随着电子技术的发展,电子系统的集成度持续增加,使其对外部电磁环境越来越敏感。因此,为了提高射频微波电路的鲁棒性,研究半导体器件的可靠性至关重要。本文研究了磷化铟(InP)和砷化镓(GaAs)高电子迁移率晶体管(high electron mobility ...随着电子技术的发展,电子系统的集成度持续增加,使其对外部电磁环境越来越敏感。因此,为了提高射频微波电路的鲁棒性,研究半导体器件的可靠性至关重要。本文研究了磷化铟(InP)和砷化镓(GaAs)高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)低噪声放大器(low-noise amplifier,LNA)在电磁脉冲干扰下的非线性失真行为。随着注入脉冲功率的增大,HEMT的输出电流、载流子迁移率和跨导率降低,最终导致增益压缩。LNA的注入实验有效地验证了其失效机理,实验结果表明,InP HEMT在纳秒级脉宽的电磁脉冲干扰下,HEMT的增益瞬间被抑制,接收信号无法有效放大,且恢复到正常增益水平需要微秒级时间;而GaAs HEMT的增益在电磁脉冲结束后迅速恢复至正常水平。展开更多
采用一维带限Weierstrass分形粗糙海面模拟实际的粗糙海面,运用基于矩量法(method of mo-ment,MOM)结合基尔霍夫近似(Kirchhoff approximation,KA)的混合算法,研究了分形海面与上方需考虑旋转的复杂矩形截面导体柱的复合电磁散射。将不...采用一维带限Weierstrass分形粗糙海面模拟实际的粗糙海面,运用基于矩量法(method of mo-ment,MOM)结合基尔霍夫近似(Kirchhoff approximation,KA)的混合算法,研究了分形海面与上方需考虑旋转的复杂矩形截面导体柱的复合电磁散射。将不同入射角情形下的混合算法计算结果与传统的MOM结果进行了比对,结果表明该混合算法具有较高的准确性和计算效率。最后,讨论了复合散射系数与粗糙海面参数、目标参数以及入射波参数之间的依赖关系,得到了较完整的复合电磁散射特征。展开更多
文摘采用一维带限Weierstrass分形粗糙海面模拟实际的粗糙海面,运用基于矩量法(method of mo-ment,MOM)结合基尔霍夫近似(Kirchhoff approximation,KA)的混合算法,研究了分形海面与上方需考虑旋转的复杂矩形截面导体柱的复合电磁散射。将不同入射角情形下的混合算法计算结果与传统的MOM结果进行了比对,结果表明该混合算法具有较高的准确性和计算效率。最后,讨论了复合散射系数与粗糙海面参数、目标参数以及入射波参数之间的依赖关系,得到了较完整的复合电磁散射特征。
