电镀前工艺对MLCC电镀后质量的影响 被引量：9

1

作者 王志纯 王晓莉 姚熹 《电子元件与材料》 CAS CSCD 1999年第2期1-2,共2页

在相同电镀条件下，对不同银端浆、不同材料体系的ＭＬＣＣ进行电镀，实验结果表明，它们的镀后合格率不一样。总的来讲，１类瓷的镀后合格率要高于２类瓷的合格率，高温烧结的ＭＬＣＣ的镀后合格率要高于低温烧结的ＭＬＣＣ。端电极银... 在相同电镀条件下，对不同银端浆、不同材料体系的ＭＬＣＣ进行电镀，实验结果表明，它们的镀后合格率不一样。总的来讲，１类瓷的镀后合格率要高于２类瓷的合格率，高温烧结的ＭＬＣＣ的镀后合格率要高于低温烧结的ＭＬＣＣ。端电极银底层的质量对于镀后ＭＬＣＣ的产品合格率有很大的影响，用扫描电镜观察发现如果银底层不致密或有针孔，将导致镀后ＭＬＣＣ的损耗超出合格标准。 展开更多

关键词 多层瓷介电容器 三层端电极 电镀 电容器 MLCC

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低温烧结SrTiO_3晶界层电容器材料的体深能级的研究 被引量：2

2

作者 李峥 王评初 +1 位作者 徐保民 殷之文 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第2期162-166,共5页

本文用导纳谱法测得低温一次烧结SrTiO3晶界层电容器材料的体深能级位于导带底下0.21eV处．提出了SrTiO3顺电行为和体深能级综合效应对材料介电性质的作用，解释了材料ε～T曲线上的异常“凸起”和显著的介电频散现象．根据给出的合体... 本文用导纳谱法测得低温一次烧结SrTiO3晶界层电容器材料的体深能级位于导带底下0.21eV处．提出了SrTiO3顺电行为和体深能级综合效应对材料介电性质的作用，解释了材料ε～T曲线上的异常“凸起”和显著的介电频散现象．根据给出的合体深能级的等效电路模型，计算机拟合结果与实验数据基本相符． 展开更多

关键词 钛酸锶 晶界层 电容器 介电性 体深能级 陶瓷

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镍内电极铌镁酸铅基MLC研制 被引量：2

3

作者 李玲霞 郜昕 +1 位作者 张志萍 董向红 《电子元件与材料》 CAS CSCD 1999年第5期34-34,共1页

关键词 MLC 陶瓷电容器 铌镁酸铅基 电极浆料

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多层陶瓷电容器银/钯内电极浆料的烧结 被引量：1

4

作者 魏建中 张良莹 姚熹 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 1997年第5期356-359,共4页

研究了多层陶瓷电容器银／钯内电极浆料的烧结行为。热重分析（ＴＧＡ）结果表明，在烧结过程中，银／钯内电极浆料发生氧化－还原反应。ＸＲＤ分析表明，由于内电极浆料的氧化－还原反应，在不同的烧成温度下，银／钯内电极具有不同的... 研究了多层陶瓷电容器银／钯内电极浆料的烧结行为。热重分析（ＴＧＡ）结果表明，在烧结过程中，银／钯内电极浆料发生氧化－还原反应。ＸＲＤ分析表明，由于内电极浆料的氧化－还原反应，在不同的烧成温度下，银／钯内电极具有不同的合金状态。通过计算，可以初步确定内电极的银／钯合金状态和银／钯合金为银／钯比例。这些结果有助于理解多层陶瓷电容器在烧成过程中的银扩散和挥发。 展开更多

关键词 多层陶瓷电容器 内电极浆料 烧结 电容器

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陶瓷电容器化学镀铜的研究 被引量：2

5

作者 袁永明 万家义 王惠萍 《化学研究与应用》 CAS CSCD 1997年第2期203-206,共4页

陶瓷电容器化学镀铜的研究袁永明万家义王惠萍（四川大学化学系成都６１００６４）关键词陶瓷电容器以铜代银化学镀中图分类号Ｏ６９陶瓷电容器是最基本的电子元件，目前国内外大都采用涂银（印银）－烧银法制作银电极。这种方法需要消... 陶瓷电容器化学镀铜的研究袁永明万家义王惠萍（四川大学化学系成都６１００６４）关键词陶瓷电容器以铜代银化学镀中图分类号Ｏ６９陶瓷电容器是最基本的电子元件，目前国内外大都采用涂银（印银）－烧银法制作银电极。这种方法需要消耗大量的贵金属银，设备投资贵、成本... 展开更多

关键词 陶瓷电容器 化学镀铜 电极 铜 银

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CK-94电子陶瓷流延成膜黏合剂

6

作者 伍征华 胡欢 《电子元件与材料》 CAS CSCD 1997年第3期37-40,共4页

在生产多层陶瓷电容器所需的陶瓷膜片中，陶瓷黏合剂起着将陶瓷粉料黏结且均匀分布的作用。作者所研制的电子陶瓷流延成膜黏合剂是由醇溶性聚合物、溶剂、增塑剂、脱膜剂、消泡剂等组成的多组分黏合剂。该陶瓷流延成膜黏合剂具有生产工... 在生产多层陶瓷电容器所需的陶瓷膜片中，陶瓷黏合剂起着将陶瓷粉料黏结且均匀分布的作用。作者所研制的电子陶瓷流延成膜黏合剂是由醇溶性聚合物、溶剂、增塑剂、脱膜剂、消泡剂等组成的多组分黏合剂。该陶瓷流延成膜黏合剂具有生产工艺简单、使用方便、毒性极低、成本低廉。 展开更多

关键词 多层陶瓷 陶瓷电容器 粘合剂 流延法 电容器

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高性能低烧片式元件的三层镀技术

7

作者 李龙土 《材料导报》 EI CAS CSCD 2001年第2期49-49,共1页

本项目由清华大学与风华高新科技集团股份有限公司共同完成,任务与目标是通过深入研究高介低烧PMN基MLCC三层镀技术与瓷料改性,实现高介低烧PMN基MLCC的片式化,使“八·五”重大成果高性能低烧MLCC进一步规模化和产业化,以获得更显... 本项目由清华大学与风华高新科技集团股份有限公司共同完成,任务与目标是通过深入研究高介低烧PMN基MLCC三层镀技术与瓷料改性,实现高介低烧PMN基MLCC的片式化,使“八·五”重大成果高性能低烧MLCC进一步规模化和产业化,以获得更显著效益。 取得的主要成果 (1)在“八五”Y5V203瓷料的基础上,与风华公司共同研制开发的可镀片式高介低烧MLCC用2FU193瓷料。 展开更多

关键词 陶瓷电容器 低烧片式元件 MLCC 三层镀技术

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高性能低烧MLC三层镀工艺研究：Ⅱ.振动电镀

8

作者 曾智强 陈万平 《上海微电子技术和应用》 1997年第4期22-25,共4页

本文探讨了ＰＭＮ系多层陶瓷电容器的振动三层镀工艺。分析了工艺参数对ＭＬＣ电性能的影响，表明振动电镀对ＭＬＣ的电容量影响不明显，而使ＭＬＣ绝缘电阻降低，介质损耗增大；和镀Ｓｎ相比，镀Ｎｉ过程对ＭＬＣ的性能影响较大。

关键词 MLC 制造工艺 表面安装技术 陶瓷电容器

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陶瓷表面Ni-Cu-P金属化工艺的研究

9

作者 闫洪 《电子工艺技术》 1999年第4期139-142,共4页

用化学镀Ｎｉ－Ｃｕ－Ｐ合金的方法使陶瓷表面金属化。结果表明：用Ｎｉ－Ｃｕ－Ｐ合金代替贵金属银作为陶瓷元件的电极材料是可行的，其产品的各项技术指标（容量、损耗、结合力、软钎焊性）均达到电极材料的要求。

关键词 NI-CU-P 合金化学镀 陶瓷 表面金属化 电容器

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钛酸铅铁电薄膜电容器及其存储单元的制备 被引量：2

10

作者 曾亦可 刘梅冬 +2 位作者 王培英 饶韫华 余大年 《电子元件与材料》 CAS CSCD 1998年第4期1-3,共3页

用溶胶－凝胶方法制备出了ＰｂＴｉＯ３（ＰＴ）铁电薄膜电容器，设计了相应的非易失存储单元。介绍了ＰＴ溶胶的络合、水解成胶反应，铁电薄膜电容器的制备工艺，存储单元电路设计及工作原理。

关键词 铁电薄膜 溶胶-凝胶法 存储单元 电容器

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化学镀非晶态Ni-P合金在瓷介电容器上的应用 被引量：1

11

作者 章兆兰 王志奎 高新 《电镀与环保》 CAS CSCD 北大核心 1999年第2期18-19,共2页

１前言电子元器件表面金属化均采用传统的镀银工艺，这种工艺不但要消耗大量的电能，特别要耗用价格昂贵的银，这势必导致原料成本成倍提高。另外由于在电场作用下，银离子从阳极向阴极迁移［１］，最后沉积在阴极上，这种阳离子的迁移... １前言电子元器件表面金属化均采用传统的镀银工艺，这种工艺不但要消耗大量的电能，特别要耗用价格昂贵的银，这势必导致原料成本成倍提高。另外由于在电场作用下，银离子从阳极向阴极迁移［１］，最后沉积在阴极上，这种阳离子的迁移现象，将引起严重的后果。首先是随着... 展开更多

关键词 化学镀 非晶态 镍磷合金 瓷介电容器 电容器

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MLCC规模生产工艺的新进展 被引量：2

12

作者 李标荣 丁爱军 《电子元件与材料》 CAS CSCD 1995年第5期10-15,共6页

着重叙述了最新发展起来的、已达规模生产水平的两种片式多层陶瓷电容器（ＭＬＣＣ）新工艺，介绍了它们的生产流程、工艺原理、工艺难点和质量保证，此外还比较了这两种新工艺的优越性与不足之处。

关键词 陶瓷电容器 MLCC 工艺 电容器

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陶瓷电容器的现状及发展趋势 被引量：1

13

作者 李建平 《电子与自动化仪表信息》 1996年第5期29-31,共3页

随着我国电子科学技术的进步，国民经济的高速发展和现代国际技术的需要，元器件行业在整个信息产业中的地位日益重要，本文对国内陶瓷电容器的现状及重点生产厂家的生产水平和技术水平进行了分析，并就今后陶瓷电容器的发展趋势及市场... 随着我国电子科学技术的进步，国民经济的高速发展和现代国际技术的需要，元器件行业在整个信息产业中的地位日益重要，本文对国内陶瓷电容器的现状及重点生产厂家的生产水平和技术水平进行了分析，并就今后陶瓷电容器的发展趋势及市场进行了预测和展望。 展开更多

关键词 电容器 陶瓷电容器 制造 发展

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隧道窑多点温度微机控制系统 被引量：2

14

作者 周进千 蒋爱平 郑旭东 《工业控制计算机》 1989年第2期7-11,共5页

一、概述电容器陶瓷材料的烧成温度最佳为1300℃,但是陶瓷基片被银后的焙烧温度由于受到了银的挥发温度的限制因而应低于900℃。过去生产中为了防止银层的挥发,焙烧温度一般控制在800℃左右。然而实际工作中我们却发现,如果能将焙烧温... 一、概述电容器陶瓷材料的烧成温度最佳为1300℃,但是陶瓷基片被银后的焙烧温度由于受到了银的挥发温度的限制因而应低于900℃。过去生产中为了防止银层的挥发,焙烧温度一般控制在800℃左右。然而实际工作中我们却发现,如果能将焙烧温度尽量接近900℃,则能较大地提高基片的质量,制成的电容器其损耗和绝缘性能也较好。但是由于目前所用常规仪表的控温精度较差,一般在±10℃左右,因而满足不了上述要求。为此我们通过调研,提出并研制了隧道窑多点温度微机控制系统。该系统的工作过程简述如下:由热电偶LB—3输出的0—16.688mv信号,送入低温漂斩波自稳零放大器ICL7650。 展开更多

关键词 陶瓷电容器 微机应用 隧道窑 温度

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片式MLC三层端电极工艺技术 被引量：1

15

作者 陈涛 《电子元件》 1995年第4期14-19,共6页

我厂研制成片式多层陶瓷电容器三层端电极已有五年多了。其中镍和铅锡镀液、制造工艺、微型电镀设备等全部自行设计，并生产出大量适用于ＳＭＴ，如电子调谐器，厚膜电路、电子手表中用的产品。近期又地该工艺的成熟性进行研究，即电镀... 我厂研制成片式多层陶瓷电容器三层端电极已有五年多了。其中镍和铅锡镀液、制造工艺、微型电镀设备等全部自行设计，并生产出大量适用于ＳＭＴ，如电子调谐器，厚膜电路、电子手表中用的产品。近期又地该工艺的成熟性进行研究，即电镀后产品的电性能提高，镍和铅锡镀液的维护，片式电阻和电感三层端电极材料研制，使片式元件三层端电极技术系统化。 展开更多

关键词 多层陶瓷电容器 工艺 端电极 电容器 电镀

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高压并联电容器户外与户内安装运行的分析 被引量：1

16

作者 吴岳甫 《电力电容器》 1990年第3期11-14,共4页

高压并联电容器在六十年代前,其本身结构有户内式与户外式的分别,主要是在出线瓷套管的区别,内部结构仍是一致的,到七十年代以后,电容器制造厂已几乎停止了户内式高压并联电容器的生产,统一使用户外式瓷套管,并已在逐步做到采用电容器... 高压并联电容器在六十年代前,其本身结构有户内式与户外式的分别,主要是在出线瓷套管的区别,内部结构仍是一致的,到七十年代以后,电容器制造厂已几乎停止了户内式高压并联电容器的生产,统一使用户外式瓷套管,并已在逐步做到采用电容器研究所统一设计尺寸的各级电压瓷套管,各电压等级瓷套管均适于我国的国情。 展开更多

关键词 并联电容器 高压 安装 运行 电容器

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高压断路器用陶瓷电容器引线焊接新方法 被引量：1

17

作者 孙芳民 孙芳霞 《电子工艺技术》 1999年第2期58-60,共3页

研究了ＳＦ６型高压断路器用陶瓷电容器的电极与引线之间的焊接技术，采用６２Ｓｎ／３６Ｐｂ／２Ａｇ锡膏及相应的工艺措施，解决了以前用锡箔片焊接存在的工艺难控制、易堆锡、银溶问题以及用环氧树脂银导电胶粘接存在的导电胶老化问... 研究了ＳＦ６型高压断路器用陶瓷电容器的电极与引线之间的焊接技术，采用６２Ｓｎ／３６Ｐｂ／２Ａｇ锡膏及相应的工艺措施，解决了以前用锡箔片焊接存在的工艺难控制、易堆锡、银溶问题以及用环氧树脂银导电胶粘接存在的导电胶老化问题，获得了工艺简单且使焊接强度明显提高的焊接方法。 展开更多

关键词 陶瓷电容器 引线 焊接 高压断路器

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多层陶瓷电容器分层问题研究 被引量：1

18

作者 陈涛 陈嘉宝 《电子元件》 1995年第2期26-29,共4页

关键词 多层陶瓷电容器 分层 工艺

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多层陶瓷电容器新工艺 被引量：1

19

作者 李标荣 丁爱军 章士瀛 《电子科技导报》 1995年第11期29-31,共3页

本文介绍两种最新、最有发展前途的多层陶瓷电容器（ＭＬＣＣ）新工艺。

关键词 多层陶瓷电容器 陶瓷介质电容器 工艺

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多层陶瓷电容器生产线上切块机的微电脑程控器

20

作者 陈德敷 魏进 《电子元件与材料》 CAS CSCD 1989年第6期70-73,共4页

切块机是多层陶瓷电容器生产线的关键设备之一。本文设计的DMC微电脑程序控制器使切块机具有自动和手动两种工作方式,以及脉冲可控、键盘查询、修改参数、限位停车等多种功能。

关键词 陶瓷 电容器 生产线 切块机 微机

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