基于小波包—坐标变换的滚动轴承故障特征增强方法 被引量：18

1

作者 李宏坤 赵长生 +1 位作者 周帅 郭义杰 《机械工程学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第19期74-80,共7页

滚动轴承早期故障特征信号微弱且易受正常成分干扰,因此不易准确识别滚动轴承的早期故障。对含有微弱故障的滚动轴承信号进行小波包分解,通过对小波包分解得到的各子带进行研究,提出一种基于小波包—坐标变换(Wavelet packet-coordinate... 滚动轴承早期故障特征信号微弱且易受正常成分干扰,因此不易准确识别滚动轴承的早期故障。对含有微弱故障的滚动轴承信号进行小波包分解,通过对小波包分解得到的各子带进行研究,提出一种基于小波包—坐标变换(Wavelet packet-coordinate transformation,WP-CT)的故障特征增强方法。考虑到各频带均包含不同程度的故障信息,将小波包分解后的所有子带进行主分量分析(Principal component analysis,PCA)或独立分量分析(Independent component analysis,ICA)坐标变换,进而重构信号以进行滚动轴承故障识别。此方法能够削弱原始信号中正常成分带来的干扰,突出故障冲击成分,充分挖掘所有子带隐含的故障信息,从而提升故障识别能力。为证明此方法的有效性,采用仿真信号和工程实际信号验证分析,相比传统方法,基于小波包—坐标变换的新方法能够突出故障微弱特征,有利于滚动轴承早期状态识别和诊断技术的发展。 展开更多

关键词 小波包 坐标变换 特征增强 主分量分析 独立分量分析

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复小波共振解调频带优化方法和新指标 被引量：62

2

作者 张龙 熊国良 黄文艺 《机械工程学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第3期129-138,共10页

滚动轴承发生局部故障时,其振动信号中将出现周期性发生的脉冲响应。共振解调被广泛用于从振动信号中提取此类冲击响应特征,但其首要问题是确定带通滤波器的中心频率和带宽。现有的频带优化方法存在计算量大且优化指标只考虑信号中冲击... 滚动轴承发生局部故障时,其振动信号中将出现周期性发生的脉冲响应。共振解调被广泛用于从振动信号中提取此类冲击响应特征,但其首要问题是确定带通滤波器的中心频率和带宽。现有的频带优化方法存在计算量大且优化指标只考虑信号中冲击成分的强弱、而未考虑脉冲发生的周期性特征等缺点。针对不足,确定了以中心频率为主带宽为辅的频带参数优化方法,并提出了一个既能反映信号中冲击成分的存在及强弱又能突出冲击发生的周期性特点的频带优化新指标——包络谱峰值因子,该因子定义为包络谱最大值与有效值之比。将此方法和新指标应用于复平移Morlet小波共振解调的频带优化,通过轴承疲劳试验数据分析及工程实际应用并与峭度、平滑度指标和山农熵进行比较,验证了该方法和指标在最优频带确定中的有效性和优越性。 展开更多

关键词 共振解调 小波滤波 MORLET小波 频带优化

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双极集成电路低剂量率辐射损伤增强效应的高温辐照加速实验 被引量：5

3

作者 刘敏波 陈伟 +5 位作者 姚志斌 黄绍艳 何宝平 盛江坤 肖志刚 王祖军 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第3期214-218,共5页

选择了四种典型双极集成电路,在两种不同剂量率下,开展了不同温度的高温辐照加速实验,测量了典型双极集成电路的辐射敏感参数在不同高温辐照下的变化规律。实验结果表明:高温辐照能够给出空间低剂量率辐射损伤增强效应的保守估计,且存... 选择了四种典型双极集成电路,在两种不同剂量率下,开展了不同温度的高温辐照加速实验,测量了典型双极集成电路的辐射敏感参数在不同高温辐照下的变化规律。实验结果表明:高温辐照能够给出空间低剂量率辐射损伤增强效应的保守估计,且存在最佳辐照温度,最佳辐照温度随总剂量的增加向低温区漂移,随剂量率的增大向高温区漂移,在相同剂量率和总剂量下,输入级为NPN晶体管的双极集成电路比输入级为PNP晶体管的最佳辐照温度低。 展开更多

关键词 双极集成电路 低剂量率 高温辐照 界面态

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场致电子发射技术分析 被引量：6

4

作者 张连俊 赵立芳 罗恩泽 《电子器件》 CAS 2000年第3期210-213,共4页

本文介绍了场致发射的机理及场致发射的几种不同类型的阴极 ,叙述了类金刚石薄膜作为场致发射阴极的优点 ,最后对场致发射的应用进行了分析。

关键词 场致发射 阴极 类金刚石薄膜 场致发射器件

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电真空器件热阴极加热功率与温度分布关系的测试与模拟 被引量：6

5

作者 刘竞业 张明 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第2期150-154,共5页

为确定电真空器件内热阴极区域的温度分布,以热阴极的热电子发射机理为基础,针对传统闸流管的经典热阴极构型,利用Comsol软件对一定几何结构的热阴极进行了物理建模,依据热传导的相关理论,合理地设定了模型边界的热量传递和交换条件,对... 为确定电真空器件内热阴极区域的温度分布,以热阴极的热电子发射机理为基础,针对传统闸流管的经典热阴极构型,利用Comsol软件对一定几何结构的热阴极进行了物理建模,依据热传导的相关理论,合理地设定了模型边界的热量传递和交换条件,对热丝加热功率与阴极表面温度分布进行了模拟分析,所得结果与实际测试结果进行了对比,达到了相当吻合的程度;同时确定了绝缘陶瓷的有关物理参数是导致阴极温度不高的一个主要因素。从而说明本文所探寻的利用数值模拟方法分析热阴极构型的电真空器件内的温度分布是准确而有效的方法。 展开更多

关键词 热阴极 温度 电子发射 热传导 数值模拟

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轴对称真空二极管空间电荷限制流 被引量：3

6

作者 郝建红 曹占国 周前红 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第12期39-44,共6页

基于ArcPIC代码采用PIC-MCC方法,模拟研究了轴对称真空二极管放电时电子密度和阴极表面场强分布情况,同时给出了二维空间电荷限制流的一阶和二阶拟合公式。研究发现,真空二极管放电时阴极表面电场会随阴极注入电流密度的增加而增加,而... 基于ArcPIC代码采用PIC-MCC方法,模拟研究了轴对称真空二极管放电时电子密度和阴极表面场强分布情况,同时给出了二维空间电荷限制流的一阶和二阶拟合公式。研究发现,真空二极管放电时阴极表面电场会随阴极注入电流密度的增加而增加,而后出现振荡并趋于一个稳定状态;二维空间电荷限制流密度值随阴极发射半径的增大而减小,且阴极发射半径越大越接近一维空间电荷限制流值。 展开更多

关键词 真空二极管 空间电荷限制流 PIC-MCC模拟

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金属陶瓷气体放电管的稳定性研究 被引量：7

7

作者 李荣玉 《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第5期136-138,共3页

阐述了金属陶瓷气体放电管过电压保护原理．讨论了阴极材料和气体对放电管击穿电压的影响，提出了改进措施，研制了优良品质的放电管．

关键词 气体放电管 金属陶瓷放电管 稳定性 过电压保护

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冷阴极等离子体开关栅极设置的数值模拟分析 被引量：1

8

作者 刘竞业 张明 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2010年第9期129-138,共10页

为设计兼具闸流管和真空电子管优点的开关器件,利用Xoopic软件,采用有限时域差分法(FDTD)和YEE网格法,对所设计的开关器件的工作过程进行了数值模拟。分析了源栅极和控制栅极的相对电位、源栅极和控制栅极的相对位置与栅孔直径的关系以... 为设计兼具闸流管和真空电子管优点的开关器件,利用Xoopic软件,采用有限时域差分法(FDTD)和YEE网格法,对所设计的开关器件的工作过程进行了数值模拟。分析了源栅极和控制栅极的相对电位、源栅极和控制栅极的相对位置与栅孔直径的关系以及电磁场分布等因素对预电离的产生和预电离区域稳定性的影响,得到了电场对应电压为200～300V、磁场的磁感应强度为0.045～0.055T时,开关器件可维持稳定预电离状态的结果,同时确定了当栅孔直径为1.2mm,两栅极直径之比小于0.9时,控制栅极能对器件的通断起到有效控制作用的结论。 展开更多

关键词 开关 脉冲 栅极 阴极 电离 数值模拟

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等离子体交叉场调制开关导通过程的模拟与测试 被引量：1

9

作者 刘竞业 张明 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第6期499-503,共5页

以冷阴极等离子体交叉场调制开关为研究对象,将系统内放电过程中形成的等离子体视为电子与正离子构成的双流体,引入扩散系数与迁移率来表征电子流与离子流的运动,用离子产率来表征与流体密切相关的离子密度随放电时间的进行而发生的变化... 以冷阴极等离子体交叉场调制开关为研究对象,将系统内放电过程中形成的等离子体视为电子与正离子构成的双流体,引入扩散系数与迁移率来表征电子流与离子流的运动,用离子产率来表征与流体密切相关的离子密度随放电时间的进行而发生的变化,耦合泊松方程来描述等离子体与外电场的相互影响,同时,将气体间隙的脉冲放电合理的与直流放电等效,并确定外电路各量之间的函数关系,利用Comsol软件对调制开关的导通过程进行了数值模拟,所得结果与实测结果吻合,证明了模拟脉冲放电中管内阻抗随时间的变化关系是准确的,从而说明本文所采用的模拟方法对气体放电器件的研制具有积极的指导意义。 展开更多

关键词 脉冲 直流放电 建模 等离子体 数值模拟

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等离子体交叉场调制开关的相关磁场模拟 被引量：1

10

作者 王刚 刘竞业 高媛 《真空》 CAS 北大核心 2011年第4期56-60,共5页

等离子体交叉场调制开关(简称PCMS管)采用外加磁场的设计,基于冷阴极潘宁放电原理产生等离子体。本文应用基于有限元法的多物理场仿真模拟软件Comsol 4.0对PCMS管器件模型进行二维建模;同时,建立了电子在磁场作用下的漂移扩散模型;分别... 等离子体交叉场调制开关(简称PCMS管)采用外加磁场的设计,基于冷阴极潘宁放电原理产生等离子体。本文应用基于有限元法的多物理场仿真模拟软件Comsol 4.0对PCMS管器件模型进行二维建模;同时,建立了电子在磁场作用下的漂移扩散模型;分别对磁场大小以及磁场区域的变化进行了模拟计算,重点讨论磁场的引入对电子密度分布的影响,从而确定磁场的最佳设置。 展开更多

关键词 等离子体开关 磁场模拟 潘宁放电

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等离子体开关器件电极设置的基础模拟分析 被引量：1

11

作者 王卉 刘竞业 +1 位作者 周亮 张明 《真空电子技术》 2011年第2期32-36,39,共6页

利用Xoopic软件,采用有限时域差分(FDTD)和YEE网格法,对所设计的冷阴极交叉场等离子体调制开关的工作过程进行了数值模拟,模拟分析了源栅极和控制栅极的相对电位、源栅极和控制栅极的相对位置、以及电磁场分布等因素对预电离的产生和预... 利用Xoopic软件,采用有限时域差分(FDTD)和YEE网格法,对所设计的冷阴极交叉场等离子体调制开关的工作过程进行了数值模拟,模拟分析了源栅极和控制栅极的相对电位、源栅极和控制栅极的相对位置、以及电磁场分布等因素对预电离的产生和预电离区域稳定性的影响,同时也着重模拟分析了阴极材料的二次发射系数、二次发射程度、电磁场分布等因素对开关通导及其过程稳定性的影响,确定了影响系统放电状态、点火时间和对脉冲电流峰值有效调制的因素,得到了当栅极透明度为0.5,两栅极半径之比小于0.9时,控制栅极能对器件的通断起到有效控制的结论。 展开更多

关键词 开关 脉冲 栅极 阴极 电离 数值模拟

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空心阴极放电特性的研究 被引量：2

12

作者 李学丹 万英超 《真空与低温》 1991年第2期4-6,共3页

讨论了空心阴极放电的特征以及它的应用。实验研究由平行平板组成的一种空心阴极结构,得出了产生空心阴极效应的条件。最后分析讨论了产生空心阴极效应的机理与实验结果。

关键词 冷阴极 空心阴极 辉光放电

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等离子体装置通导脉冲电流的模拟初探 被引量：1

13

作者 张明 刘竞业 《真空电子技术》 2010年第2期59-62,共4页

利用Xoopic软件,采用有限时域差分法(FDTD)和YEE网格法,对等离子体通导脉冲电流的工作过程进行了数值模拟,特别侧重于分析通导系统内气体压强对电离所产生的等离子体浓度的影响、以及施加于系统的磁场对气体放电区域的控制作用,得出了... 利用Xoopic软件,采用有限时域差分法(FDTD)和YEE网格法,对等离子体通导脉冲电流的工作过程进行了数值模拟,特别侧重于分析通导系统内气体压强对电离所产生的等离子体浓度的影响、以及施加于系统的磁场对气体放电区域的控制作用,得出了通过压强的控制可以对系统放电状态进行有效的调整的结论,并获得了外加磁场大小的最佳取值,同时得到了为减小阴极溅射,对磁场合理设置的定性范围。 展开更多

关键词 脉冲 栅极 阴极 电离 数值模拟

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氢气直流放电的等离子体数值模拟研究

14

作者 刘竞业 高媛 张明 《真空电子技术》 2012年第2期44-46,67,共4页

针对低气压、弱电离条件下的氢气放电,建立了二维直流放电模型,建模中修正了有关文献中边界条件的不足,在阴极处,引入了金属电子溢出功和二次电子发射系数来表征电子与离子密度之间的关系;同时由动理论表征了电子能量的分布,依据双流体... 针对低气压、弱电离条件下的氢气放电,建立了二维直流放电模型,建模中修正了有关文献中边界条件的不足,在阴极处,引入了金属电子溢出功和二次电子发射系数来表征电子与离子密度之间的关系;同时由动理论表征了电子能量的分布,依据双流体理论,以作者所分析确定的主要影响低气压、弱电离条件下氢气放电的11种碰撞反应为基础,进行了模拟计算。得出了迁移率、极间距和最小击穿电压间的对应关系,并将模拟曲线与标准的帕邢曲线进行了对比,得到了吻合的结果。 展开更多

关键词 氢等离子体 极间距 迁移率 碰撞反应 帕邢曲线

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斜齿轮齿面的修形优化设计及分析 被引量：9

15

作者 贾超 方宗德 +1 位作者 张西金 杨小辉 《华中科技大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第5期66-71,共6页

为了减小斜齿轮的振动与噪音,提出了一种斜齿轮齿面的修形设计方法.首先,由两段四阶抛物线和一段直线组成齿向修形曲线,齿廓修形曲线则被设计为一高阶抛物线,根据齿轮对的设计重合度来确定高阶抛物线的基本形状;然后,由三次B样条拟合得... 为了减小斜齿轮的振动与噪音,提出了一种斜齿轮齿面的修形设计方法.首先,由两段四阶抛物线和一段直线组成齿向修形曲线,齿廓修形曲线则被设计为一高阶抛物线,根据齿轮对的设计重合度来确定高阶抛物线的基本形状;然后,由三次B样条拟合得到修形曲面,通过其与标准齿面的直接叠加来构造高阶修形齿面;最后,结合承载接触分析（LTCA）和智能优化算法建立优化模型,以承载传动误差幅值（ALTE）为优化目标得到最终的齿面修形参数.计算结果表明：随着负载增加,高阶修形曲线上的内凹量逐渐增加;在高、中、低三种负载下,高阶修形都能有效大幅降低ALTE,而传统修形只能在较低负载下大幅降低ALTE. 展开更多

关键词 斜齿轮 高阶修形 轮齿接触分析 承载接触分析 承载传动误差

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基于复小波变换相位谱的齿轮故障诊断 被引量：9

16

作者 于德介 程军圣 成琼 《振动．测试与诊断》 EI CSCD 2004年第4期275-276,共2页

提出了一种基于复小波变换诊断齿轮故障的新方法。利用 Mexican- hat调制复小波基函数对齿轮振动信号进行连续小波变换 ,再作相位的频谱分析 ,可以突出边频带结构 ,识别不同故障模式。试验数据的分析结果表明 ,该方法适用于齿轮故障诊... 提出了一种基于复小波变换诊断齿轮故障的新方法。利用 Mexican- hat调制复小波基函数对齿轮振动信号进行连续小波变换 ,再作相位的频谱分析 ,可以突出边频带结构 ,识别不同故障模式。试验数据的分析结果表明 ,该方法适用于齿轮故障诊断 ,与传统的自功率谱方法以及基于实值小波的小波变换方法相比 ,这种方法效果更好。 展开更多

关键词 齿轮故障诊断 小波变换 复小波基函数 相位

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GaN基蓝色LED的研究进展 被引量：10

17

作者 段猛 郝跃 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期60-65,共6页

介绍了GaN材料的基本特性、GaN材料适于做蓝光LED的优势以及具有典型代表意义的GaN基LED器件,讨论了该领域国际最新研究出的蓝光LED和工作原理;从其发展进程中不难看出,改变器件结构、提高材料质量或采用新型材料使GaN基蓝光LED的光谱... 介绍了GaN材料的基本特性、GaN材料适于做蓝光LED的优势以及具有典型代表意义的GaN基LED器件,讨论了该领域国际最新研究出的蓝光LED和工作原理;从其发展进程中不难看出,改变器件结构、提高材料质量或采用新型材料使GaN基蓝光LED的光谱质量和量子效率有了本质提高.同时就制备过程中的关键工艺技术(包括p型掺杂、退火温度、欧姆接触等)及国内外研究进展进行了探讨,对GaN基LED的发展方向及应用前景提出了展望. 展开更多

关键词 GAN 蓝光LED 发展进程 蓝发发光二极管 氮化镓

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场致发射显示屏技术的研究

18

作者 张连俊 《山东理工大学学报（自然科学版）》 CAS 2005年第4期47-52,共6页

介绍了场致发射显示技术的工作原理及特点,分析了微尖型场致发射阴极、膜状型场致发射阴极的场致电子发射特性,对场致发射显示屏(FEDS)的结构做了研究,并讨论了影响场致发射显示屏性能的主要因素及改进的措施.

关键词 场致发射技术 微尖型阴极 膜状型阴极

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运动微粒导致间隙击穿的模拟研究 被引量：1

19

作者 徐翱 钟伟 +2 位作者 金大志 陈磊 谈效华 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第8期637-643,共7页

当在充满气体的两电极平板间隙中,运动的带电微米级微粒由于外力作用运动到电极表面附近时,可能会引起微粒与电极间局部微放电,甚至在一定条件下可能会引发间隙气体击穿,这是一种非常特殊的击穿现象。因此,本文通过理论公式和静电场模拟... 当在充满气体的两电极平板间隙中,运动的带电微米级微粒由于外力作用运动到电极表面附近时,可能会引起微粒与电极间局部微放电,甚至在一定条件下可能会引发间隙气体击穿,这是一种非常特殊的击穿现象。因此,本文通过理论公式和静电场模拟,分析了不同大小的带电微粒距离阴极表面不同距离的电场畸变情况;接着基于二维轴对称网格粒子法耦合蒙特卡洛碰撞(PIC-MCC)算法,建立了带电微粒距离电极表面1μm处引发间隙气体击穿的仿真模型,并与不考虑微粒的仿真计算结果进行了对比,获得了电子、离子在不同情况下的时空分布演化过程,揭示了带电微粒接近导致阴极表面电场增强从而发射场致电子是引发间隙气体击穿的首要原因,并阐明了这些电子引发间隙击穿的物理机制。这为进一步深入理解运动微粒引发间隙击穿的物理机理奠定了基础。 展开更多

关键词 微粒 击穿 电荷 等离子体 模拟

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大面积六硼化镧薄膜阴极制备及性能 被引量：1

20

作者 刘曾怡 林祖伦 +2 位作者 王小菊 曹贵川 祁康成 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第4期1101-1104,共4页

采用电子束蒸发方法在大面积玻璃基底和钽基底上沉积六硼化镧薄膜阴极。分别对玻璃基底上沉积的六硼化镧薄膜的生长取向、附着力与不同蒸发角度(0°,30°,45°和60°)的关系进行了研究;对钽基底上沉积的六硼化镧薄膜阴... 采用电子束蒸发方法在大面积玻璃基底和钽基底上沉积六硼化镧薄膜阴极。分别对玻璃基底上沉积的六硼化镧薄膜的生长取向、附着力与不同蒸发角度(0°,30°,45°和60°)的关系进行了研究;对钽基底上沉积的六硼化镧薄膜阴极的逸出功进行了研究。结果表明:在基底温度为250℃时,制备的六硼化镧薄膜具有(100)晶面择优生长的特点;蒸发角度为45°时,六硼化镧薄膜(100)晶面的晶格常数与靶材相差最小,晶粒较小;根据优化的工艺制备的六硼化镧薄膜阴极的逸出功为2.56 eV。 展开更多

关键词 电子束蒸发 六硼化镧薄膜 蒸发角度 逸出功 大面积薄膜阴极

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