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考虑高海拔环境及键合线种类的焊接型IGBT电-热-力模型
1
作者 律方成 王炳强 +6 位作者 平措顿珠 刘洪春 张春阳 徐文扣 刘轩仪 袁成 耿江海 《华北电力大学学报(自然科学版)》 北大核心 2026年第1期95-105,共11页
焊接型IGBT作为高海拔地区光伏发电系统的关键部件,其可靠性直接决定光伏电站的稳定运行。然而缺少相应的高海拔地区的电-热-力耦合模型,同时有关高海拔地区由于芯片温升以及键合线所受应力过大造成的模块性能失效的研究也少之又少。为... 焊接型IGBT作为高海拔地区光伏发电系统的关键部件,其可靠性直接决定光伏电站的稳定运行。然而缺少相应的高海拔地区的电-热-力耦合模型,同时有关高海拔地区由于芯片温升以及键合线所受应力过大造成的模块性能失效的研究也少之又少。为此根据IGBT模块内部电场、热场和力场之间的耦合作用关系,以焊接型IGBT为研究对象,建立铜、铝键合线的焊接型IGBT电-热-力耦合有限元模型,分别分析了不同海拔高度以及4200 m特定海拔高度下每月的极端环境温度对铜、铝两种键合线种类的焊接型IGBT的最大结温与键合线最大应力的影响。研究表明,随着海拔升高,最大结温与键合线最大应力呈上升趋势;使用铜键合线的IGBT模块的最大结温低于使用铝键合线的IGBT模块的最大结温,但使用铜键合线的IGBT模块的最大应力值更高。该研究为高海拔地区优化键合线材料,提高IGBT模块运行稳定性提供了理论指导。 展开更多
关键词 焊接型IGBT 高海拔 电-热-力耦合 键合线 极端环境
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针尖半径对四探针法电阻率测量的定量影响
2
作者 薛栋 饶张飞 +1 位作者 秦凯亮 金红霞 《半导体技术》 北大核心 2026年第1期94-101,共8页
四探针法广泛应用于半导体材料电阻率的测量。为研究探针头针尖半径对单晶硅片电阻率测量结果的定量影响,通过实验与COMSOL仿真相结合的方式,选用A型(针尖半径40.64μm)、B型(针尖半径101.6μm)和D型(针尖半径508μm)3种规格的探针,对... 四探针法广泛应用于半导体材料电阻率的测量。为研究探针头针尖半径对单晶硅片电阻率测量结果的定量影响,通过实验与COMSOL仿真相结合的方式,选用A型(针尖半径40.64μm)、B型(针尖半径101.6μm)和D型(针尖半径508μm)3种规格的探针,对电阻率为0.001~1 000Ω·cm的10种标准单晶硅片进行测量。测量结果表明,A型适用于低电阻率(<1Ω·cm)单晶硅片的测量,测量相对误差δ小于1%;D型适用于高电阻率(≥180Ω·cm)单晶硅片的测量,δ小于1%;中等电阻率(1~180Ω·cm)单晶硅片的测量中,3种探针头δ较为接近,均值约为4%。仿真分析进一步证实,针尖半径的改变会使电场分布和接触电阻发生显著变化,从而影响电阻率的测量精度。 展开更多
关键词 四探针法 单晶硅 电阻率 针尖半径 COMSOL 接触电阻
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腐蚀法制备SiC量子点及其在荧光标记中的应用
3
作者 康杰 丁紫阳 +4 位作者 焦璨 白玲 潘全喜 朱彦敏 宋月鹏 《半导体技术》 北大核心 2026年第1期13-21,共9页
通过HNO_(3)和HF混合腐蚀剂处理自蔓延高温合成的β-SiC微粉,制备出尺寸均匀、分散性良好的水相SiC量子点,研究了腐蚀进程中颗粒微观组织结构演变及光致发光(PL)性能调控机制,并将其应用于镰刀菌的荧光标记及成像。采用透射电子显微镜(T... 通过HNO_(3)和HF混合腐蚀剂处理自蔓延高温合成的β-SiC微粉,制备出尺寸均匀、分散性良好的水相SiC量子点,研究了腐蚀进程中颗粒微观组织结构演变及光致发光(PL)性能调控机制,并将其应用于镰刀菌的荧光标记及成像。采用透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射(XRD)、PL谱及共聚焦荧光显微系统等表征手段,揭示了SiC颗粒在腐蚀过程中的表面氧化、镂空结构形成至超声破碎的微观演变路径,证实其光致发光基于量子限域效应而非表面缺陷。经调控离心层析的超重力系数实现量子点粒径的精准裁剪后,SiC量子点特征发射波长(340nm激发下)由401nm经455nm红移至485nm,宏观荧光颜色相应由蓝绿色经绿色转变为黄绿色。活体细胞的长时程荧光成像结果表明,腐蚀法制备的SiC量子点具有较高的标记稳定性。此外,对抗光漂白机理及标记稳定性进行了初步分析。 展开更多
关键词 SiC量子点 腐蚀法 微观组织结构演变 离心层析裁剪 荧光成像
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新型微杠杆增强MEMS加速度计的设计与制作
4
作者 耿志鹏 苗斌 +3 位作者 冯昌坤 陶金燕 李淑娴 李加东 《传感器与微系统》 北大核心 2026年第1期106-110,共5页
为提升MEMS加速度计的灵敏度,提出并设计了一种新型微杠杆增强MEMS加速度计。利用有限元分析工具对有、无微杠杆结构的双摆式加速度计进行了仿真计算。结果显示增加杠杆结构后扭转梁的等效应力集中只有无杠杆结构时等效应力水平的47%,... 为提升MEMS加速度计的灵敏度,提出并设计了一种新型微杠杆增强MEMS加速度计。利用有限元分析工具对有、无微杠杆结构的双摆式加速度计进行了仿真计算。结果显示增加杠杆结构后扭转梁的等效应力集中只有无杠杆结构时等效应力水平的47%,并且检验质量块位移为无杠杆结构时的3.5倍。进一步对杠杆结构辅助双摆式加速度计进行了工艺路线设计和制作,并将敏感结构与信号检测电路进行了集成。测试结果表明:新型加速度计的灵敏度达到179.13 mV/g,通过零偏稳定性计算,Allan方差为2.15 mg/h。研究结果可以为MEMS加速度计提升灵敏度的研究提供参考。 展开更多
关键词 MEMS加速度计 微杠杆 灵敏度 零偏稳定性
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碳化硅肖特基器件的氧化退火技术优化
5
作者 陈彤 何佳 《信息记录材料》 2026年第1期1-3,7,共4页
碳化硅肖特基器件性能受氧化退火工艺参数不当与界面缺陷难以有效控制等因素制约。基于此,本研究提出基于多因素协同调控与缺陷精准抑制的氧化退火技术优化方案,通过设计多组对比实验和正交实验,系统探究退火气氛组成、温度及时间等参... 碳化硅肖特基器件性能受氧化退火工艺参数不当与界面缺陷难以有效控制等因素制约。基于此,本研究提出基于多因素协同调控与缺陷精准抑制的氧化退火技术优化方案,通过设计多组对比实验和正交实验,系统探究退火气氛组成、温度及时间等参数对器件性能的影响规律,并采用离子注入和动态气氛控制技术优化界面质量。同时,通过多种表征手段综合分析器件性能。结果表明:优化后的氧化退火工艺使器件正向导通电压降低27.0%、反向漏电流减少81.3%、肖特基势垒高度提升15.9%、表面粗糙度下降42.2%,碳化硅肖特基器件的综合性能得到有效提升,该研究结果可为其大规模工业化生产提供可靠的技术支持。 展开更多
关键词 碳化硅肖特基器件 氧化退火技术 工艺参数优化 界面缺陷控制
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4T/8T像素结构CMOS图像传感器的空间辐照影响及加固技术研究
6
作者 王婷婷 杨小曦 +2 位作者 姜浩 张琪 张亮 《现代电子技术》 北大核心 2026年第1期1-7,共7页
互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器(CIS)常用于空间光通信中的捕获、跟踪、瞄准(ATP)系统中探测信标光方向。宇宙空间辐射会影响CMOS图像传感器的工作性能及工作寿命,研究空间辐照对器件的影响原理及抗辐照加固技术可以提升CMOS图... 互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器(CIS)常用于空间光通信中的捕获、跟踪、瞄准(ATP)系统中探测信标光方向。宇宙空间辐射会影响CMOS图像传感器的工作性能及工作寿命,研究空间辐照对器件的影响原理及抗辐照加固技术可以提升CMOS图像传感器实际工程应用能力。因4T/8T(Transistor)像素结构CMOS图像传感器在ATP系统中有广泛应用,从电离总剂量效应、位移损伤效应、单粒子效应三个方面综述了4T/8T像素结构CIS国内外辐照试验研究成果及抗辐照效应加固技术。提出针对8T像素结构CIS单粒子效应的加固方法,实现了CMOS图像传感器与FPGA单粒子翻转效应时无需断电重启的校正和单粒子闩锁时的关断与重启,提升了CMOS图像传感器的抗辐射效应性能。 展开更多
关键词 CMOS图像传感器 电离总剂量效应 位移损伤效应 单粒子效应 抗辐射加固技术 空间辐射
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大气等离子体刻蚀技术在光学元件与半导体加工中的研究进展
7
作者 吕航 惠迎雪 +5 位作者 刘卫国 刘浴岐 巨少甲 陈晓 葛少博 张进 《表面技术》 北大核心 2026年第2期134-150,共17页
大气等离子体(Atmospheric Pressure Plasma,APP)刻蚀技术凭借非接触加工、常压操作及物理-化学协同去除机制,在光学元件与半导体器件加工领域展现出巨大潜力。然而,现有研究对等离子体-材料原子级相互作用机理、热力学非线性效应及反... 大气等离子体(Atmospheric Pressure Plasma,APP)刻蚀技术凭借非接触加工、常压操作及物理-化学协同去除机制,在光学元件与半导体器件加工领域展现出巨大潜力。然而,现有研究对等离子体-材料原子级相互作用机理、热力学非线性效应及反应副产物控制的系统性认知仍显不足,制约了其规模化应用。为推进APP刻蚀技术在超精密制造领域的突破,本文系统解析了介质阻挡放电、射频放电及微波放电装置的创新设计,深入探讨了工艺参数协同优化机制与表面质量控制策略。研究发现,通过调控气体组分、激活原子选择性刻蚀模式,可同时实现超高材料去除率与原子级表面平整度;阵列化射流技术可大幅提升体积去除率,显著突破大口径元件加工效率瓶颈。同时,通过建立热效应与工艺参数的耦合模型,动态调整加工过程中的工具作用方式,显著降低了加工残差,而纯Ar等离子体诱导的台阶-平台自组织重构可有效消除亚表面损伤。本文还综述了APP刻蚀技术在光学自由曲面、半导体高深宽比结构及第三代半导体器件制造中的创新应用,证实其兼具高效性与原子级精度。最后,前瞻性指出该领域需突破热力学非线性效应控制、难熔副产物层管理、原子级机理认知及大面积均匀等离子体源开发等挑战,为APP刻蚀技术迈向工业级超精密制造提供理论支撑与技术路线。 展开更多
关键词 大气等离子体刻蚀 光学元件加工 半导体制造 超光滑表面 原子级制造
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不同栅氧退火工艺下的SiC MOS电容及其界面电学特性 被引量：1
8
作者 付兴中 刘俊哲 +4 位作者 薛建红 尉升升 谭永亮 王德君 张力江 《半导体技术》 CAS 北大核心 2025年第1期32-38,共7页
SiC MOS电容的电学特性和栅氧界面特性是评价和改进SiC MOS器件制造工艺的重要依据。通过依次测试SiC MOS器件的氧化物绝缘特性、界面态密度、偏压温度应力不稳定性(偏压温度应力条件下的平带电压漂移)、氧化物陷阱电荷密度和可动电荷... SiC MOS电容的电学特性和栅氧界面特性是评价和改进SiC MOS器件制造工艺的重要依据。通过依次测试SiC MOS器件的氧化物绝缘特性、界面态密度、偏压温度应力不稳定性(偏压温度应力条件下的平带电压漂移)、氧化物陷阱电荷密度和可动电荷密度的方法,对分别经过氮等离子体氧化后退火(POA)处理、氮氢混合等离子体POA处理、氮氢氧混合等离子体POA处理、氮氢氯混合等离子体POA处理的SiC MOS电容的电学特性和栅氧界面特性进行了分析。结果表明,该方法可以系统地评价SiC MOS电容电学特性和栅氧界面特性,经过氮氢氯混合等离子体POA处理的SiC MOS电容可以满足高温、大场强下长期运行的性能指标。 展开更多
关键词 SiC MOS电容 氧化后退火(POA) 平带电压漂移 氧化物陷阱电荷 可动电荷
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高功率器件低温失效案例分析
9
作者 范国莹 赵景波 +4 位作者 张晓帆 银军 徐守利 倪涛 李保第 《通讯世界》 2026年第1期151-153,共3页
随着微波组件向高功率、小型化方向发展,受限于结构设计与材料选择,其整体与局部热量的耗散成为工程应用中的突出挑战。基于此,针对一款P波段400 W功率载片在低温应用环境下发生的失效案例开展原理分析与技术研究,发现该载片引入氮化铝... 随着微波组件向高功率、小型化方向发展,受限于结构设计与材料选择,其整体与局部热量的耗散成为工程应用中的突出挑战。基于此,针对一款P波段400 W功率载片在低温应用环境下发生的失效案例开展原理分析与技术研究,发现该载片引入氮化铝等高导热材料后,虽提升了整体散热性能,却导致局部散热速率过快。在低温工作条件下,因热应力反复作用,印制电路板表面铜带线疲劳开裂、电性能恶化,最终导致器件烧毁。通过失效现象分析、实验复现与仿真验证,阐明了该失效机制,可为相关人员提供参考。 展开更多
关键词 微波组件 低温 高功率 失效
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14 nm体硅FinFET工艺标准单元的总剂量效应 被引量：1
10
作者 李海松 王斌 +3 位作者 杨博 蒋轶虎 高利军 杨靓 《半导体技术》 北大核心 2025年第6期619-624,647,共7页
随着鳍式场效应晶体管(FinFET)在高辐射环境中的广泛应用,其在总剂量(TID)效应下的可靠性成为研究重点。基于14 nm体硅互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺FinFET标准单元,设计了一款TID效应实验验证电路。利用^(60)Co产生的γ射线研究了该... 随着鳍式场效应晶体管(FinFET)在高辐射环境中的广泛应用,其在总剂量(TID)效应下的可靠性成为研究重点。基于14 nm体硅互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺FinFET标准单元,设计了一款TID效应实验验证电路。利用^(60)Co产生的γ射线研究了该验证电路的静态电流以及环振电路的环振频率和触发器电路的时序特性随辐照总剂量变化的情况,表征了FinFET工艺的本征抗辐射能力。实验结果表明,当辐照总剂量达到1000 krad(Si)时,验证电路静态电流增大了121%,且整个过程基本呈线性趋势增长,增长斜率约为3.14μA/krad(Si);组合逻辑单元时序参数变化绝对值小于0.6%,时序逻辑单元CK到输出端的延迟时间变化绝对值小于1%。这主要归因于TID效应对FinFET的阈值电压和饱和电流影响较小,而对器件的亚阈值漏电流影响较大。该研究结果为先进工艺超大规模集成电路在空间辐射环境中的应用提供了一定的理论指导。 展开更多
关键词 14 nm 鳍式场效应晶体管(FinFET)工艺 组合逻辑 时序逻辑 总剂量(TID)效应 标准单元
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基于缓变复合沟道的高线性GaN HEMT仿真研究
11
作者 李世权 蔡利康 +1 位作者 林罡 章军云 《电子技术应用》 2026年第1期43-47,共5页
基于半导体工艺与器件模拟工具(TCAD)提出并仿真了一种基于缓变组分AlGaN和InGaN复合沟道的高线性GaN HEMT器件,该结构的复合沟道层形成了三维电子气和二维电子气双沟道分布,器件栅压摆幅高达4.1 V,比常规突变异质结HEMT提高2.2 V。器... 基于半导体工艺与器件模拟工具(TCAD)提出并仿真了一种基于缓变组分AlGaN和InGaN复合沟道的高线性GaN HEMT器件,该结构的复合沟道层形成了三维电子气和二维电子气双沟道分布,器件栅压摆幅高达4.1 V,比常规突变异质结HEMT提高2.2 V。器件跨导的二阶导数的峰值比常规器件的低大约56%,显示其优越的抑制三阶互调的能力。另外,还探究了自热效应对器件线性度的影响。所提出的器件结构在高线性应用领域具有良好的应用前景。 展开更多
关键词 线性度 缓变沟道 栅压摆幅 GaN HEMT 跨导
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基于模糊自适应PID的晶圆键合台温度控制
12
作者 徐星宇 李早阳 +5 位作者 史睿菁 王成君 杨垚 王君岚 罗金平 张辉 《电子工艺技术》 2026年第1期6-9,共4页
为了解决传统增量式PID难以满足晶圆键合台温度控制需求的问题,提出了一种基于模糊自适应PID的温度控制策略。通过引入模糊控制理论,实现了PID控制参数的实时调整。开展了晶圆键合台三维热量传递数值仿真并对不同PID的控温精度进行对比... 为了解决传统增量式PID难以满足晶圆键合台温度控制需求的问题,提出了一种基于模糊自适应PID的温度控制策略。通过引入模糊控制理论,实现了PID控制参数的实时调整。开展了晶圆键合台三维热量传递数值仿真并对不同PID的控温精度进行对比分析。结果表明,相较于传统增量式PID,模糊自适应PID使温度最大负偏差降低了57%,最大正偏差降低了81%,并满足最大超调量低于3℃的要求。研究结果为晶圆键合台的高效稳定运行提供了新的技术途径。 展开更多
关键词 晶圆键合台 模糊自适应PID 温度控制 数值模拟
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基于改进粒子群优化算法-粒子滤波模型的IGBT寿命预测方法研究
13
作者 刘东静 李涛 +1 位作者 肖煜 周小舒 《电气技术》 2026年第1期20-27,34,共9页
为了提高绝缘栅双极型晶体管(IGBT)寿命预测精度,降低维护成本和系统故障风险,提出一种融合改进粒子群优化算法(IPSO)和粒子滤波(PF)的IGBT寿命预测方法。选取集电极-发射极导通电压(Vce_on)作为退化特征参数,以NASA公开的Vce_on历史数... 为了提高绝缘栅双极型晶体管(IGBT)寿命预测精度,降低维护成本和系统故障风险,提出一种融合改进粒子群优化算法(IPSO)和粒子滤波(PF)的IGBT寿命预测方法。选取集电极-发射极导通电压(Vce_on)作为退化特征参数,以NASA公开的Vce_on历史数据集为基础,通过Matlab拟合退化模型,确定模型参数,构建状态方程和观测方程;利用自适应权值和正切函数优化粒子群优化算法参数,改善其前期过早收敛、后期易陷入局部最优的状况;建立IPSO-PF模型,通过IPSO最优寻参分别动态调整PF预测阶段和重采样阶段的粒子权重,使粒子更逼近系统的后验概率分布,设定Vce_on的失效阈值,从而实现IGBT寿命准确预测。经仿真分析,IPSO-PF模型的平均相对精度为0.971 1,相较于PF、无迹卡尔曼粒子滤波(UPF)、猎人猎物优化粒子滤波(HPO-PF)模型,分别提高了20.44%、6.99%、5.37%,证明IPSO-PF模型能有效提升IGBT寿命预测精度。为验证各改进模块的有效性,设计消融实验,结果证明各改进模块有效提升了IPSO-PF模型性能。 展开更多
关键词 绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 寿命预测 特征参数 粒子群优化算法(PSO) 粒子滤波(PF) 消融实验
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[111]晶向硅衬底厚外延边缘斜坡问题研究
14
作者 刘宪成 喻洋 张晶 《微纳电子技术》 2026年第1期81-86,共6页
[111]晶向硅片晶面横向的原子密度和纵向的原子密度之差非常大,导致了横向和纵向生长中严重的各向异性,横向生长的速度约为纵向生长速度的10~4倍。同时硅晶体的(111)面排布为密堆积,虽然纵向排布为ABCABC形式,但每层均为密堆积。在某一(... [111]晶向硅片晶面横向的原子密度和纵向的原子密度之差非常大,导致了横向和纵向生长中严重的各向异性,横向生长的速度约为纵向生长速度的10~4倍。同时硅晶体的(111)面排布为密堆积,虽然纵向排布为ABCABC形式,但每层均为密堆积。在某一(111)面上,由于每个方向上的原子线密度的不同,每个方向上的生长速度也呈现各向异性。横向与纵向、横向不同方向的生长速度差异叠加边缘倒角晶向影响,导致在硅厚外延生长中在特定位置出现斜坡现象,斜坡的出现会导致减薄硅片时在固定位置发生裂片。本研究从理论出发分析了[111]晶向硅片厚外延斜坡产生的机理,进而在此基础上提出了改善方法,实际证明该方法有助于解决因斜坡导致的减薄裂片问题,80μm厚外延减薄裂片率减少约5%。 展开更多
关键词 晶向 晶面 外延 倒角 斜坡
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基于高低肖特基势垒异或非单器件的研究
15
作者 赵耀 刘溪 《微处理机》 2026年第1期21-26,共6页
本研究提出了一种纳米级高低肖特基势垒异或非单器件。与传统的BRFET不同,该器件在源/漏极(S/D)与硅基底的接触界面引入两种不同的金属材料,成功构筑了两种肖特基势垒结构。其中,第一种金属与半导体导带形成的势垒高度低于带隙宽度的一... 本研究提出了一种纳米级高低肖特基势垒异或非单器件。与传统的BRFET不同,该器件在源/漏极(S/D)与硅基底的接触界面引入两种不同的金属材料,成功构筑了两种肖特基势垒结构。其中,第一种金属与半导体导带形成的势垒高度低于带隙宽度的一半,而其与价带形成的肖特基势垒高度则高于带隙宽度的一半;第二种金属与价带形成的势垒高度亦低于带隙宽度的一半,而其与导带形成的肖特基势垒高度则高于带隙宽度的一半。因此,该器件形成了一个一高一低的双肖特基势垒(HLBSB)。与传统BRFET相比,该器件可使更多载流子通过n模式和p模式的热电子发射进入半导体区域,而传统BRFET则主要通过带带隧穿效应产生载流子。因此,该高低肖特基势垒异或非单器件可实现更大的正向电流。通过器件仿真,研究了高肖特基势垒异或非单器件的性能,并与BRFET的性能进行了比较。基于能带理论的分析解释了其工作原理,同时对其输出特性进行了研究和验证。 展开更多
关键词 肖特基势垒 正向电流 场效应晶体管 热电子发射
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基于对接职业教育智慧大脑院校数据中台的实施路径——以重庆青年职业技术学院为例
16
作者 王博 王建中 黎邦银 《现代信息科技》 2026年第2期139-144,共6页
为了实施国家教育数字化战略行动,落实职业院校对接职业教育智慧大脑院校数据中台建设要求,文章分析对接任务的10个数据子集中的98张表,梳理并制定本校数据标准,实现了数据汇聚、存储、运算、开发、服务、可视化分析、质量安全管控一体... 为了实施国家教育数字化战略行动,落实职业院校对接职业教育智慧大脑院校数据中台建设要求,文章分析对接任务的10个数据子集中的98张表,梳理并制定本校数据标准,实现了数据汇聚、存储、运算、开发、服务、可视化分析、质量安全管控一体化,利用CampusCube数据基座,方便快捷地实现了数据的全量推送和增量推送,快速高效对接职业教育数据中台,降低了开发和维护成本,为智慧校园建设提供了参考。 展开更多
关键词 数据中台 智慧大脑 数据中心 数据基座
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基于栅控二极管的异或传输门研究
17
作者 潘彪 靳晓诗 《微处理机》 2026年第1期27-31,39,共6页
本研究提出了一种基于栅控二极管的异或传输门晶体管。由于栅极与漏极之间所加电压极性的相异,在强电场作用下,两个电极之间的本征硅区域将发生隧穿效应。同时,源漏之间的漏极电压不同,会形成或降低势垒,从而控制器件漏电流的导通或截... 本研究提出了一种基于栅控二极管的异或传输门晶体管。由于栅极与漏极之间所加电压极性的相异,在强电场作用下,两个电极之间的本征硅区域将发生隧穿效应。同时,源漏之间的漏极电压不同,会形成或降低势垒,从而控制器件漏电流的导通或截止。通过求解二维泊松方程,对表面电势和电场进行分析建模,并利用凯恩模型计算隧穿电流。最终,分析结果与Silvaco TCAD模拟结果进行了对比验证。 展开更多
关键词 异或传输门 二极管 隧道效应 凯恩模型
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研磨和抛光参数对(001)面β-Ga_(2)O_(3)单晶衬底表面质量的影响
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作者 高飞 王英民 +3 位作者 程红娟 张嵩 董增印 辛倩 《半导体技术》 北大核心 2025年第9期915-921,共7页
衬底的表面质量对卤化物气相外延(HVPE)法生长的同质外延薄膜的质量至关重要。研究了(001)面β-Ga_(2)O_(3)单晶衬底研磨和抛光工艺中研磨盘材质、研磨压力、抛光垫种类等参数对材料去除速率(v_(R))、表面粗糙度(R_(a))和表面质量的影... 衬底的表面质量对卤化物气相外延(HVPE)法生长的同质外延薄膜的质量至关重要。研究了(001)面β-Ga_(2)O_(3)单晶衬底研磨和抛光工艺中研磨盘材质、研磨压力、抛光垫种类等参数对材料去除速率(v_(R))、表面粗糙度(R_(a))和表面质量的影响。实验结果表明,采用树脂铜盘、树脂锡盘和SUBA800抛光垫配合3μm粒径的多晶金刚石液研磨,均可以实现塑性域去除,v_(R)分别为3.13、1.23、0.25μm/min,R_(a)分别为16.2、13.2和7.81 nm。在化学机械抛光(CMP)过程中,抛光垫的物性参数直接影响v_(R)和表面质量,采用阻尼布可以实现R_(a)小于0.2 nm、无亚表面损伤的原子级平整表面。采用此衬底进行HVPE法生长的同质外延薄膜形貌均匀,未发现加工相关的缺陷。 展开更多
关键词 (001)面β-Ga_(2)O_(3) 原子级平整 表面粗糙度 材料去除速率 化学机械抛光(CMP)
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基于GaAs界面的长波InAs/GaSb超晶格红外焦平面探测器研制
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作者 周旭昌 蒋志 +13 位作者 班雪峰 王海澎 孔金丞 邓功荣 岳彪 黄俊博 木迎春 雷晓虹 陈蕊 王海虎 陈杰 周艳 段碧雯 李淑芬 《红外与激光工程》 北大核心 2025年第8期56-63,共8页
开展了基于GaAs界面的InAs/GaSb超晶格红外探测器材料和焦平面探测器研究。采用分子束外延(MBE)技术在InAs衬底上生长了高质量的PB1nB2N双势垒超晶格材料,通过GaAs界面的引入来提高了超晶格材料生长温度来改善材料晶体质量并降低暗电流... 开展了基于GaAs界面的InAs/GaSb超晶格红外探测器材料和焦平面探测器研究。采用分子束外延(MBE)技术在InAs衬底上生长了高质量的PB1nB2N双势垒超晶格材料,通过GaAs界面的引入来提高了超晶格材料生长温度来改善材料晶体质量并降低暗电流;同时通过结构设计将电场加载到宽带隙的电子和空穴势垒阻挡层,实现了窄带隙吸收层与耗尽区分离,减小产生-复合暗电流。采用ICP干法刻蚀技术制备出光滑台面,通过硫化/介质膜复合钝化技术实现了低侧壁漏电,研制出长波640×512焦平面探测器组件,截止波长为10.14μm,NETD达到17.8 mK,有效像元率达到99.89%,量子效率达到37%,成像验证展现出优良的光电性能。 展开更多
关键词 GaAs界面 INAS/GASB超晶格 长波 焦平面
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