文摘采用磁控溅射技术在95%Al_(2)O_(3)陶瓷基体上生成不同厚度的Cr薄膜,通过改变热处理条件研究Cr层的氧化情况及其与基体在高温下的反应过程。采用X射线光电子能谱(X-ray Photoelectron Spectroscopy,XPS)、扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscopy,SEM)和X射线衍射分析(X-ray Diffraction Analysis,XRD)测试探究Cr的氧化价态变化,及其氧化膜层与Al_(2)O_(3)基体的反应情况。结果表明,热处理温度为1300℃时,表面氧化层全部为Cr_(2)O_(3);热处理温度1400℃及以上时,Cr_(2)O_(3)固溶进入Al_(2)O_(3)晶胞。另外,测试了表面处理后Al_(2)O_(3)的二次电子发射系数(Secondary Electron Emission Coefficient,SEE)与沿面闪络电压,并研究了膜层对Al_(2)O_(3)陶瓷SEE的影响规律。研究显示,随热处理温度升高,覆膜氧化铝陶瓷的SEE降低,热处理温度为1400℃时,沿面闪络电压值最高。
