期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到7篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
半导体放电管多元胞结构模型研究 被引量：2
1
作者 王惠刚 余岳辉 +1 位作者 刘凤美 彭昭廉 《华中理工大学学报》 CSCD 北大核心 1999年第12期11-12,15,共3页
在半导体放电管的版面设计上提出了多元胞结构版图．对多元胞结构“短路模型”进行了理论分析和实验验证，结果表明合理设计多元胞版图尺寸和ｐ 基区薄层电阻可以改善器件的转折导通特性，从而为简化半导体放电管生产工艺提供了依据．
关键词 多元胞 浪涌能力 半导体放电管 版面设计
在线阅读 下载PDF
大电流密度放电中钾的Penning电离观测
2
作者 王骐 赵利 +1 位作者 朱瑞义 马祖光 《激光技术》 CAS CSCD 1995年第3期174-178,共5页
本文叙述了自制的大电流密度、快脉冲放电电源，及用该放电装置激励Ｈｅ／Ｋ混合蒸气，观测到Ｈｅ／Ｋ间能量传递产生的钾的Ｐｅｎｎｉｎｇ电离。
关键词 大电流密度 快脉冲放电 He/K蒸气 Penning电离
在线阅读 下载PDF
Vishay新款表面贴装TRANSZORB~双向TVS具有3kW的高浪涌能力
3
《电子设计工程》 2013年第3期162-162,共1页
VishayIntertechnology，Inc．宣布。推出采用SMCDO-214AB封装的新系列表面贴装TRANSZORB@双向瞬态电压抑制器（TVS）——SMC3K。该系列器件在10／1000μs下的浪涌能力达到3kW，可用于汽车和电信应用。采用SMC封装的新SMC3K系列的浪涌... VishayIntertechnology，Inc．宣布。推出采用SMCDO-214AB封装的新系列表面贴装TRANSZORB@双向瞬态电压抑制器（TVS）——SMC3K。该系列器件在10／1000μs下的浪涌能力达到3kW，可用于汽车和电信应用。采用SMC封装的新SMC3K系列的浪涌能力是传统1．5kW器件的两倍，提高了设计灵活性和兼容性。另外，这款TVS的低应力、对称引线框设计具有汽车应用所需的高可靠性。 展开更多
关键词 浪涌能力 表面贴装 TVS 瞬态电压抑制器 汽车应用 电信应用 高可靠性 Inc
在线阅读 下载PDF
AC PDP单元中He-Xe放电动力学的分析
4
作者 陈秀敏 《光电子技术》 CAS 1998年第4期263-266,共4页
用图像增强CCD摄像机测量了单向表面放电型ACPDP单元中Xe（3P1）共振发射的147nmVUV以及He－Xe放电产生的连续光谱的时间变化。共振辐射的详细测量呈现出强压力增宽、快速升到它的峰值以及具有多时间常数衰减的现象。衰减时间常数、共... 用图像增强CCD摄像机测量了单向表面放电型ACPDP单元中Xe（3P1）共振发射的147nmVUV以及He－Xe放电产生的连续光谱的时间变化。共振辐射的详细测量呈现出强压力增宽、快速升到它的峰值以及具有多时间常数衰减的现象。衰减时间常数、共振相对强度和二聚物辐射是随总气压以及Xe含量的变化而变化的，这就意味着：碰撞激发、去激以及隔能级跃迁在确定VUV发射特性中起着重要的作用。我们求解了He－Xe放电反应方程以及用于电子、离子的二维多气体方程，用以解释实验结果并说明在ACPDP单元中主运动轨迹导致了VUV发射。 展开更多
关键词 ACPDP单元 氦氖放电动力学 CCD摄像机 VUV
在线阅读 下载PDF
全新ESD保护系列
5
《今日电子》 2016年第2期93-93,共1页
该产品系列集超低容值、低钳位电压、超强ESD抗打击及防浪涌能力能力于一身，这三大关键能力参数在工作时同时呈现最优指标，目前在业界尚属首次，因此特别适用于包括USBTypeC在内的超高速传输接口，为其应用提供最全面的ESD保护。
关键词 ESD保护 浪涌能力 最优指标 能力参数 传输接口 工作时 超高速 超强
在线阅读 下载PDF
高浪涌能力FlatPower封装的TVS二极管
6
《今日电子》 2009年第3期90-90,共1页
SOD123WTVS器件采用新型的SOD123W FlatPower封装。该系二极管提供400W额定峰值脉冲功率（10／1000uS），单位PCB面积的浪涌能力约为67w／mm^2。该二极管旨在保护电压敏感元件免受瞬时电压影响，适合电源、数据或信号线路、医疗设备及... SOD123WTVS器件采用新型的SOD123W FlatPower封装。该系二极管提供400W额定峰值脉冲功率（10／1000uS），单位PCB面积的浪涌能力约为67w／mm^2。该二极管旨在保护电压敏感元件免受瞬时电压影响，适合电源、数据或信号线路、医疗设备及电信电路等各种电子应用。它符合苛刻的AEC-Q101标准， 展开更多
关键词 TVS二极管 浪涌能力 封装 脉冲功率 敏感元件 信号线路 电子应用 医疗设备
在线阅读 下载PDF
高浪涌能力FlatPower封装的TVS二极管
7
《今日电子》 2009年第7期48-48,共1页
SOD123WTVS器件采用新型的SOD123W FlatPower封装。该系列二极管提供400W额定峰值脉冲功率（10／1000μs），单位PCB面积的浪涌能力约为67W／mm2。该二极管旨在保护电压敏感元件免受瞬时电压影响，适合电源、数据或信号线路、医疗设备... SOD123WTVS器件采用新型的SOD123W FlatPower封装。该系列二极管提供400W额定峰值脉冲功率（10／1000μs），单位PCB面积的浪涌能力约为67W／mm2。该二极管旨在保护电压敏感元件免受瞬时电压影响，适合电源、数据或信号线路、医疗设备及电信电路等各种电子应用。它符合苛刻的AEC-Q101标准，可以用于所有汽车电子和工业应用。 展开更多
关键词 TVS二极管 浪涌能力 封装 脉冲功率 敏感元件 信号线路 电子应用 医疗设备
在线阅读 下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部