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表面层型半导体陶瓷电容器
被引量:
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作者
王振平
赵俊斌
+1 位作者
李勇
章士瀛
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
2000年第5期13-16,共4页
对表面层型半导体陶瓷电容器的基本结构原理、关键生产技术、关键设计参数、关键生产设备以及电容器规格和典型特性作了简要介绍。
关键词
表面层型
半导体陶瓷电容器
烧结
再氧化
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职称材料
题名
表面层型半导体陶瓷电容器
被引量:
1
1
作者
王振平
赵俊斌
李勇
章士瀛
机构
东莞宏明南方电子陶瓷有限公司
出处
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
2000年第5期13-16,共4页
基金
"8 63"课题资助项目!(Z33- 0 1 0 )
文摘
对表面层型半导体陶瓷电容器的基本结构原理、关键生产技术、关键设计参数、关键生产设备以及电容器规格和典型特性作了简要介绍。
关键词
表面层型
半导体陶瓷电容器
烧结
再氧化
Keywords
surface layer semiconductor ceramics capacitors
sintering
semicondu ctor
re-oxidization
specific surface capacitance
atmosphere combination furn aces.
分类号
TM534.11 [电气工程—电器]
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作者
出处
发文年
被引量
操作
1
表面层型半导体陶瓷电容器
王振平
赵俊斌
李勇
章士瀛
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
2000
1
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