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真空微电子三极管与四极管的模拟计算 被引量：1
1
作者 杨存宇 黄金源 杨中海 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第1期62-65,共4页
对真空微电子三极管、四极管进行了计算机模拟。模拟结果显示了发射电流与场致增强因于依赖表面的尖端半径、尖端高度等几何因素，并对微四极管的特性进行了分析。最后将微电子三极管与实验结果进行了比较，得到若干实用的结论。
关键词 真空微电子 计算机模拟 三极管 四极管
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大功率双端四极管TH680
2
作者 何盛方 《旭光技术》 1996年第1期25-25,21,共2页
关键词 双端四极管 TH680 设计 电真空器件
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