介绍光学电压互感器(optical voltage transducer,OVT)的原理,提出基于横向调制的110 kV电压等级OVT的初步结构设计,利用有限元电磁场软件对其内电场进行仿真。仿真结果表明,OVT内部某些部位的电场分布较为集中,影响晶体内电场的均匀性...介绍光学电压互感器(optical voltage transducer,OVT)的原理,提出基于横向调制的110 kV电压等级OVT的初步结构设计,利用有限元电磁场软件对其内电场进行仿真。仿真结果表明,OVT内部某些部位的电场分布较为集中,影响晶体内电场的均匀性。合理配置均压环和充入SF6绝缘气体可以减小场聚集效应,降低电场强度,改善晶体内电场的均匀性。最后,根据一系列仿真数据,设计了满足0.1级准确度,内电场最大电场强度仅为22.1 kV/cm的OVT结构,为下一步原理样机的研制提供参考。展开更多
文摘介绍光学电压互感器(optical voltage transducer,OVT)的原理,提出基于横向调制的110 kV电压等级OVT的初步结构设计,利用有限元电磁场软件对其内电场进行仿真。仿真结果表明,OVT内部某些部位的电场分布较为集中,影响晶体内电场的均匀性。合理配置均压环和充入SF6绝缘气体可以减小场聚集效应,降低电场强度,改善晶体内电场的均匀性。最后,根据一系列仿真数据,设计了满足0.1级准确度,内电场最大电场强度仅为22.1 kV/cm的OVT结构,为下一步原理样机的研制提供参考。
