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贴片电阻典型失效案例分析 被引量:3
1
作者 曹耀龙 高东阳 +1 位作者 裴选 席善斌 《环境技术》 2022年第2期126-129,共4页
贴片电阻具有重量轻、体积小、组装密度高、易于自动化装配等优点,在电子产品中应用越来越多。本文简单介绍了贴片电阻的结构和主要失效模式,针对典型的三例贴片电阻失效案例,展开失效原因和机理分析,对于相关工作人员具有一定的参考价值。
关键词 贴片电阻 失效分析 失效案例
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RuO_2厚膜电阻体的阻值与TCR的关系 被引量:5
2
作者 王恩信 侯正则 《电子元件与材料》 CAS CSCD 1994年第3期32-34,共3页
RuO_2厚膜电阻体方阻R_s、基片的热膨胀系数a_(sub)与RuO_2厚膜电阻体的电阻温度系数TCR间有一定的关系,讨论了从电阻体的R_s计算其TCR之方法。
关键词 厚膜电阻器 氧化钌 电阻值 TCR
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钌系厚膜电阻导电机理探讨 被引量:3
3
作者 苏功宗 《电子元件与材料》 CAS CSCD 1993年第2期1-6,共6页
从钌酸盐厚膜电阻的导电机理来探讨研制工作中出现的一些问题。特别是用半导体掺杂理论来解释厚膜电阻掺杂中出现的各种电学现象,预测一些掺杂剂的行为。
关键词 电阻浆料 导电机理 半导体 掺杂
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氧化锌压敏电阻材料 被引量:1
4
作者 曹泽淳 徐晨 《仪表材料》 CSCD 1989年第4期250-253,共4页
本文根据氧化锌非线性的现代理论,深入浅出地介绍了 ZnO 非线性电阻材料的组织、结构、性能及应用等。
关键词 氧化锌 压敏电阻器 材料
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ZnO压敏电阻应用新进展 被引量:2
5
作者 张树高 《传感器技术》 CSCD 1992年第6期34-37,共4页
概述了ZnO压敏电阻的一般应用;介绍了ZnO压敏电阻应用于感性负载的原理,并举出实际应用例子;提出应用中存在的高荷电率问题及对策。
关键词 压敏电阻 ZNO 半导体陶瓷
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基于全能量法ZnO压敏电阻能量配合的分析 被引量:1
6
作者 李祥超 陈嵘徐 +3 位作者 陈璞阳 周中山 陈则煌 刘艳 《电器与能效管理技术》 2015年第5期1-7,共7页
分析了雷电波在传输线中传输及ZnO压敏电阻级间串联电感的理论。通过改变试验中级间连接导线的长度,改变相应的分布电感,退耦元件采用与分布电感等值的空心电感和磁芯电感,进行了ZnO压敏电阻能量配合试验。研究为ZnO压敏电阻的能量配合... 分析了雷电波在传输线中传输及ZnO压敏电阻级间串联电感的理论。通过改变试验中级间连接导线的长度,改变相应的分布电感,退耦元件采用与分布电感等值的空心电感和磁芯电感,进行了ZnO压敏电阻能量配合试验。研究为ZnO压敏电阻的能量配合提供了参考依据,在实际应用中具有一定的参考价值。 展开更多
关键词 ZNO压敏电阻 能量配合 通流量 残压 磁饱和
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籽晶对氧化锌压敏电阻器性能的影响
7
作者 邹秦 姚熹 孟中岩 《电子元件与材料》 CAS CSCD 1989年第4期12-15,共4页
采用熔盐法,以强碱为助熔剂可在较低的温度下培育出针状、块状、球状的ZnO籽晶。本文详细地研究了籽晶的大小、形状、含量对氧化锌压敏电阻器性能的影响。实验表明,籽晶对降低压敏电压有十分明显的作用。
关键词 压敏电阻器 氧化锌 籽晶 电阻器
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Sb_2O_3和In_2O_3对ZnO压敏电阻器性能的影响
8
作者 陈洪存 王矜奉 李明明 《电子元器件应用》 2002年第7期17-18,共2页
研究了Sb_2O_3和In_2O_3对ZnO压敏电阻器性能的影响。适当添Sb_2O_3和In_2O_3可全面提高ZnO压敏电阻器的性能,使其击穿电场强度达326V/mm,漏电流小于1μA,非线性系数α值达107,通流量高达4kA/cm^2。
关键词 非线性系数 漏电流 击穿电场强度 三氧化铅 三氯化二铟 氧化锌压敏电阻
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氧化锌原料对ZNR性能影响初探 被引量:2
9
作者 吕文中 王士良 《电瓷避雷器》 CAS 北大核心 1991年第2期44-47,共4页
对三种不同种类的ZnO粉料,利用扫描电镜进行分析,并讨论了颗粒度、结晶形态、表面吸附、杂质等对ZNR性能的影响。
关键词 氧化锌 压敏电阻器 性能 ZNR
全文增补中
高能氧化锌压敏电阻器性能研究 被引量:7
10
作者 艾建红 夏维东 +1 位作者 王川 季幼章 《电瓷避雷器》 CAS 北大核心 1989年第6期1-7,共7页
本文对以TiO_2为添加剂的高能氧化锌压敏电阻器的配方机理和工艺制度进行了探讨,并指出要得到工艺性能好的产品,选择合适的配方是关键.
关键词 氧化锌 压敏电阻器 配方 工艺
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金属氧化膜电阻温度系数的测定 被引量:3
11
作者 虞燕军 张亚 《山西电子技术》 2006年第2期57-58,共2页
采用由传感器AD590组成的水浴恒温箱测得不同温度下金属氧化膜电阻的阻值,通过大量的实验数据分析各种金属氧化膜电阻阻值与温度的关系,分析表明,阻值与温度之间呈线性关系,通过直线拟合,得到电阻阻值与温度的关系式,通过关系式求得金... 采用由传感器AD590组成的水浴恒温箱测得不同温度下金属氧化膜电阻的阻值,通过大量的实验数据分析各种金属氧化膜电阻阻值与温度的关系,分析表明,阻值与温度之间呈线性关系,通过直线拟合,得到电阻阻值与温度的关系式,通过关系式求得金属氧化膜电阻器的温度系数,建立阻值与温度的数学模型,这样就能得到不同温度下各种金属氧化膜电阻的理论预测值。 展开更多
关键词 金属氧化膜电阻 水浴恒温箱 温度系数
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叠层片式ZnO压敏电阻器及其在ESD保护中的应用
12
作者 雷鸣 成鹏飞 李盛涛 《电子元器件应用》 2002年第7期14-16,38,共4页
介绍叠层片式ZnO压敏电阻器的性能特点和应用范围,论述了其对电路进行ESD保护的基本原理及其在高频线路中的最优化设置,指出其发展方向应为低电容和超低电容化。
关键词 叠层片式 氧化锌压敏电阻器 ESD 静电放电 保护
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金属氧化膜电阻器电阻温度系数的改善 被引量:1
13
作者 纪雄 《电子元件与材料》 CAS CSCD 1998年第6期14-15,共2页
导致金属氧化膜电阻器失效的主要因素是膜层结构变化、电解和接触部分老化。为了减少失效,改善电阻温度系数α,在生产实践中控制工艺参数及关键工序(镀膜、热处理、刻槽、涂漆)的质量,其中重点是镀膜。通过调整镀膜靶材,H靶:α... 导致金属氧化膜电阻器失效的主要因素是膜层结构变化、电解和接触部分老化。为了减少失效,改善电阻温度系数α,在生产实践中控制工艺参数及关键工序(镀膜、热处理、刻槽、涂漆)的质量,其中重点是镀膜。通过调整镀膜靶材,H靶:α从大于150×10-6℃-1调整在±60×10-6℃-1之内;F靶:α从大于200×10-6℃-1调整在±120×10-6℃-1之内,提高了金属氧化膜电阻器的可靠性。 展开更多
关键词 金属氧化膜 电阻器 电阻温度系数
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A new method to characterize the metallic-oxide films for grayscale lithography
14
作者 孙立萍 张双根 +2 位作者 王喆 邓家春 吕江 《Optoelectronics Letters》 EI 2013年第1期34-37,共4页
In order to characterize the metallic-oxide grayscale films fabricated by laser direct writing (LDW) in indium film, a new method with micro-Raman spectroscopy and atomic force microscope (AFM) is proposed. Raman spec... In order to characterize the metallic-oxide grayscale films fabricated by laser direct writing (LDW) in indium film, a new method with micro-Raman spectroscopy and atomic force microscope (AFM) is proposed. Raman spectra exhibit the characteristic band of In2O3 centered at 490 cm -1 , in which the intensities increase with the decreasing optical density of the In-In2O3 grayscale films. The mapping information of Raman spectra shows that the signal intensities of the film in the same grayscale area are uniform. Combining with the information of In-In2O3 grayscale film from AFM, the quantitative relationship between the concentration of In2O3 and the Raman signal intensity is shown. Compared with the conventional methods, the resolution of micro-Raman scattering method is appropriate, and the scanning speed is proper to analyze the structure of metallic-oxide grayscale films. 展开更多
关键词 金属氧化膜 灰度 光刻技术 金属氧化物薄膜 显微拉曼光谱 氧化铟薄膜 原子力显微镜 信号强度
原文传递
片状铁氧体磁阻简介
15
作者 师芳 施永信 《电子设计工程》 1995年第12期39-40,共2页
片状铁氧体磁阻简介师芳,施永信1、概述片状铁氧体磁阻是一种新型滤波元件,它可以用来抑制数字设备、计算机及其外围设备、生产自动化设备和办公自动化电子设备中的噪声,目前该器件已广泛应用于传真机、普遍电话机、数字电话机、蜂... 片状铁氧体磁阻简介师芳,施永信1、概述片状铁氧体磁阻是一种新型滤波元件,它可以用来抑制数字设备、计算机及其外围设备、生产自动化设备和办公自动化电子设备中的噪声,目前该器件已广泛应用于传真机、普遍电话机、数字电话机、蜂窝式电话机、笔记本式计算式、计算机... 展开更多
关键词 铁氧体 磁阻 有效数字 片状 计算机 办公自动化 主要参数 空气清新器 数字电话机 蜂窝式电话
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用高纯BaTiO3制备PTCR元件—起泡问题的解决
16
作者 刘庆功 《电子元件》 1993年第3期44-46,共3页
关键词 PTCR 晶粒 BATIO3 材料 制造
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ESD对RuO_2厚膜电阻阻值的影响
17
作者 张俊 卢振强 李军 《电子质量》 2012年第7期65-67,共3页
采用静电放电(Electrostatic discharge,ESD)发生器对RuO2厚膜电阻直接放电,研究了电阻阻值变化率与电阻尺寸、阻值和ESD条件的关系。结果表明:厚膜电阻阻值受ESD作用而下降;相同ESD及阻值条件下的阻值变化率随电阻尺寸的增大而减小;相... 采用静电放电(Electrostatic discharge,ESD)发生器对RuO2厚膜电阻直接放电,研究了电阻阻值变化率与电阻尺寸、阻值和ESD条件的关系。结果表明:厚膜电阻阻值受ESD作用而下降;相同ESD及阻值条件下的阻值变化率随电阻尺寸的增大而减小;相同电阻的阻值变化率随ESD电压的增大而增大;10kΩ左右的厚膜电阻在ESD作用下的阻值变化率最大,阻值变化率随着阻值的减小和增大而呈减小趋势;对10kΩ厚膜电阻反复施加不断增大的ESD电压,除宽度尺寸为0.45mm的电阻阻值在8~10kV之间出现一次回升外,电阻阻值逐步下降。 展开更多
关键词 静电放电 RUO2 厚膜电阻 阻值变化率
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化学共沉淀法制备ZnO压敏电阻复合粉体
18
《佛山陶瓷》 2003年第3期44-44,共1页
关键词 化学共沉淀法 制备 ZnO压敏电阻复合粉体 氧化锌
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以RuO_2为基的厚膜电阻器中电子传导与温度的关系
19
作者 BI-SHIOU CHIOU JER-YUAN SHEN 王光明 《电子产品可靠性与环境试验》 1994年第2期16-22,共7页
本文研究了两种同属RuO_2为基的厚膜电阻器中阻值与温度的关系。两种电阻器的成分(重量百分比,下同)分别为:80%玻璃料(其中:63%pbO-25%B_2O_3-12%SiO_2,称作G_1)-20%RuO_2和80%玻璃料(其中:55.5%pbO-22%B_2O_3-10.5%SiO_2-12%Al_2O_3,称... 本文研究了两种同属RuO_2为基的厚膜电阻器中阻值与温度的关系。两种电阻器的成分(重量百分比,下同)分别为:80%玻璃料(其中:63%pbO-25%B_2O_3-12%SiO_2,称作G_1)-20%RuO_2和80%玻璃料(其中:55.5%pbO-22%B_2O_3-10.5%SiO_2-12%Al_2O_3,称作G_2)-20%RuO_2.成分为80%G_1-20%RuO_2的电阻器在850℃下烧结后,当温度从100K到~400K上升时方阻变小,并在400K到~690K之间保持一个最小值,然后随温度的进一步升高而变大.在100K~500K时获得的负温度系数为~480ppm/℃;当温度再升高时,电阻温度系数(TCR)变得更小. 本文使用厚膜电阻器导电机理的三种传导方式解释了实验结果;用一种改进的传导方式(包详隧道传导和并联传导两种方式),说明了阻值-温度反比曲线的坡度变化和阻值与温度的关系;另外还用一个等效电路模式阐述了厚膜电阻器的电性能. 展开更多
关键词 厚膜电阻器 电子传递 温度 RUO2
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激光刻螺纹槽与金属膜电阻器热稳定性的关系
20
作者 吴有根 小野让 《电子元件》 1993年第4期26-30,41,共6页
关键词 金属膜电阻器 激光刻蚀 螺纹槽
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