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PZT陶瓷的低温烧结研究进展
1
作者 姜昆 李乐天 +4 位作者 郑木鹏 胡永明 潘勤学 吴超峰 王轲 《无机材料学报》 北大核心 2025年第6期627-638,共12页
Pb(Zr,Ti)O_(3)(PZT)陶瓷以其优异的压电、铁电和热释电性能,在国防、医疗、通信及能源转换等领域发挥着至关重要的作用。然而PZT陶瓷的烧结温度通常超过1200℃,这不仅能源消耗高,还会造成PbO大量挥发,使PZT陶瓷偏离化学计量比而影响其... Pb(Zr,Ti)O_(3)(PZT)陶瓷以其优异的压电、铁电和热释电性能,在国防、医疗、通信及能源转换等领域发挥着至关重要的作用。然而PZT陶瓷的烧结温度通常超过1200℃,这不仅能源消耗高,还会造成PbO大量挥发,使PZT陶瓷偏离化学计量比而影响其电学性能。此外,压电叠层器件的迅速发展还进一步要求PZT陶瓷能与成本较低的金属电极在低温下进行共烧。针对上述问题,研究人员对PZT压电陶瓷的低温烧结进行了深入研究,将PZT陶瓷的烧结温度降低至1000℃以下。本文从PZT陶瓷的结构特点、物理性能出发,对低温烧结技术在PZT陶瓷领域的研究现状进行了综述,基于低温烧结原理介绍了特种烧结技术(放电等离子体烧结、热压烧结和冷烧结)和引入助烧剂(形成固溶体、液相烧结和过渡液相烧结)的低温烧结现状,系统总结了上述烧结技术对PZT压电陶瓷微观结构和电学性能的影响规律。针对引入助烧剂导致电学性能劣化的问题及可能的解决途径进行了探讨,并对PZT陶瓷低温烧结技术的发展趋势进行了展望。 展开更多
关键词 PZT 低温烧结 压电陶瓷 钙钛矿 综述
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钆掺杂的高非线性和低漏流SnO_(2)基压敏电阻材料
2
作者 孙斐 赵洪峰 缪奎 《材料导报》 北大核心 2025年第2期31-34,共4页
本工作通过在SnO_(2)-Co_(3)O_(4)-Cr_(2)O_(3)-Ta_(2)O_(5)体系中引入Gd,制备了兼具高非线性系数和低泄漏电流的SnO_(2)压敏陶瓷材料。结果表明:Gd的掺杂能够促进晶粒生长,降低样品气孔率,并在掺杂量为0.25%(如无特殊说明均为摩尔分数... 本工作通过在SnO_(2)-Co_(3)O_(4)-Cr_(2)O_(3)-Ta_(2)O_(5)体系中引入Gd,制备了兼具高非线性系数和低泄漏电流的SnO_(2)压敏陶瓷材料。结果表明:Gd的掺杂能够促进晶粒生长,降低样品气孔率,并在掺杂量为0.25%(如无特殊说明均为摩尔分数)时获得了最佳的电气性能,非线性系数达到55,泄漏电流低至7.74 mA/cm^(2),同时电压梯度高达568 V/mm,在50 Hz频率下介电常数高达213,显示出其潜在的应用前景。但过饱和的掺杂会恶化压敏陶瓷的电气性能。本工作将非线性系数的变化归因于晶界势垒的提升,认为泄漏电流减小是晶界电阻升高,电子迁移率下降导致的,并从点缺陷的角度分析了晶界势垒升高的原因,系统地阐述了Gd的掺杂对SnO_(2)压敏电阻陶瓷电气性能和微观结构的影响机理。 展开更多
关键词 SnO_(2)压敏电阻 非线性 泄漏电流 晶界电阻 势垒 点缺陷
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NTC热敏电阻材料组成及制备工艺研究进展 被引量：26
3
作者 王卫民 赵鸣 +2 位作者 张慧君 高峰 田长生 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期286-289,共4页
本文对含锰尖晶石系列热敏电阻材料的组成、制备工艺和性能给予了评述。提出了NTC多层片式化、老化特性等目前该领域中几点前沿性热点问题。
关键词 NTC 尖晶石 多层片式化 老化
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ZnO压敏电阻老化机理的研究进展 被引量：26
4
作者 刘俊 何金良 +1 位作者 胡军 龙望成 《电工电能新技术》 CSCD 北大核心 2010年第3期63-67,共5页
ZnO压敏电阻作为避雷器的关键元件在限制电力系统过电压方面具有极为重要的作用,直接决定电力系统的过电压水平和设备的绝缘水平。然而其在承受长期工作电压或短时冲击电流作用时不可避免地会产生老化现象。本文总结了国内外学者对于Zn... ZnO压敏电阻作为避雷器的关键元件在限制电力系统过电压方面具有极为重要的作用,直接决定电力系统的过电压水平和设备的绝缘水平。然而其在承受长期工作电压或短时冲击电流作用时不可避免地会产生老化现象。本文总结了国内外学者对于ZnO压敏电阻老化机理的不同观点及最新研究进展,分析了其老化机理,并讨论了提高ZnO压敏电阻稳定性的方法。 展开更多
关键词 ZNO压敏电阻 老化机理 离子迁移 稳定性
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ZnO陶瓷薄膜的制备及其低压压敏性质 被引量：10
5
作者 黄焱球 刘梅冬 +3 位作者 李楚容 曾亦可 刘少波 夏冬林 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2001年第5期384-386,共3页
利用新型 Sol- Gel法在镀有 Au底电极的单晶硅片上制备 Bi2 O3、Sb2 O3掺杂的 Zn O陶瓷薄膜。先驱体溶液由 Bi2 O3、Sb2 O3掺杂的 Zn O纳米粉体均匀分散于含有 Zn(CH3COO) 2 、Bi(NO3) 3及 Sb2 O3的溶胶中制成。薄膜由甩胶法制备 ,并由 ... 利用新型 Sol- Gel法在镀有 Au底电极的单晶硅片上制备 Bi2 O3、Sb2 O3掺杂的 Zn O陶瓷薄膜。先驱体溶液由 Bi2 O3、Sb2 O3掺杂的 Zn O纳米粉体均匀分散于含有 Zn(CH3COO) 2 、Bi(NO3) 3及 Sb2 O3的溶胶中制成。薄膜由甩胶法制备 ,并由 40 0°C预烧、75 0°C退火。制得的陶瓷薄膜 Zn O结晶良好 ,并存在β- Bi2 O3、Zn2 Sb3Bi3O1 4 及Zn7Sb2 O1 2 相 ,表现出良好的低压压敏性质。厚约为 3μm的 Zn O陶瓷薄膜非线性系数α为 6 .2、压敏电压为 5 V、漏电流为 8μA。 展开更多
关键词 陶瓷薄膜 低压压敏电阻 性能特征 氧化锌
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高能ZnO基复合陶瓷线性电阻的制备 被引量：5
6
作者 袁方利 林元华 +2 位作者 黄淑兰 李晋林 季幼章 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期497-500,共4页
在 ＺｎＯ中添加 Ａｌ２Ｏ３和 ＭｇＯ，制备了高能 ＺｎＯ基复合陶瓷线性电阻，其电阻率为 ５～１３００Ω ·ｃｍ、能量密度大于 ４５０Ｊ／ｃｍ３、电阻温度系数小且近于线性．烧结温度、 ＭｇＯ添加量和降温速率分别对材料的电... 在 ＺｎＯ中添加 Ａｌ２Ｏ３和 ＭｇＯ，制备了高能 ＺｎＯ基复合陶瓷线性电阻，其电阻率为 ５～１３００Ω ·ｃｍ、能量密度大于 ４５０Ｊ／ｃｍ３、电阻温度系数小且近于线性．烧结温度、 ＭｇＯ添加量和降温速率分别对材料的电阻率、电阻温度特性以及线性度和能量密度有较大影响． 展开更多
关键词 ZnO陶瓷 线性电阻 制备 氧化铝 氧化锰
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纳米晶钛酸钡粉体制备及陶瓷烧结性能的研究 被引量：12
7
作者 李青莲 陈维 +1 位作者 陈寿田 惠春 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2000年第1期37-39,共3页
采用硬脂酸钡和钛酸丁酯为原料的凝胶方法制备了纳米晶钛酸钡粉。ＸＲＤ分析表明晶体为立方相钙钛矿结构，扫描电镜图像显示一次粒子粒径约２０ｎｍ。纳米粉体烧结温度比普通微米粉体烧结温度低，陶瓷显微结构分析表明在陶瓷中晶粒仍保... 采用硬脂酸钡和钛酸丁酯为原料的凝胶方法制备了纳米晶钛酸钡粉。ＸＲＤ分析表明晶体为立方相钙钛矿结构，扫描电镜图像显示一次粒子粒径约２０ｎｍ。纳米粉体烧结温度比普通微米粉体烧结温度低，陶瓷显微结构分析表明在陶瓷中晶粒仍保持纳米尺寸，约为１００ｎｍ。所得材料具有良好的热稳定性，在１１９０～１２８０℃的烧结温度范围内，陶瓷体内晶粒无明显长大，且始终维持在纳米尺寸。 展开更多
关键词 钛酸钡 纳米晶体 陶瓷 烧结性能
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Nb_2O_5掺杂对ZnO压敏电阻器电性能的影响 被引量：8
8
作者 李慧峰 许毓春 +1 位作者 王礼琼 王士良 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1994年第6期27-30,共4页
本文研究了Ｎｂ＿２Ｏ＿５掺杂以及Ｎｂ＿２Ｏ＿５与ＺｎＯ煅烧对ＺｎＯ压敏电阻器电性能的影响。实验表明，Ｎｂ＿２Ｏ＿５的掺入使压敏电场减少，当Ｎｂ＿２Ｏ＿５含量为０．１％ｍｏｌ时，其压敏电场最小．非线性系数最大。煅烧温度... 本文研究了Ｎｂ＿２Ｏ＿５掺杂以及Ｎｂ＿２Ｏ＿５与ＺｎＯ煅烧对ＺｎＯ压敏电阻器电性能的影响。实验表明，Ｎｂ＿２Ｏ＿５的掺入使压敏电场减少，当Ｎｂ＿２Ｏ＿５含量为０．１％ｍｏｌ时，其压敏电场最小．非线性系数最大。煅烧温度越高，压敏电场越高，非线性系数越大。 展开更多
关键词 氧化锌陶瓷 压敏电阻器 陶瓷 掺杂 性能 电阻器
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添加Nd_2O_3对氧化锌压敏阀片电性能与显微组织的影响 被引量：7
9
作者 严群 陈家钊 涂铭旌 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第12期1179-1183,共5页
研究了微量Nd2O3添加剂对氧化锌压敏阀片的压敏电位梯度、漏电流和压比的影响,并对其显微组织进行了分析研究,从理论上探讨了Nd2O3对氧化锌压敏阀片电性能与组织的作用机理。研究结果表明:当Nd2O3的摩尔分数为0.04％时,氧化锌压敏阀片... 研究了微量Nd2O3添加剂对氧化锌压敏阀片的压敏电位梯度、漏电流和压比的影响,并对其显微组织进行了分析研究,从理论上探讨了Nd2O3对氧化锌压敏阀片电性能与组织的作用机理。研究结果表明:当Nd2O3的摩尔分数为0.04％时,氧化锌压敏阀片的压敏电位梯度最高,漏电流最小,压比最低,具有优良的综合电性能。其原因是Nd2O3加入到氧化锌压敏阀片中,使晶粒尺寸减小所致。 展开更多
关键词 氧化锌 压敏阀片 氧化钕 电性能 显微组织
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掺杂及工艺特性对高介BaTiO_3系统性能的影响 被引量：3
10
作者 郭炜 李玲霞 +2 位作者 吴霞宛 王洪儒 张志萍 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2002年第6期482-484,共3页
研究了共沉淀合成的BaTiO3热处理过程,温度过低,粉末为立方相,温度较高时为四方相,烧结后其介电性能较好;掺杂适量的稀土元素Gd2O3可有效的改善陶瓷的介电性能,其在室温下系统介电性能为:ε≥5000,ΔC/C≤±15%,tanδ≤1.2%,R≥1012... 研究了共沉淀合成的BaTiO3热处理过程,温度过低,粉末为立方相,温度较高时为四方相,烧结后其介电性能较好;掺杂适量的稀土元素Gd2O3可有效的改善陶瓷的介电性能,其在室温下系统介电性能为:ε≥5000,ΔC/C≤±15%,tanδ≤1.2%,R≥1012Ω·cm,满足X7R特性。 展开更多
关键词 掺杂 工艺特性 高介BaTiO3 系统性能 稀土元素 X7R 钛酸钡 陶瓷材料
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高居里点(1-x)Ba_(0.998)La_(0.002)TiO_3+xBi_4Ti_3O_(12)系统陶瓷微观结构及温度特性的研究 被引量：4
11
作者 蒲永平 王瑾菲 +3 位作者 赵新 杨公安 陈小龙 吴胜红 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期1119-1122,共4页
采用传统陶瓷制备工艺制备(1-x)Ba0.998La0.002TiO3+xBi4Ti3O12(0≤x≤0.01)系统陶瓷。对在还原气氛(氮气)中烧成的陶瓷样品在一定温度下进行再氧化处理。研究了不同Bi4Ti3O12掺杂浓度以及再氧化过程对BaTiO3微观结构、介电性能及居里温... 采用传统陶瓷制备工艺制备(1-x)Ba0.998La0.002TiO3+xBi4Ti3O12(0≤x≤0.01)系统陶瓷。对在还原气氛(氮气)中烧成的陶瓷样品在一定温度下进行再氧化处理。研究了不同Bi4Ti3O12掺杂浓度以及再氧化过程对BaTiO3微观结构、介电性能及居里温度Tc的影响。结果表明:掺杂Bi4Ti3O12后,BaTiO3陶瓷的晶粒尺寸明显减小;Bi4Ti3O12具有提高陶瓷居里点温度的作用,当x=1.0时,居里温度提高到Tc=150℃。随着BIT加入量的增加,电子与缺位混合补偿,晶格中将产生金属离子缺位,以补偿多余电子,因此随着BIT掺入量的增加,电阻率逐渐增大。 展开更多
关键词 Ba0.998La0.002TiO3 BI4TI3O12 显微结构 居里温度
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CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷深陷阱松弛特性研究 被引量：3
12
作者 杨雁 李盛涛 +3 位作者 李晓 吴高林 王谦 鲍明晖 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第11期1185-1190,共6页
研究了固相反应法及共沉淀法制备的CaCu3Ti4O12陶瓷深陷阱松弛特性.测试了CaCu3Ti4O12陶瓷在频率为0.1～107Hz,温度为–100～100℃的范围内的介电频谱及温谱.通过对不同温度下介电频谱的分析,研究了双Schottky势垒结构中深陷阱松弛特性... 研究了固相反应法及共沉淀法制备的CaCu3Ti4O12陶瓷深陷阱松弛特性.测试了CaCu3Ti4O12陶瓷在频率为0.1～107Hz,温度为–100～100℃的范围内的介电频谱及温谱.通过对不同温度下介电频谱的分析,研究了双Schottky势垒结构中深陷阱松弛特性.研究表明:在交流小信号作用下,由于Schottky势垒中深陷阱与Fermi能级的上下关系发生变化,引起深陷阱电子发射和俘获即电子松弛过程,在介电频谱中表现为松弛峰;并且由介电谱的分析结果可得深陷阱能级等微观参数.比较不同试样的深陷阱参数可知:在CaCu3Ti4O12陶瓷中,在导带以下约0.52和0.12 eV的能级处存在由本征缺陷产生的深陷阱.介电温谱与频谱的分析类似,二者可以互为补充. 展开更多
关键词 CaCu3Ti4O12陶瓷 介电频谱 松弛特性 Schottky势垒
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低压ZnO压敏陶瓷冲击老化特性 被引量：7
13
作者 章天金 周东祥 龚树萍 《电子元件与材料》 CAS CSCD 1999年第4期18-19,共2页
研究了低压ＺｎＯ压敏陶瓷元件的老化性能，分析了ＺｎＯ压敏陶瓷的冲击老化机理，探讨了改进ＺｎＯ压敏陶瓷元件抗老化能力的途径与措施。实验结果表明：低压ＺｎＯ压敏陶瓷在大电流冲击作用下，伏安特性的蜕变具有极性效应，冲击电流... 研究了低压ＺｎＯ压敏陶瓷元件的老化性能，分析了ＺｎＯ压敏陶瓷的冲击老化机理，探讨了改进ＺｎＯ压敏陶瓷元件抗老化能力的途径与措施。实验结果表明：低压ＺｎＯ压敏陶瓷在大电流冲击作用下，伏安特性的蜕变具有极性效应，冲击电流密度越大，冲击次数越多，冲击间隔愈短，伏安特性的蜕变愈严重。实验发现添加剂预烧及适量Ｓｉ。 展开更多
关键词 氧化锌 压敏陶瓷 老化 伏安特性 蜕变
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La_2O_3掺杂氧化锌压敏阀片压敏电位梯度与显微组织的研究 被引量：7
14
作者 严群 陈家钊 涂铭旌 《中国稀土学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第z1期130-132,共3页
采用添加微量La2O3的方法,提高氧化锌压敏阀片的电位梯度,使之具有优良的综合性能。同时研究了微量La2O3添加剂对氧化锌压敏电阻片的压敏电位梯度的影响,并通过SEM测试手段对其微观组织结构进行了分析研究,从理论上探讨了La2O3影响氧化... 采用添加微量La2O3的方法,提高氧化锌压敏阀片的电位梯度,使之具有优良的综合性能。同时研究了微量La2O3添加剂对氧化锌压敏电阻片的压敏电位梯度的影响,并通过SEM测试手段对其微观组织结构进行了分析研究,从理论上探讨了La2O3影响氧化锌压敏阀片压敏电位梯度与组织的机理。研究结果表明,在0～0.08%(摩尔分数)成分范围内,随着La2O3含量的增加,氧化锌压敏阀片的压敏电位梯度明显提高;当La2O3含量超过0.08%时,随其含量的增加,氧化锌压敏阀片的压敏电位梯度又呈降低趋势。其原因是La2O3加入到氧化锌压敏阀片中,La主要以固溶的形态分布于ZnO晶内和晶界处,使ZnO晶体的自由电子浓度增大,进而使填隙锌离子Zni的总浓度下降,因此填隙锌离子的传质能力下降,抑制了ZnO晶粒的生长,因而晶粒尺寸随La2O3的添加量下降,压敏电位梯度显著提高。 展开更多
关键词 氧化锌压敏阀片 LA2O3 压敏电位梯度 显微组织
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自燃烧合成(Sr,Pb)TiO_3及其阻-温特性 被引量：4
15
作者 张明福 梁延峰 +2 位作者 赫晓东 韩杰才 杜善义 《电子元件与材料》 CAS CSCD 2000年第3期13-15,共3页
用自燃烧法低温合成了单相 (Sr,Pb) Ti O3陶瓷粉末 ,研究和确定了自燃烧反应的 p H值条件 ,分析了自燃烧反应历程。测量了 (Sr,Pb) Ti O3的居里温度及 Y掺杂陶瓷阻 -温特性。结果表明 ,(Sr,Pb) Ti O3的居里温度较理论计算值稍有偏移。... 用自燃烧法低温合成了单相 (Sr,Pb) Ti O3陶瓷粉末 ,研究和确定了自燃烧反应的 p H值条件 ,分析了自燃烧反应历程。测量了 (Sr,Pb) Ti O3的居里温度及 Y掺杂陶瓷阻 -温特性。结果表明 ,(Sr,Pb) Ti O3的居里温度较理论计算值稍有偏移。典型陶瓷样品的电阻升阻比为 4.2 ,V型特性明显。Y掺杂陶瓷样品的电阻率与 Y掺杂量之间关系符合一般稀土掺杂规律。 展开更多
关键词 自燃烧合成法 钛酸锶铅 阻-温特性 陶瓷
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氧化锌压敏陶瓷击穿的几何效应与微观结构的关系 被引量：11
16
作者 李盛涛 刘辅宜 贾广平 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第11期58-62,共5页
采用两面磨薄试样的方法，研究具有不同击穿场强的氧化锌压敏陶瓷的击穿场强Ｅ１ｍＡ与厚度的关系，得到了击穿场强Ｅ１ｍＡ随厚度变化的几何效应规律．利用光学显微方法，观测试样微观结构，并用ＺｎＯ晶粒长度的分散度和平均晶粒长宽... 采用两面磨薄试样的方法，研究具有不同击穿场强的氧化锌压敏陶瓷的击穿场强Ｅ１ｍＡ与厚度的关系，得到了击穿场强Ｅ１ｍＡ随厚度变化的几何效应规律．利用光学显微方法，观测试样微观结构，并用ＺｎＯ晶粒长度的分散度和平均晶粒长宽比作为微观结构特征参数表征ＺｎＯ晶粒尺寸分布的不均匀性和形状的不规整性．研究表明，临界厚度ｄ０与ＺｎＯ晶粒尺寸的分散度成正比；斜率ｂ２与平均晶粒长宽比也成正比．建立了宏观电性能与微观结构特征参数的对应关系． 展开更多
关键词 氧化锌陶瓷 几何效应 微观结构 压敏陶瓷 击穿
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(Ba,Sr)TiO_3系线性PTCR陶瓷的电性能研究 被引量：4
17
作者 周方桥 吴国安 陈志雄 《华中科技大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第10期112-114,共3页
通过对材料的复阻抗频谱、霍尔系数及零功率电阻 温度等电学特性的测试和分析 ,对 (Ba,Sr)TiO3系线性PTCR陶瓷进行了相关研究 .结果表明 :微量元素Sb的掺杂量对线性电阻 温度特性影响较大 ;晶粒体内的载流子浓度n大约只有 2 .83× 1... 通过对材料的复阻抗频谱、霍尔系数及零功率电阻 温度等电学特性的测试和分析 ,对 (Ba,Sr)TiO3系线性PTCR陶瓷进行了相关研究 .结果表明 :微量元素Sb的掺杂量对线性电阻 温度特性影响较大 ;晶粒体内的载流子浓度n大约只有 2 .83× 1 0 2 2 m-3;而晶界处的有效表面态密度ns 仅有 2 .3 5× 1 0 16 m-2 ;晶界势垒φ0 约为 0 .1 1eV ,这比常规的PTCR陶瓷的晶界势垒差不多小了一个量级 .这些很可能是决定该类材料具有较好线性电阻 展开更多
关键词 PTCR陶瓷 线性电阻 温度特性 复阻抗 霍尔系数 电性能
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CeO_2对氧化锌压敏阀片电位梯度的影响 被引量：4
18
作者 唐俊 严群 +1 位作者 陈家钊 涂铭旌 《稀土》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期27-30,共4页
研究了稀土氧化物CeO2对氧化锌压敏阀片电位梯度的影响规律。实验结果表明:微量的CeO2能够提高氧化锌压敏阀片的电位梯度,当CeO2含量为0.06%(摩尔分数)时,可提高电位梯度20%。通过扫描电镜、能谱仪和X射线衍射分析发现,CeO2以独立相形... 研究了稀土氧化物CeO2对氧化锌压敏阀片电位梯度的影响规律。实验结果表明:微量的CeO2能够提高氧化锌压敏阀片的电位梯度,当CeO2含量为0.06%(摩尔分数)时,可提高电位梯度20%。通过扫描电镜、能谱仪和X射线衍射分析发现,CeO2以独立相形态存在,并与尖晶石相协同作用,钉扎在晶界,形成晶界电阻层,阻碍晶界运动,减小氧化锌晶粒尺寸,使晶粒分布均匀致密,从而提高氧化锌压敏阀片的电位梯度,改善其综合性能。 展开更多
关键词 氧化锌压敏阀片 稀土氧化物 电位梯度 晶粒尺寸
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SrTiO_3双功能陶瓷的施主掺杂研究 被引量：7
19
作者 李建英 李盛涛 庄严 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第2期193-197,共5页
研究了２５％Ｎ_２＋７５％Ｈ_２（体积分数）强还原烧结气氛下施主添加剂 Ｎｂ_２Ｏ_ ５、Ｌａ_２Ｏ_３对ＳｒＴｉＯ３双功能陶瓷半导化的作用规律，结果表明随着添加量的增大， Ｎｂ_２Ｏ_５掺杂试样的表观电阻率单调下降，而 Ｌａ_２... 研究了２５％Ｎ_２＋７５％Ｈ_２（体积分数）强还原烧结气氛下施主添加剂 Ｎｂ_２Ｏ_ ５、Ｌａ_２Ｏ_３对ＳｒＴｉＯ３双功能陶瓷半导化的作用规律，结果表明随着添加量的增大， Ｎｂ_２Ｏ_５掺杂试样的表观电阻率单调下降，而 Ｌａ_２Ｏ_３掺杂试样的表观电阻率呈“ Ｕ”形曲线．研究了在 Ｌａ_２Ｏ_３高、低两种添加量下，烧结温度对半导化的作用规律，实验结果表明随着烧结温度的升高，高掺杂试样的表观电阻率逐渐上升，而低掺杂试样逐渐下降．在ＸＲＤ、ＩＲ、ＰＡＴ等现代测试手段分析的基础上。 展开更多
关键词 SrTiO3陶瓷 施主掺杂 半导化
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Cr_2O_3掺杂对ZnO陶瓷薄膜低压压敏性能的影响 被引量：3
20
作者 姜胜林 张海波 +1 位作者 刘梅冬 黄焱球 《华中科技大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第10期72-74,77,共4页
为了制备高性能ZnO陶瓷薄膜低压压敏电阻器 ,利用新型Sol Gel方法研究了Cr2 O3 掺杂对ZnO陶瓷薄膜低压压敏性能的影响 .复合先驱体溶液由Bi2 O3 ,Sb2 O3 ,MnO及Cr2 O3 掺杂的ZnO纳米粉体均匀分散于含有Zn(CH3 COO) 2 ,Bi2 O3 ,Sb2 O3 ,... 为了制备高性能ZnO陶瓷薄膜低压压敏电阻器 ,利用新型Sol Gel方法研究了Cr2 O3 掺杂对ZnO陶瓷薄膜低压压敏性能的影响 .复合先驱体溶液由Bi2 O3 ,Sb2 O3 ,MnO及Cr2 O3 掺杂的ZnO纳米粉体均匀分散于含有Zn(CH3 COO) 2 ,Bi2 O3 ,Sb2 O3 ,MnO及Cr2 O3 的溶胶中制成 .研究结果表明 :利用新型Sol Gel方法制备的ZnO陶瓷薄膜中 ,ZnCr2 O4相在较低的Cr2 O3 添加量时出现 ,当Cr2 O3 的摩尔分数为 0 .75 %时 ,ZnO陶瓷薄膜的非线性系数α为 7,压敏电压为 6V ,漏电流密度为 0 .7μA/mm2 . 展开更多
关键词 ZnO陶瓷薄膜 新型Sol-Gel方法 Cr2O3掺杂 低压压敏特性
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