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高T_c铋层状压电陶瓷结构与性能 被引量:71
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作者 晏海学 李承恩 +1 位作者 周家光 朱为民 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第2期209-220,共12页
综述了铋层状压电陶瓷的结构特点及性能研究.铋层状压电陶瓷的结构由(Bi2O2)2+层和钙钛矿层(Am-1BmO3m+1)2-按一定规则共生排列而成.此处 A为适合干 12配位的离子;B为适合于八面体配位的离子,m为一整... 综述了铋层状压电陶瓷的结构特点及性能研究.铋层状压电陶瓷的结构由(Bi2O2)2+层和钙钛矿层(Am-1BmO3m+1)2-按一定规则共生排列而成.此处 A为适合干 12配位的离子;B为适合于八面体配位的离子,m为一整数,其值一般为1~5.与钛酸钡(BaTiO3)或锆钛酸铅(PZT)陶瓷相比,铋层状压电陶瓷具有以下特点:低介电常数、高Tc、机电耦合系数各向异性明显、低老化率、高电阻率等. 先前研究证明,居里温度不仅与极化原子位移、自发极化强度、A位Bi含量有关,而且还与取代离子的特性诸如离子半径、电负性、核外电子排布有关.压电活性低是铋层状陶瓷的本质缺点,通常发展该材料的途径为化学取代或晶粒取向技术.研究材料结构与性能之间的关系有助于发展铋层状压电陶瓷材料. 展开更多
关键词 层状结构 性能 居里点 压电陶瓷 结构
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钨青铜型结构PBNN压电陶瓷电场-应变特性研究 被引量:2
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作者 陈大任 李国荣 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第4期547-554,共8页
对钨青铜结构型的压电陶瓷[Pbx(Ba.Sr)1-x]4(Na0.88Li0.12)2Nb10O30,x=0.64(PBNN)的逆压电效应的应变(S)随电场(E)变化特性进行了研究,研究表明该材料的S-E线性好,滞后小.是一种制备随动型压电微位移器的优良材料... 对钨青铜结构型的压电陶瓷[Pbx(Ba.Sr)1-x]4(Na0.88Li0.12)2Nb10O30,x=0.64(PBNN)的逆压电效应的应变(S)随电场(E)变化特性进行了研究,研究表明该材料的S-E线性好,滞后小.是一种制备随动型压电微位移器的优良材料.从X射线结构分析和S-E变化关系精细测量分析表明,该材料不存在钙钛矿结构型PZT系压电陶瓷(属赝立方铁电相)中由于,三晶轴在外电场下互换形成的畴的90°转向,仅有畴的180°转向.这是它S-E特性优良的原因.测量表明,其S-E关系在~350V/mm较高场强处斜率呈现~5%的微小突增,认为这是由于它属假正交晶系,在较强外场下轴长几乎相等的a、b轴间互换对应变的贡献所致. 展开更多
关键词 压电陶瓷 钨青铜型 结构 电场 应变 微位移器
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单腔结构压电陶瓷-金属复合体研究 被引量:1
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作者 周桃生 吴静 +1 位作者 苗君 柴荔英 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1999年第1期28-31,共4页
研制出一种单腔结构压电陶瓷-金属复合体,该复合体不仅压电常数高,而且具有压电常数的位置依赖性小、制作更为简单、便于稳定地安装使用等优点。由实验研究得出了较佳尺寸的复合体,相应的有效压电应变常数为7890pC/N,为其... 研制出一种单腔结构压电陶瓷-金属复合体,该复合体不仅压电常数高,而且具有压电常数的位置依赖性小、制作更为简单、便于稳定地安装使用等优点。由实验研究得出了较佳尺寸的复合体,相应的有效压电应变常数为7890pC/N,为其中PZT压电陶瓷压电应变常数的24倍。 展开更多
关键词 压电复合材料 压电陶瓷 金属复合体 单腔结构
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不同极化电压下改性PbTiO_3压电陶瓷的X射线研究
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作者 傅国飞 陆佩文 +2 位作者 曾燕伟 薛万荣 沈大为 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 1991年第5期49-57,共9页
本文研究了两种配方相同,不同冷却速率的改性PbTiO_3压电陶瓷在不同极化电压下的X射线特征,结果表明:电畴的自发极化方向在极化电场方向的取向度和晶体的晶格畸变同材料的机电耦合系数K_(?)值具有一定的相关性.增大电畴在极化电场方向... 本文研究了两种配方相同,不同冷却速率的改性PbTiO_3压电陶瓷在不同极化电压下的X射线特征,结果表明:电畴的自发极化方向在极化电场方向的取向度和晶体的晶格畸变同材料的机电耦合系数K_(?)值具有一定的相关性.增大电畴在极化电场方向的取向度和减少晶体晶格畸变区的相对体积有助于提高材料的K_(?)值. 展开更多
关键词 钛酸铅 压电陶瓷 极化电压 改性
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