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题名晶硅衬底参数对背接触太阳电池性能的影响
被引量：4
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作者
周涛
陆晓东
张鹏
夏婷婷
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机构
渤海大学新能源学院
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第6期441-447,477,共8页
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基金
国家自然科学基金资助项目(11304020)
辽宁省教育一般项目(L2012401)
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文摘
利用Silvaco-TCAD半导体器件仿真软件对n型插指背接触（IBC）晶硅太阳电池衬底参数进行了优化,全面系统地分析了晶硅衬底厚度、电阻率、少子寿命对IBC太阳电池量子效率、短路电流、开路电压、转换效率的影响。结果表明：晶硅衬底少子寿命是影响IBC太阳电池性能的最主要因素。少子寿命越高,电池转换效率越高。当晶硅衬底电阻率为2Ω·cm,少子寿命为500μs时,最优的衬底厚度范围为60-65μm,IBC太阳电池转换效率约为22.5%。利用高质量晶硅材料制备IBC太阳电池时,可降低对衬底厚度的要求。当晶硅衬底厚度为150μm、少子寿命为500μs时,最优衬底电阻率为0.3Ω·cm,IBC太阳电池转换效率约为23.3%。少子寿命越低,IBC太阳电池最优的衬底电阻率越大。
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关键词
背接触
晶硅太阳电池
电阻率
厚度
少子寿命
效率
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Keywords
back contact
crystalline silicon solar cell
resistivity
thickness
minority carrier life
efficiency
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分类号
TM304.12
[电气工程—电机]
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题名电子级硅料清洗质量影响因素分析
被引量：2
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作者
赵云
陈辉
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机构
洛阳中硅高科技有限公司
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出处
《绿色矿冶》
2023年第6期49-52,共4页
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文摘
电子级多晶硅中金属杂质含量的控制要求较高,其生产工艺、后处理工艺比较严格。电子级多晶硅料在破碎处理中难免会造成二次金属引入的问题,因此对破碎后的电子级多晶硅料进行清洗显得尤其重要。本文分析了电子级多晶硅料清洗质量的影响因素,包括清洗工艺、清洗剂选择、清洗设备材质及环境洁净度和人为操作因素等,并提出相应的控制措施。
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关键词
电子级多晶硅
清洗质量
清洗剂
超声槽材质
环境洁净度
控制措施
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Keywords
electronic grade polycrystalline silicon
cleaning quality
cleaning agent
ultrasonic groove material
environmental cleanliness
control measures
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分类号
TM304.12
[电气工程—电机]
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