(Cr-Si-Ni)/Si薄膜的微观结构和电阻率 被引量：8

1

作者 张玉勤 董显平 吴建生 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期746-750,共5页

采用磁控溅射方法在Si(100)基底上制备了CrSiNi电阻薄膜,研究了不同温度退火时薄膜微观结构的转变过程以及对电阻率的影响。结果表明薄膜在溅射态和低于300℃热处理时为非晶态;退火温度高于300℃以后,薄膜中析出CrSi2晶化相;当退火温度... 采用磁控溅射方法在Si(100)基底上制备了CrSiNi电阻薄膜,研究了不同温度退火时薄膜微观结构的转变过程以及对电阻率的影响。结果表明薄膜在溅射态和低于300℃热处理时为非晶态;退火温度高于300℃以后,薄膜中析出CrSi2晶化相;当退火温度达到600℃时,薄膜中还有少量多晶Si相析出,同时在薄膜与基底界面处还发生了原子的相互扩散;CrSi2晶化相成“岛”状结构,弥散分布在非晶绝缘基底上;薄膜室温电阻率随着退火温度的上升,呈先上升、后下降趋势;薄膜电阻率随退火温度的变化行为与薄膜微观结构的变化以及界面扩散有关。 展开更多

关键词 电阻薄膜 Si基底 微观结构 界面扩散 电阻率

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Cr掺杂对Cu/Si(100)薄膜体系的微观结构及电阻率的影响 被引量：3

2

作者 王新建 刘嘉聪 +2 位作者 洪波 姜传海 董显平 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第12期1916-1921,共6页

利用简易合金靶在Si（100）衬底磁控溅射制备Cu、Cu-1．19％Cr和Cu-2，18％Cr薄膜，研究Cr对Cu薄膜在300-500℃真空退火前后的结构和电阻率的影响。X射线衍射分析表明：Cu及Cu（Cr）薄膜均呈现Cu（111）和Cu（200）衍射峰，并且Cu（Cr... 利用简易合金靶在Si（100）衬底磁控溅射制备Cu、Cu-1．19％Cr和Cu-2，18％Cr薄膜，研究Cr对Cu薄膜在300-500℃真空退火前后的结构和电阻率的影响。X射线衍射分析表明：Cu及Cu（Cr）薄膜均呈现Cu（111）和Cu（200）衍射峰，并且Cu（Cr）薄膜一直保持较强的（111）织构。原子力显微分析表明：Cu薄膜在500℃退火时，薄膜与硅基底发生明显的互扩散，薄膜表面的致密度及平整度下降：而Cu（Cr）薄膜在退火时保持较高的致密度，Cr显著提高Cu／Si薄膜体系的热稳定性。Cu（Cr）薄膜的电阻率随温度升高先减小而后增加，在400℃及500℃退火30min后分别达到最小值2．76μΩ·cm和2．97μΩ·cm，与纯Cu膜相近（2．55μΩ·cm）。Cu（Cr）薄膜退火电阻率的大幅度减小与薄膜晶粒尺寸的增加以及Cr的扩散有关。适量的Cr掺杂和合理的退火工艺使得Cu（Cr）合金薄膜在高温互连材料方面具有很大的应用前景。 展开更多

关键词 Cu(Cr)薄膜 织构 热稳定性 电阻率

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水合二氧化钌物理特性与电阻浆料电性能的关系 被引量：4

3

作者 苏功宗 赵中兴 +3 位作者 张代瑛 李同泉 陶文成 马晓峰 《电子元件与材料》 CAS CSCD 1995年第6期23-26,共4页

介绍了用Ｃｌ２－ＮａＯＨ溶解、蒸馏金属钌粉方法生产的水合二氧化钉的纯度、比表面、结晶形状及粉末形态等多种物理特性。测定了脱水温度与脱水率、比表面、松装密度、摇实密度的关系。探讨了水合二氧化钌物理特性与电阻浆料电性能的... 介绍了用Ｃｌ２－ＮａＯＨ溶解、蒸馏金属钌粉方法生产的水合二氧化钉的纯度、比表面、结晶形状及粉末形态等多种物理特性。测定了脱水温度与脱水率、比表面、松装密度、摇实密度的关系。探讨了水合二氧化钌物理特性与电阻浆料电性能的关系。 展开更多

关键词 水合二氧化钌 物理特性 电阻浆料 电性能 钌粉

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单靶磁控溅射Cu1-xCrx（x=1．19～2．37）薄膜的制备 被引量：3

4

作者 王新建 姜传海 +1 位作者 王家敏 洪波 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第11期1876-1881,共6页

利用简易合金靶材在Si（100）基底上单靶磁控溅射制备Cu1-xCrx（x=1．19～2．37，摩尔分数，％）薄膜。研究不同名义成分的合金靶材得到的溅射态薄膜的成分、电学性能、组织结构及表面状态。研究结果表明：利用简易合金靶材制备的Cu1-x... 利用简易合金靶材在Si（100）基底上单靶磁控溅射制备Cu1-xCrx（x=1．19～2．37，摩尔分数，％）薄膜。研究不同名义成分的合金靶材得到的溅射态薄膜的成分、电学性能、组织结构及表面状态。研究结果表明：利用简易合金靶材制备的Cu1-xCrx薄膜成分可控。Cr的加入增强了溅射态薄膜的（111）织构，且随着薄膜厚度的增加，（111）织构增强；855nm厚的Cu-2．37％Cr薄膜的（111）与（200）的峰强比高达8．48；合金元素Cr显著影响溅射态薄膜的表面状态（平整性和致密度）和电阻率；随着Cr含量的增加，前者呈现先升高后下降的趋势，而薄膜电阻增加；Cu-2．18％Cr薄膜由于应力增加局部产生微裂纹，薄膜连续性下降。并从薄膜生长动力学以及自由能的角度对上述结果进行了初步的阐述。 展开更多

关键词 Cu1-xCrx薄膜 磁控溅射 溅射态 织构

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SnO_2/ITO复合透明导电膜研究 被引量：6

5

作者 宿昌厚 庞大文 张治国 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第11期709-713,T001,共6页

在普通的真空镀膜机上,首次采用电阻加热蒸发和电子束蒸发相结合的新工艺,研制出平面的和绒面的 SnO_2/ITO复合透明导电膜.在可见光区内膜的透射率分别大于 90％和 85％,方块电阻小于 10Ω/□.用这种膜制备非晶硅太阳电池,效果令人满意... 在普通的真空镀膜机上,首次采用电阻加热蒸发和电子束蒸发相结合的新工艺,研制出平面的和绒面的 SnO_2/ITO复合透明导电膜.在可见光区内膜的透射率分别大于 90％和 85％,方块电阻小于 10Ω/□.用这种膜制备非晶硅太阳电池,效果令人满意,光电转换效率与日本旭消子的同类膜相同. 展开更多

关键词 SnO/ITO 导电膜 电阻 加热 蒸发

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关于国际电工委员会2000年版热阻标准IEC60747-7中ΔV_(BE)与I_E关系的讨论 被引量：2

6

作者 苗庆海 YuanMiao +5 位作者 张德骏 张兴华 LieyongYang 陈凤霞 ZhiweiYang 朱阳军 《自然科学进展》 北大核心 2004年第8期955-960,共6页

指出国际电工委员会标准IEC 74 7 7的热阻部分 ,关于晶体管电流电压温度关系的原理图和波形图是错误的 ,从理论上证明了该标准中的I V T曲线与实际情况相矛盾 ,这一矛盾也被实验所证实 ;同时给出了同一晶体管在两个不同温度下正确的I V ... 指出国际电工委员会标准IEC 74 7 7的热阻部分 ,关于晶体管电流电压温度关系的原理图和波形图是错误的 ,从理论上证明了该标准中的I V T曲线与实际情况相矛盾 ,这一矛盾也被实验所证实 ;同时给出了同一晶体管在两个不同温度下正确的I V T特性曲线和波形图 ,可以作为修正标准的参考样本 .还提供了相应的计算和精确的实测结果 . 展开更多

关键词 晶体管 热阻 波形图 原理图 IEC 747-7标准

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Cr,Mo对Cu/Si(100)薄膜体系结构、电阻率及扩散性能的影响 被引量：1

7

作者 王新建 刘嘉聪 +2 位作者 董显平 姜传海 洪波 《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第11期1882-1886,共5页

利用简易合金靶材在Si（100）基底单靶磁控溅射制备Cu（Cr）、Gu（Mo）薄膜．研究薄膜在300～500℃退火前后的结构、电学及扩散性能的变化．结果表明，Cr、MO的加入增强了Cu薄膜的（111）织构，且溅射态薄膜电阻率显著增加．真空退火后... 利用简易合金靶材在Si（100）基底单靶磁控溅射制备Cu（Cr）、Gu（Mo）薄膜．研究薄膜在300～500℃退火前后的结构、电学及扩散性能的变化．结果表明，Cr、MO的加入增强了Cu薄膜的（111）织构，且溅射态薄膜电阻率显著增加．真空退火后，Cu（200）和Cu（220）衍射峰增强，但薄膜保持较强的（111）织构．Cu（1．19％Cr）薄膜电阻率随温度升高先减小后增加，400℃退火后电阻率最小，为2．76μΩ·cm，接近纯Cu薄膜（2．55μΩ·cm）；而Cu（1．28％Mo）薄膜的电阻率一直呈下降趋势．Cu（1．28%Mo）薄膜在400℃退火30min后，薄膜与Si基底间的互扩散深度约60nm，与纯Cu薄膜（约70nm）相似．而Cu（1．19%Cr）薄膜的互扩散深度较小为30nm．Cr显著减小了Cu、Si之间的互扩散．这与Cr在薄膜／基体界面处的偏聚有关． 展开更多

关键词 薄膜 磁控溅射 电阻率 织构 互扩散

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光子烧结纳米银导电油墨制备柔性电路技术的研究 被引量：1

8

作者 张兴业 王海燕 +2 位作者 汪硕 游海平 宋延林 《贵金属》 CAS CSCD 北大核心 2015年第A01期90-96,共7页

喷印电子技术在印刷电子领域中有着广泛的应用，导电油墨是印刷电子产业的基础性原料，基于纳米银开发的导电墨水成为了研发的热点。针对纳米银的合成、导电油墨的制备和印后光子烧结技术进行了研究，并深入开展了基于喷印技术制备柔性... 喷印电子技术在印刷电子领域中有着广泛的应用，导电油墨是印刷电子产业的基础性原料，基于纳米银开发的导电墨水成为了研发的热点。针对纳米银的合成、导电油墨的制备和印后光子烧结技术进行了研究，并深入开展了基于喷印技术制备柔性电路的工作。 展开更多

关键词 纳米银 光子烧结 喷雾干燥 柔性电路

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高性能钌系低阻值厚膜电阻浆料的研究 被引量：1

9

作者 苏功宗 张代瑛 +1 位作者 李同泉 陶文成 《电子元件与材料》 CAS CSCD 1994年第6期16-21,共6页

通过在钌系电阻浆料配方中加入多种金属及金属氧化物粉末的大量实验，推出了制备高性能钌系低阻值（≤１０Ω／□）厚膜电阻浆料的方法。

关键词 厚膜电阻 电阻浆料 钌系 低阻值

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低阻PTC陶瓷材料的研制动向 被引量：5

10

作者 薛泉林 《电子元件与材料》 CAS CSCD 1995年第3期15-19,共5页

伴随ＰＴＣ元件的大电流与小型化，对低阻ＰＴＣ陶瓷材料的需求甚为迫切。有关低阻ＰＴＣ陶瓷材料的研究，在材料阻成、制造工艺与原材料选择等诸方面均取得了新进展。

关键词 低电阻率 陶瓷材料 PTC 热敏电阻

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钌酸铋、铱酸铋厚膜电阻材料 被引量：1

11

作者 高官明 武新荣 《电子元件与材料》 CAS CSCD 1989年第4期34-37,共4页

当配比Bi_2Ru_2O_7/玻璃从15/85变化到70/30,850℃烧结后,方阻从1.60MQ/□变到6.28Ω/□,TCR从-60ppm/℃变到200ppm/℃。当配比Bi_2Ir_2O_7/玻璃从20/80变到70/30,780℃烧结,方阻从1.1MΩ/□变到77.9Ω/□,TCR从-274ppm/℃变到269ppm/... 当配比Bi_2Ru_2O_7/玻璃从15/85变化到70/30,850℃烧结后,方阻从1.60MQ/□变到6.28Ω/□,TCR从-60ppm/℃变到200ppm/℃。当配比Bi_2Ir_2O_7/玻璃从20/80变到70/30,780℃烧结,方阻从1.1MΩ/□变到77.9Ω/□,TCR从-274ppm/℃变到269ppm/℃。高温(950℃)煅烧制得的Bi_2Ru_2O_7、Bi_2Ir_2O_7与低温(600℃、700℃)制得的相比,方阻高,TCR较负,前者宜作高电阻膜,后者宜作低电阻膜。掺入Al_2O_3、SiO_2使方阻增大,而TCR和噪声良好,TiO_2使TCR较负。Au粉使方阻急降,但改善TCR。Pt粉对方阻和TCR无明显影响。Bi_2O_3或MnO_2使TCR由正值偏向负值方向。150℃、1000小时热存放后,Bi_2Ru_2O_7低阻变化较大,高阻变化率为±1％;Bi_2Ir_2O_7阻值变化率小于0.8％。Bi_2Ir_2O_7与Bi_2Ru_2O_7相比,噪声低,TCR略大。 展开更多

关键词 厚膜电阻 钌酸铋 电阻材料 铱酸铋

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温度系数为±50×10^(-6)/℃的厚膜电阻浆料

12

作者 苏功宗 李同泉 +2 位作者 陶文成 杨雯 陈为亮 《贵金属》 CAS CSCD 北大核心 1999年第2期43-47,共5页

研究１种温度系数为±５０×１０－６／℃钌系厚膜电阻浆料。

关键词 厚膜电阻 钌 温度系数 浆料 电性能 电阻浆料

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厚膜电阻浆料的胶冻现象及预防措施

13

作者 陶文成 苏功宗 +1 位作者 张代瑛 李同泉 《电子元件与材料》 CAS CSCD 1995年第1期45-46,共2页

厚膜电阻浆料的胶冻现象及预防措施陶文成，苏功宗，张代瑛，李同泉（昆明贵金属研究所昆明６５０２２１）１前言近年来，我们在研制和生产电阻浆料的过程中，发现某些中阻值电阻浆料出现严重的胶冻现象，我们称这种浆料为胶冻浆料。其... 厚膜电阻浆料的胶冻现象及预防措施陶文成，苏功宗，张代瑛，李同泉（昆明贵金属研究所昆明６５０２２１）１前言近年来，我们在研制和生产电阻浆料的过程中，发现某些中阻值电阻浆料出现严重的胶冻现象，我们称这种浆料为胶冻浆料。其胶冻现象与南方某公司使用进口的电阻... 展开更多

关键词 厚膜电阻 电阻浆料 胶冻 预防

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聚合物电阻浆料的研究

14

作者 高官明 武新荣 《电子元件与材料》 CAS CSCD 1992年第3期35-40,共6页

采用环氧-酚醛-缩醛改性复合粘结剂,导电材料用不同粒度和结构的碳黑,配制出的浆料对氧化铝等刚性基片有较大的附着力。同样可用树脂类柔性材料作基板,解决了浆料固化膜硬而脆、热老化性能差等问题,使固化膜形成一种致密的体型网状枝链... 采用环氧-酚醛-缩醛改性复合粘结剂,导电材料用不同粒度和结构的碳黑,配制出的浆料对氧化铝等刚性基片有较大的附着力。同样可用树脂类柔性材料作基板,解决了浆料固化膜硬而脆、热老化性能差等问题,使固化膜形成一种致密的体型网状枝链,印刷膜层平滑,电性能一致。浆料的固化温度为170～250℃,固化时间为0.5～6h,能获得较好的电性能。 展开更多

关键词 环氧树脂 聚合物 电阻浆料

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基于铂电阻的测温系统 被引量：1

15

作者 刘继光 《计算机光盘软件与应用》 2011年第1期107-107,共1页

测温系统由铂电阻作为温度传感器，AD7711提供恒流源和信号调理及AD转换器，单片机作为整个系统的微控制器，从而构成了一个完整的测温系统，同时系统具有一个USB接口。该测温系统具有微功耗、体积小、精度高等特点，适用于精度要求比... 测温系统由铂电阻作为温度传感器，AD7711提供恒流源和信号调理及AD转换器，单片机作为整个系统的微控制器，从而构成了一个完整的测温系统，同时系统具有一个USB接口。该测温系统具有微功耗、体积小、精度高等特点，适用于精度要求比较高的工业场合。 展开更多

关键词 测温系统 铂电阻 AD7711 AD转换器 单片机

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米粒电阻芯生产线电气控制系统

16

作者 季绍陵 荣大龙 《基础自动化》 CSCD 1996年第6期28-32,共5页

简要介绍了米粒电阻芯生产线的机械结构及控制要求，较详细地介绍了其电气控制系统的组成原理，并介绍了变频调速器、可编程控制器（PLC）和光电开关在系统中的应用。

关键词 电阻芯 电气控制系统 米粒电阻芯 生产线

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碳材料透明导电薄膜材料专利分析综述

17

作者 罗囡囡 王卓 +1 位作者 高晓薇 岳瑞娟 《广州化工》 CAS 2020年第14期31-33,共3页

通过分析碳材料透明导电薄膜材料的全球专利申请趋势、主要国家和地区的申请人区域分布和申请量趋势、主要国家和地区的专利布局、申请人类型及核心专利分布等信息,从产品类型角度,将碳材料分为碳纳米管、石墨烯以及其它碳材料,对碳纳... 通过分析碳材料透明导电薄膜材料的全球专利申请趋势、主要国家和地区的申请人区域分布和申请量趋势、主要国家和地区的专利布局、申请人类型及核心专利分布等信息,从产品类型角度,将碳材料分为碳纳米管、石墨烯以及其它碳材料,对碳纳米管和石墨烯导电薄膜专利申请进行了分类和研究,掌握了该领域的研发热点和发展趋势,为国内研发主体提供研发方向和专利预警。 展开更多

关键词 透明导电薄膜 碳材料 碳纳米管 石墨烯 专利

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碳纳米管和石墨烯透明导电薄膜材料专利综述

18

作者 罗囡囡 王卓 +1 位作者 高晓薇 岳瑞娟 《广州化工》 CAS 2020年第13期22-24,35,共4页

通过对碳材料透明导电薄膜中的碳纳米管和石墨烯导电薄膜材料进行了技术分解,主要分为产品改进、制备方法改进以及应用,对其中产品改进和制备方法改进作了进一步细化分类,根据专利申请量,总结出主要的改进方向,同时,对重要和前沿的专利... 通过对碳材料透明导电薄膜中的碳纳米管和石墨烯导电薄膜材料进行了技术分解,主要分为产品改进、制备方法改进以及应用,对其中产品改进和制备方法改进作了进一步细化分类,根据专利申请量,总结出主要的改进方向,同时,对重要和前沿的专利申请进行了梳理和展示,有助于国内申请人对以碳纳米管和石墨烯为主的碳材料导电薄膜领域的技术发展有较为全面的了解。 展开更多

关键词 透明导电薄膜 碳材料 碳纳米管 石墨烯 专利

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贵金属基电接触材料的研究进展 被引量：28

19

作者 溥存继 谢明 +6 位作者 杜文佳 杨云峰 赵明 王塞北 张吉明 杨有才 陈永泰 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第7期22-25,共4页

介绍了贵金属基电接触材料的种类、特点及应用范围,分析了国内外贵金属基电接触材料的使用条件及各种制备技术的优缺点。重点介绍了发展前景较好的4个系列银基电接触材料的各项性能指标、工作原理及应用方向,最后道出了电接触材料先进... 介绍了贵金属基电接触材料的种类、特点及应用范围,分析了国内外贵金属基电接触材料的使用条件及各种制备技术的优缺点。重点介绍了发展前景较好的4个系列银基电接触材料的各项性能指标、工作原理及应用方向,最后道出了电接触材料先进制备技术的研发方向,并指出了贵金属基电接触材料具有向多元化发展的趋势。 展开更多

关键词 电接触材料 银基电接触材料 制备工艺 发展趋势

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电阻浆料特性点滴

20

作者 李同泉 《电子元件与材料》 CAS CSCD 1994年第2期56-58,共3页

研究了电阻浆料负电阻温度系数可以向正方向调整；加工电阻浆料用玻璃粉时，不同的加工器具对玻璃粉性能的影响；浆料凝胶现象产生的原因及消除凝胶现象的方法。

关键词 电阻 浆料 温度系数

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