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n型SiC外延材料少子寿命的关键影响因素与提升方法
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作者 王翼 孔龙 +3 位作者 熊瑞 赵志飞 曹越 李赟 《固体电子学研究与进展》 2026年第1期11-16,共6页
系统研究了外延生长和氢气气氛退火工艺条件对4H-SiC同质外延材料少子寿命的影响,并分析了退火后少子寿命变化与前期外延速率之间的关联性。研究结果表明,SiC外延材料少子寿命与外延层厚度具有明显的正相关性,但随生长速率和进气端C/Si... 系统研究了外延生长和氢气气氛退火工艺条件对4H-SiC同质外延材料少子寿命的影响,并分析了退火后少子寿命变化与前期外延速率之间的关联性。研究结果表明,SiC外延材料少子寿命与外延层厚度具有明显的正相关性,但随生长速率和进气端C/Si比的提高并非单调递增关系。在本文采用的工艺条件中,进气端C/Si为0.84、生长速率为72.1μm/h时外延材料少子寿命最高,达到2280 ns。采用不同温度和乙烯流量的氢气退火工艺均能在不同程度上提高已有SiC外延材料的少子寿命。在1600℃退火后少子寿命提升幅度最大,但继续提升退火温度对少子寿命的提升效果减弱。退火效果和乙烯流量之间存在正相关性,但当乙烯流量达到50 sccm(标准状态下1 sccm=1 mL/min)时,材料表面质量退化,缺陷扩展区域粗糙度高达8.35 nm。前期外延生长速率不同,会导致退火后少子寿命提升幅度存在差异,采用高生长速率生长的外延材料,退火后少子寿命提升效果更加显著。 展开更多
关键词 少子寿命 4H-SIC C/Si比 生长速率 退火
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Design,Fabrication,and Application of Stretchable Electronic Conductors
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作者 Bin Cheng Jingting Zhuo +9 位作者 Yao Zhou Jiaxiang Chen Lingyun Cao Jiangfeng He Zhihong Chen Xiaoxiao Ma Juan Wang Honglong Li Guowei Yang Fang Yi 《Nano-Micro Letters》 2026年第5期607-665,共59页
Stretchable electronics have been recognized as intriguing next-generation electronics that possess huge market value,and stretchable electronic conductors(SECs)are essential for stretchable electronics,which not only... Stretchable electronics have been recognized as intriguing next-generation electronics that possess huge market value,and stretchable electronic conductors(SECs)are essential for stretchable electronics,which not only can serve as critical functional components but also are the indispensable electronic connections bridging various electronic components within stretchable electronic systems.Herein,we offer a comprehensive review of recent progress in SECs including the material categories,structure designs,fabrication techniques,and applications.The characteristics,performance enhancement strategies,and application requirements are emphasized.Based on the recent advances,the existing challenges and future prospects are outlined and discussed. 展开更多
关键词 Stretchable conductors Electronic conductors Stretchable electronics Wearable electronics
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基于格点优化策略的化学机械研磨模型优化方法研究
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作者 张瑜 刘建忠 刘必秋 《功能材料与器件学报》 2026年第1期121-128,共8页
在超大规模集成电路制造中,化学机械研磨(chemical mechanical planarization,CMP)是实现多层金属互连结构全局平坦化的关键工艺,其效果直接影响后续光刻焦深与电路性能。本文聚焦CMP模型的优化问题,特别是其对具有特殊几何结构的热点... 在超大规模集成电路制造中,化学机械研磨(chemical mechanical planarization,CMP)是实现多层金属互连结构全局平坦化的关键工艺,其效果直接影响后续光刻焦深与电路性能。本文聚焦CMP模型的优化问题,特别是其对具有特殊几何结构的热点图形的预测能力。通过对比原子力显微镜实测数据与模拟结果发现,传统20μm格点窗口无法准确解析由热点图形引起的侵蚀缺陷。为此,提出采用3μm小格点窗口并配合1.5μm偏移策略,可显著提高模型的预测精度。该优化方法不仅能有效识别版图中的潜在制造风险区域,还可追踪多层金属结构中下层侵蚀对上层铜厚度的影响。研究表明,格点窗口尺寸与位置的精细调整对CMP模型的准确性具有决定性作用,从而为提高芯片良率与制造可靠性提供重要支持。 展开更多
关键词 化学机械研磨 侵蚀缺陷 格点窗口 可制造性设计
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电子束套刻精度量测中TIS的影响研究
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作者 张瑜 卞玉洋 《功能材料与器件学报》 2026年第1期113-120,共8页
随着半导体集成电路制造工艺的不断进步,图形尺寸逐渐缩小,器件结构日益复杂,这对光刻工艺中的套刻精度(overlay,OV)控制提出了更高要求。由于光学OV量测结果易受底层膜厚、薄膜特性以及OV光栅对称性等因素的影响,因此在先进制程中,电子... 随着半导体集成电路制造工艺的不断进步,图形尺寸逐渐缩小,器件结构日益复杂,这对光刻工艺中的套刻精度(overlay,OV)控制提出了更高要求。由于光学OV量测结果易受底层膜厚、薄膜特性以及OV光栅对称性等因素的影响,因此在先进制程中,电子束(E-beam)OV量测逐渐被引入作为补充手段。在光学OV量测中,机台诱发偏移(tool induced shift,TIS)是衡量光学系统对OV结果影响的关键指标,必须加以消除以确保量测结果的准确性。然而,目前针对E-beam OV量测中TIS影响的研究仍较为匮乏。本文针对E-beam OV量测,通过改变成像方式来验证TIS在E-beam OV量测中的存在,并进一步探究TIS与E-beam扫描方式之间的关系。此外,我们还对不同层的TIS进行了验证。结合实际量测结果,提出一种在Ebeam OV量测中验证并消除TIS的操作方法,以提高量测结果的准确性。 展开更多
关键词 套刻精度 电子束 准确性 机台诱发偏移
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基于计算机视觉的电子材料表面缺陷检测实验设计
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作者 诸楷 《消费电子》 2026年第2期86-88,共3页
为解决电子材料表面缺陷人工检测效率低、精度差及传统方法适应性不足等问题,文章设计了基于计算机视觉的检测方案。采用高斯滤波预处理图像,构建改进YOLOv5模型,通过CSPDarknet53提取特征,加入SE注意力模块强化小缺陷特征,以多损失函... 为解决电子材料表面缺陷人工检测效率低、精度差及传统方法适应性不足等问题,文章设计了基于计算机视觉的检测方案。采用高斯滤波预处理图像,构建改进YOLOv5模型,通过CSPDarknet53提取特征,加入SE注意力模块强化小缺陷特征,以多损失函数优化训练。使用15000张含8类缺陷的图像数据集,在不同光照条件下测试,并与支持向量机(Support Vector Machine,SVM)、更快的区域卷积神经网络(Faster Region-based Convolutional Neural Networks,FasterR-CNN)对比。结果显示,改进模型在4000~8000 lux光照下F1分数超过93%,极端光照下仍超90%;平均检测准确率93.1%,单张耗时12.3 ms,漏检率2.2%,各项指标均优于对比方法,可满足工业实时检测需求。 展开更多
关键词 计算机视觉 电子材料 表面缺陷检测 深度学习
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集光效应对InGaN太阳能电池性能的影响研究
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作者 袁天昊 王党会 +3 位作者 张梦凡 许天旱 冯超宇 赵淑 《电子与封装》 2026年第1期89-94,共6页
InGaN以其高吸收系数、直接带隙特性及与太阳光谱的良好匹配,成为高效光伏电池的理想材料。基于Silvaco仿真软件,研究了室温下不同光照强度对p-n结InGaN太阳能电池性能参数的影响。结果表明,太阳能光伏电池的性能参数均与光照强度具有... InGaN以其高吸收系数、直接带隙特性及与太阳光谱的良好匹配,成为高效光伏电池的理想材料。基于Silvaco仿真软件,研究了室温下不同光照强度对p-n结InGaN太阳能电池性能参数的影响。结果表明,太阳能光伏电池的性能参数均与光照强度具有明显的相关性,其中短路电流密度和功率转换效率受光照强度影响较为明显,而开路电压受光照强度的影响变化较小——这是由于较高的光照强度虽然提高了电子-空穴对的生成率,但同时耗尽区对载流子俘获与复合增大了反向饱和电流。得出的结论对进一步设计和开发更高效能的太阳能光伏电池提供了理论依据。 展开更多
关键词 集光效应 InGaN太阳能电池 功率转换效率 光电性能
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柔性电子赋能电子材料课程教学改革探索
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作者 杨文冬 钟铁钢 蒋芳 《中国教育技术装备》 2026年第3期29-32,共4页
结合辽宁工程技术大学电子科学与技术专业电子材料课程教学现状,提出具有柔性电子技术特色的电子材料课程教学改革方案。实践表明,通过实施该课程教学改革,学生的实践创新能力显著提升,对柔性电子领域的理解加深,对课程的满意度明显提... 结合辽宁工程技术大学电子科学与技术专业电子材料课程教学现状,提出具有柔性电子技术特色的电子材料课程教学改革方案。实践表明,通过实施该课程教学改革,学生的实践创新能力显著提升,对柔性电子领域的理解加深,对课程的满意度明显提高。该教学改革方案有助于培养符合产业和科研需求的复合型人才,可为现代电子材料教育提供新的思路。 展开更多
关键词 电子材料课程 柔性电子材料 教学改革
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C/UV树脂电磁超材料的3D打印制备及微波吸收性能 被引量:1
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作者 王沛琪 代竟雄 钟良 《化工进展》 北大核心 2025年第10期5819-5827,共9页
通过3D打印制备了碳/紫外光固化(C/UV)树脂电磁超材料,研究了C球的热处理温度(700℃、800℃和900℃)对C/UV树脂电磁超材料微波吸收性能的影响。结果表明,随着热处理温度的上升,所制备的C/UV树脂样品的微波吸收性能呈现出先增强后下降的... 通过3D打印制备了碳/紫外光固化(C/UV)树脂电磁超材料,研究了C球的热处理温度(700℃、800℃和900℃)对C/UV树脂电磁超材料微波吸收性能的影响。结果表明,随着热处理温度的上升,所制备的C/UV树脂样品的微波吸收性能呈现出先增强后下降的趋势。当热处理温度为800℃时,C/UV树脂样品的性能最佳,其在8.6mm匹配厚度下获得了-42.9dB的最小反射损耗,在9.4mm匹配厚度的有效吸收带宽可达6.0GHz。不同样品的性能差异与其阻抗匹配和衰减系数有关,在700℃的热处理温度下,C球的石墨化程度较低,对电磁波的反射较弱,同时低石墨化程度也导致该样品衰减系数较小,微波吸收性能较差;当热处理温度上升至800℃时,C球的石墨化程度提升,提高了高频极化弛豫和衰减系数,使该样品表现出优异的微波吸收性能;随着热处理温度上升至900℃,C球石墨化程度进一步提升,导致样品高频极化弛豫受到抑制,阻抗匹配也减弱,故该样品的微波吸收强度和有效吸收带宽开始减弱。以上研究明确了碳材料热处理温度对其微波吸收性能的影响规律,为该类材料的研究提供了有效参考,同时研究所采用的3D打印制备方法也为新型微波吸收材料制备工艺的探索提供了新思路。 展开更多
关键词 碳/紫外光固化树脂 水热 3D打印 微波吸收 电子材料
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4H-SiC同质外延片上三角形缺陷尺寸的控制方法研究
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作者 王翼 熊瑞 +4 位作者 赵志飞 曹越 孔龙 姜海涛 李赟 《固体电子学研究与进展》 2025年第3期16-21,共6页
系统地研究了4H-SiC同质外延材料表面三角形缺陷尺寸随外延工艺参数的变化规律。研究结果表明三角形缺陷尺寸与进气端C/Si比、生长温度及生长速率存在明显的正相关性:当进气端C/Si比从0.774增加至0.842时,三角形缺陷相对长度([1-100]方... 系统地研究了4H-SiC同质外延材料表面三角形缺陷尺寸随外延工艺参数的变化规律。研究结果表明三角形缺陷尺寸与进气端C/Si比、生长温度及生长速率存在明显的正相关性:当进气端C/Si比从0.774增加至0.842时,三角形缺陷相对长度([1-100]方向的长度和外延厚度的比值)从266.7增加至351.5,增幅约32%;当生长温度从1590℃增加至1640℃时,三角形缺陷相对长度从87.8增加至266.7,增幅约204%;当生长速率从30μm/h增加至60μm/h时,三角形缺陷相对长度从70.9增加至323.7,增幅约357%。生长界面处的碳覆盖率及生长温度是影响三角形缺陷沿[1-100]方向扩展的核心因素。适当降低进气端C/Si比、生长速率及生长温度可以在不增加缺陷密度的同时有效控制三角形缺陷尺寸。 展开更多
关键词 4H-SIC 三角形缺陷 C/Si比 生长速率 生长温度
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碳面4H-SiC衬底高质量同质外延生长
10
作者 熊瑞 赵志飞 +6 位作者 王翼 李士颜 黄昱 曹越 孔龙 姜海涛 李赟 《固体电子学研究与进展》 2025年第5期16-21,共6页
开展了150 mm碳面(C面)4H-SiC衬底同质外延生长技术研究,并从外延速率、表面缺陷形貌、表面粗糙度以及掺杂浓度等维度,系统对比了C面外延与常规硅面(Si面)外延的差异。通过工艺优化,有效解决了C面外延掺杂均匀性差的问题,实现表面形貌... 开展了150 mm碳面(C面)4H-SiC衬底同质外延生长技术研究,并从外延速率、表面缺陷形貌、表面粗糙度以及掺杂浓度等维度,系统对比了C面外延与常规硅面(Si面)外延的差异。通过工艺优化,有效解决了C面外延掺杂均匀性差的问题,实现表面形貌缺陷密度0.02 cm^(-2)、n型掺杂浓度不均匀性2.28%、厚度不均匀性0.12%的高质量C面4H-SiC同质外延材料制备。基于C面外延材料,完成了平面SiC MOSFET器件研制验证。相比传统Si面MOSFET器件,C面MOSFET器件阈值电压提升150%,有望解决SiC MOSFET器件栅压0 V关断应用中受系统串扰等导致的误开通问题。 展开更多
关键词 碳面 4H-SIC 同质外延 缺陷形貌 掺杂
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基于OBE理念的电子材料工艺原理与测试技术课程教学改革与实践
11
作者 田晓霞 《中国教育技术装备》 2025年第23期155-158,共4页
电子材料工艺原理与测试技术课程是空军工程大学电子科学与技术一级学科硕士研究生专业方向学位的核心课程之一,目前存在课程教学内容相对学生任职岗位需求滞后、内容繁杂与课时有限的矛盾、教学重理论轻实践、学生专业知识背景不同差... 电子材料工艺原理与测试技术课程是空军工程大学电子科学与技术一级学科硕士研究生专业方向学位的核心课程之一,目前存在课程教学内容相对学生任职岗位需求滞后、内容繁杂与课时有限的矛盾、教学重理论轻实践、学生专业知识背景不同差异化指导困难等问题。聚焦上述教学痛点,基于OBE理念,重构教学内容体系、开展混合式教学模式,通过科研反哺教学推进信息化教学资源建设,并建立多元化的课程学习评价体系。通过这一系列举措,有效促进了理论与实践深度交融,取得了良好的教学效果。 展开更多
关键词 OBE理念 电子材料工艺原理与测试技术 教学改革 混合式教学模式
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面向表面行波散射抑制的阻抗调制变量分析
12
作者 包家昕 钟小丹 崔浩 《电子元件与材料》 北大核心 2025年第1期9-14,共6页
针对传统雷达散射吸波材料存在低频性能差、重量大、环境适应性差等问题,在材料不连续处添加渐变阻抗结构可以作为一种抑制表面行波散射的方法。通过建立金属与空气分界面的电磁模型,比较了在分界面处引入渐变阻抗结构前后的雷达散射情... 针对传统雷达散射吸波材料存在低频性能差、重量大、环境适应性差等问题,在材料不连续处添加渐变阻抗结构可以作为一种抑制表面行波散射的方法。通过建立金属与空气分界面的电磁模型,比较了在分界面处引入渐变阻抗结构前后的雷达散射情况,分析了渐变阻抗结构对金属与空气分界面的行波散射的影响;系统地研究了宽频段内水平极化入射电磁波阻抗调制变量对表面行波散射的抑制效果,并对其规律进行了总结。电磁仿真计算结果表明:雷达散射截面在大范围的入射角度以及0.6~15 GHz的宽频段内实现了缩减,尤其是在行波散射峰值角度处,缩减效果显著,最高可达23.72 dB。该研究结果为飞机表面行波散射的抑制提供了理论依据和参考。 展开更多
关键词 雷达散射截面 渐变阻抗 表面行波 散射抑制
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喷射成形硅铝电子封装材料的电镀及钎焊性能 被引量:12
13
作者 李志辉 张永安 +3 位作者 熊柏青 刘红伟 魏衍广 张济山 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期633-637,共5页
喷射成形高硅铝合金材料因具有低热膨胀系数、高热导率和低密度等特性,而成为一种具有广阔应用前景的新型电子封装材料。然而,喷射成形硅铝系合金中硅含量很高,其焊接性能较差。采用镀金、钎焊的方法研究了喷射成形硅铝合金材料的电镀... 喷射成形高硅铝合金材料因具有低热膨胀系数、高热导率和低密度等特性,而成为一种具有广阔应用前景的新型电子封装材料。然而,喷射成形硅铝系合金中硅含量很高,其焊接性能较差。采用镀金、钎焊的方法研究了喷射成形硅铝合金材料的电镀及焊接性能;用扫描电镜对镀层及钎焊层形貌进行观察,用能谱仪对镀层及焊接层进行成分线扫描分析。结果表明,喷射成形硅铝合金材料易于电镀,电镀后镀层致密、均匀,与基体之间结合良好;焊接之前对喷射成形硅铝合金进行电镀可改善其与焊料之间的润湿性,材料焊接性能得以显著改善,可满足电子技术行业对封装材料的焊接工艺性能要求。 展开更多
关键词 电子封装 硅铝合金 电镀 钎焊 喷射成形
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雷达吸波涂层制备技术的研究进展 被引量:12
14
作者 周亮 周万城 +2 位作者 刘涛 罗发 朱冬梅 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期10-14,共5页
随着雷达技术的迅猛发展,雷达吸波涂层RAC(Radar absorbing coating)在军事装备隐身防御系统中的作用日趋重要。介绍了吸波材料的吸波机理,综述了雷达吸波涂层的3种结构设计,重点评述了物理涂覆、化学镀、热喷涂和溶胶-凝胶法制备工艺... 随着雷达技术的迅猛发展,雷达吸波涂层RAC(Radar absorbing coating)在军事装备隐身防御系统中的作用日趋重要。介绍了吸波材料的吸波机理,综述了雷达吸波涂层的3种结构设计,重点评述了物理涂覆、化学镀、热喷涂和溶胶-凝胶法制备工艺的研究进展,最后展望了强、宽、轻、薄吸波涂层的研究方向。 展开更多
关键词 隐身技术 吸波涂层 结构设计 制备工艺
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一种新型无卤阻燃覆铜箔板基板材料的制备 被引量:9
15
作者 凌鸿 王劲 +2 位作者 向海 盛兆碧 顾宜 《化学研究与应用》 CAS CSCD 北大核心 2004年第1期55-57,共3页
以苯并嗪树脂与含磷环氧树脂作基体,外加磷酸酯类阻燃剂,KH平纹玻璃布作增强材料,制备了一种新型无卤阻燃覆铜板,其玻璃化转变温度为160℃,加强耐热性PCT(2p 水蒸气处理2h后,经288℃浸锡)试验达到385秒,径向弯曲强度为630 6MPa,阻燃... 以苯并嗪树脂与含磷环氧树脂作基体,外加磷酸酯类阻燃剂,KH平纹玻璃布作增强材料,制备了一种新型无卤阻燃覆铜板,其玻璃化转变温度为160℃,加强耐热性PCT(2p 水蒸气处理2h后,经288℃浸锡)试验达到385秒,径向弯曲强度为630 6MPa,阻燃性达到UL94V0级。 展开更多
关键词 无卤阻燃 覆铜箔板 基板材料 制备 苯并噁嗪树脂 含磷环氧树脂
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塑料与镁合金移动电话外壳材料的生命周期评价 被引量:14
16
作者 何良菊 李培杰 王晓强 《机械工程学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第8期44-48,共5页
镁合金资源丰富,是轻质高强的材料且易于回收,具有良好的电磁屏蔽和散热性能,在移动电话外壳材料的应用中得到迅速发展。概述了移动电话的发展及环境污染,应用简式LCA矩阵对塑料和镁合金手机外壳材料进行了初步评价和比较,结果表明虽然... 镁合金资源丰富,是轻质高强的材料且易于回收,具有良好的电磁屏蔽和散热性能,在移动电话外壳材料的应用中得到迅速发展。概述了移动电话的发展及环境污染,应用简式LCA矩阵对塑料和镁合金手机外壳材料进行了初步评价和比较,结果表明虽然镁合金能源消耗较高,但在材料的性能、资源消耗、环境负荷及材料的再生回收性等方面都明显优于塑料。 展开更多
关键词 移动电话 外壳材料 塑料 镁合金 生命周期评价 环境保护
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电磁屏蔽材料的研究进展 被引量:13
17
作者 于名讯 徐勤涛 +2 位作者 庞旭堂 连军涛 刘玉凤 《宇航材料工艺》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期12-15,共4页
阐述了研究电磁屏蔽材料的重要性。综述了表层导电型、填充复合型、本征型导电高分子、导电织物、透明导电薄膜等电磁屏蔽材料的性能及特点,简要阐述了电磁屏蔽材料的发展趋势。
关键词 电磁屏蔽 屏蔽效能 特点 发展趋势
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碳系电磁屏蔽材料的研究进展 被引量:7
18
作者 郑志锋 蒋剑春 +2 位作者 戴伟娣 黄元波 史正军 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第17期23-26,共4页
碳系电磁屏蔽材料是屏蔽材料的重要组成部分。主要介绍了炭黑、石墨、碳纤维、碳纳米管及其他碳系电磁屏蔽材料的研究进展,着重阐述了这些碳系电磁屏蔽材料的优缺点和改性方法,并指出复合化和纳米化将是碳系电磁屏蔽材料今后发展的重点。
关键词 电磁屏蔽 碳系填料 屏蔽效能 导电性
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电子封装用SiC_p/ZL101复合材料热膨胀性能研究 被引量:9
19
作者 张建云 孙良新 +1 位作者 洪平 华小珍 《宇航材料工艺》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期32-34,43,共4页
采用无压渗透法制备了SiCp/ZL10 1复合材料 ,测定了SiCp/ZL10 1复合材料在 2 5℃~ 4 0 0℃区间的线膨胀系数值 ,运用理论模型对复合材料的线膨胀系数进行了计算 ,分析了热膨胀性能的影响因素。结果表明 ,复合材料的线膨胀系数比基体合... 采用无压渗透法制备了SiCp/ZL10 1复合材料 ,测定了SiCp/ZL10 1复合材料在 2 5℃~ 4 0 0℃区间的线膨胀系数值 ,运用理论模型对复合材料的线膨胀系数进行了计算 ,分析了热膨胀性能的影响因素。结果表明 ,复合材料的线膨胀系数比基体合金显著降低 ,Turner模型对SiCp/ZL10 1复合材料线膨胀系数的计算值与实验值相接近 。 展开更多
关键词 电子封装 线膨胀系数 热应力 SiCp/ZL101复合材料 碳化硅颗粒增强铝基复合材料
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Al-50Si合金电子封装材料的热压法制备及性能表征 被引量:10
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作者 杨奔 蒋阳 +2 位作者 丁夏楠 仲洪海 李翔鹏 《粉末冶金工业》 CAS 北大核心 2012年第5期24-28,共5页
本文采用热压法制备了一种性能优良的Al-50Si合金电子封装材料。通过比较不同烧结工艺下烧结体的密度,获得了制备该合金的最佳烧结工艺:低温(460℃)压制压力100MPa、烧结温度800℃、烧结时间2h,热等静压工艺参数:温度540℃、压力200MPa... 本文采用热压法制备了一种性能优良的Al-50Si合金电子封装材料。通过比较不同烧结工艺下烧结体的密度,获得了制备该合金的最佳烧结工艺:低温(460℃)压制压力100MPa、烧结温度800℃、烧结时间2h,热等静压工艺参数:温度540℃、压力200MPa,保温保压4h。对在最佳烧结工艺条件下,经过热等静压处理后的材料进行了性能表征,具体性能:相对密度达到99%,抗弯强度223MPa,硬度153HB,热膨胀系数在0~200℃达到9.3×10-6/K,热导率达到142W/(m.K)。 展开更多
关键词 A1-SI合金 热压 电子封装 热导率 热膨胀系数
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