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离子束辅助沉积立方氮化硼的试验研究 被引量：2
1
作者 谭俊 张平 +2 位作者 蔡志海 王晓晴 唐云 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第5期349-352,共4页
运用离子束辅助沉积(IBAD)法在硅片上制备了立方氮化硼(c-BN)薄膜, 研究了辅助能量、辅助束流及辅助束中氮气含量等参数对膜中c-BN含量的影响。用红外光谱(FTIR)及X射线光电子能谱(XPS)分析技术对得到的c-BN膜进行了分析。结果表明: 合... 运用离子束辅助沉积(IBAD)法在硅片上制备了立方氮化硼(c-BN)薄膜, 研究了辅助能量、辅助束流及辅助束中氮气含量等参数对膜中c-BN含量的影响。用红外光谱(FTIR)及X射线光电子能谱(XPS)分析技术对得到的c-BN膜进行了分析。结果表明: 合适的离子辅助能量能够获得c-BN含量高的薄膜; 膜中c-BN的含量随辅助气体中N2含量的提高而增加;辅助束流对薄膜的形成影响不明显。 展开更多
关键词 立方氮化硼薄膜 离子束辅助沉积 X射线光电子能谱分析 红外光谱分析
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