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基于晶闸管退化轨迹构建与残差补偿的寿命预测模型
1
作者 陈权 闻卓 +2 位作者 陈忠 郑常宝 黄宇 《半导体技术》 北大核心 2026年第3期280-288,共9页
晶闸管式换流阀在长期运行后性能逐渐退化,为高压直流输电系统带来较大的安全隐患。为精准预测晶闸管剩余寿命,提出了一种多特征融合、全局优化映射和残差补偿的递进式策略。首先,根据热循环负载加速老化试验获取晶闸管多个退化特征数据... 晶闸管式换流阀在长期运行后性能逐渐退化,为高压直流输电系统带来较大的安全隐患。为精准预测晶闸管剩余寿命,提出了一种多特征融合、全局优化映射和残差补偿的递进式策略。首先,根据热循环负载加速老化试验获取晶闸管多个退化特征数据集,并使用双向长短期记忆(BiLSTM)网络嵌入自编码器(AE)的优化模型进行多退化特征数据融合,构建晶闸管综合健康指数(CHI);然后,输入融合数据,以反向传播(BP)神经网络为核心,利用粒子群优化(PSO)算法对BP神经网络的初始权重与阈值进行全局寻优;最后,再采用极限梯度提升(XGBoost)树残差补偿模块进一步减小晶闸管寿命预测模型的预测偏差。实验结果显示,本文模型相比于传统BP神经网络模型,决定系数(R^(2))提高了7.63%,均方根误差(RMSE)和平均绝对误差(MAE)分别降低了89.7%、90.3%,平均绝对百分比误差(MAPE)从161.07%降至13.83%。 展开更多
关键词 晶闸管 多特征融合 双向长短期记忆(BiLSTM)网络 综合健康指数(CHI) 寿命预测
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半导体制程用UV减粘膜综述
2
作者 张宁 刘智昊 项奎 《微纳电子技术》 2026年第3期58-65,共8页
阐述了半导体制程用紫外(UV)减粘膜的结构及其在UV辐照前后粘着力骤变的反应机理,介绍了UV减粘膜的两种典型分类及晶圆背部研磨膜和切割膜的应用过程。通过综合分析古河电气工业株式会社、琳得科株式会社、狮力昂株式会社、积水化学工... 阐述了半导体制程用紫外(UV)减粘膜的结构及其在UV辐照前后粘着力骤变的反应机理,介绍了UV减粘膜的两种典型分类及晶圆背部研磨膜和切割膜的应用过程。通过综合分析古河电气工业株式会社、琳得科株式会社、狮力昂株式会社、积水化学工业株式会社、住友电木株式会社和综研化学株式会社等国外企业相关资料,梳理了各公司代表性产品及技术特点,可为UV减粘膜国产化替代提供一些思路和方向。归纳分析了国内企业在相关领域的产品专利,根据分析结果,国产UV减粘膜目前逐渐形成了具备耐高温、耐水冲击、耐可见光、抗静电以及可长期储存等特点的系列化产品。在半导体行业全产业链国产化进程推进过程中,国产UV减粘膜行业将会获得难得的发展机遇。 展开更多
关键词 半导体 晶圆 封装 紫外(UV)减粘膜 切割膜 背部研磨膜
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二维h-BN纳米片作为电子阻挡层提升量子点发光二极管性能
3
作者 王宁 张玉 +4 位作者 杨苏文 胡煜峰 娄志东 侯延冰 滕枫 《发光学报》 北大核心 2026年第1期124-132,共9页
量子点发光二极管(QLED)作为新一代显示技术的重要发展方向,其电子传输层(ETL)通常采用氧化锌(ZnO)材料。然而,ZnO过高的电子迁移率易导致发光层(EML)中载流子注入失衡,同时其表面氧空位等缺陷会引发非辐射复合。本研究创新性地引入六... 量子点发光二极管(QLED)作为新一代显示技术的重要发展方向,其电子传输层(ETL)通常采用氧化锌(ZnO)材料。然而,ZnO过高的电子迁移率易导致发光层(EML)中载流子注入失衡,同时其表面氧空位等缺陷会引发非辐射复合。本研究创新性地引入六方氮化硼(h-BN)这一典型二维材料,在EML与ZnO界面间构建电子阻挡层。实验结果表明,h-BN的引入有效改善了器件内部载流子平衡,显著抑制了ZnO缺陷导致的发光猝灭。经h-BN界面修饰后,QLED器件的外量子效率(EQE)和电流效率(CE)分别达到17.31%和18.80 cd/A,相较参照器件实现了12.4%和7.43%的提升。该研究不仅揭示了二维材料在QLED器件中的创新应用价值,更为其在显示技术领域的深入开发提供了新的研究思路。 展开更多
关键词 QLED 六方氮化硼 电子阻挡层 载流子注入平衡 界面修饰
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一种HTCC基板的微流道结构设计
4
作者 王宁 黄志刚 +5 位作者 吴桂青 党军杰 李斌 汪旭 程凡 何仓宝 《半导体技术》 北大核心 2026年第2期200-204,共5页
随着集成电路向小型化、高集成度、高密度、大功率等方向发展,散热问题已成为制约其技术突破的关键因素。微流道散热技术因具备低热阻、高效率及可集成化等优势,已成为近年来快速发展的散热技术之一。设计了高温共烧陶瓷(HTCC)基板微流... 随着集成电路向小型化、高集成度、高密度、大功率等方向发展,散热问题已成为制约其技术突破的关键因素。微流道散热技术因具备低热阻、高效率及可集成化等优势,已成为近年来快速发展的散热技术之一。设计了高温共烧陶瓷(HTCC)基板微流道的有限元仿真模型;仿真分析了不同材料、结构、微流道宽度及入口流量等参数对基板散热性能的影响;基于AlN HTCC基板工艺,同时考虑入水口驱动泵的功率约束,制备了换层微流道结构。实验结果显示,换层微流道基板的仿真最高温度为46.94℃,实测最高温度为50.8℃,误差约为8.22%,满足400 W功率芯片的散热要求。 展开更多
关键词 微流道 AlN HTCC基板 热仿真 散热 低热阻
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漏感利用型超声电源的相位域谐振控制策略
5
作者 刘宁庄 兰旭 田海波 《压电与声光》 北大核心 2026年第1期24-29,共6页
针对高频超声电源在负载动态变化时,传统频率域扫描追踪存在响应滞后、副边高压测量难及外部谐振匹配电路复杂等问题,提出了一种基于FPGA的原边单通道相位反馈谐振域闭环控制方法。系统利用变压器漏感与换能器静态电容构成串联谐振回路... 针对高频超声电源在负载动态变化时,传统频率域扫描追踪存在响应滞后、副边高压测量难及外部谐振匹配电路复杂等问题,提出了一种基于FPGA的原边单通道相位反馈谐振域闭环控制方法。系统利用变压器漏感与换能器静态电容构成串联谐振回路,采用单通道采集结合NCO电压替代技术测量相位,基于CORDIC算法实现高精度数字鉴相,采用数字锁相环与模糊PID算法实现谐振频率自适应跟踪。实验结果表明,基于CORDIC的数字鉴相器相位测量误差绝对值为0.232°,采用电流-相位差复合追踪策略自动跟踪至谐振点,跟踪精度更高、响应速度更快,实现了变频工况下谐振状态的全数字化快速跟踪。 展开更多
关键词 高频超声电源 频率跟踪 CORDIC FPGA 模糊PID
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同频异构压电微机械超声换能器设计与测距性能研究
6
作者 苗斌 姚术涛 +2 位作者 商文玲 舒乔宇 李加东 《压电与声光》 北大核心 2026年第1期12-17,共6页
超声测距能力作为衡量超声传感器的重要性能指标,其超声换能器需具备较大的发射声压和较高的接收灵敏度。为提升超声测距能力,本文提出了一种由沟槽式弹性悬浮膜结构(S-PMUT)和传统悬膜结构(TPMUT)组成的同频异构PMUT。仿真证明,弹性悬... 超声测距能力作为衡量超声传感器的重要性能指标,其超声换能器需具备较大的发射声压和较高的接收灵敏度。为提升超声测距能力,本文提出了一种由沟槽式弹性悬浮膜结构(S-PMUT)和传统悬膜结构(TPMUT)组成的同频异构PMUT。仿真证明,弹性悬浮膜PMUT的发射灵敏度相较于传统悬膜PMUT提升了96.4%,传统悬膜PMUT的接收灵敏度是弹性悬浮膜PMUT的1.569倍。搭建超声测距系统并进行测试,测距结果表明,基于同频异构PMUT的测距系统实现了12.45 m的最大测量距离,相较于相同振元组合模式,最大测量距离增加了约24%。 展开更多
关键词 微机械超声波换能器 同频异构 发射灵敏度 接收灵敏度 测距
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考虑高海拔环境及键合线种类的焊接型IGBT电-热-力模型
7
作者 律方成 王炳强 +6 位作者 平措顿珠 刘洪春 张春阳 徐文扣 刘轩仪 袁成 耿江海 《华北电力大学学报(自然科学版)》 北大核心 2026年第1期95-105,共11页
焊接型IGBT作为高海拔地区光伏发电系统的关键部件,其可靠性直接决定光伏电站的稳定运行。然而缺少相应的高海拔地区的电-热-力耦合模型,同时有关高海拔地区由于芯片温升以及键合线所受应力过大造成的模块性能失效的研究也少之又少。为... 焊接型IGBT作为高海拔地区光伏发电系统的关键部件,其可靠性直接决定光伏电站的稳定运行。然而缺少相应的高海拔地区的电-热-力耦合模型,同时有关高海拔地区由于芯片温升以及键合线所受应力过大造成的模块性能失效的研究也少之又少。为此根据IGBT模块内部电场、热场和力场之间的耦合作用关系,以焊接型IGBT为研究对象,建立铜、铝键合线的焊接型IGBT电-热-力耦合有限元模型,分别分析了不同海拔高度以及4200 m特定海拔高度下每月的极端环境温度对铜、铝两种键合线种类的焊接型IGBT的最大结温与键合线最大应力的影响。研究表明,随着海拔升高,最大结温与键合线最大应力呈上升趋势;使用铜键合线的IGBT模块的最大结温低于使用铝键合线的IGBT模块的最大结温,但使用铜键合线的IGBT模块的最大应力值更高。该研究为高海拔地区优化键合线材料,提高IGBT模块运行稳定性提供了理论指导。 展开更多
关键词 焊接型IGBT 高海拔 电-热-力耦合 键合线 极端环境
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低空穴衬底电流的新型体硅横向绝缘栅双极晶体管
8
作者 段宝兴 李玉滢 +2 位作者 唐春萍 任宇壕 杨银堂 《物理学报》 北大核心 2026年第5期331-339,共9页
本文提出一种新型延伸多晶硅栅体硅型横向绝缘栅双极晶体管(extended polysilicon gate bulk silicon LIGBT,EGBS-LIGBT),该器件结构为P型衬底上依次外延N型、P型硅作为N漂移区和P漂移区,相当于将常规SOI(silicon-on-insulator)-LIGBT... 本文提出一种新型延伸多晶硅栅体硅型横向绝缘栅双极晶体管(extended polysilicon gate bulk silicon LIGBT,EGBS-LIGBT),该器件结构为P型衬底上依次外延N型、P型硅作为N漂移区和P漂移区,相当于将常规SOI(silicon-on-insulator)-LIGBT的埋氧层替换成N型硅,其优势在于极大降低成本且能降低空穴衬底电流.在阳极正偏时,P漂移区上方的肖特基型延伸多晶硅栅(Schottky-extended polysilicon gate,S-EG)在P漂移区的内侧表面形成电子反型层,以获得低的正向导通压降(V_(on)).此外,阳极采用肖特基接触降低空穴注入效率,而P漂移区快速的动态电场调制能力还可迅速提取存储在漂移区中的过剩载流子,且其多子为空穴还能促进关断时过剩电子的快速复合,关断能量损耗(E_(off))得以降低.仿真结果表明:EGBS-LIGBT在显著降低空穴衬底电流的同时,改善了E_(off)与V_(on)间的折中关系.该器件的V_(on)为1.59 V、空穴衬底电流为1.9 mA/cm^(2)、E_(off)为0.51 mJ/cm^(2)、击穿电压(BV)达701 V.相较常规LIGBT,该结构在保持V_(on)基本不变的前提下,将空穴衬底电流降至1/105,E_(off)降低69.8%,BV提升19.6%. 展开更多
关键词 横向绝缘栅双极晶体管 空穴衬底电流 关断损耗 肖特基接触
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氧空位调控氧化钨薄膜的设计制备及其氢敏变色性能研究
9
作者 王宁 田佳蔚 +1 位作者 孙樱溪 谭秋林 《功能材料》 北大核心 2026年第2期174-179,共6页
以WO_(3)为基础的氢敏变色型传感器无需额外供电便可以通过肉眼观察直接判断是否发生氢气泄露,在可穿戴氢安全标识、氢气管道输送等领域具有及时便捷、低成本的独特优势。然而WO_(3)的氢敏变色机理及氧空位的影响作用等还不明晰,这制约... 以WO_(3)为基础的氢敏变色型传感器无需额外供电便可以通过肉眼观察直接判断是否发生氢气泄露,在可穿戴氢安全标识、氢气管道输送等领域具有及时便捷、低成本的独特优势。然而WO_(3)的氢敏变色机理及氧空位的影响作用等还不明晰,这制约了WO_(3)基氢敏变色型传感器的性能提升和推广应用。为此,本项目采用反应磁控溅射技术设计制备了氧空位浓度可调的WO_(3)薄膜,研究了薄膜成分、颜色、元素价态和氧空位浓度等与溅射气氛中氧气浓度的关系。探索了不同Pd/WO_(3)薄膜对氢气的颜色响应,发现增加WO_(3)薄膜中氧空位浓度可以提高薄膜氢敏变色的灵敏度,但WO_(3)薄膜中氧含量过低时,W5+和金属态钨的存在会使薄膜本身具有较深的颜色,氢敏变色特性消失。反应磁控溅射制备的高氧空位非晶态Pd/WO_(3)薄膜最佳工作温度为200℃,15 s左右1%浓度氢气可以引起薄膜102.4的明显色差变化,氢敏变色效果明显。 展开更多
关键词 WO_(3)薄膜 氧空位浓度 气致变色 氢气传感器
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基于界面修饰层制备高性能量子点发光二极管的研究进展
10
作者 罗承宇 钟超 +3 位作者 陈佳蕾 林立华 胡海龙 李福山 《液晶与显示》 北大核心 2026年第1期120-141,共22页
作为可视化信息的载体,显示器在越来越数字化和智能化的生活中扮演着不可或缺的角色。量子点发光二极管(QLEDs)凭借卓越的性能,正蓄势引领下一代显示技术浪潮,并有望重塑国际显示面板市场格局。然而,目前QLEDs器件的实际应用仍受到一些... 作为可视化信息的载体,显示器在越来越数字化和智能化的生活中扮演着不可或缺的角色。量子点发光二极管(QLEDs)凭借卓越的性能,正蓄势引领下一代显示技术浪潮,并有望重塑国际显示面板市场格局。然而,目前QLEDs器件的实际应用仍受到一些限制,例如发光性能和寿命尚未达到商业应用的要求。为了制备高性能的QLEDs,对各个功能层的界面进行修饰是研究中常用的方法。基于此,本综述从多个方面总结了QLEDs界面修饰的研究进展,详细分析了界面修饰机制及其对QLEDs性能的影响。最后,指出了QLEDs发展中存在的不足,同时展望了其未来的发展方向。希望该综述能为QLEDs的学术研究和产业化带来有价值的参考。 展开更多
关键词 量子点发光二极管 界面修饰 功能层 性能
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AlN单晶片的单面机械抛光工艺研究
11
作者 高飞 王英民 +2 位作者 程红娟 李晖 辛倩 《固体电子学研究与进展》 2026年第1期22-27,共6页
为了提升AlN单晶片在塑性去除模式下的加工效率,对AlN单晶的机械抛光工艺进行了系统试验。研究了磨盘材质、磨料粒径、研磨压力、研磨盘转速、磨盘开槽、磨料化学组分等工艺参数对AlN单晶片去除速率的影响规律。试验结果表明:树脂锡盘... 为了提升AlN单晶片在塑性去除模式下的加工效率,对AlN单晶的机械抛光工艺进行了系统试验。研究了磨盘材质、磨料粒径、研磨压力、研磨盘转速、磨盘开槽、磨料化学组分等工艺参数对AlN单晶片去除速率的影响规律。试验结果表明:树脂锡盘可以实现全塑性域加工;在采用树脂锡盘研磨时,随着金刚石粒径的增大,去除速率呈现了先增大后减小的趋势;树脂锡盘开槽平台宽度越小,去除速率越大且表面质量越好;通过在研磨液中添加三乙醇胺,可以通过促进AlN的水解反应提升去除速率。 展开更多
关键词 AlN单晶 机械抛光 材料去除速率 塑性去除 表面质量
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高阻Si衬底上预铺Al工艺对GaN材料晶体质量和射频损耗影响研究
12
作者 杨乾坤 彭大青 +3 位作者 李传皓 张东国 王克超 李忠辉 《固体电子学研究与进展》 2026年第1期6-10,共5页
采用金属有机化学气相沉积(Metal-organic chemical vapor deposition,MOCVD)技术在高阻Si(111)衬底上生长了氮化物材料,研究衬底的预铺Al工艺对衬底表面形貌、氮化镓结晶质量及射频损耗等的影响。结果表明,采用低温低流量长时间的预铺A... 采用金属有机化学气相沉积(Metal-organic chemical vapor deposition,MOCVD)技术在高阻Si(111)衬底上生长了氮化物材料,研究衬底的预铺Al工艺对衬底表面形貌、氮化镓结晶质量及射频损耗等的影响。结果表明,采用低温低流量长时间的预铺Al工艺,抑制了表面Al聚集物的形成,减少了AlN表面坑,提升了Si衬底上GaN材料的晶体质量。基于优化的预铺Al工艺,GaN(002)/(102)半高宽达到391 arcsec/510 arcsec,5 GHz下射频损耗为0.16 dB/mm,25 GHz下射频损耗为0.37 dB/mm。 展开更多
关键词 硅基氮化镓 预铺铝 射频损耗 晶体质量
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基于28 nm CMOS技术平台的STI无接缝填充工艺研究
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作者 刘聪 李华曜 +1 位作者 张欢欢 刘欢 《功能材料与器件学报》 2026年第1期105-112,共8页
本文针对28 nm互补金属-氧化物-半导体(complementary metal-oxide-semiconductor,CMOS)工艺中高深宽比、非标准V形浅沟槽隔离(shallow trench isolation,STI)结构所面临的填充挑战展开研究。该结构易在填充后中心形成接缝,影响器件隔... 本文针对28 nm互补金属-氧化物-半导体(complementary metal-oxide-semiconductor,CMOS)工艺中高深宽比、非标准V形浅沟槽隔离(shallow trench isolation,STI)结构所面临的填充挑战展开研究。该结构易在填充后中心形成接缝,影响器件隔离可靠性。为此,本研究提出采用高深宽比工艺(high aspect ratio process,HARP)沉积与后蒸汽高温退火相结合的方案,旨在实现无接缝填充。本研究通过交叉实验,系统分析新型HARP沉积与创新高温退火工艺对氧化硅薄膜收缩率及沟槽接缝形貌的影响。实验结果表明,仅依靠单一工艺优化无法完全消除V形结构底部的微缝。最终的解决方案强调工艺协同:将新型HARP沉积与脉冲式高温退火相结合,并在退火过程中引入氯化氢(HCl)作为辅助气体。该协同工艺可精确调控薄膜的致密化过程,并利用HCl的气相刻蚀作用有效清除界面薄弱区,从而在高深宽比、非标准V形STI结构内实现高质量的无接缝填充。本研究为先进技术节点复杂三维结构的集成提供了有效的工艺路径。 展开更多
关键词 28 nm CMOS 高深宽比 沟槽填充 无接缝
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双向驱动压电粘滑驱动器的设计与实验测试
14
作者 田晓超 韩城泽 +3 位作者 缪柏吉 宋杰 陈作洋 刘夏 《压电与声光》 北大核心 2026年第1期74-81,共8页
针对目前双向驱动器存在的预紧位移调节不便、驱动速度较低等问题,提出了一种刚性接触型双向压电粘滑驱动器,以改善目前双向驱动器存在的缺陷。介绍了驱动器的结构及工作原理,并基于其结构对驱动器的输出位移进行理论分析和计算。通过CO... 针对目前双向驱动器存在的预紧位移调节不便、驱动速度较低等问题,提出了一种刚性接触型双向压电粘滑驱动器,以改善目前双向驱动器存在的缺陷。介绍了驱动器的结构及工作原理,并基于其结构对驱动器的输出位移进行理论分析和计算。通过COMSOL Multiphysics仿真软件对粘滑驱动器的驱动过程进行仿真分析,初步验证了驱动器结构的可行性和理论计算的准确性。最后搭建实验平台并对所提出的驱动器的驱动型性能进行测试。实验结果表明,驱动器在5μm预紧位移下具有良好的驱动性能,在1200 Hz信号频率下输出速率为7.12mm/s、最大水平负载为0.57 N、最大垂直负载为2.4 N,驱动器的分辨率为0.021μm,在往复10个周期内的位移误差为1.42μm。这说明驱动器可进行稳定的位移输出。 展开更多
关键词 粘滑驱动器 压电叠堆 双向驱动 高速驱动
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富士纺集团芯片超精密抛光用化学机械抛光垫专利技术的分析
15
作者 周文 周颖 《现代化工》 北大核心 2026年第3期13-20,共8页
富士纺集团是化学机械抛光(CMP)用抛光垫领域重要专利申请人之一,通过对其相关专利申请量分布、申请趋势、专利布局区域、重点专利、技术路线等重要信息的深度分析,明确了富士纺集团在该领域的研发历程、重点技术分支,从而为国内企业在... 富士纺集团是化学机械抛光(CMP)用抛光垫领域重要专利申请人之一,通过对其相关专利申请量分布、申请趋势、专利布局区域、重点专利、技术路线等重要信息的深度分析,明确了富士纺集团在该领域的研发历程、重点技术分支,从而为国内企业在抛光垫领域的技术研发、专利申请和专利布局提供有益的参考和借鉴。 展开更多
关键词 抛光垫 专利分布 技术路线 专利保护策略
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一种基于补偿板调节的照明均匀性校正方法
16
作者 宫晨 高爱梅 +1 位作者 付纯鹤 刘士超 《电子工业专用设备》 2026年第1期23-27,共5页
图形成像技术是半导体制造的核心工艺,其照明均匀性直接影响晶圆表面特征尺寸的一致性(CDU)。传统静态滤波板法因无法适应多光瞳模式动态调节,难以满足先进制程需求。为此,提出一种动态校正方法,通过构建补偿板位置与光强分布的数学模型... 图形成像技术是半导体制造的核心工艺,其照明均匀性直接影响晶圆表面特征尺寸的一致性(CDU)。传统静态滤波板法因无法适应多光瞳模式动态调节,难以满足先进制程需求。为此,提出一种动态校正方法,通过构建补偿板位置与光强分布的数学模型,结合线性插值算法与迭代优化策略,实现了多光瞳模式下的自适应均匀性控制。实验表明该方法可将晶圆面照明狭缝内的均匀性指标提高到0.6%以下,为高精度成像系统的均匀性控制提供了理论框架与工程实践方法。 展开更多
关键词 照明均匀性 光瞳 动态校正
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以学生为中心的半导体器件课程教学改革探索
17
作者 代红丽 王洛欣 薛玉明 《中国教育技术装备》 2026年第3期79-83,87,共6页
针对半导体器件课程中物理机制抽象难懂的教学难点,提出以学生为中心的教学改革方案。通过课前发放任务、课中组织学生分组讲解、教师补充精讲、提问抢答、课堂测试等环节,引导学生自主开展仿真调试与器件电学特性分析,以此帮助学生深... 针对半导体器件课程中物理机制抽象难懂的教学难点,提出以学生为中心的教学改革方案。通过课前发放任务、课中组织学生分组讲解、教师补充精讲、提问抢答、课堂测试等环节,引导学生自主开展仿真调试与器件电学特性分析,以此帮助学生深化对器件物理机制的直观理解。教学实践表明,该模式可以有效提升学生的课堂参与度,激发他们的学习兴趣,提高教学效果。 展开更多
关键词 以学生为中心 半导体器件课程 仿真软件
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针尖半径对四探针法电阻率测量的定量影响
18
作者 薛栋 饶张飞 +1 位作者 秦凯亮 金红霞 《半导体技术》 北大核心 2026年第1期94-101,共8页
四探针法广泛应用于半导体材料电阻率的测量。为研究探针头针尖半径对单晶硅片电阻率测量结果的定量影响,通过实验与COMSOL仿真相结合的方式,选用A型(针尖半径40.64μm)、B型(针尖半径101.6μm)和D型(针尖半径508μm)3种规格的探针,对... 四探针法广泛应用于半导体材料电阻率的测量。为研究探针头针尖半径对单晶硅片电阻率测量结果的定量影响,通过实验与COMSOL仿真相结合的方式,选用A型(针尖半径40.64μm)、B型(针尖半径101.6μm)和D型(针尖半径508μm)3种规格的探针,对电阻率为0.001~1 000Ω·cm的10种标准单晶硅片进行测量。测量结果表明,A型适用于低电阻率(<1Ω·cm)单晶硅片的测量,测量相对误差δ小于1%;D型适用于高电阻率(≥180Ω·cm)单晶硅片的测量,δ小于1%;中等电阻率(1~180Ω·cm)单晶硅片的测量中,3种探针头δ较为接近,均值约为4%。仿真分析进一步证实,针尖半径的改变会使电场分布和接触电阻发生显著变化,从而影响电阻率的测量精度。 展开更多
关键词 四探针法 单晶硅 电阻率 针尖半径 COMSOL 接触电阻
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3C-SiC在熔融KOH中的腐蚀行为及其缺陷表征
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作者 侯江林 罗丹 +2 位作者 王国宾 张泽盛 简基康 《半导体技术》 北大核心 2026年第3期234-239,255,共7页
研究了3C-SiC晶体在熔融KOH中的腐蚀行为及其缺陷特征。不同温度下的腐蚀实验证实(111)晶面晶片的腐蚀速率随温度升高呈现指数增长的趋势,在相同腐蚀条件下,(100)晶面晶片的腐蚀速率大于(111)晶面晶片。分析了不同腐蚀条件下(111)晶面... 研究了3C-SiC晶体在熔融KOH中的腐蚀行为及其缺陷特征。不同温度下的腐蚀实验证实(111)晶面晶片的腐蚀速率随温度升高呈现指数增长的趋势,在相同腐蚀条件下,(100)晶面晶片的腐蚀速率大于(111)晶面晶片。分析了不同腐蚀条件下(111)晶面的位错和堆垛层错(SF)的形貌,测量了穿透型螺位错(TSD)和穿透型刃位错(TED)腐蚀坑的深宽比以及SF腐蚀坑的倾角。结果表明,3C-SiC晶体中的TED腐蚀坑深宽比为0.07~0.12,TSD腐蚀坑深宽比为0.10~0.16,SF腐蚀坑的倾角为15°~22°。此外,还观察到在熔融KOH的腐蚀作用下,包裹物缺陷形状由腐蚀前的近圆形变为腐蚀后的三角形,尺寸也相应增大。本研究结果可为熔融KOH腐蚀3C-SiC的行为及其缺陷形貌演变提供参考。 展开更多
关键词 3C-SIC 腐蚀速率 位错 堆垛层错(SF) 包裹物
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