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有机光伏电池电流密度模拟与载流子复合分析
1
作者 黄建华 张正仁 +5 位作者 王皓威 雷立将 赵晶晶 黎丽君 曹盛 阚志鹏 《广西大学学报(自然科学版)》 北大核心 2025年第3期603-612,共10页
为了解决短路电流密度限制有机光伏电池光电转换效率,以及器件制备工艺主要依赖实验试错法来调控短路电流密度,缺乏高效的理论指导方法的问题,本研究以高效率给/受体组合PM6:BTP-eC9为活性层,采用传输矩阵方法进行光学模拟,计算了该体... 为了解决短路电流密度限制有机光伏电池光电转换效率,以及器件制备工艺主要依赖实验试错法来调控短路电流密度,缺乏高效的理论指导方法的问题,本研究以高效率给/受体组合PM6:BTP-eC9为活性层,采用传输矩阵方法进行光学模拟,计算了该体系可能达到的最大短路电流密度及最优活性层厚度,并分析载流子复合和器件性能随厚度的变化规律。结果表明,当活性层厚度为100 nm时,非孪生复合被有效抑制,实现了17.9%的效率,其对于制备高效率厚膜器件具有重要的指导意义。 展开更多
关键词 有机光伏电池 活性层厚度 非孪生复合损失 短路电流密度 传输矩阵方法
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恒压电泳制备YSZ电解质膜的研究
2
作者 王振华 孙克宁 +2 位作者 沈哲敏 张乃庆 韩伟 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期322-325,共4页
为了降低固体氧化物燃料电池(SOFC)的操作温度,采用恒压电泳沉积方法在NiO-YSZ阳极基体上制备了YSZ电解质薄膜,通过电泳沉积电流的测量及SEM测试,研究了不同分散介质对悬浮体系稳定性及YSZ膜微观结构的影响,分析了I2、PVB作为添加剂在... 为了降低固体氧化物燃料电池(SOFC)的操作温度,采用恒压电泳沉积方法在NiO-YSZ阳极基体上制备了YSZ电解质薄膜,通过电泳沉积电流的测量及SEM测试,研究了不同分散介质对悬浮体系稳定性及YSZ膜微观结构的影响,分析了I2、PVB作为添加剂在电泳沉积过程中的作用机理.实验结果表明,使用丙酮作为分散介质,并加入0.5 g/L的I2时,能够获得较稳定的悬浮液.在其中加入0.3 g/L的PVB能够增强YSZ颗粒间的作用力,提高YSZ膜的致密性.研究认为,电泳沉积悬浮液的组成对沉积电流和沉积膜的微观形貌都具有较大影响. 展开更多
关键词 SOFC YSZ电解质膜 恒压电泳 悬浮体系
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浅结密栅线硅太阳电池工艺研究
3
作者 马继奎 陈明敬 +3 位作者 闫英丽 崔景光 张东升 安海娇 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2013年第2期241-243,246,共4页
通过提高发射区方块电阻,配合密栅线丝网印刷工艺,制备了性能优良的多晶硅太阳电池。对比两种不同扩散工艺的方块电阻和ECV浓度,分析发射区方块电阻对太阳电池电性能参数的影响。结果表明:方阻为80Ω/□的发射区比70Ω/□的发射区的太... 通过提高发射区方块电阻,配合密栅线丝网印刷工艺,制备了性能优良的多晶硅太阳电池。对比两种不同扩散工艺的方块电阻和ECV浓度,分析发射区方块电阻对太阳电池电性能参数的影响。结果表明:方阻为80Ω/□的发射区比70Ω/□的发射区的太阳电池串联电阻增加了0.03mΩ,导致填充因子下降0.05%,但是开路电压和短路电流密度分别提高了0.9mV和0.13mA/cm2,最终转换效率仍然提高了0.08%。 展开更多
关键词 多晶硅电池 方块电阻 丝网印刷 电性能
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工业化N型高效双面晶体硅太阳电池扩散工艺研究 被引量：4
4
作者 马继奎 任军刚 +3 位作者 董鹏 宋志成 程基宽 郭永刚 《光电子技术》 CAS 2017年第2期124-128,共5页
采用磷硼共扩散的方法制备了N型高效双面电池,通过优化背场及发射极扩散工艺,研究了扩散工艺曲线对电池电性能参数的影响机理。实验结果表明,降低背场扩散方块电阻可提高电池填充因子,同时造成开路电压(V_(oc))和短路电流(I_(sc))降低,... 采用磷硼共扩散的方法制备了N型高效双面电池,通过优化背场及发射极扩散工艺,研究了扩散工艺曲线对电池电性能参数的影响机理。实验结果表明,降低背场扩散方块电阻可提高电池填充因子,同时造成开路电压(V_(oc))和短路电流(I_(sc))降低,需要在背场饱和电流密度(J_(0BSF))和填充因子(FF)之间找到一个平衡点;降低发射极表面杂质浓度和方块电阻并适当的增加结深,可改善与金属化栅线的接触。正面采用低浓度深结扩散工艺可改善V_(oc)和FF,减少复合,提高Isc,电池效率增加了0.2%,平均效率达到20.41%。 展开更多
关键词 N型 硼扩散 掺杂浓度 P-N结 电池效率
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n型晶体硅太阳电池光诱导衰减现象研究 被引量：1
5
作者 李能能 马继奎 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第7期540-544,549,共6页
基于n型晶体硅太阳电池,分析了经光辐照后电池各性能参数的变化,探究了n型晶体硅太阳电池光诱导衰减机理。使用工业化设备在大面积（156 mm×156 mm）n型单晶硅片上制备太阳电池。利用太阳光谱模拟仪对制备的太阳电池进行光照处理,... 基于n型晶体硅太阳电池,分析了经光辐照后电池各性能参数的变化,探究了n型晶体硅太阳电池光诱导衰减机理。使用工业化设备在大面积（156 mm×156 mm）n型单晶硅片上制备太阳电池。利用太阳光谱模拟仪对制备的太阳电池进行光照处理,对比各阶段太阳电池电性能参数。结果表明,光照时会导致太阳电池表面减反射膜SiN∶H/Si界面处积聚大量固定电荷,增大界面态密度,破坏电池表面钝化层结构,导致开路电压和短路电流产生较大衰减,35 kWh/m^2光辐照后n型硅太阳电池效率衰减3.6%。在380℃低温退火处理后电池效率基本可恢复到初始状态。内量子效率测试结果表明光辐照后电池短波区域响应减弱,前表面界面效应导致电池效率发生较大衰减。 展开更多
关键词 N型硅 太阳电池 光诱导衰减 光辐照 退火
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腐蚀温度对多晶硅太阳能电池性能的影响
6
作者 马继奎 陈明敬 +3 位作者 王涛 王鹏杰 张东升 安海娇 《材料导报（纳米与新材料专辑）》 EI CAS 2013年第2期128-130,共3页
用化学腐蚀方法织构多晶硅片表面,通过调整制程参数获得腐蚀温度分别为12℃、17℃、22℃、29℃的4组样品,利用扫描电子显微镜(SEM)分析化学腐蚀后多晶硅片表面状态,通过反射谱的测试,分析了多晶硅片表面陷光效果,研究腐蚀温度与后续各... 用化学腐蚀方法织构多晶硅片表面,通过调整制程参数获得腐蚀温度分别为12℃、17℃、22℃、29℃的4组样品,利用扫描电子显微镜(SEM)分析化学腐蚀后多晶硅片表面状态,通过反射谱的测试,分析了多晶硅片表面陷光效果,研究腐蚀温度与后续各制程参数的关系。结果表明:随着腐蚀温度的升高,绒面反射率、镀膜膜厚逐渐升高,开路电压、填充因子逐渐增大,短路电流逐渐减小,最终确定了最佳的腐蚀温度。 展开更多
关键词 多晶硅 酸溶液腐蚀 表面织构化 腐蚀温度 电性能参数
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一种应用于SOC氢储能系统的电力电子变换器
7
作者 牟树君 杨文强 +1 位作者 郭志强 杨志宾 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 2020年第12期17-19,46,共4页
可逆高温固体氧化物电池(SOC),既可作为固体氧化物电解电池(SOEC)运行于电解水制氢模式,亦可以作为固体氧化物燃料电池(SOFC)运行于氢发电模式,实现电转氢、氢转电的能量转换。针对目前高温SOC电堆输入、输出参数差异较大的现况,这里介... 可逆高温固体氧化物电池(SOC),既可作为固体氧化物电解电池(SOEC)运行于电解水制氢模式,亦可以作为固体氧化物燃料电池(SOFC)运行于氢发电模式,实现电转氢、氢转电的能量转换。针对目前高温SOC电堆输入、输出参数差异较大的现况,这里介绍了一种多支路高增益电力电子变换器,以满足不同功率等级SOC电堆并网的需求。结合SOC过程控制的需求,给出了变换器的控制方法。通过仿真验证了变换器拓扑、结构设计及控制方法的有效性和正确性。 展开更多
关键词 固体氧化物电池 氢储能系统 电力电子变换器
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