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PMN-PT系陶瓷准同型相界附近结构与介电性能研究 被引量:11
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作者 方菲 张孝文 +1 位作者 桂治轮 李龙土 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第6期688-696,共9页
用二次合成法制备了(1—x)PMNxPT(x=0.30,0.33,0.35,0.38)陶瓷,并对其进行了微结构和介电性能研究。X射线衍射研究结果表明,除0.70PMN0.30PT为立方晶系外,其余三种均为四方晶系,其... 用二次合成法制备了(1—x)PMNxPT(x=0.30,0.33,0.35,0.38)陶瓷,并对其进行了微结构和介电性能研究。X射线衍射研究结果表明,除0.70PMN0.30PT为立方晶系外,其余三种均为四方晶系,其准同型相界位于PT含量为0.30~0.33之间。对试样的lg1ε-1εm与lg(T-Tm)关系研究表明,确定Tm以上的εT特性可引入指数n表征,n值的大小在1~2之间变化。PMNPT系中n值随PT含量作连续性变化,表明该体系在立方四方准同型相界两侧介电行为由弛豫铁电体到普通铁电体的过渡是渐变的连续性行为。用Debye介质理论和有序无序转变理论讨论了准同型相界两侧介电性能的变化,认为准同型相界两侧介电性能的变化与有序微区的尺寸密切相关。 展开更多
关键词 铌镁酸铅 钛酸铅陶瓷 介电性 铁电体 陶瓷
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Pb(Zr,Sn,Ti)O_3中组份变化对反铁电-铁电相变的影响 被引量:3
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作者 冯玉军 徐卓 +2 位作者 刘鹏 杨同青 姚熹 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期395-398,共4页
探讨了掺铌Pb(Zr,Sn ,Ti)O3反铁电陶瓷中 ,组份变化对晶体结构及电场诱导反铁电 -铁电相变性能的影响 .分析结果表明 :在Pb0 .99Nb0 .0 2 [(Zr1-xSnx) 1-yTiy]0 .98O3反铁电陶瓷中 ,y增加 ,反铁电四方相晶轴比a/c减小 ,增加晶胞体积 ,... 探讨了掺铌Pb(Zr,Sn ,Ti)O3反铁电陶瓷中 ,组份变化对晶体结构及电场诱导反铁电 -铁电相变性能的影响 .分析结果表明 :在Pb0 .99Nb0 .0 2 [(Zr1-xSnx) 1-yTiy]0 .98O3反铁电陶瓷中 ,y增加 ,反铁电四方相晶轴比a/c减小 ,增加晶胞体积 ,诱导反铁电 -铁电相变的开关电场强度降低 .x增加 ,反铁电四方相的晶轴比a/c和晶胞体积减小 ,结果是扩大了可以发生电场诱导反铁电 -铁电相变的反铁电相区 . 展开更多
关键词 锆锡钛酸铅 反铁电陶瓷 反铁电-铁电相变 成分
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一种新压电材料——类石英晶体GaPO_4 被引量:5
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作者 张传忠 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1999年第1期64-67,共4页
磷酸镓(GaPO4)单晶是一种新的压电材料,其晶体结构与石英很相似,但其热稳定性以及压电效应和机电耦合系数却要高得多,并且具有体声波(BAW)和声表面波(SAW)所需要的温度补偿切型。它是一种用于温度范围超过900... 磷酸镓(GaPO4)单晶是一种新的压电材料,其晶体结构与石英很相似,但其热稳定性以及压电效应和机电耦合系数却要高得多,并且具有体声波(BAW)和声表面波(SAW)所需要的温度补偿切型。它是一种用于温度范围超过900°C的压电换能器和传感器的非常有前途的材料。文章介绍了GaPO4的晶体生长。 展开更多
关键词 磷酸镓 压电效应 热稳定性 晶体生长 压电材料
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工艺对0-3复合材料介电和压电性能的影响 被引量:8
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作者 严继康 张建成 +1 位作者 吴文彪 沈悦 《上海大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 1999年第2期119-122,共4页
作者以PZT和PVDF为原料,采用热压和轧膜两种方法制备了0-3压电复合材料.研究了复合材料的极化工艺和制备工艺.实验结果表明:与轧膜法相比,热压法制备的复合材料样品有较高的介电常数ε和压电常数d33;在人工极化时,... 作者以PZT和PVDF为原料,采用热压和轧膜两种方法制备了0-3压电复合材料.研究了复合材料的极化工艺和制备工艺.实验结果表明:与轧膜法相比,热压法制备的复合材料样品有较高的介电常数ε和压电常数d33;在人工极化时,与热压法相比,轧膜法制备的样品的最佳极化电场E,极化温度T和极化时间t均有较高的值. 展开更多
关键词 压电复合材料 介电性 压电性 工艺 复合材料
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