基于异构系统的OTA升级优化研究 被引量：3

1

作者 吴怀仁 车龙 李志新 《电子设计工程》 2025年第1期160-165,共6页

针对异构系统在升级时面临的多系统并发升级往往耗时较长,会加重用户等待负担的问题,采用OTA升级技术进行优化。通过对升级流程的深度革新,提出了基于A核与M核并行刷写,且M核的Norflash擦写采用流控并发的方法。通过实验证明,提出的方... 针对异构系统在升级时面临的多系统并发升级往往耗时较长,会加重用户等待负担的问题,采用OTA升级技术进行优化。通过对升级流程的深度革新,提出了基于A核与M核并行刷写,且M核的Norflash擦写采用流控并发的方法。通过实验证明,提出的方法可有效缩短异构系统升级时间,确保在各种电量条件下都能高效安全地完成升级任务,为智能汽车的OTA升级体验带来了实质性的改善。 展开更多

关键词 智能汽车 汽车电子架构 异构系统 OTA 升级时长

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半导体放电管多元胞结构模型研究 被引量：2

2

作者 王惠刚 余岳辉 +1 位作者 刘凤美 彭昭廉 《华中理工大学学报》 CSCD 北大核心 1999年第12期11-12,15,共3页

在半导体放电管的版面设计上提出了多元胞结构版图．对多元胞结构“短路模型”进行了理论分析和实验验证，结果表明合理设计多元胞版图尺寸和ｐ 基区薄层电阻可以改善器件的转折导通特性，从而为简化半导体放电管生产工艺提供了依据．

关键词 多元胞 浪涌能力 半导体放电管 版面设计

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用于火焰探测的紫外光敏管 被引量：9

3

作者 陈章其 《传感技术学报》 CAS CSCD 1996年第1期55-59,共5页

介绍了用于火焰探测紫外光敏管的结构、工作原理和主要技术参数,讨论了紫外光敏管材料及管内工作气氛的选择原则,并对影响紫外光敏管性能参数的因素作了讨论.

关键词 放电管 紫外光敏管 火焰探测

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一种新型高压线性锯齿波的设计及实现 被引量：1

4

作者 孙玉轩 程东红 刘坚强 《测控技术》 CSCD 2001年第2期62-64,共3页

主要介绍经A/D变换后 ,利用嵌入式计算机实现对普通高压线性锯齿波实时控制调整的方法。文中给出了实际调控中硬件实现与软件调整之间的制约及互补关系 ,并介绍了两种特殊应用。

关键词 高压线性锯齿波 A/D变换器 反馈控制 放电管 设计

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平板型臭氧发生器主要特性的实验研究 被引量：1

5

作者 胡剑飞 凌一鸣 《电子器件》 EI CAS 2006年第1期102-104,共3页

由于臭氧(O3)的独特性质使得它在社会发展中的应用得到越来越多的重视,但是由于臭氧合成效率低,人们一直在寻求高效的臭氧合成方法和装置。在众多臭氧合成方法中,介质阻挡放电法因其结构简单、成本低廉一直为大规模工业臭氧合成的主要... 由于臭氧(O3)的独特性质使得它在社会发展中的应用得到越来越多的重视,但是由于臭氧合成效率低,人们一直在寻求高效的臭氧合成方法和装置。在众多臭氧合成方法中,介质阻挡放电法因其结构简单、成本低廉一直为大规模工业臭氧合成的主要方法。这篇论文对平板型介质阻挡放电臭氧发生器的实验过程及结果进行了陈述和理论分析,在本实验室的条件下对影响臭氧产量和浓度的主要因素,诸如气隙宽度、电源电压和频率以及介质层厚度,进行了实验研究,得出最佳的工作条件为:气隙宽度为1.7mm,电源电压为7.5kV,电源频率为38kHz,介质层厚度为1.5mm。 展开更多

关键词 介质阻挡放电 臭氧 臭氧发生器

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静电探针收集电子流 被引量：2

6

作者 冯玉国 《真空》 CAS 北大核心 1990年第2期1-7,共7页

导出了静电探针在非平衡态的辉光放电等离子体中收集电子流的公式，证明了在探 针鞘电压为负值时，对平板形、球形、圆柱形探针具有相似的公式。当探针鞘电压为正 值时不同形状的探针收集电子流的公式是不同的。在鞘电压为０点附近，探... 导出了静电探针在非平衡态的辉光放电等离子体中收集电子流的公式，证明了在探 针鞘电压为负值时，对平板形、球形、圆柱形探针具有相似的公式。当探针鞘电压为正 值时不同形状的探针收集电子流的公式是不同的。在鞘电压为０点附近，探针收集的电 子流是连续的。而且电子流对鞘电压的一次微商在鞘电压为０时达到最大值。这可以作 为测量等离子空间电位的依据。 展开更多

关键词 静电探针 电子流 收集 辉光放电

原文传递

大电流密度放电中钾的Penning电离观测

7

作者 王骐 赵利 +1 位作者 朱瑞义 马祖光 《激光技术》 CAS CSCD 1995年第3期174-178,共5页

本文叙述了自制的大电流密度、快脉冲放电电源，及用该放电装置激励Ｈｅ／Ｋ混合蒸气，观测到Ｈｅ／Ｋ间能量传递产生的钾的Ｐｅｎｎｉｎｇ电离。

关键词 大电流密度 快脉冲放电 He/K蒸气 Penning电离

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稳态放电等离子区中电子温度的双探针测量法 被引量：4

8

作者 陈宗柱 《电子器件》 CAS 1995年第2期90-96,共7页

本文评述电子温度双探针测量法的四个不同的计算公式。应用此法测量了低气压氖气辉光放电等离子区中的电子温度，并计算了它的理论值。文中还讨论在我们实验中出现的非对称双探针特性的曲线及相应的计算电子温度的公式。

关键词 稳态放电 等离子区 电子温度 双探针 测量法

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钨、氧化钪混合基底阴极

9

作者 周志正 陈爱菊 《真空电子技术》 北大核心 1990年第5期60-61,共2页

文章介绍了钨、氧化钪混合基底阴极的制造工艺及其良好的结果。

关键词 钨 氧化钪 混合基底 阴极

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Vishay新款表面贴装TRANSZORB~双向TVS具有3kW的高浪涌能力

10

《电子设计工程》 2013年第3期162-162,共1页

VishayIntertechnology，Inc．宣布。推出采用SMCDO-214AB封装的新系列表面贴装TRANSZORB@双向瞬态电压抑制器（TVS）——SMC3K。该系列器件在10／1000μs下的浪涌能力达到3kW，可用于汽车和电信应用。采用SMC封装的新SMC3K系列的浪涌... VishayIntertechnology，Inc．宣布。推出采用SMCDO-214AB封装的新系列表面贴装TRANSZORB@双向瞬态电压抑制器（TVS）——SMC3K。该系列器件在10／1000μs下的浪涌能力达到3kW，可用于汽车和电信应用。采用SMC封装的新SMC3K系列的浪涌能力是传统1．5kW器件的两倍，提高了设计灵活性和兼容性。另外，这款TVS的低应力、对称引线框设计具有汽车应用所需的高可靠性。 展开更多

关键词 浪涌能力 表面贴装 TVS 瞬态电压抑制器 汽车应用 电信应用 高可靠性 Inc

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真空开关管的辉光放电清洗

11

作者 潘屹 《真空电子技术》 北大核心 1995年第4期54-54,59,共2页

真空开关管的辉光放电清洗辉光放电清洗用于真空开关管，清洗真空开关管的内部零件的表面。采用一种在内电极和其周围的铜栅极之间产生辉光放电现象的新技术。图１示出了辉光放电清洗的实验安排，内电极直径为５０ｍｍ，曲率半径为１０... 真空开关管的辉光放电清洗辉光放电清洗用于真空开关管，清洗真空开关管的内部零件的表面。采用一种在内电极和其周围的铜栅极之间产生辉光放电现象的新技术。图１示出了辉光放电清洗的实验安排，内电极直径为５０ｍｍ，曲率半径为１０ｍｍ，材料是高导无氧铜，外壳由玻璃... 展开更多

关键词 真空开关管 辉光放电 清洗

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AC PDP单元中He-Xe放电动力学的分析

12

作者 陈秀敏 《光电子技术》 CAS 1998年第4期263-266,共4页

用图像增强CCD摄像机测量了单向表面放电型ACPDP单元中Xe（3P1）共振发射的147nmVUV以及He－Xe放电产生的连续光谱的时间变化。共振辐射的详细测量呈现出强压力增宽、快速升到它的峰值以及具有多时间常数衰减的现象。衰减时间常数、共... 用图像增强CCD摄像机测量了单向表面放电型ACPDP单元中Xe（3P1）共振发射的147nmVUV以及He－Xe放电产生的连续光谱的时间变化。共振辐射的详细测量呈现出强压力增宽、快速升到它的峰值以及具有多时间常数衰减的现象。衰减时间常数、共振相对强度和二聚物辐射是随总气压以及Xe含量的变化而变化的，这就意味着：碰撞激发、去激以及隔能级跃迁在确定VUV发射特性中起着重要的作用。我们求解了He－Xe放电反应方程以及用于电子、离子的二维多气体方程，用以解释实验结果并说明在ACPDP单元中主运动轨迹导致了VUV发射。 展开更多

关键词 ACPDP单元 氦氖放电动力学 CCD摄像机 VUV

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全新ESD保护系列

13

《今日电子》 2016年第2期93-93,共1页

该产品系列集超低容值、低钳位电压、超强ESD抗打击及防浪涌能力能力于一身，这三大关键能力参数在工作时同时呈现最优指标，目前在业界尚属首次，因此特别适用于包括USBTypeC在内的超高速传输接口，为其应用提供最全面的ESD保护。

关键词 ESD保护 浪涌能力 最优指标 能力参数 传输接口 工作时 超高速 超强

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高浪涌能力FlatPower封装的TVS二极管

14

《今日电子》 2009年第3期90-90,共1页

SOD123WTVS器件采用新型的SOD123W FlatPower封装。该系二极管提供400W额定峰值脉冲功率（10／1000uS），单位PCB面积的浪涌能力约为67w／mm^2。该二极管旨在保护电压敏感元件免受瞬时电压影响，适合电源、数据或信号线路、医疗设备及... SOD123WTVS器件采用新型的SOD123W FlatPower封装。该系二极管提供400W额定峰值脉冲功率（10／1000uS），单位PCB面积的浪涌能力约为67w／mm^2。该二极管旨在保护电压敏感元件免受瞬时电压影响，适合电源、数据或信号线路、医疗设备及电信电路等各种电子应用。它符合苛刻的AEC-Q101标准， 展开更多

关键词 TVS二极管 浪涌能力 封装 脉冲功率 敏感元件 信号线路 电子应用 医疗设备

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高浪涌能力FlatPower封装的TVS二极管

15

《今日电子》 2009年第7期48-48,共1页

SOD123WTVS器件采用新型的SOD123W FlatPower封装。该系列二极管提供400W额定峰值脉冲功率（10／1000μs），单位PCB面积的浪涌能力约为67W／mm2。该二极管旨在保护电压敏感元件免受瞬时电压影响，适合电源、数据或信号线路、医疗设备... SOD123WTVS器件采用新型的SOD123W FlatPower封装。该系列二极管提供400W额定峰值脉冲功率（10／1000μs），单位PCB面积的浪涌能力约为67W／mm2。该二极管旨在保护电压敏感元件免受瞬时电压影响，适合电源、数据或信号线路、医疗设备及电信电路等各种电子应用。它符合苛刻的AEC-Q101标准，可以用于所有汽车电子和工业应用。 展开更多

关键词 TVS二极管 浪涌能力 封装 脉冲功率 敏感元件 信号线路 电子应用 医疗设备

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