本文研究了碳化硅(SiC)防晕材料的电致发光现象。对发光亮度波形等的观察表明,SiC 电致发光是由贯穿 SiC 晶体的阻性电流引起的,发光亮度和该电流成正比,属载流子注入发光;SiC 试样体内主要有 N-Al 和 N—B施主—受主对两种复合机制。由...本文研究了碳化硅(SiC)防晕材料的电致发光现象。对发光亮度波形等的观察表明,SiC 电致发光是由贯穿 SiC 晶体的阻性电流引起的,发光亮度和该电流成正比,属载流子注入发光;SiC 试样体内主要有 N-Al 和 N—B施主—受主对两种复合机制。由于 SiC 试样含杂质浓度较高,从发光光谱可以得知 SiC 禁带中存在杂质能带。本文最后提出了 SiC 防晕材料电致发光机理,用它解释了由发光亮度衰减波形和亮度—频率关系曲线测得的两个不同的电子寿命值。展开更多
文摘本文研究了碳化硅(SiC)防晕材料的电致发光现象。对发光亮度波形等的观察表明,SiC 电致发光是由贯穿 SiC 晶体的阻性电流引起的,发光亮度和该电流成正比,属载流子注入发光;SiC 试样体内主要有 N-Al 和 N—B施主—受主对两种复合机制。由于 SiC 试样含杂质浓度较高,从发光光谱可以得知 SiC 禁带中存在杂质能带。本文最后提出了 SiC 防晕材料电致发光机理,用它解释了由发光亮度衰减波形和亮度—频率关系曲线测得的两个不同的电子寿命值。
