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PZT陶瓷的低温烧结研究进展
1
作者 姜昆 李乐天 +4 位作者 郑木鹏 胡永明 潘勤学 吴超峰 王轲 《无机材料学报》 北大核心 2025年第6期627-638,共12页
Pb(Zr,Ti)O_(3)(PZT)陶瓷以其优异的压电、铁电和热释电性能,在国防、医疗、通信及能源转换等领域发挥着至关重要的作用。然而PZT陶瓷的烧结温度通常超过1200℃,这不仅能源消耗高,还会造成PbO大量挥发,使PZT陶瓷偏离化学计量比而影响其... Pb(Zr,Ti)O_(3)(PZT)陶瓷以其优异的压电、铁电和热释电性能,在国防、医疗、通信及能源转换等领域发挥着至关重要的作用。然而PZT陶瓷的烧结温度通常超过1200℃,这不仅能源消耗高,还会造成PbO大量挥发,使PZT陶瓷偏离化学计量比而影响其电学性能。此外,压电叠层器件的迅速发展还进一步要求PZT陶瓷能与成本较低的金属电极在低温下进行共烧。针对上述问题,研究人员对PZT压电陶瓷的低温烧结进行了深入研究,将PZT陶瓷的烧结温度降低至1000℃以下。本文从PZT陶瓷的结构特点、物理性能出发,对低温烧结技术在PZT陶瓷领域的研究现状进行了综述,基于低温烧结原理介绍了特种烧结技术(放电等离子体烧结、热压烧结和冷烧结)和引入助烧剂(形成固溶体、液相烧结和过渡液相烧结)的低温烧结现状,系统总结了上述烧结技术对PZT压电陶瓷微观结构和电学性能的影响规律。针对引入助烧剂导致电学性能劣化的问题及可能的解决途径进行了探讨,并对PZT陶瓷低温烧结技术的发展趋势进行了展望。 展开更多
关键词 PZT 低温烧结 压电陶瓷 钙钛矿 综述
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钆掺杂的高非线性和低漏流SnO_(2)基压敏电阻材料
2
作者 孙斐 赵洪峰 缪奎 《材料导报》 北大核心 2025年第2期31-34,共4页
本工作通过在SnO_(2)-Co_(3)O_(4)-Cr_(2)O_(3)-Ta_(2)O_(5)体系中引入Gd,制备了兼具高非线性系数和低泄漏电流的SnO_(2)压敏陶瓷材料。结果表明:Gd的掺杂能够促进晶粒生长,降低样品气孔率,并在掺杂量为0.25%(如无特殊说明均为摩尔分数... 本工作通过在SnO_(2)-Co_(3)O_(4)-Cr_(2)O_(3)-Ta_(2)O_(5)体系中引入Gd,制备了兼具高非线性系数和低泄漏电流的SnO_(2)压敏陶瓷材料。结果表明:Gd的掺杂能够促进晶粒生长,降低样品气孔率,并在掺杂量为0.25%(如无特殊说明均为摩尔分数)时获得了最佳的电气性能,非线性系数达到55,泄漏电流低至7.74 mA/cm^(2),同时电压梯度高达568 V/mm,在50 Hz频率下介电常数高达213,显示出其潜在的应用前景。但过饱和的掺杂会恶化压敏陶瓷的电气性能。本工作将非线性系数的变化归因于晶界势垒的提升,认为泄漏电流减小是晶界电阻升高,电子迁移率下降导致的,并从点缺陷的角度分析了晶界势垒升高的原因,系统地阐述了Gd的掺杂对SnO_(2)压敏电阻陶瓷电气性能和微观结构的影响机理。 展开更多
关键词 SnO_(2)压敏电阻 非线性 泄漏电流 晶界电阻 势垒 点缺陷
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J形引线陶瓷外壳关键技术和工艺研究
3
作者 杨振涛 于斐 +2 位作者 余希猛 段强 任昊迪 《电子质量》 2025年第8期51-54,共4页
J形引线陶瓷外壳需要在外壳镀金完成后再进行引线弯曲成型,成型过程中需要多个模具相互配合,因此该类外壳加工过程较常规带引线结构的外壳更为复杂。引线加工过程中模具会与金层表面直接接触,成型后引线表面镀层容易划伤,导致产品外观... J形引线陶瓷外壳需要在外壳镀金完成后再进行引线弯曲成型,成型过程中需要多个模具相互配合,因此该类外壳加工过程较常规带引线结构的外壳更为复杂。引线加工过程中模具会与金层表面直接接触,成型后引线表面镀层容易划伤,导致产品外观不合格,因此引线成型加工是J形引线陶瓷外壳加工制备的关键。通过开展引线成型流程及弯曲模具设计等关键技术和工艺研究,解决了J形引线陶瓷外壳加工及成型的难题,实现了该类陶瓷外壳的批量生产加工和应用,满足外壳外观检验及引线牢固性要求。 展开更多
关键词 J形引线 多层陶瓷外壳 引线牢固性 引线成型
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家电用NTC热敏电阻高温迟滞效应对B值影响的分析与研究
4
作者 黄至焕 刘玉玲 +1 位作者 陈国正 陈灿坤 《日用电器》 2025年第6期24-27,33,共5页
NTC热敏电阻因其高灵敏度和快速响应特性,在电磁灶、电饭煲等电热类家电中广泛应用。然而在高温段,其电阻-温度(R-T)特性与基于材料常数B值拟合的理论值存在显著偏差。本文通过定量分析和成因探讨,揭示了高温下迟滞效应的成因,包括晶格... NTC热敏电阻因其高灵敏度和快速响应特性,在电磁灶、电饭煲等电热类家电中广泛应用。然而在高温段,其电阻-温度(R-T)特性与基于材料常数B值拟合的理论值存在显著偏差。本文通过定量分析和成因探讨,揭示了高温下迟滞效应的成因,包括晶格畸变和离子迁移等微观结构变化。结果表明,迟滞效应对B值的预测精度有显著影响,且这种影响随温度升高而加剧。为此,本文提出了优化的固定电阻替换策略,以减少迟滞效应的影响,提高NTC热敏电阻测量的准确性。本研究揭示了高温迟滞效应对B值预测精度的影响,为家电安全检测标准的完善提供了理论支持,并为优化NTC热敏电阻的评估体系和检测方法提供了方向。 展开更多
关键词 家电检测 NTC热敏电阻 材料常数B值 迟滞效应
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铟锡氢氧化物的煅烧温度对ITO靶材结构性能的影响
5
作者 张倍维 陆映东 +3 位作者 黄作 莫斌 方志杰 黄誓成 《功能材料》 北大核心 2025年第1期1209-1216,共8页
研究发现氧化锡铟(ITO)靶材的致密度受ITO前驱粉体烧结活性影响并取决于其结构和组成。而ITO前驱粉体煅烧温度对于ITO靶材结构及其性质的影响尚未明晰。探究铟锡氢氧化物粉体的煅烧形成ITO粉体过程中,温度对于其粉体的结构以及后续制备... 研究发现氧化锡铟(ITO)靶材的致密度受ITO前驱粉体烧结活性影响并取决于其结构和组成。而ITO前驱粉体煅烧温度对于ITO靶材结构及其性质的影响尚未明晰。探究铟锡氢氧化物粉体的煅烧形成ITO粉体过程中,温度对于其粉体的结构以及后续制备的ITO靶材的烧结致密化的影响。XRD衍射分析表明铟锡氢氧化物的粉末煅烧温度和时间的增加均会导致ITO粉体晶粒尺寸变大;当煅烧温度为750℃时(2 h),ITO粉体有较高的比表面积,高的表面金属含量构成,制备的靶材具有高的相对密度,更低的电阻率,靶材断面结构紧凑,内部气孔相对较少。前驱粉体煅烧温度与ITO靶材的结构-性能关系,揭示了煅烧温度直接影响铟锡氢氧化物粉体的立方晶体的形成,改变了生成的ITO粉体结构(比表面积、表面元素构成、粒度等),影响成型的素胚密度,进而影响ITO靶材的烧结致密性及导电性能。 展开更多
关键词 铟锡氧化物 温度-结构-性能关系 锡(Sn)掺杂氧化铟(In2O3) ITO靶材
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ZnVMnCoTiBiO压敏陶瓷的低温烧结及性能
6
作者 孙婷婷 赵鸣 +3 位作者 蔺心宇 崔文正 刘卓承 邓磊波 《材料科学与工程学报》 CSCD 北大核心 2024年第6期931-936,共6页
ZnVMnCoTiBiO基压敏陶瓷因其极低的烧结温度(<800℃)而备受瞩目,然而其低温烧结机理尚未完全被揭示。因此,本研究首先采用固相法合成了ZnVMnCoTiBiO基压敏陶瓷,并采用DSC、XRD、SEM、STEM和EEEls及标准电压-电流等测试方法探究该材... ZnVMnCoTiBiO基压敏陶瓷因其极低的烧结温度(<800℃)而备受瞩目,然而其低温烧结机理尚未完全被揭示。因此,本研究首先采用固相法合成了ZnVMnCoTiBiO基压敏陶瓷,并采用DSC、XRD、SEM、STEM和EEEls及标准电压-电流等测试方法探究该材料的低温烧结机理,以及烧结温度在750~850℃范围内变化对其性能的影响。结果表明,含Ti富钒液相与ZnO晶粒表面间的界面反应传质机理从约612℃起成为控制ZnVMnCoTiBiO压敏烧结的主要机理。在733℃左右,Zn_(2)TiO_(4)尖晶石颗粒大量形成,并被富钒液相包裹,因而对烧结影响不大。因此,ZnVMnCoTiBiO基压敏陶瓷可在750℃的较低温度下即可烧结。经测定750℃烧结的样品性能最佳:其非线性系数为37.3,压敏电压为2919 V/mm,漏电流密度为0.33 mA/cm^(2)。随着烧结温度升高至850℃,其非线性系数和压敏电压逐渐降低。 展开更多
关键词 ZnVMnCoBiTiO压敏陶瓷 低温 烧结
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B_(2)O_(3)掺杂对0.76BF-0.24BT高温无铅压电陶瓷结构与性能影响
7
作者 黄蔚然 杨华斌 袁琳娜 《桂林电子科技大学学报》 2024年第3期286-291,共6页
为研究掺杂B_(2)O_(3)对陶瓷的影响,采用固相合成法制备了0.76BiFeO_(3)-0.24BaTiO_(3)-xB_(2)O_(3)(简称0.76BF-0.24BT-x BO)高温无铅压电陶瓷,x为摩尔分数。对0.76BF-0.24BT-x BO陶瓷相结构、微观形貌组织、电学性能、居里温度以及退... 为研究掺杂B_(2)O_(3)对陶瓷的影响,采用固相合成法制备了0.76BiFeO_(3)-0.24BaTiO_(3)-xB_(2)O_(3)(简称0.76BF-0.24BT-x BO)高温无铅压电陶瓷,x为摩尔分数。对0.76BF-0.24BT-x BO陶瓷相结构、微观形貌组织、电学性能、居里温度以及退极化温度进行测试分析。XRD分析表明所有样品均为纯三方钙钛矿结构。观察陶瓷微观形貌,发现晶粒分布均匀,晶界之间有液相存在,且晶粒尺寸随着x增加而增大。陶瓷最佳烧结温度从960℃降至940℃。当x=0.1时,压电常数和剩余极化强度达到最大值,分别为101 pC·N^(-1)、21.5μC·cm^(-2)。0.76BF-0.24BT-x BO陶瓷有着良好的高温稳定性:居里温度T_(C)为585℃,退极化温度T_(d)=560℃。研究结果表明,掺杂B_(2)O_(3)具有改善0.76BF-0.24BT陶瓷微观形貌组织、降低烧结温度和提高电学性能的作用。 展开更多
关键词 铁酸铋-钛酸钡无铅压电陶瓷 居里温度 退极化温度 压电性能 低温烧结
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La掺杂对(In_(0.5)Nb_(0.5))_(0.10)Ti_(0.90)O_(2)陶瓷微观结构和介电性能的影响
8
作者 张翠玲 陈建宾 《现代化工》 CAS CSCD 北大核心 2024年第3期182-187,共6页
In和Nb共掺杂TiO_(2)(INTO)陶瓷在100 kHz以下的巨大介电常数源于内部势垒层电容效应。根据这种电容效应,通过增加晶界对介电性能的贡献来降低其低频介电损耗。因此,将La掺杂到INTO陶瓷中,通过细化晶粒并增加晶界数量来降低陶瓷制备过... In和Nb共掺杂TiO_(2)(INTO)陶瓷在100 kHz以下的巨大介电常数源于内部势垒层电容效应。根据这种电容效应,通过增加晶界对介电性能的贡献来降低其低频介电损耗。因此,将La掺杂到INTO陶瓷中,通过细化晶粒并增加晶界数量来降低陶瓷制备过程中的能耗。结果表明,La掺杂减小了INTO陶瓷的晶粒尺寸,增加了陶瓷中晶界的数量,并且陶瓷中析出LaNbTiO_(6)二次相,在陶瓷晶粒之间形成高阻态的相界,降低陶瓷的低频介电损耗,优化了陶瓷介电常数的频率稳定性。 展开更多
关键词 共掺杂TiO_(2)陶瓷 内阻挡层电容效应 低频介电损耗 晶界数量 相界
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B_(4)C陶瓷电火花工艺温度场仿真及试验研究
9
作者 孙衍涛 郑雷 《盐城工学院学报（自然科学版）》 CAS 2024年第1期67-74,共8页
B_(4)C陶瓷具有硬度高、密度低等特性,在军工装甲等领域应用前景广阔,但由于硬度高、脆性大,传统加工方法难以胜任孔、槽等加工。考虑半导电特性,拟采用电火花方法对其进行孔加工技术研究。利用ANSYS软件对电火花放电过程中的单脉冲温... B_(4)C陶瓷具有硬度高、密度低等特性,在军工装甲等领域应用前景广阔,但由于硬度高、脆性大,传统加工方法难以胜任孔、槽等加工。考虑半导电特性,拟采用电火花方法对其进行孔加工技术研究。利用ANSYS软件对电火花放电过程中的单脉冲温度场进行仿真建模,输出凹坑半径、深度及温度场数值,并引入锥角物理量进行仿真和试验比对。结果表明:凹坑半径、深度随峰值电流、脉冲宽度增加而增加,温度场特点满足高斯热源正态分布;随着峰值电流、脉冲宽度的增加,仿真锥角和试验锥角数值更贴合。 展开更多
关键词 B_(4)C陶瓷 电火花方法 孔加工 单脉冲温度场 锥角
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NTC热敏电阻材料组成及制备工艺研究进展 被引量：26
10
作者 王卫民 赵鸣 +2 位作者 张慧君 高峰 田长生 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期286-289,共4页
本文对含锰尖晶石系列热敏电阻材料的组成、制备工艺和性能给予了评述。提出了NTC多层片式化、老化特性等目前该领域中几点前沿性热点问题。
关键词 NTC 尖晶石 多层片式化 老化
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ZnO压敏电阻老化机理的研究进展 被引量：26
11
作者 刘俊 何金良 +1 位作者 胡军 龙望成 《电工电能新技术》 CSCD 北大核心 2010年第3期63-67,共5页
ZnO压敏电阻作为避雷器的关键元件在限制电力系统过电压方面具有极为重要的作用,直接决定电力系统的过电压水平和设备的绝缘水平。然而其在承受长期工作电压或短时冲击电流作用时不可避免地会产生老化现象。本文总结了国内外学者对于Zn... ZnO压敏电阻作为避雷器的关键元件在限制电力系统过电压方面具有极为重要的作用,直接决定电力系统的过电压水平和设备的绝缘水平。然而其在承受长期工作电压或短时冲击电流作用时不可避免地会产生老化现象。本文总结了国内外学者对于ZnO压敏电阻老化机理的不同观点及最新研究进展,分析了其老化机理,并讨论了提高ZnO压敏电阻稳定性的方法。 展开更多
关键词 ZNO压敏电阻 老化机理 离子迁移 稳定性
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ZnO陶瓷薄膜的制备及其低压压敏性质 被引量：10
12
作者 黄焱球 刘梅冬 +3 位作者 李楚容 曾亦可 刘少波 夏冬林 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2001年第5期384-386,共3页
利用新型 Sol- Gel法在镀有 Au底电极的单晶硅片上制备 Bi2 O3、Sb2 O3掺杂的 Zn O陶瓷薄膜。先驱体溶液由 Bi2 O3、Sb2 O3掺杂的 Zn O纳米粉体均匀分散于含有 Zn(CH3COO) 2 、Bi(NO3) 3及 Sb2 O3的溶胶中制成。薄膜由甩胶法制备 ,并由 ... 利用新型 Sol- Gel法在镀有 Au底电极的单晶硅片上制备 Bi2 O3、Sb2 O3掺杂的 Zn O陶瓷薄膜。先驱体溶液由 Bi2 O3、Sb2 O3掺杂的 Zn O纳米粉体均匀分散于含有 Zn(CH3COO) 2 、Bi(NO3) 3及 Sb2 O3的溶胶中制成。薄膜由甩胶法制备 ,并由 40 0°C预烧、75 0°C退火。制得的陶瓷薄膜 Zn O结晶良好 ,并存在β- Bi2 O3、Zn2 Sb3Bi3O1 4 及Zn7Sb2 O1 2 相 ,表现出良好的低压压敏性质。厚约为 3μm的 Zn O陶瓷薄膜非线性系数α为 6 .2、压敏电压为 5 V、漏电流为 8μA。 展开更多
关键词 陶瓷薄膜 低压压敏电阻 性能特征 氧化锌
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高能ZnO基复合陶瓷线性电阻的制备 被引量：5
13
作者 袁方利 林元华 +2 位作者 黄淑兰 李晋林 季幼章 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期497-500,共4页
在 ＺｎＯ中添加 Ａｌ２Ｏ３和 ＭｇＯ，制备了高能 ＺｎＯ基复合陶瓷线性电阻，其电阻率为 ５～１３００Ω ·ｃｍ、能量密度大于 ４５０Ｊ／ｃｍ３、电阻温度系数小且近于线性．烧结温度、 ＭｇＯ添加量和降温速率分别对材料的电... 在 ＺｎＯ中添加 Ａｌ２Ｏ３和 ＭｇＯ，制备了高能 ＺｎＯ基复合陶瓷线性电阻，其电阻率为 ５～１３００Ω ·ｃｍ、能量密度大于 ４５０Ｊ／ｃｍ３、电阻温度系数小且近于线性．烧结温度、 ＭｇＯ添加量和降温速率分别对材料的电阻率、电阻温度特性以及线性度和能量密度有较大影响． 展开更多
关键词 ZnO陶瓷 线性电阻 制备 氧化铝 氧化锰
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纳米晶钛酸钡粉体制备及陶瓷烧结性能的研究 被引量：12
14
作者 李青莲 陈维 +1 位作者 陈寿田 惠春 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2000年第1期37-39,共3页
采用硬脂酸钡和钛酸丁酯为原料的凝胶方法制备了纳米晶钛酸钡粉。ＸＲＤ分析表明晶体为立方相钙钛矿结构，扫描电镜图像显示一次粒子粒径约２０ｎｍ。纳米粉体烧结温度比普通微米粉体烧结温度低，陶瓷显微结构分析表明在陶瓷中晶粒仍保... 采用硬脂酸钡和钛酸丁酯为原料的凝胶方法制备了纳米晶钛酸钡粉。ＸＲＤ分析表明晶体为立方相钙钛矿结构，扫描电镜图像显示一次粒子粒径约２０ｎｍ。纳米粉体烧结温度比普通微米粉体烧结温度低，陶瓷显微结构分析表明在陶瓷中晶粒仍保持纳米尺寸，约为１００ｎｍ。所得材料具有良好的热稳定性，在１１９０～１２８０℃的烧结温度范围内，陶瓷体内晶粒无明显长大，且始终维持在纳米尺寸。 展开更多
关键词 钛酸钡 纳米晶体 陶瓷 烧结性能
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Nb_2O_5掺杂对ZnO压敏电阻器电性能的影响 被引量：8
15
作者 李慧峰 许毓春 +1 位作者 王礼琼 王士良 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1994年第6期27-30,共4页
本文研究了Ｎｂ＿２Ｏ＿５掺杂以及Ｎｂ＿２Ｏ＿５与ＺｎＯ煅烧对ＺｎＯ压敏电阻器电性能的影响。实验表明，Ｎｂ＿２Ｏ＿５的掺入使压敏电场减少，当Ｎｂ＿２Ｏ＿５含量为０．１％ｍｏｌ时，其压敏电场最小．非线性系数最大。煅烧温度... 本文研究了Ｎｂ＿２Ｏ＿５掺杂以及Ｎｂ＿２Ｏ＿５与ＺｎＯ煅烧对ＺｎＯ压敏电阻器电性能的影响。实验表明，Ｎｂ＿２Ｏ＿５的掺入使压敏电场减少，当Ｎｂ＿２Ｏ＿５含量为０．１％ｍｏｌ时，其压敏电场最小．非线性系数最大。煅烧温度越高，压敏电场越高，非线性系数越大。 展开更多
关键词 氧化锌陶瓷 压敏电阻器 陶瓷 掺杂 性能 电阻器
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添加Nd_2O_3对氧化锌压敏阀片电性能与显微组织的影响 被引量：7
16
作者 严群 陈家钊 涂铭旌 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第12期1179-1183,共5页
研究了微量Nd2O3添加剂对氧化锌压敏阀片的压敏电位梯度、漏电流和压比的影响,并对其显微组织进行了分析研究,从理论上探讨了Nd2O3对氧化锌压敏阀片电性能与组织的作用机理。研究结果表明:当Nd2O3的摩尔分数为0.04％时,氧化锌压敏阀片... 研究了微量Nd2O3添加剂对氧化锌压敏阀片的压敏电位梯度、漏电流和压比的影响,并对其显微组织进行了分析研究,从理论上探讨了Nd2O3对氧化锌压敏阀片电性能与组织的作用机理。研究结果表明:当Nd2O3的摩尔分数为0.04％时,氧化锌压敏阀片的压敏电位梯度最高,漏电流最小,压比最低,具有优良的综合电性能。其原因是Nd2O3加入到氧化锌压敏阀片中,使晶粒尺寸减小所致。 展开更多
关键词 氧化锌 压敏阀片 氧化钕 电性能 显微组织
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掺杂及工艺特性对高介BaTiO_3系统性能的影响 被引量：3
17
作者 郭炜 李玲霞 +2 位作者 吴霞宛 王洪儒 张志萍 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2002年第6期482-484,共3页
研究了共沉淀合成的BaTiO3热处理过程,温度过低,粉末为立方相,温度较高时为四方相,烧结后其介电性能较好;掺杂适量的稀土元素Gd2O3可有效的改善陶瓷的介电性能,其在室温下系统介电性能为:ε≥5000,ΔC/C≤±15%,tanδ≤1.2%,R≥1012... 研究了共沉淀合成的BaTiO3热处理过程,温度过低,粉末为立方相,温度较高时为四方相,烧结后其介电性能较好;掺杂适量的稀土元素Gd2O3可有效的改善陶瓷的介电性能,其在室温下系统介电性能为:ε≥5000,ΔC/C≤±15%,tanδ≤1.2%,R≥1012Ω·cm,满足X7R特性。 展开更多
关键词 掺杂 工艺特性 高介BaTiO3 系统性能 稀土元素 X7R 钛酸钡 陶瓷材料
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高居里点(1-x)Ba_(0.998)La_(0.002)TiO_3+xBi_4Ti_3O_(12)系统陶瓷微观结构及温度特性的研究 被引量：4
18
作者 蒲永平 王瑾菲 +3 位作者 赵新 杨公安 陈小龙 吴胜红 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期1119-1122,共4页
采用传统陶瓷制备工艺制备(1-x)Ba0.998La0.002TiO3+xBi4Ti3O12(0≤x≤0.01)系统陶瓷。对在还原气氛(氮气)中烧成的陶瓷样品在一定温度下进行再氧化处理。研究了不同Bi4Ti3O12掺杂浓度以及再氧化过程对BaTiO3微观结构、介电性能及居里温... 采用传统陶瓷制备工艺制备(1-x)Ba0.998La0.002TiO3+xBi4Ti3O12(0≤x≤0.01)系统陶瓷。对在还原气氛(氮气)中烧成的陶瓷样品在一定温度下进行再氧化处理。研究了不同Bi4Ti3O12掺杂浓度以及再氧化过程对BaTiO3微观结构、介电性能及居里温度Tc的影响。结果表明:掺杂Bi4Ti3O12后,BaTiO3陶瓷的晶粒尺寸明显减小;Bi4Ti3O12具有提高陶瓷居里点温度的作用,当x=1.0时,居里温度提高到Tc=150℃。随着BIT加入量的增加,电子与缺位混合补偿,晶格中将产生金属离子缺位,以补偿多余电子,因此随着BIT掺入量的增加,电阻率逐渐增大。 展开更多
关键词 Ba0.998La0.002TiO3 BI4TI3O12 显微结构 居里温度
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CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷深陷阱松弛特性研究 被引量：3
19
作者 杨雁 李盛涛 +3 位作者 李晓 吴高林 王谦 鲍明晖 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第11期1185-1190,共6页
研究了固相反应法及共沉淀法制备的CaCu3Ti4O12陶瓷深陷阱松弛特性.测试了CaCu3Ti4O12陶瓷在频率为0.1～107Hz,温度为–100～100℃的范围内的介电频谱及温谱.通过对不同温度下介电频谱的分析,研究了双Schottky势垒结构中深陷阱松弛特性... 研究了固相反应法及共沉淀法制备的CaCu3Ti4O12陶瓷深陷阱松弛特性.测试了CaCu3Ti4O12陶瓷在频率为0.1～107Hz,温度为–100～100℃的范围内的介电频谱及温谱.通过对不同温度下介电频谱的分析,研究了双Schottky势垒结构中深陷阱松弛特性.研究表明:在交流小信号作用下,由于Schottky势垒中深陷阱与Fermi能级的上下关系发生变化,引起深陷阱电子发射和俘获即电子松弛过程,在介电频谱中表现为松弛峰;并且由介电谱的分析结果可得深陷阱能级等微观参数.比较不同试样的深陷阱参数可知:在CaCu3Ti4O12陶瓷中,在导带以下约0.52和0.12 eV的能级处存在由本征缺陷产生的深陷阱.介电温谱与频谱的分析类似,二者可以互为补充. 展开更多
关键词 CaCu3Ti4O12陶瓷 介电频谱 松弛特性 Schottky势垒
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低压ZnO压敏陶瓷冲击老化特性 被引量：7
20
作者 章天金 周东祥 龚树萍 《电子元件与材料》 CAS CSCD 1999年第4期18-19,共2页
研究了低压ＺｎＯ压敏陶瓷元件的老化性能，分析了ＺｎＯ压敏陶瓷的冲击老化机理，探讨了改进ＺｎＯ压敏陶瓷元件抗老化能力的途径与措施。实验结果表明：低压ＺｎＯ压敏陶瓷在大电流冲击作用下，伏安特性的蜕变具有极性效应，冲击电流... 研究了低压ＺｎＯ压敏陶瓷元件的老化性能，分析了ＺｎＯ压敏陶瓷的冲击老化机理，探讨了改进ＺｎＯ压敏陶瓷元件抗老化能力的途径与措施。实验结果表明：低压ＺｎＯ压敏陶瓷在大电流冲击作用下，伏安特性的蜕变具有极性效应，冲击电流密度越大，冲击次数越多，冲击间隔愈短，伏安特性的蜕变愈严重。实验发现添加剂预烧及适量Ｓｉ。 展开更多
关键词 氧化锌 压敏陶瓷 老化 伏安特性 蜕变
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