电子工业发展使多层陶瓷电容器的需求大增,为降低成本,适用于贱金属电极的介质陶瓷成为研究热点。选择MnO_(2)掺杂0.95Ba Ti O3–0.05Bi Co O3陶瓷,经调整掺杂比例,其抗还原与介电性能大幅提升。结果表明:还原气氛下Mn离子变价使晶胞体...电子工业发展使多层陶瓷电容器的需求大增,为降低成本,适用于贱金属电极的介质陶瓷成为研究热点。选择MnO_(2)掺杂0.95Ba Ti O3–0.05Bi Co O3陶瓷,经调整掺杂比例,其抗还原与介电性能大幅提升。结果表明:还原气氛下Mn离子变价使晶胞体积膨胀,形成不均匀结构使Curie峰分裂并展宽,介温稳定性提高,x=0.5时性能最佳,ε(25℃)=2354,tanδ=0.0075,稳定性符合X8R。同时,元素变价的过程有助于降低电子浓度,电阻率提高至1.84×10~(13)Ω·cm,最大耐压达到210 k V/cm。热激励退极化漏电流测试表明Co、Mn结合氧空位形成缺陷偶极,进一步增强抗还原性能。展开更多
文摘电子工业发展使多层陶瓷电容器的需求大增,为降低成本,适用于贱金属电极的介质陶瓷成为研究热点。选择MnO_(2)掺杂0.95Ba Ti O3–0.05Bi Co O3陶瓷,经调整掺杂比例,其抗还原与介电性能大幅提升。结果表明:还原气氛下Mn离子变价使晶胞体积膨胀,形成不均匀结构使Curie峰分裂并展宽,介温稳定性提高,x=0.5时性能最佳,ε(25℃)=2354,tanδ=0.0075,稳定性符合X8R。同时,元素变价的过程有助于降低电子浓度,电阻率提高至1.84×10~(13)Ω·cm,最大耐压达到210 k V/cm。热激励退极化漏电流测试表明Co、Mn结合氧空位形成缺陷偶极,进一步增强抗还原性能。
