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C波段微波低相位噪声介质振荡源
被引量：
2
1
作者
吴礼群
夏牟
郑毅
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第1期60-63,68,共5页
介绍了微波低相位噪声介质振荡器的设计方法。就影响介质振荡器相位噪声的因素进行了讨论,从谐振回路有载Q值、有源器件、增益压缩量、电路模式等几个方面提出了降低相位噪声的方法,并给出了一个C波段微波低相噪振荡器的设计实例。测试...
介绍了微波低相位噪声介质振荡器的设计方法。就影响介质振荡器相位噪声的因素进行了讨论,从谐振回路有载Q值、有源器件、增益压缩量、电路模式等几个方面提出了降低相位噪声的方法,并给出了一个C波段微波低相噪振荡器的设计实例。测试结果表明:该振荡器工作频率3 900 MH z,输出功率大于10 dBm,相位噪声达到-102 dB c/H z@1 kH z;-128 dB c/H z@10 kH z。
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关键词
相位噪声
介质振荡器
微波
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职称材料
题名
C波段微波低相位噪声介质振荡源
被引量：
2
1
作者
吴礼群
夏牟
郑毅
机构
南京电子器件研究所
徐州空军学院
空军
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第1期60-63,68,共5页
文摘
介绍了微波低相位噪声介质振荡器的设计方法。就影响介质振荡器相位噪声的因素进行了讨论,从谐振回路有载Q值、有源器件、增益压缩量、电路模式等几个方面提出了降低相位噪声的方法,并给出了一个C波段微波低相噪振荡器的设计实例。测试结果表明:该振荡器工作频率3 900 MH z,输出功率大于10 dBm,相位噪声达到-102 dB c/H z@1 kH z;-128 dB c/H z@10 kH z。
关键词
相位噪声
介质振荡器
微波
Keywords
phase noise
dielectric resonance oscillator（DRO）
microwave
分类号
TN090.7 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
C波段微波低相位噪声介质振荡源
吴礼群
夏牟
郑毅
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2006
2
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