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非线性晶体铌酸锂钾的性质和生长 被引量：6
1
作者 万尤宝 潘守夔 +1 位作者 徐军 邓佩珍 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第1期36-38,共3页
用提拉法生长出铌酸锂钾（ＫＬＮ）晶体；探讨了ＫＬＮ晶体生长时开裂的主要原因；对钛宝石激光倍频获得蓝光输出。
关键词 非线性光学晶体 铌酸锂钾晶体 引上法 晶体生长
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制备中远红外用ZnS体材料的新方法 被引量：5
2
作者 憨勇 刘正堂 +1 位作者 张贵锋 郑修麟 《西北工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第1期158-159,共2页
制备中远红外用ＺｎＳ体材料的新方法憨勇，刘正堂，张贵锋，郑修麟ＺｎＳ是一种用途广泛的宽带隙半导体光学材料，可用于制备大功率红外激光器窗口［ｌ］及红外吊舱、高速飞行器红外窗口和整流罩［２，３］。ＺｎＳ的制备可采用热压（... 制备中远红外用ＺｎＳ体材料的新方法憨勇，刘正堂，张贵锋，郑修麟ＺｎＳ是一种用途广泛的宽带隙半导体光学材料，可用于制备大功率红外激光器窗口［ｌ］及红外吊舱、高速飞行器红外窗口和整流罩［２，３］。ＺｎＳ的制备可采用热压（ＨＰ）法和化学气相沉积（ＣＶＤ）法... 展开更多
关键词 硫化锌 半导体 红外激光器 窗口
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室温脉冲激射的纵向控制InAs量子点激光器 被引量：4
3
作者 汪辉 朱海军 +2 位作者 王晓东 王海龙 封松林 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第4期328-332,共5页
利用一种我们新近提出的ＭＢＥ自组织ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ量子点生长方式，制成条型激光器，在室温脉冲工作条件下实现了激射．与测得的光致发光（ＰＬ）谱对照，发现激射峰位与量子点的ＰＬ谱峰位基本吻合．不同激光器结构的样品激射峰... 利用一种我们新近提出的ＭＢＥ自组织ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ量子点生长方式，制成条型激光器，在室温脉冲工作条件下实现了激射．与测得的光致发光（ＰＬ）谱对照，发现激射峰位与量子点的ＰＬ谱峰位基本吻合．不同激光器结构的样品激射峰有相当大的移动，说明了激射来自量子点．在其它条件完全相同而仅有源区不同的条件下，纵向控制量子点激光器的阈值电流只是垂直耦合量子点激光器的１／３（６０ｍＡ∶２００ｍＡ），我们给出了一个简单的解释，并据此提出了一种实现调节量子点激光器激射能量的方法． 展开更多
关键词 量子点激光器 砷化铟 室温脉冲激射
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半导体激光倍频有机材料的探索和MHBA晶体的研究 被引量：1
4
作者 袁多荣 刘明果 +5 位作者 张囡 陶绪堂 侯文博 许东 邵宗书 蒋民华 《自然科学进展（国家重点实验室通讯）》 1995年第3期301-308,共8页
80年代以来,低功率半导体激光器(LD)获得了突破性的进展,随之而来的光电子技术向小型化、集成化、高速度、大容量的方向发展。为此,小型化的蓝紫光源在光盘存储、激光影视、激光打印、激光通讯等方面显示出巨大的应用价值和诱人的前景... 80年代以来,低功率半导体激光器(LD)获得了突破性的进展,随之而来的光电子技术向小型化、集成化、高速度、大容量的方向发展。为此,小型化的蓝紫光源在光盘存储、激光影视、激光打印、激光通讯等方面显示出巨大的应用价值和诱人的前景。光源波长越短、存储容量越大。 展开更多
关键词 激光倍频材料 MHBA晶体 半导体激光器
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在n—InP(100)衬底上低温液相外延生长1.55μm GaInAsP双异质结构层的研究
5
作者 邢启江 王舒民 +2 位作者 陈娓兮 章蓓 王若鹏 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 1990年第4期324-328,332,共6页
在590℃温度下,不使用1.3μm GaInAsP 防回熔层,直接在 n-InP(100)衬底上液相外延生长出1.55μm InP/GaInAsP/InP 双异质结构外延片。对这种外延片的生长情况及其特性和 InP 衬底的热损伤情况,本文作了详细的分析和讨论。
关键词 GAINASP 异质结构 液相外延 n-InP
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分子束外延锑化物激光器、探测器材料与器件研究 被引量：1
6
作者 李爱珍 《材料导报》 EI CAS CSCD 2001年第2期20-21,共2页
Ⅲ-Ⅴ族锑化物由于具有一些独一无二的特点,使它越来越受到重视。首先锑化物的禁带宽度比砷化镓的小,与砷化镓相比,它在中红外应用方面有其独特的优势。其次,锑化物和砷化物组成的微结构材料能带排列包含了跨立式的Ⅰ型、错开式的Ⅱ型... Ⅲ-Ⅴ族锑化物由于具有一些独一无二的特点,使它越来越受到重视。首先锑化物的禁带宽度比砷化镓的小,与砷化镓相比,它在中红外应用方面有其独特的优势。其次,锑化物和砷化物组成的微结构材料能带排列包含了跨立式的Ⅰ型、错开式的Ⅱ型和反转型的Ⅱ型,这些导致的能带排列为凝聚态低维量子物理基础研究、创造新材料、新器件、新概念提供了广阔的天地。工作于2～5μm中红外波段的锑化物激光器、探测器在特征分子光谱仪、毒品检测、环保、红外遥感、遥测、激光医学及光电子对抗中有重要的应用。但锑化物材料存在大的不互溶隙,处于不互溶隙内的多元系锑化物材料为亚稳态应变材料。 展开更多
关键词 锑化物激光器 锑化物探测器 材料 分子束外延生长 制备
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铌酸钾锂晶体的生长与性能
7
作者 徐家跃 林雅芳 范世 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期747-750,共4页
使用坩埚下降法成功生长了尺寸为φ１０ｍｍ×５０ｍｍ、四方钨青铜结构、透明铌酸钾锂晶体，讨论了引起晶体开裂的主要原因，研究了该晶体的光透过性能和介电性能，室温下该晶体的介电常数ε_（３３）＝１２７，ε_（１１）＝３７... 使用坩埚下降法成功生长了尺寸为φ１０ｍｍ×５０ｍｍ、四方钨青铜结构、透明铌酸钾锂晶体，讨论了引起晶体开裂的主要原因，研究了该晶体的光透过性能和介电性能，室温下该晶体的介电常数ε_（３３）＝１２７，ε_（１１）＝３７６，居里温度为３８０℃． 展开更多
关键词 铌酸钾锂晶体 坩埚下降法 晶体生长 激光器
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半导体聚合物激光器的建立
8
《激光与光电子学进展》 CSCD 1998年第11期24-25,共2页
关键词 半导体激光器 聚合物 低质谐振腔 可见波段
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光泵蓝光有机半导体激光器
9
《激光与光电子学进展》 CSCD 1999年第4期15-18,共4页
由于有机发光器件（ＯＬＥＤ）在扁平面显示器上的潜在应用，人们对有机半导体材料发生了兴趣，并在对聚合物和小分子量有机半导体的理解上取得重大进展［１，２］。此外，最近对光泵有机半导体薄膜激光作用的兴趣已为实现以这种材料为... 由于有机发光器件（ＯＬＥＤ）在扁平面显示器上的潜在应用，人们对有机半导体材料发生了兴趣，并在对聚合物和小分子量有机半导体的理解上取得重大进展［１，２］。此外，最近对光泵有机半导体薄膜激光作用的兴趣已为实现以这种材料为基础的电泵浦激光器提供了可能。有机... 展开更多
关键词 光泵 有机半导体 半导体激光器 OLED
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