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双输出SiPM前置放大器设计与分析 被引量:1
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作者 龙源 黄跃峰 +1 位作者 侯会良 陈永忠 《核技术》 北大核心 2025年第1期85-91,共7页
为了适配闪烁体与硅光电倍增器(Silicon Photomultiplier,SiPM)耦合探测器的不同应用场景,设计了基于OPA855芯片的跨阻放大器(Transimpedance Amplifier,TIA)和电压反馈放大器(Voltage Feedback Amplifier,VFB)。理论设计上考虑了两类... 为了适配闪烁体与硅光电倍增器(Silicon Photomultiplier,SiPM)耦合探测器的不同应用场景,设计了基于OPA855芯片的跨阻放大器(Transimpedance Amplifier,TIA)和电压反馈放大器(Voltage Feedback Amplifier,VFB)。理论设计上考虑了两类前置放大器的带宽和噪声问题,采用PSpice for TI软件仿真验证其可行性,并通过阶跃响应和噪声测量验证其性能参数。在室温条件下,采用SiPM耦合掺铈钆铝镓石榴石(Cerium-doped Gadolinium Aluminum Gallium Garnet,GAGG(Ce))探头对^(241)Am源进行系统测量。结果表明:跨阻放大器的带宽为101 MHz,低于电压反馈放大器的381 MHz,但其基线噪声σ_(noise)≈448.32μV优于电压反馈放大器的σ_(noise)≈680.96μV;电压反馈放大器和跨阻放大器分别满足GAGG(Ce)探头快输出脉冲上升沿时间(2 ns)和标准输出脉冲上升沿时间(20 ns)的带宽设计需求。两类前置放大器均可满足不同场景下对高带宽和低输入噪声的需求,并与SiPM不同的输出模式相匹配。受限于电路的固有噪声和SiPM的输入电容,设计的跨阻放大器适合于能量测量和小面积SiPM应用,而电压反馈放大器更适合时间测量和大面积SiPM阵列。 展开更多
关键词 硅光电倍增器 前置放大器 GAGG(Ce) 闪烁体探测器 噪声
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基于串联读出电路的探测器位置识别方法研究
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作者 李欣月 杨剑 +4 位作者 曾国强 杨新宇 田成帅 胡传皓 欧阳晓平 《核技术》 北大核心 2025年第6期72-80,共9页
核辐射成像依赖于位置灵敏探测器,其所需的读出电子学通道数一般较多。而传统采用电阻矩阵网络对电荷进行分流的信号读出方法,虽然大幅度减少了电子学通道的数量,但能量分辨率也显著变差。本文设计了一种串联读出电路来减少读出电子学... 核辐射成像依赖于位置灵敏探测器,其所需的读出电子学通道数一般较多。而传统采用电阻矩阵网络对电荷进行分流的信号读出方法,虽然大幅度减少了电子学通道的数量,但能量分辨率也显著变差。本文设计了一种串联读出电路来减少读出电子学的通道数量,并保证较好的能量分辨能力。探测器选用4×4阵列排布的CsI(Tl)闪烁体,并耦合了阵列SiPM来产生电流信号。电流信号经过串联电阻网络后,在两端通过电荷灵敏前放转化为电压信号。因此,单个探头模组的串联读出电路所需的读出电子学的通道数量仅为两路,而探测器的位置则是利用两端信号幅度比进行识别。针对662 keV能量的实验结果表明,探测器的相对位置分辨率为0.54%,其测得能量分辨率可达6.51%。 展开更多
关键词 电荷灵敏前放 串联读出电路 位置识别 能量分辨率
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氮化硼个人剂量计低功耗前端CMOS芯片电路设计
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作者 刘崭 刘海峰 +2 位作者 何高魁 黄鑫怡 孙佳宇 《原子能科学技术》 北大核心 2025年第S2期498-505,共8页
本文设计了一款针对氮化硼中子探测器的个人剂量计的低功耗、低噪声CMOS电子学电路。该电路主要包括低噪声电荷灵敏前置放大器、滤波成形电路、基准电流源及电压甄别电路。氮化硼中子探测器作为第4代宽禁带半导体核辐射探测器,具有较低... 本文设计了一款针对氮化硼中子探测器的个人剂量计的低功耗、低噪声CMOS电子学电路。该电路主要包括低噪声电荷灵敏前置放大器、滤波成形电路、基准电流源及电压甄别电路。氮化硼中子探测器作为第4代宽禁带半导体核辐射探测器,具有较低的室温漏电流,使其适合于常温下工作。该探测器无需额外的中子灵敏转换层可直接将中子信号转化为电荷信号。前端电子学电路将探测器的电荷信号转换为电压信号,经过整形放大后通过电压比较器输出脉冲信号进行计数。为确保低功耗,电路采用SMIC 55 nm CMOS工艺设计与制造,工作电压1.2 V,单通道电流186μA。放大部分采用增益自举结构对输入管噪声进行优化。提出了一种动态可调的反馈电阻结构,通过M1~M8晶体管构成的差分对与电流镜机制,结合低通滤波器抑制漏电流引起的基线漂移,显著提升了电路的稳定性与线性度,同时可有效补偿探测器漏电流。该电路的仿真测试表明零电容等效噪声电荷为3e-,噪声斜率为1.21e-/pF。每通道功耗为0.22 mW,输出转换增益为5 mV/fC,线性度小于1%。 展开更多
关键词 氮化硼中子探测器 个人剂量计 电荷灵敏前置放大器 低噪声 低功耗 ASIC
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低噪声同轴型高纯锗探测器的低噪声前置放大器的ASIC设计
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作者 刘崭 刘海峰 +2 位作者 何高魁 黄鑫怡 孙佳宇 《核技术》 北大核心 2025年第8期81-89,共9页
本文设计了一种多通道低温、低噪声的电荷灵敏前置放大器,专用于20 pF电容的同轴型高纯锗探测器。由于探测器的输入电容较大,噪声随之增加,为保证高能量分辨率,前端电子学需满足严格的噪声性能标准。通过采用优化后的噪声模型、多次仿... 本文设计了一种多通道低温、低噪声的电荷灵敏前置放大器,专用于20 pF电容的同轴型高纯锗探测器。由于探测器的输入电容较大,噪声随之增加,为保证高能量分辨率,前端电子学需满足严格的噪声性能标准。通过采用优化后的噪声模型、多次仿真迭代和特殊的版图结构得到低噪声输入管,并将前置放大器设计工作在液氮温度下,使其尽可能靠近探测器放置从而进一步减小寄生电容,降低噪声。测试结果显示,该电路在−196~55℃的宽温度范围内能稳定工作,且能快速、平稳地驱动同轴电缆。电路可在100 ns内为100Ω负载提供2.5 V脉冲,且无振铃现象。在−196℃、准高斯整形时间为6μs时,零电容的噪声性能为8.4个电子,信号4243.66 keV的半高全宽(Full Width at Half Maximum,FWHM)为2.91 keV,能量分辨率可达0.67‰,具有5 mV∙fC^(−1)的输出转换增益和0.15%的非线性度及单路7.92 mW的较低静态功耗。所获得的性能足以用于同轴型高纯锗探测器的γ射线光谱和脉冲形状分析。 展开更多
关键词 高纯锗探测器 电荷灵敏前置放大器 低噪声 ASIC 集成电路设计
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线性脉冲放大器虚拟系统设计
5
作者 孟祥厅 彭玲玲 +3 位作者 巩来咏 刘小亮 孙宇 张怀强 《核电子学与探测技术》 北大核心 2025年第3期382-387,共6页
本文介绍了一款基于LabVIEW与Multisim软件设计的线性脉冲放大器虚拟系统,旨在为核仪器设备研发人员提供一种快速高效的工具。该系统不仅支持电路理论学习、电路仿真,还具备直观的操作界面、灵活的参数配置和实时波形显示功能。实现了... 本文介绍了一款基于LabVIEW与Multisim软件设计的线性脉冲放大器虚拟系统,旨在为核仪器设备研发人员提供一种快速高效的工具。该系统不仅支持电路理论学习、电路仿真,还具备直观的操作界面、灵活的参数配置和实时波形显示功能。实现了仿核脉冲信号输出电路、无源微分与极零相消电路、(RC)^(m)电路以及准高斯滤波电路等多种电路仿真。系统还包含了电路原理和理论考核模块,确保研发人员在实际操作前对相关理论有充分理解。通过虚拟系统的运行结果,验证了该系统的可行性和有效性,能够有效地辅助核仪器设备的研发,提高研发速度和质量,具有很好的实际应用价值。 展开更多
关键词 虚拟系统 线性脉冲放大器 LABVIEW MULTISIM
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基于同轴型高纯锗探测器的CMOS电荷灵敏前置放大器设计
6
作者 刘崭 何高魁 刘海峰 《原子能科学技术》 北大核心 2025年第3期717-724,共8页
本文设计了一款多通道低噪声的电荷灵敏前置放大器,专用于输入电容较大的同轴型高纯锗探测器。大电容探测器会带来更大的输入噪声,为保证高能量分辨率,对前端电子学的噪声性能提出了较高的标准。在多级放大器中,总噪声受第一级噪声的影... 本文设计了一款多通道低噪声的电荷灵敏前置放大器,专用于输入电容较大的同轴型高纯锗探测器。大电容探测器会带来更大的输入噪声,为保证高能量分辨率,对前端电子学的噪声性能提出了较高的标准。在多级放大器中,总噪声受第一级噪声的影响最显著。因此,输入管必须具有优异的噪声性能,通过采用优化后的噪声模型、多次仿真迭代和特殊的版图结构得到低噪声输入管。当输入管尺寸较大时,会产生栅极漏电流,漏电流会改变前置放大器输出的基准位置。本文采用了一种带漏电流补偿的反馈电阻模块,该模块消除了反馈电阻对电源、温度和工艺变化的敏感性,同时可补偿几μA的泄漏电流,且电路为自偏置,无需外部偏压设定反馈电阻阻值。此前置放大器在10 pF的探测器电容下,上升时间不超过50 ns,且无任何震荡现象。在低温下前置放大器展示出仅5.6个电子的低噪声性能,具有5 mV/fC的输出转换增益和0.15%的线性度及12.5 mW的较低静态功耗。在特定的低能量辐射检测应用中,电路性能良好。 展开更多
关键词 高纯锗探测器 电荷灵敏前置放大器 低噪声 集成电路设计
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裂变电离室脉冲前置放大器设计
7
作者 黄鑫怡 杨昉东 +6 位作者 刘洋 赵江滨 刘海峰 唐晨阳 孙佳宇 刘崭 何高魁 《同位素》 2025年第3期253-260,共8页
裂变电离室安装在堆内测量孔道中,通过无机电缆和有机电缆将信号送出,可实现反应堆启动至满功率过程堆内中子通量监测。针对脉冲电离室的输出信号测量需求,设计了一款裂变电离室用全差分脉冲前置放大器,主要包括两路电荷灵敏环及差分电... 裂变电离室安装在堆内测量孔道中,通过无机电缆和有机电缆将信号送出,可实现反应堆启动至满功率过程堆内中子通量监测。针对脉冲电离室的输出信号测量需求,设计了一款裂变电离室用全差分脉冲前置放大器,主要包括两路电荷灵敏环及差分电路。电荷灵敏环以低噪声场效应管作输入放大级,以共基极电路作为次级放大级,实现了信号放大。差分电路采用高共模抑制比的运算放大器芯片,克服了前级电缆引入的干扰和噪声的影响。对该前置放大器参数进行理论计算和实验验证。结果表明,通过10 m无机电缆和30 m长有机电缆连接裂变电离室,前放输出信号上升时间小于200 ns,噪声均方值为13.3 mV,信噪比为30∶1,基本满足堆内中子通量测量的要求。 展开更多
关键词 裂变电离室 前置放大器 差分电路
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基于全国产化器件的0.1 pA级微电流跨阻放大器电路设计
8
作者 董春辉 秦张海 +8 位作者 戴世吉 罗培燕 杨西萨 杨芮 乔宝强 赖涛 黄起昌 黎刚 李伟男 《核电子学与探测技术》 北大核心 2025年第7期1007-1014,共8页
在核辐射探测中,针对输出微电流的探测器,普遍采用美国ADI公司生产的ADA4530芯片搭建跨阻放大电路来进行微电流信号的测量。目前国内暂无ADA4530的国产替代,为解决该芯片的“卡脖子”问题,基于分离的场效应管和常规运算放大芯片搭建I-V... 在核辐射探测中,针对输出微电流的探测器,普遍采用美国ADI公司生产的ADA4530芯片搭建跨阻放大电路来进行微电流信号的测量。目前国内暂无ADA4530的国产替代,为解决该芯片的“卡脖子”问题,基于分离的场效应管和常规运算放大芯片搭建I-V跨阻转换电路,实现纯国产器件的弱电流放大电路设计。该电路的输出电压范围在0~10 V之间,经过测试,当反馈电阻为100 GΩ,输入电流为0.1~100 pA时,其线性拟合优度为0.999 98,相对偏差为0.235%,噪声峰峰值为0.057 p A。当反馈电阻为10 GΩ,输入电流为1 p A时,在-10℃~80℃的温度变化范围内,其温漂小于0.042 p A/℃。当反馈电阻为10 GΩ,输入端悬空时,在室温6小时的稳定性测试中,输出漂移小于0.266 2 p A。 展开更多
关键词 国产化 微电流测量 跨阻放大电路
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SiPM耦合塑料闪烁体探测器放大电路设计 被引量:3
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作者 唐晨阳 陈欣南 +3 位作者 高春宇 李雨芃 王晓 汤秀章 《核技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第3期71-76,共6页
为了解决硅光电倍增器(Silicon Photomultiplier,SiPM)受环境噪声影响大的问题,设计了一款SiPM耦合塑料闪烁体探测器的信号放大电路。以AD8014放大芯片和CR电路构成负反馈选通放大电路,并且与OPA657跨阻式放大电路进行对比。该款电路以R... 为了解决硅光电倍增器(Silicon Photomultiplier,SiPM)受环境噪声影响大的问题,设计了一款SiPM耦合塑料闪烁体探测器的信号放大电路。以AD8014放大芯片和CR电路构成负反馈选通放大电路,并且与OPA657跨阻式放大电路进行对比。该款电路以RC滤波输入部分和集成运算放大器构成信号放大电路,具有快上升时间及低输入噪声;以CR高通滤波电路作为比较器信号输入能够有效防止信号反射。实验结果表明:该信号放大电路能够有效滤除环境噪声,并且具备快上升时间。将该电路与塑料闪烁体探测器耦合,在室温下对^(137)Cs源进行暗噪声水平和输出信号一致性测量,其输出脉冲上升时间小于12 ns,暗噪声水平低于30 mV,优于跨阻式放大电路。 展开更多
关键词 SIPM 塑料闪烁体 电路信号仿真 暗噪声与一致性测量
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放射性实验模拟仿真教学设备的研制及应用 被引量:2
10
作者 胡传皓 曾国强 +4 位作者 郑雄峰 顾民 杨剑 杨小峰 胡世敏 《实验技术与管理》 CAS 北大核心 2024年第5期166-172,共7页
针对现有放射性实验教学中,因难以大规模装备放射源及射线测量装置而无法支撑开设实验项目的问题,该文研制了一款放射性实验模拟仿真教学设备,并以此为核心搭建了实验教学平台,开展了核辐射探测器信号输出、射线能谱测量等多个实验。结... 针对现有放射性实验教学中,因难以大规模装备放射源及射线测量装置而无法支撑开设实验项目的问题,该文研制了一款放射性实验模拟仿真教学设备,并以此为核心搭建了实验教学平台,开展了核辐射探测器信号输出、射线能谱测量等多个实验。结果表明,该实验教学设备具有使用安全、操作简便、性能稳定、可拓展性强的优点,基于该设备可以开展大部分认知类、基础类以及综合类放射性实验,从而拓展实验教学内容的深度和广度,提升学生的实践动手能力,改进实验教学质量。 展开更多
关键词 放射性实验 核辐射探测 实验教学设备
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基于GAGG:Ce晶体耦合SiPM的位置灵敏探测器的设计与评估 被引量:10
11
作者 刘毅 帅磊 +4 位作者 张济鹏 梁秀佐 葛良全 王英杰 章志明 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第8期1487-1491,共5页
为满足当前γ相机对高分辨率、低成本、小型化探测器的需求,提出了采用硅光电倍增管(SiPM)耦合GAGG:Ce晶体阵列的方式代替传统的位置灵敏型光电倍增管(PSPMT)耦合晶体阵列的方式以构成新型γ相机探测器,并设计了均匀电荷分配电路(SCDC)... 为满足当前γ相机对高分辨率、低成本、小型化探测器的需求,提出了采用硅光电倍增管(SiPM)耦合GAGG:Ce晶体阵列的方式代替传统的位置灵敏型光电倍增管(PSPMT)耦合晶体阵列的方式以构成新型γ相机探测器,并设计了均匀电荷分配电路(SCDC)和阻抗电桥电路作为探测器的读出电路,同时设计了前沿定时电路作为数据采集触发电路。实验结果表明:当温度为25℃、探测器供电电压为28.5V时,该探测器在511keV射线的激发下,散点图的峰谷比高达3.84,对511keV和662keV射线的平均能量分辨率分别为10.63%和9.71%,具有较好的分辨性能。 展开更多
关键词 GAGG:Ce SIPM 能量分辨率 探测器 Γ相机
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极弱电流信号检测电路中前置放大器模拟研究 被引量:10
12
作者 于向前 陈鸿飞 +3 位作者 邹鸿 施伟红 邹积清 仲维英 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第12期1514-1517,共4页
极弱准直流电流信号测量技术在精密仪器仪表研制过程中有着广泛地应用,其中前置放大器是核心,决定了系统的噪声水平和响应时间常数。在前置放大器的模拟研究中,通过建立电阻直接反馈法和"T"型电阻网络反馈法构成前置放大器的... 极弱准直流电流信号测量技术在精密仪器仪表研制过程中有着广泛地应用,其中前置放大器是核心,决定了系统的噪声水平和响应时间常数。在前置放大器的模拟研究中,通过建立电阻直接反馈法和"T"型电阻网络反馈法构成前置放大器的电噪声模型,获取了前置放大器在各种情况下的性能参数。模拟结果表明:系统的信噪比与传感器等效电容值成反比,与反馈电容值成正比,且不能笼统地认为电阻直接反馈法和"T"型电阻网络反馈法哪种方法更优,应根据具体的情况选用合适的反馈形式。该模拟结果可为极弱电流信号检测器中前置放大器设计提供参考。 展开更多
关键词 极弱电流信号检测 前置放大器 电阻直接反馈法 “T”型电阻网络反馈法
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微弱光电流信号放大器的设计 被引量:13
13
作者 杨茂 胡立群 +1 位作者 段艳敏 毛松涛 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第7期734-738,共5页
针对等离子体物理实验装置托卡马克(EAST)实验中微弱信号的探测需要,结合EAST的恶劣电磁环境以及光电检测电路的基本工作原理,设计了一种实用的光电弱信号电流放大器。电路由前置电流放大器、有源滤波放大电路构成,结合电磁兼容技术对... 针对等离子体物理实验装置托卡马克(EAST)实验中微弱信号的探测需要,结合EAST的恶劣电磁环境以及光电检测电路的基本工作原理,设计了一种实用的光电弱信号电流放大器。电路由前置电流放大器、有源滤波放大电路构成,结合电磁兼容技术对信号进行接地和屏蔽,以及合理布线,旨在保证增益和带宽的同时降低噪声。实验表明,基于本设计的光电电流放大电路可有效测量微弱信号,在强电磁场高噪声源中仍然有较好的信噪比和良好的稳定性。 展开更多
关键词 光电探测器 前置电流放大 有源滤波 低噪声 电磁兼容
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程控增益线性脉冲放大器的设计 被引量:10
14
作者 关雪梅 乔双 +1 位作者 陈纯锴 周传胜 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第3期361-363,共3页
设计了一种新型程控增益线性脉冲放大器。采用准高斯CR-RC-CR成形电路结构,使用非易失性数字电位器和精密运放,使电路结构大大简化,抗干扰能力强,增益多级连续变化平稳,且具有温漂低、脉冲线性好等特点。
关键词 程控 线性脉冲放大器 数字电位器 多道谱仪
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梯形成形冲击响应函数推导、仿真和实验研究 被引量:8
15
作者 胡创业 康玺 +1 位作者 屈国普 李方立 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第2期341-346,共6页
本文介绍了利用逆z变换方法得到梯形成形冲击响应函数的推导过程,采用软件产生的单指数信号对其正确性进行了仿真验证。在单指数信号上加载不同标准差的高斯白噪声,经梯形成形仿真得到输出信号和输入白噪声标准差的比值约为0.447。通过... 本文介绍了利用逆z变换方法得到梯形成形冲击响应函数的推导过程,采用软件产生的单指数信号对其正确性进行了仿真验证。在单指数信号上加载不同标准差的高斯白噪声,经梯形成形仿真得到输出信号和输入白噪声标准差的比值约为0.447。通过搭建数字核信号获取平台,对实际输入核信号进行梯形成形,验证了推导过程与结果的正确性。 展开更多
关键词 梯形滤波 卷积 冲击响应函数
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SiPM核辐射探测器电路设计 被引量:11
16
作者 谭晓明 蒲忠胜 +2 位作者 魏志勇 皮本松 王振 《核电子学与探测技术》 CAS 北大核心 2016年第4期371-375,共5页
本文研究基于硅光电倍增管(SiPM)和塑料闪烁体的核辐射探测器电路,设计了适用于SiPM电压偏置电路和信号放大电路,并测试了电路的相关参数:电压偏置电路噪声在5m V以下,放大电路输出信号幅度可达伏级,带宽约为80MHz,最大信噪比在50db左右... 本文研究基于硅光电倍增管(SiPM)和塑料闪烁体的核辐射探测器电路,设计了适用于SiPM电压偏置电路和信号放大电路,并测试了电路的相关参数:电压偏置电路噪声在5m V以下,放大电路输出信号幅度可达伏级,带宽约为80MHz,最大信噪比在50db左右,四路探测器总功率为0.84W,符合项目设计要求。 展开更多
关键词 SIPM 核辐射探测器 电压偏置电路 跨阻放大器
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线性脉冲放大器 被引量:5
17
作者 李小刚 苏弘 +1 位作者 张殿胜 许海鹰 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第3期224-226,共3页
提出了一种微型成形放大器和门积分器,简要介绍电路结构与电路设计,工作原理及技术指标。该电路主要用于半导体探测器、正比计数器、闪烁探测器等仪器输出信号的放大、成形和多道脉冲幅度分析器等仪器的采样、保持电路的分析与研究。... 提出了一种微型成形放大器和门积分器,简要介绍电路结构与电路设计,工作原理及技术指标。该电路主要用于半导体探测器、正比计数器、闪烁探测器等仪器输出信号的放大、成形和多道脉冲幅度分析器等仪器的采样、保持电路的分析与研究。该仪器以其结构简单,集成度高,低功耗为主要特点,主要用于航天、高密度多路放大器和便携式放大器等仪器,整个仪器的功耗为1.2W。 展开更多
关键词 放大 成形 采样 线性 脉冲放大器 探测器
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基于ORCAD/PSPICE的电荷灵敏前置放大器仿真分析 被引量:6
18
作者 闫学昆 刘明健 +1 位作者 贾铭椿 龚军军 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期500-503,共4页
使用电路仿真软件ORCAD/PSPICE,对电荷灵敏前置放大器的灵敏度、频率响应、噪声和温度效应等主要特性进行了仿真分析,仿真结果与理论结果相符合。这为分析、优化前置放大器的性能提供了一种便捷可靠的方法。
关键词 0RCAD/PSPICE 仿真 电荷灵敏前置放大器 性能分析
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时域数值分析方法的核电子学仿真 被引量:4
19
作者 刘易 赵祥 +3 位作者 周建斌 周伟 王敏 马英杰 《实验室研究与探索》 CAS 北大核心 2016年第9期96-100,共5页
采用时域数值分析方法,利用Excel软件内嵌的VBA功能或Matlab平台,模拟核信号发生、成形、基线恢复、重峰分离、谱数据处理等核电子学中典型电子电路与数据处理过程。建立仿真数学模型并对其进行数值分析,为解决实际核信号与数据处理问... 采用时域数值分析方法,利用Excel软件内嵌的VBA功能或Matlab平台,模拟核信号发生、成形、基线恢复、重峰分离、谱数据处理等核电子学中典型电子电路与数据处理过程。建立仿真数学模型并对其进行数值分析,为解决实际核信号与数据处理问题以及仪器的数字化提供重要的参考依据,同时为依赖于硬件设备的核电子学实验教学提供了高效、安全、低成本的新实验方法。 展开更多
关键词 时域分析 数值分析 核信号模拟 VBA仿真
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基于Multisim的核信号仿真与高斯成形研究 被引量:11
20
作者 张怀强 吴和喜 宁洪涛 《核电子学与探测技术》 CAS 北大核心 2015年第8期845-848,共4页
核信号的仿真与处理对核电子学电路的研究与核仪器的研发工作具有重要意义。在Multisim平台上通过对电压脉冲信号源与电流脉冲信号源的处理,模拟产生核脉冲信号,再设计相应的CR-(RC)^m与多级Sallen-Key电路,对模拟产生的核脉冲信号采... 核信号的仿真与处理对核电子学电路的研究与核仪器的研发工作具有重要意义。在Multisim平台上通过对电压脉冲信号源与电流脉冲信号源的处理,模拟产生核脉冲信号,再设计相应的CR-(RC)^m与多级Sallen-Key电路,对模拟产生的核脉冲信号采用上述设计的电路实现其高斯成形。通过改变电路设计的参数,输出CR-(RC)^2、CR-(RC)^3,两级与四级Sallen-Key电路的高斯成形,通过与理论研究相比较,表明该研究取得较满意的效果,对核电子学电路设计、核仪器研发、与核信号处理具有一定的指导意义。 展开更多
关键词 MULTISIM 核信号仿真 Sallen-Key电路 高斯成形
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