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镁合金的等离子体电解氧化工艺优化及膜的耐腐蚀性 被引量:3
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作者 陈砺 彭家志 +2 位作者 严宗诚 王红林 王丽 《华南理工大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第12期49-52,共4页
为优化AZ31镁合金的等离子体电解氧化工艺,并对制得的陶瓷膜的耐腐蚀性能进行电化学动力学研究.利用四因素(Na_2SiO_3浓度、KOH浓度、电解氧化电压和电解氧化时间)、三水平的田口方法优化工艺条件,并采用动电位极化曲线扫描评价AZ31镁... 为优化AZ31镁合金的等离子体电解氧化工艺,并对制得的陶瓷膜的耐腐蚀性能进行电化学动力学研究.利用四因素(Na_2SiO_3浓度、KOH浓度、电解氧化电压和电解氧化时间)、三水平的田口方法优化工艺条件,并采用动电位极化曲线扫描评价AZ31镁合金等离子体电解氧化陶瓷膜的耐腐蚀性能.结果表明:该陶瓷膜的耐腐蚀性能受田口正交矩阵中各水平的影响显著,KOH质量浓度对耐腐蚀性能的影响最大;耐腐蚀性能的最优实验参数为:Na_2SiO_3质量浓度20 g/L,KOH质量浓度4 g/L,电解氧化电压300 V和电解氧化时间40min。 展开更多
关键词 等离子体电解氧化 田口方法 陶瓷膜 AZ31镁合金
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退膜槽中磷酸的测定
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作者 汪洋 《沈飞科技》 1990年第3期24-30,共7页
关键词 退膜槽 磷酸 测定 氧化 零件
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脉冲激光沉积TiN/AlN多层膜的微结构与力学性能 被引量:4
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作者 唐普洪 宋仁国 +2 位作者 柴国钟 毛杰 熊京远 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第12期1798-1804,共7页
采用脉冲激光沉积(LPA)法,在单晶Si表面制备了调制周期为50nm的不同调制比的TiN/AlN多层膜,并研究了调制比对多层膜微结构和力学性能的影响。扫描电镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)显示,薄膜的调制比在1~4之间。并且小调制比下薄膜表面的... 采用脉冲激光沉积(LPA)法,在单晶Si表面制备了调制周期为50nm的不同调制比的TiN/AlN多层膜,并研究了调制比对多层膜微结构和力学性能的影响。扫描电镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)显示,薄膜的调制比在1~4之间。并且小调制比下薄膜表面的岛密度小,岛面积过大,分布不均匀,相邻岛之间的起伏较大。X射线衍射(XRD)结果表明,小调制比下,AlN相为明显的(002)择优取向,TiN相主要以(200)、(220)形式存在;调制比增大后,AlN相的择优取向减弱,同时伴随着薄膜晶粒的细化及硬度增强,这一研究结果说明,调制比对多层膜的性质有一定的影响,大调制比会导致Al元素在界面处聚集,并与TiN进行合金化后的形成TiAlN结构,进而对薄膜的硬度产生影响。 展开更多
关键词 脉冲激光沉积(PLA) 多层膜 TiN/AlN 微观结构 纳米压痕
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