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GaN HEMT非线性输出电容寄生参数研究 被引量：2
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作者 孙世滔 蔡斐 +1 位作者 李川 吕国强 《电子器件》 CAS 北大核心 2013年第6期760-764,共5页
分析了GaN(氮化镓)HEMT(高电子迁移率晶体管)非线性输出电容寄生参数C out与功率放大器效率的关系。通过建立非线性电路模型分析得出,C out与外部合适的匹配电路结合能产生类似电压半正弦波,电流方波的最优效率波形。选用GaN HEMT器件设... 分析了GaN(氮化镓)HEMT(高电子迁移率晶体管)非线性输出电容寄生参数C out与功率放大器效率的关系。通过建立非线性电路模型分析得出,C out与外部合适的匹配电路结合能产生类似电压半正弦波,电流方波的最优效率波形。选用GaN HEMT器件设计S频段射频功率放大器,实测结果显示该放大器最高漏极效率(DE)为81.7%,功率附加效率(PAE)78.56%,功率为41.16 dBm,在100 M带宽内PAE也可达74.49%以上,并且结构简单。实测结果验证了原理分析的可靠性。 展开更多
关键词 功率放大器 高效率 GAN HEMT 非线性电容
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