺少相应的高海拔地区的电-热-力耦合模型,同时有关高海拔地区由于芯片温升以及键合线所受应力过大造成的模块性能失效的研究也少之又少。为... 焊接型IGBT作为高海拔地区光伏发电系统的关键部件,其可靠性直接决定光伏电站的稳定运行。然而缺少相应的高海拔地区的电-热-力耦合模型,同时有关高海拔地区由于芯片温升以及键合线所受应力过大造成的模块性能失效的研究也少之又少。为此根据IGBT模块内部电场、热场和力场之间的耦合作用关系,以焊接型IGBT为研究对象,建立铜、铝键合线的焊接型IGBT电-热-力耦合有限元模型,分别分析了不同海拔高度以及4200 m特定海拔高度下每月的极端环境温度对铜、铝两种键合线种类的焊接型IGBT的最大结温与键合线最大应力的影响。研究表明,随着海拔升高,最大结温与键合线最大应力呈上升趋势;使用铜键合线的IGBT模块的最大结温低于使用铝键合线的IGBT模块的最大结温,但使用铜键合线的IGBT模块的最大应力值更高。该研究为高海拔地区优化键合线材料,提高IGBT模块运行稳定性提供了理论指导。 展开更多
关键词 焊接型IGBT 高海拔 电-热-力耦合 键合线 极端环境
在线阅读 下载PDF
AlN单晶片的单面机械抛光工艺研究
8
作者 高飞 王英民 +2 位作者 程红娟 李晖 辛倩 《固体电子学研究与进展》 2026年第1期22-27,共6页
为了提升AlN单晶片在塑性去除模式下的加工效率,对AlN单晶的机械抛光工艺进行了系统试验。研究了磨盘材质、磨料粒径、研磨压力、研磨盘转速、磨盘开槽、磨料化学组分等工艺参数对AlN单晶片去除速率的影响规律。试验结果表明:树脂锡盘... 为了提升AlN单晶片在塑性去除模式下的加工效率,对AlN单晶的机械抛光工艺进行了系统试验。研究了磨盘材质、磨料粒径、研磨压力、研磨盘转速、磨盘开槽、磨料化学组分等工艺参数对AlN单晶片去除速率的影响规律。试验结果表明:树脂锡盘可以实现全塑性域加工;在采用树脂锡盘研磨时,随着金刚石粒径的增大,去除速率呈现了先增大后减小的趋势;树脂锡盘开槽平台宽度越小,去除速率越大且表面质量越好;通过在研磨液中添加三乙醇胺,可以通过促进AlN的水解反应提升去除速率。 展开更多
关键词 AlN单晶 机械抛光 材料去除速率 塑性去除 表面质量
原文传递
浅谈EUV光刻机中的真空技术
9
作者 李小金 孙雯君 +5 位作者 马奔 董猛 赵澜 裴晓强 李正清 马凤英 《真空》 2026年第2期61-67,共7页
EUV光刻机也叫极紫外光刻机(Extreme Ultraviolet Lithography),它是以13.5 nm波长的极紫外光作为光源。由于极紫外光易被包括空气在内的所有物质所吸收,因此EUV光刻机只能在真空环境下运行。与此同时,EUV光刻机对真空系统有着特殊的要... EUV光刻机也叫极紫外光刻机(Extreme Ultraviolet Lithography),它是以13.5 nm波长的极紫外光作为光源。由于极紫外光易被包括空气在内的所有物质所吸收,因此EUV光刻机只能在真空环境下运行。与此同时,EUV光刻机对真空系统有着特殊的要求,与EUV光刻机有着良好兼容性的真空系统对提高EUV光刻机的寿命和良率有至关重要的影响。通过EUV光刻机中的关键架构和工艺所涉及的真空技术,介绍和探讨了EUV光刻机主要腔室特定真空环境的获得、兼容性设计、真空系统的材料对光刻质量的影响以及真空环境下的污染监测方法。 展开更多
关键词 EUV光刻机 真空技术 兼容性设计 污染监测
原文传递
高阻Si衬底上预铺Al工艺对GaN材料晶体质量和射频损耗影响研究
10
作者 杨乾坤 彭大青 +3 位作者 李传皓 张东国 王克超 李忠辉 《固体电子学研究与进展》 2026年第1期6-10,共5页
采用金属有机化学气相沉积(Metal-organic chemical vapor deposition,MOCVD)技术在高阻Si(111)衬底上生长了氮化物材料,研究衬底的预铺Al工艺对衬底表面形貌、氮化镓结晶质量及射频损耗等的影响。结果表明,采用低温低流量长时间的预铺A... 采用金属有机化学气相沉积(Metal-organic chemical vapor deposition,MOCVD)技术在高阻Si(111)衬底上生长了氮化物材料,研究衬底的预铺Al工艺对衬底表面形貌、氮化镓结晶质量及射频损耗等的影响。结果表明,采用低温低流量长时间的预铺Al工艺,抑制了表面Al聚集物的形成,减少了AlN表面坑,提升了Si衬底上GaN材料的晶体质量。基于优化的预铺Al工艺,GaN(002)/(102)半高宽达到391 arcsec/510 arcsec,5 GHz下射频损耗为0.16 dB/mm,25 GHz下射频损耗为0.37 dB/mm。 展开更多
关键词 硅基氮化镓 预铺铝 射频损耗 晶体质量
原文传递
基于28 nm CMOS技术平台的STI无接缝填充工艺研究
11
作者 刘聪 李华曜 +1 位作者 张欢欢 刘欢 《功能材料与器件学报》 2026年第1期105-112,共8页
本文针对28 nm互补金属-氧化物-半导体(complementary metal-oxide-semiconductor,CMOS)工艺中高深宽比、非标准V形浅沟槽隔离(shallow trench isolation,STI)结构所面临的填充挑战展开研究。该结构易在填充后中心形成接缝,影响器件隔... 本文针对28 nm互补金属-氧化物-半导体(complementary metal-oxide-semiconductor,CMOS)工艺中高深宽比、非标准V形浅沟槽隔离(shallow trench isolation,STI)结构所面临的填充挑战展开研究。该结构易在填充后中心形成接缝,影响器件隔离可靠性。为此,本研究提出采用高深宽比工艺(high aspect ratio process,HARP)沉积与后蒸汽高温退火相结合的方案,旨在实现无接缝填充。本研究通过交叉实验,系统分析新型HARP沉积与创新高温退火工艺对氧化硅薄膜收缩率及沟槽接缝形貌的影响。实验结果表明,仅依靠单一工艺优化无法完全消除V形结构底部的微缝。最终的解决方案强调工艺协同:将新型HARP沉积与脉冲式高温退火相结合,并在退火过程中引入氯化氢(HCl)作为辅助气体。该协同工艺可精确调控薄膜的致密化过程,并利用HCl的气相刻蚀作用有效清除界面薄弱区,从而在高深宽比、非标准V形STI结构内实现高质量的无接缝填充。本研究为先进技术节点复杂三维结构的集成提供了有效的工艺路径。 展开更多
关键词 28 nm CMOS 高深宽比 沟槽填充 无接缝
在线阅读 下载PDF
富士纺集团芯片超精密抛光用化学机械抛光垫专利技术的分析
12
作者 周文 周颖 《现代化工》 北大核心 2026年第3期13-20,共8页
富士纺集团是化学机械抛光(CMP)用抛光垫领域重要专利申请人之一,通过对其相关专利申请量分布、申请趋势、专利布局区域、重点专利、技术路线等重要信息的深度分析,明确了富士纺集团在该领域的研发历程、重点技术分支,从而为国内企业在... 富士纺集团是化学机械抛光(CMP)用抛光垫领域重要专利申请人之一,通过对其相关专利申请量分布、申请趋势、专利布局区域、重点专利、技术路线等重要信息的深度分析,明确了富士纺集团在该领域的研发历程、重点技术分支,从而为国内企业在抛光垫领域的技术研发、专利申请和专利布局提供有益的参考和借鉴。 展开更多
关键词 抛光垫 专利分布 技术路线 专利保护策略
原文传递
一种基于补偿板调节的照明均匀性校正方法
13
作者 宫晨 高爱梅 +1 位作者 付纯鹤 刘士超 《电子工业专用设备》 2026年第1期23-27,共5页
图形成像技术是半导体制造的核心工艺,其照明均匀性直接影响晶圆表面特征尺寸的一致性(CDU)。传统静态滤波板法因无法适应多光瞳模式动态调节,难以满足先进制程需求。为此,提出一种动态校正方法,通过构建补偿板位置与光强分布的数学模型... 图形成像技术是半导体制造的核心工艺,其照明均匀性直接影响晶圆表面特征尺寸的一致性(CDU)。传统静态滤波板法因无法适应多光瞳模式动态调节,难以满足先进制程需求。为此,提出一种动态校正方法,通过构建补偿板位置与光强分布的数学模型,结合线性插值算法与迭代优化策略,实现了多光瞳模式下的自适应均匀性控制。实验表明该方法可将晶圆面照明狭缝内的均匀性指标提高到0.6%以下,为高精度成像系统的均匀性控制提供了理论框架与工程实践方法。 展开更多
关键词 照明均匀性 光瞳 动态校正
在线阅读 下载PDF
LPCVD磷掺杂多晶硅及退火工艺
14
作者 王敬轩 商庆杰 宋洁晶 《电子工艺技术》 2026年第2期16-19,共4页
磷掺杂多晶硅工艺在微机械加工技术(Micro-Electron-Mechanical System,MEMS)中有广泛的应用。磷掺杂多晶硅工艺一般采用低压化学气相淀积(LPCVD)的方式进行生长,通过调整生长温度、气体流量、退火温度等参数实现对薄膜性能的调整。通... 磷掺杂多晶硅工艺在微机械加工技术(Micro-Electron-Mechanical System,MEMS)中有广泛的应用。磷掺杂多晶硅工艺一般采用低压化学气相淀积(LPCVD)的方式进行生长,通过调整生长温度、气体流量、退火温度等参数实现对薄膜性能的调整。通过开展相关工艺试验,研究了磷掺杂多晶硅生长工艺中关键工艺参数的影响,得到了适用于MEMS技术应用的工艺条件。同时对掺杂多晶硅退火温度与薄膜应力的关系进行了研究,可以将退火温度调整应用于调整MEMS工艺圆片翘曲中,应用于MEMS工艺生产。 展开更多
关键词 磷掺杂多晶硅 微机械加工技术 薄膜应力
在线阅读 下载PDF
以学生为中心的半导体器件课程教学改革探索
15
作者 代红丽 王洛欣 薛玉明 《中国教育技术装备》 2026年第3期79-83,87,共6页
针对半导体器件课程中物理机制抽象难懂的教学难点,提出以学生为中心的教学改革方案。通过课前发放任务、课中组织学生分组讲解、教师补充精讲、提问抢答、课堂测试等环节,引导学生自主开展仿真调试与器件电学特性分析,以此帮助学生深... 针对半导体器件课程中物理机制抽象难懂的教学难点,提出以学生为中心的教学改革方案。通过课前发放任务、课中组织学生分组讲解、教师补充精讲、提问抢答、课堂测试等环节,引导学生自主开展仿真调试与器件电学特性分析,以此帮助学生深化对器件物理机制的直观理解。教学实践表明,该模式可以有效提升学生的课堂参与度,激发他们的学习兴趣,提高教学效果。 展开更多
关键词 以学生为中心 半导体器件课程 仿真软件
在线阅读 下载PDF
针尖半径对四探针法电阻率测量的定量影响
16
作者 薛栋 饶张飞 +1 位作者 秦凯亮 金红霞 《半导体技术》 北大核心 2026年第1期94-101,共8页
四探针法广泛应用于半导体材料电阻率的测量。为研究探针头针尖半径对单晶硅片电阻率测量结果的定量影响,通过实验与COMSOL仿真相结合的方式,选用A型(针尖半径40.64μm)、B型(针尖半径101.6μm)和D型(针尖半径508μm)3种规格的探针,对... 四探针法广泛应用于半导体材料电阻率的测量。为研究探针头针尖半径对单晶硅片电阻率测量结果的定量影响,通过实验与COMSOL仿真相结合的方式,选用A型(针尖半径40.64μm)、B型(针尖半径101.6μm)和D型(针尖半径508μm)3种规格的探针,对电阻率为0.001~1 000Ω·cm的10种标准单晶硅片进行测量。测量结果表明,A型适用于低电阻率(<1Ω·cm)单晶硅片的测量,测量相对误差δ小于1%;D型适用于高电阻率(≥180Ω·cm)单晶硅片的测量,δ小于1%;中等电阻率(1~180Ω·cm)单晶硅片的测量中,3种探针头δ较为接近,均值约为4%。仿真分析进一步证实,针尖半径的改变会使电场分布和接触电阻发生显著变化,从而影响电阻率的测量精度。 展开更多
关键词 四探针法 单晶硅 电阻率 针尖半径 COMSOL 接触电阻
原文传递
3C-SiC在熔融KOH中的腐蚀行为及其缺陷表征
17
作者 侯江林 罗丹 +2 位作者 王国宾 张泽盛 简基康 《半导体技术》 北大核心 2026年第3期234-239,255,共7页
研究了3C-SiC晶体在熔融KOH中的腐蚀行为及其缺陷特征。不同温度下的腐蚀实验证实(111)晶面晶片的腐蚀速率随温度升高呈现指数增长的趋势,在相同腐蚀条件下,(100)晶面晶片的腐蚀速率大于(111)晶面晶片。分析了不同腐蚀条件下(111)晶面... 研究了3C-SiC晶体在熔融KOH中的腐蚀行为及其缺陷特征。不同温度下的腐蚀实验证实(111)晶面晶片的腐蚀速率随温度升高呈现指数增长的趋势,在相同腐蚀条件下,(100)晶面晶片的腐蚀速率大于(111)晶面晶片。分析了不同腐蚀条件下(111)晶面的位错和堆垛层错(SF)的形貌,测量了穿透型螺位错(TSD)和穿透型刃位错(TED)腐蚀坑的深宽比以及SF腐蚀坑的倾角。结果表明,3C-SiC晶体中的TED腐蚀坑深宽比为0.07~0.12,TSD腐蚀坑深宽比为0.10~0.16,SF腐蚀坑的倾角为15°~22°。此外,还观察到在熔融KOH的腐蚀作用下,包裹物缺陷形状由腐蚀前的近圆形变为腐蚀后的三角形,尺寸也相应增大。本研究结果可为熔融KOH腐蚀3C-SiC的行为及其缺陷形貌演变提供参考。 展开更多
关键词 3C-SIC 腐蚀速率 位错 堆垛层错(SF) 包裹物
原文传递
宇航用高压模拟开关极限评估方法研究
18
作者 文科 文闻 +3 位作者 李娜 冷国庆 谢先进 余航 《电子产品可靠性与环境试验》 2026年第1期34-40,共7页
根据宇航产品对选用元器件的质量要求,基于国产某型高压模拟开关开展研究,提出一种极限评估方法。通过分析产品详细规范、核心参数及极限判据,设计了极限评估项目与试验方案;结合产品具体使用环境,开展了电应力极限、温度应力极限、静... 根据宇航产品对选用元器件的质量要求,基于国产某型高压模拟开关开展研究,提出一种极限评估方法。通过分析产品详细规范、核心参数及极限判据,设计了极限评估项目与试验方案;结合产品具体使用环境,开展了电应力极限、温度应力极限、静电极限、额定值极限及寿命试验等一系列试验,评估了电路在电、热等应力下的极限能力与失效模式,并对极限评估方案的有效性进行了验证。试验结果表明,所设计的极限评估方案能够真实反映器件在各种极限条件下的行为,揭示器件设计的薄弱环节与失效模式,为宇航用高压模拟开关在设计、工艺及材料等方面的优化提供了依据。 展开更多
关键词 模拟开关 极限评估 应力极限 失效模式 寿命试验
在线阅读 下载PDF
产教融合视域下高职半导体制造现场工程师培养路径研究
19
作者 罗琴 《家电维修》 2026年第2期43-45,共3页
产教融合是高职现场工程师人才培养的重要路径,本文从产业背景、职业教育新发展、政策文件等阐述现场工程师人才培养的必要性,分析当前现场工程师人才培养存在的不足,剖析现场工程师岗位胜任力关键要素,结合半导体制造现场工程师培养实... 产教融合是高职现场工程师人才培养的重要路径,本文从产业背景、职业教育新发展、政策文件等阐述现场工程师人才培养的必要性,分析当前现场工程师人才培养存在的不足,剖析现场工程师岗位胜任力关键要素,结合半导体制造现场工程师培养实践,探究现场工程师人才培养的有效路径。 展开更多
关键词 产教融合 半导体制造 现场工程师
在线阅读 下载PDF
三氯氢硅增强刻蚀在4H-SiC同质外延表面缺陷控制中的作用
20
作者 汪久龙 李勇 +3 位作者 衷惟良 杨海峰 于乐 李哲洋 《半导体技术》 北大核心 2026年第3期240-245,共6页
为减小SiC同质外延片的表面粗糙度及致命缺陷密度,对外延片进行三氯氢硅(TCS)增强原位刻蚀。通过对4H-SiC偏轴衬底进行标准和TCS增强原位刻蚀,对比了不同刻蚀时间和刻蚀气氛下的衬底表面台阶聚并程度和刻蚀速率。结果表明,TCS增强刻蚀... 为减小SiC同质外延片的表面粗糙度及致命缺陷密度,对外延片进行三氯氢硅(TCS)增强原位刻蚀。通过对4H-SiC偏轴衬底进行标准和TCS增强原位刻蚀,对比了不同刻蚀时间和刻蚀气氛下的衬底表面台阶聚并程度和刻蚀速率。结果表明,TCS增强刻蚀工艺的刻蚀速率是标准刻蚀的1.5倍,在刻蚀效率与表面形貌控制之间实现了更好的平衡。对外延厚度为12μm的外延片进行实验,研究刻蚀条件对外延三角形缺陷、掉落物等表面致命缺陷的影响。发现利用TCS引入的额外刻蚀效果可减少临界状态附着物数量,从而有效减少潜在成核点位并实现表面致命缺陷密度的精准调控。该方法显著提高了外延表面质量的可控性和生产效率。 展开更多
关键词 SIC 同质外延 表面缺陷 原位刻蚀 三氯氢硅(TCS) 石墨构件
原文传递
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 2 … 250 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部