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低损耗陶瓷技术研究 被引量：1
1
作者 庞学满 曹坤 +1 位作者 戴洲 王子良 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2012年第5期502-505,共4页
研究了低损耗陶瓷配方以及工艺技术,采用超细高纯Al2O3粉,并通过液相金属盐沉淀包覆法,将烧结添加剂MgO均匀添加到Al2O3粉中,然后采用特殊二次烧结工艺,控制陶瓷材料的显微结构,提高陶瓷的致密性,消除气孔,获得致密的Al2O3陶瓷材料。分... 研究了低损耗陶瓷配方以及工艺技术,采用超细高纯Al2O3粉,并通过液相金属盐沉淀包覆法,将烧结添加剂MgO均匀添加到Al2O3粉中,然后采用特殊二次烧结工艺,控制陶瓷材料的显微结构,提高陶瓷的致密性,消除气孔,获得致密的Al2O3陶瓷材料。分析了样品的抗弯强度、晶相组成、微观形貌以及介电性能。该方法将陶瓷材料的介电损耗降至6.84×10-4,为今后微波毫米波传输介质的应用奠定了基础。 展开更多
关键词 氧化铝陶瓷 介电损耗 液相沉淀 烧结
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CSBT-BNT-NT系高介瓷料α_ε系列化的研究 被引量：1
2
作者 江涛 郭育源 江丽君 《电子元件与材料》 CAS CSCD 2000年第3期16-18,共3页
进行了具有高介电常数的 (Ca,Sr,Ba) Ti O3(CSBT) - Ba6 - 3x Nd8+ 2 x Ti1 8O5 4 (BNT) - Nd2 Ti2 O7(NT)系瓷料介电常数温度系数 (αε)系列化的研究 ,采用多相混合控制技术 ,按李赫涅德凯混合法则 ,调整该三元系瓷料αε系列。研制... 进行了具有高介电常数的 (Ca,Sr,Ba) Ti O3(CSBT) - Ba6 - 3x Nd8+ 2 x Ti1 8O5 4 (BNT) - Nd2 Ti2 O7(NT)系瓷料介电常数温度系数 (αε)系列化的研究 ,采用多相混合控制技术 ,按李赫涅德凯混合法则 ,调整该三元系瓷料αε系列。研制的瓷料介电性能 :εr=90～ 15 0 ;tgδ( 2 0℃ ,1 MHz) ≤ (0 .5～ 5 .0 )× 10 - 4 ;αc( - 2 5～ + 85℃ ) =((0～ - 75 0 )± 6 0 )× 10 - 6℃ - 1 ;ρv( 2 0℃ ,DC 1 0 0 V) ≥ 10 1 2 Ω· cm。 展开更多
关键词 钛钡锶钙相 资料 介电常数温度系数 陶瓷
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CeQ_2—Nd_2O_3系陶瓷的介电频率特性
3
作者 张承琚 王成建 肖鸣山 《稀土》 EI CAS CSCD 1991年第3期24-26,共3页
本文主要讨论CeO_2～Nd_2O_3系陶瓷的介电频率特性,并与CeO_2陶瓷和Nd_2O_3陶瓷的介电频率特性作了比较。研究结果表明,CeO_2-Nd_2O_3系陶瓷具有良好的高频介电响应。
关键词 氧化铈 氧化钕 陶瓷 介电性质 稀土
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喷射共沉淀法制备纳米ZnFe_2O_4及其结构表征 被引量：9
4
作者 焦正 李民强 +2 位作者 边历峰 刘锦淮 钱逸泰 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2001年第5期631-635,共5页
对化学共沉淀法加以改进称为喷射共沉淀法。采用喷射共沉淀法制备了ZnFe2O4纳米粉末材料。采用XRD、SEM和TEM进行结构分析结果表明喷射共沉淀法制备的ZnFe2O4纳米粉末颗粒细小均匀形状完整。由于纳米尺寸效应的存在纳米ZnFe2O4粉末材料... 对化学共沉淀法加以改进称为喷射共沉淀法。采用喷射共沉淀法制备了ZnFe2O4纳米粉末材料。采用XRD、SEM和TEM进行结构分析结果表明喷射共沉淀法制备的ZnFe2O4纳米粉末颗粒细小均匀形状完整。由于纳米尺寸效应的存在纳米ZnFe2O4粉末材料具有铁磁性。从流体力学角度分析了喷射共沉淀法中物质的输运和反应过程并解释了试验结果。认为喷射共沉淀法是一种较好的制备氧化物纳米粉末材料的方法。 展开更多
关键词 化学共沉淀 纳米材料 ZNFE2O4 喷射共沉淀 结构表征 软磁材料 铁酸锌 磁性
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低温烧结0.5CaTiO_3-0.5CaTiSiO_5高频介质陶瓷 被引量：4
5
作者 黄雯雯 凌志远 +2 位作者 欧瑞江 何新华 张庆秋 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2003年第6期14-16,共3页
对添加2ZnO-B2O3玻璃实现0.5CaTiO3-0.5CaTiSiO5 高频介质材料900℃下低温烧结进行了系统研究.实验结果表明:添加质量分数为5%～10% 2ZnO-B2O3玻璃可使体积密度达到0.5CaTiO3-0.5CaTiSiO5理论密度的97%以上,且介电性能优异,εr = 58～76... 对添加2ZnO-B2O3玻璃实现0.5CaTiO3-0.5CaTiSiO5 高频介质材料900℃下低温烧结进行了系统研究.实验结果表明:添加质量分数为5%～10% 2ZnO-B2O3玻璃可使体积密度达到0.5CaTiO3-0.5CaTiSiO5理论密度的97%以上,且介电性能优异,εr = 58～76,tgδ≤ 3.3×10-4,αε= (329～472)×10-6/℃,ρν≥ 1012 Ω?cm.利用XRD、SEM和介电测量技术分析材料的晶相组成、显微结构和介电特性发现:材料由三种晶相组成,分别是单斜型CaTiSiO5、正交型CaTiO3以及一个新相,新相的生成可能是在液相烧结后期2ZnO-B2O3 玻璃在晶界处结晶而形成,低温烧结0.5CaTiO3-0.5CaTiSiO5 介质材料的介电性能很好地遵循李氏对数混合法则. 展开更多
关键词 高频介质陶瓷 玻璃 低温烧结 介电性能
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CaTiSiO_5-TiO_2系统高频电容器瓷料的研究
6
作者 白花珍 张之圣 胡明 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第6期609-612,共4页
介绍一种以ＣａＴｉＳｉＯ５ＴｉＯ２为主晶相的高频热稳定、高频热补偿电容器瓷料。通过调整ＣａＴｉＳｉＯ５及ＴｉＯ２的百分含量，选择ＷＯ３和ＺｎＯ为添加剂，合理控制烧成温度，以适当温度预烧等方法，可得到介电系数高于国家... 介绍一种以ＣａＴｉＳｉＯ５ＴｉＯ２为主晶相的高频热稳定、高频热补偿电容器瓷料。通过调整ＣａＴｉＳｉＯ５及ＴｉＯ２的百分含量，选择ＷＯ３和ＺｎＯ为添加剂，合理控制烧成温度，以适当温度预烧等方法，可得到介电系数高于国家标准，温度系数组别多达１０，烧成温度范围达２０℃以上，工艺性好、重复性强、成本低的高频电容器瓷料。 展开更多
关键词 电容器 瓷料 主晶相 介电系数 电容温度系数
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ZBN-NBN系低温高频瓷料在MLC引进线上的应用
7
作者 李怀新 《电子元件与材料》 CAS CSCD 1992年第3期58-61,共4页
本文介绍了ZnO·Bi_2O_3·Nb_2O_5-Ni_2O_3·Bi_2O_3·Nb_2O_5系(简称为ZBN-NBN系),温度系数0±60×10^(-6)/℃的瓷料,在MLC引进线上应用过程中所存在的问题,解决问题的方法及取得的成果。
关键词 MLC引进线 低温烧结 高频瓷料
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透辉石—高频瓷原料
8
作者 马.,ГН 程振香 《江苏地质科技情报》 1989年第3期23-24,共2页
关键词 透辉石 高频陶瓷 原料
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